10 IDM NEC
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- みがね いくのや
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1 No SEAJ SEAJ News 9 IEDM
2 10 IDM NEC
3
4
5 3 5
6 SEMI Forum Japan ,00010, ISSCC HP Encore SSIS HP 18,666 HPEncore 2 4 6TI
7 SSIS Encore No SSIS , ,000 15,00010, , ,210,000 20,266, ,700,000 15,962,500 3,300,000 3,412,500 11,400,000 12,550, ,500,000 2,803,500 1,000,000 2,433, , , , ,500,000 17,960,000 19,221, ,700,000 10,821, ,800,000 2,333,618 3,400,000 4,759, , ,637 2,600,000 3,943, , ,000, , , , ,000 1,000,175 1,200,000 1,517, ,000 41,410 1,000, , ,160,000 8,269,364 7,560,000 7,560, , ,250 18,017,311 18,017,311 1,750, ,267,311 19,092,051
8 SSIS ,210, ,700,000 2,700,000 12,000, ,500,000 2,000, , ,000 18,960, ,700, ,800,000 4,200, , ,000 2,600,000 1,600,000 /SFJ 1,000, ,000, , , , ,000 1,200, ,000 1,000, ,160,000 7,560, , , ,000 1,750,000 1,750,000 0
9 ,
10 DRAM IT IT 3 LSI e 2 FA 3 2 3
11 IEDM International Electron Devices Meeting IEEE The Institute of Electrical and Electronics Engineers 12 DC IEEE EDS Electron Device Society IMEC 90 nmkrf 193 nmf nmeuv 13.4 nm UCLA University of California Los AngelesProf. E. Yablonovitch 2Luncheon50 Intel Dr. Andrew S. Grove"Changing Vector of Moore's Law''Moore's Law EUV 2Evening Panel Discussion "Will SOI Ever Become a Mainstream Technology?" North Carolina State University Dr. Veena Misra Infineon Dr. Helmut Tews "Process Technology - High-k Dielectrics: Performance and Reliability" SOI "RF Device Technologies for Communication Systems" "The Future of Semiconductor Manufacturing" 2 CMOS 65 nm30 nm SDEpoly-SiGe 14-nm bulk CMOS AMD FinFET 10-nm CMOS IBM7-nmUTB Ultra-Thin Body -SOI SDE6-nm pmosfet NECEJ-MOSFET 8-nmMOSFET10-nm SoC6Tr-SRAM Thin cell layout0.6-µm 2 -SRAM 65 nmsoc Low Standby Power LSTP High-k HfO 2-Al 2O 3 laminate0.79-µm 2 SRAMSRAMSoC
12 Symposium on VLSI Technology TI80 HfSiONIEDMALD HfONHfSiON 15 MOSFET 6 MIT Prof. Judy L. Hoyt SiGe IEDMIntel 90 nm 15 EUV IBM Thermally Mixed Strained Silicon/SiGe on Insulator TM-SGOI SOI nmos20 25 nmos 15 High-k 5 2 IBM NiSiIBM FinFETSRAM High-k IBMSingle Wall Carbon Nano Tube SWCNT 23.3 µs/tube FinFET Cu/low-k NEC TSMC Low-k 65 nm IEDM 65 nm SSIS
13 ????????????????? NEC IC 72 8??????????????? IC MOS NEC60 71 ASTO Advanced Systems Technology Operation NEC NPL NPLCPL TTL74H NEC TTL NPL500 mw 50 ns 256 TAB Tape Automated Bonding 1 TABTTL TAB IC TTL NECSYL NEC Systems Lab. IC IC BCOPCO NPLTTL BCO NEC TTL 30 nsnpl 50 ns NEC IC 2 3 MOS DRAM1 KP 3NNEC DEC
14 73 4NECAM NEC America, Inc. 3 1 PDP NECSYL BCO NPL 5 TTL MOS10 TTL NEC NECAM BCOIC NEC 73 BCOPCO PCOGE BCOGCOS PCO NPC 74 PCOTTL ns µpb TTL 74 7 PCO NEC ISSCC NEC25 ns 1 K TTLPCO 256TAB CML TTL 1 KTAB CML NPL NEC TAB CML K PCOCML 2
15 BP BP PC
16 CM 8 mm 8CM P30029,8008 mm 1, P g VL-HL g 1, J-Phone SH51 31CMOS g PDA 3 PDP LCD EL FED
17 JAL
18 Cash Card 13 15
19 8 8
20 50 cmφ O
c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70
Encore SSIS 10 c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2 SSIS 24 SSISPR
IT IT 20 32 35 IC IC IC IC IC 4 5 CCD 73
No.19 1990, 1 NoSide 2 News 6 10 12 16 18 IT IT 20 32 35 IC IC IC IC IC 4 5 CCD 73 IC MOS CCD 3 VHS 8 CCD CCD CCD IC IC MOS CCD CCD MOS MOSIC IC IC MOS MOS IC MOS 82 83 MOSIC MOSIC MOS SRAM CCD CCD SRAM
スライド 1
Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,
LSI ( ) ( ) ( ) ( )
1. 2 2. 5 3. 6 4. 6 5. 6 6. 6 1 7. 7 8. 7 9. 7 10. 7 11. 8 12. 8 13. 9 14. 9 15. 9 16.LSI 9 17. 10 11 7 ( ) 10 11 7 ( ) 11 11 8 ( ) 12 11 8 ( ) 14 11 9 ( ) 16 11 9 ( ) 17 18. 18 19. 20 20. 22 2 3 2 5F
T O H O K U U N I V E R S I T Y 16152005.2 C O N T E N T S HASANUDIN ABDURAKHMAN FEUERSTEIN MARIO ANDREAS The Institute of Physics Smart Materials and Structures DRAM MOS nm International
ST 1 MOS MOS 1 1 2 8 1 CMOS CMOS 7mm3mm LSI 10 SSIS
No.28 1 SSIS 5 244 38 1600 SSIS 53 2 SSIS Human Net Work Knowledge Chain 3 11 1 SSIS OB SSIS 1 NoSide 2 5 2003 7 RCA 9 11 12 13 ST 1 MOS MOS 1 1 2 8 1 CMOS CMOS 7mm3mm LSI 10 SSIS 21 GM RCA IBM GE WE 20
1. 2 2. 5 3. 6 4. 6 5. 6 6. 6 1 7. 7 8. 7 9. 7 10. 7 11. 8 12. 8 13. 9 14. 9 15. 9 16.LSI 9 17. 10 11 7 ( ) 10 11 7 ( ) 11 11 8 ( ) 12 11 8 ( ) 14 11
1. 2 2. 5 3. 6 4. 6 5. 6 6. 6 1 7. 7 8. 7 9. 7 10. 7 11. 8 12. 8 13. 9 14. 9 15. 9 16.LSI 9 17. 10 11 7 ( ) 10 11 7 ( ) 11 11 8 ( ) 12 11 8 ( ) 14 11 9 ( ) 16 11 9 ( ) 17 18. 18 19. 20 20. 22 2 3 4 2 5F
スライド 1
High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various
13 EUVA EUV EUVLL (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA EUV W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC EUVA NEDO
13 EUVA EUV EUVLL 2002 6 (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA 2002 2005 EUV 2007 2 2005 1050W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC 1 2008 2010 EUVA NEDO EUVA EUV 2006 Selete EUVA 1. EUVA 436nm 365nm 1/17 KrF
4...H._...indd
TFT-LCD TFT-LCD 1) TFT 1920 1980 1999: 352 357 TFT-LCD TFT-LCD 2002 2000 80 1999: 93 136; 2000: 65 TFT-LCD TFT-LCD 1,000 2000: 104 111 2 IT TFT-LCD TFT-LCD 1 TFT-LCD TFT-LCD TFT-LCD TFT-LCD TFT-LCD TFT-LCD
SEIKO EPSON CORPORATION
2004 Digital Image Innovation SEIKO EPSON CORPORATION SEIKO EPSON CORPORATION 1 2 SEIKO EPSON CORPORATION TFT 1 Print Image Matching SEIKO EPSON CORPORATION 3 4 SEIKO EPSON CORPORATION 15 10 10 9 9 18
3次元LSI集積化技術
3 LSI 3D LSI Integration Technology あらまし LSI 33DI LSI Si TSV Wafer on Wafer WOW 3 45 nm CMOS LSI FeRAM 10 m 200 3 LSI Abstract The conventional enhancement of LSIs based on Moore s Law is approaching its
SSIS SSIS9 8 101 1 SEAJ TVDVD i-pod
Encore SSIS SSIS9 8 101 1 SEAJ TVDVD i-pod 1970 198030 9020 90 80 10 1980 1990PC 2000 10 ABS ETC ECO 102 40 10GIPS 24 MCU 90nm 65nm 1990 21 1990 200mm501000 300mm 3200mm7 3,500 450mm 8,000 200mm16 1990
DA DA シンポジウム DAS25 Design Automation Symposium 25/8/26 Gate Gate Source n Drain n Source n BOX Drain n 2 SOI 2 3 TCAD 4 PHITSTCAD (LSI)
DA DA シンポジウム 25 27 DAS25 Design Automation Symposium 25/8/26 28nm UTBB FDSOI SOI 28nm UTBB FDSOI Analysis of Soft Error Rates in a 28nm UTBB FDSOI Structure by DeviceLevel Simulation Shigehiro Umehara
untitled
2005 2 1 105-0004 5-34-3 Tel: 03-3431-4002 Fax: 03-3431-4044 1 SRL/ISTEC 1 1 SFQ SFQ SFQ 2004 9 4 SFQ SFQ / LSI 269 230 230 230 269 230 SFQ SFQ 2005 2 ISTEC 2005 All rights reserved. - 1 - 2005 2 1 105-0004
Taro12-イノベ－ション経営研究会
1 3 4 25. 31 46 54 63 63 71 79 90 BP 101 112 126 135 10 1990 21 1970 80 Made In America 80 90 1987 52 93 98-1 - (1) (2) (3) (4) - 2 - - 3 - ( 1980 1990 1990 10 21 PHP 1998. - 4 - 80 1976~1980 1987 52 1988
技術創造の社会的条件
1999 10 21 21 i ... 1 1... 3 1-1. 20...3 1900 1945 3 1945 198x 4 198x 1999 5 1-2....7 1945 198x 7 HEMT 8 198x 1999 9 9 1-3....11 11 12 13 18 2 New Institutions... 21 2-1....21 22 24 26 2-2....27 28 29
PowerPoint プレゼンテーション
STRJ ITRS 2003 LSI 2004.3.4. MIRAI 100nmCMOS - Si SOI CMOS SOI MOSFET CMOS 100nmCMOS trade-off Sub 100 nm CMOS trade-off x j (ext. conc.) Nsub Vdd Vth design EOT S or Si Nsub EOT something S/D EOT SiGe
ＶＬＳＩ工学
2008//5/ () 2008//5/ () 2 () http://ssc.pe.titech.ac.jp 2008//5/ () 3!! A (WCDMA/GSM) DD DoCoMo 905iP905i 2008//5/ () 4 minisd P900i SemiConsult SDRAM, MPEG4 UIMIrDA LCD/ AF ADC/DAC IC CCD C-CPUA-CPU DSPSRAM
10 DRAMLSI 20 10 631 1 3 4
No.24 8 106 3 4 101 SELETEASET NoSide News φ400mm, 1 3 5 7 9 11 12 13 10 DRAMLSI 20 10 631 1 3 4 1963 BCS 19731974 90 90 5 95 AMJ SEMI 10 NECHSG DRAM "" "" 60 5 1 20 60 20 90 40 17 1 100 2 1600 280 101
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
NEC NEC 3 NEC NEC EMBRACES THE FUTURE 6 REVIEW OF OPERATIONS NEC 12 NEC 16 NEC
NEC CORPORATION 2001 NEC SOLUTIONS NEC NETWORKS NEC ELECTRON DEVICES NEC NEC 3 NEC 3 1 2 NEC EMBRACES THE FUTURE 6 REVIEW OF OPERATIONS 2001 3 10 NEC 12 NEC 16 NEC 20 24 55 56 57 1999 2000 2001 3 31 1999
日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品
Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant
ごあいさつ
2004 11 7 10 00 2004 13:0014:00 16 00 2004 3 5N S24 29 34 39 44 49 54 59H1 6 11. URL 1 7 2005 2 1 1210 121 149 187 149 606 137 134 177 156 604 162 11 1 2004 2 1241 135 126 120 233 614 145 131 131 220 627
C_PLD報告書要約_H doc
14 4 26 PLD/FPGA PLDProgrammable Logic Device ASIC 1970 1 ROM( ROM) AND-OR PLD PROM AND-OR 1970 Signetics(Philips)MMI(Lattice) PLD MMI PAL TM (Programmable Array Logic)PAL TM OR PROM( ROM) / 1980 1CMOS
37 IT はじめに IT IT Integrated Circuits IC Personal Computer PC Flat Panel Display FPD Peripheral Device PD IC (Taiwan Semiconductor Manuf
37 IT はじめに IT 1990 1990 2000 IT Integrated Circuits IC Personal Computer PC Flat Panel Display FPD Peripheral Device PD IC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. TSMC ) United Microelectronics Corporation
1 osana@eee.u-ryukyu.ac.jp : FPGA : HDL, Xilinx Vivado + Digilent Nexys4 (Artix-7 100T) LSI / PC clock accurate / Artix-7 XC7A100T Kintex-7 XC7K325T : CAD Hands-on: HDL (Verilog) CAD (Vivado HLx) : 28y4
平成１７年度 マスターセンター補助事業
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - - 25 - - 26 - - 27 - - 28 - IC IC - 29 - IT
cm H.11.3 P.13 2 3-106-
H11.3 H.11.3 P.4-105- cm H.11.3 P.13 2 3-106- 2 H.11.3 P.47 H.11.3 P.27 i vl1 vl2-107- 3 h vl l1 l2 1 2 0 ii H.11.3 P.49 2 iii i 2 vl1 vl2-108- H.11.3 P.50 ii 2 H.11.3 P.52 cm -109- H.11.3 P.44 S S H.11.3
1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15. 1. 2. 3. 16 17 18 ( ) ( 19 ( ) CG PC 20 ) I want some rice. I want some lice. 21 22 23 24 2001 9 18 3 2000 4 21 3,. 13,. Science/Technology, Design, Experiments,
untitled
COPAL ELECTRONICS 32 (DP) DP INC 2 3 3 RH RL RWB 32 C S U/D INC U/D CS 2 2 DP7114 32 SOIC CMOS 2.5 V - 6.0 V / 10 kω 50 kω 100 kω TSSOP MSOP /BFR INC / U/D RH RoHS GND RWB RL CS VCC 2017 6 15 1 : R = 2
0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2
24 11 10 24 12 10 30 1 0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2 23% 29% 71% 67% 6% 4% n=1525 n=1137 6% +6% -4% -2% 21% 30% 5% 35% 6% 6% 11% 40% 37% 36 172 166 371 213 226 177 54 382 704 216
10 117 5 1 121841 4 15 12 7 27 12 6 31856 8 21 1983-2 - 321899 12 21656 2 45 9 2 131816 4 91812 11 20 1887 461971 11 3 2 161703 11 13 98 3 16201700-3 - 2 35 6 7 8 9 12 13 12 481973 12 2 571982 161703 11
2004 2004 41 2005 331 Exceed Your Vision VisionExceed 14......................... 01... 04................. 08......................... 12............................. 14......................... 16........................
平成１６年度基準認証研究開発事業
17 1 1 2 2 2 4 6 6 300mm 14 22 31 37 APPENDEX 41 53 53 57 JIS JIS 66 78 78 79 80 82 83 83 87 89 DVD QR JIS 1 QR () 2 QR 3 4 5 DVD DVD DVD DVD DVD PC DVD 1990 MPU DVD VTR DVD LSI DVD 1970~1980 VTR DVD DVD
技術調査レポート(セット版)0318
1 MEMS MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) MEMS MEMS 1990 MEMS MEMS 2 MEMS MEMS MEMS mm ( ) MEMS MST 1mm 1m Ball Semiconductor Inc. IC [2] IC [2] Si 3 MEMS 2.1 MEMS DNA MEMS 80 MEMS ABS 2.0mm 15mm 4
第1章 台湾パーソナル・コンピュータ産業の成長要因-ODM受注者としての優位性の所在
1 ODM 1980 PC 1990 26 36 ODM PC Ernst and Guerrieri 1998, Borrus and Zysman 1997 1990 PC OEM ODM 37 36 1 2 1990-2000 37 PC 1990 OEM original equipment manufacturing, ODM original design manufacturing,
% USD: 8,000 7,000 6,000 5,000 4,000 3,000 2,000 1,000 0 Tablet Smartphone Feature Phone PC TV 2014 (CY) 138
214 12.4 +27.9% 215 214 215 214 17-1 USD: 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, Tablet Smartphone Feature Phone PC TV 214 (CY) 138 214 18.4 +1.7% 3,221 +9.8% 17-2 12.4 +27.9% 67.3% 4.4 +25.4% 215 19.1 +3.7% 3,55 +1.2%
( ) : 1997
( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................
The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices
ASAKURA Nobuyuki, Japan Atomic Energy Research Institute, Naka, Ibaraki 311-0193, Japan e-mail: asakuran@fusion.naka.jaeri.go.jp The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices Naka Fusion Research Establishment,
unitech PA500 Enterprise PDA Rev. A
unitech PA500 Enterprise PDA Rev. A PA500 Enterprise PDA Unitech Copyright 2007 unitech Electronics Co., Ltd. Web : http:\\www.unitech-japan.co.jp Bluetooth Bluetooth SIG Microsoft Windows ActiveSync
2_赤羽.indd
Vol. 56, No. 1 2, April 2010 TFT-LCD AUO TFT-LCD Thin Film Transistor Liquid Crystal Display: 1990 TFT-LCD TFT-LCD 2003; 2004; 2004; 2006 TFT-LCD 2008; 2008 1) TFT-LCD TFT-LCD 2004, 2006 TFT-LCD 1 TFT-LCD
1
18 2 1 2 2005 10 11 2004 11 3 7 5 2005 2006 11 2004 GDP 9.5 13 7,000 1 GDP 1,269 04 2 6,500 5,650 GDP 4.5 05 10 20 13 19 GDP 9.4 2 600 21.3 22.4 4,368 2,000 IC OEM ODM 4 3 圳 - - - - - - 圳 9 AV OEM 圳 9
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4 1 4.1................................................. 1 4.1.1........................................ 1-1 4 17 11 30 4.1 2001 49% 2,400 47% 6,000 2001 390 8% 2005 3000 1000 IT 1 ADSL(Asymmetric Digital
2!! 1 2
1 2!! 1 2 !!! 2 () 3 () 4 1 3 1 1 2 3 17 18 12 18 7 4 19 1 20 16 3 4 5 6 24 7 DC F F DC NS 12302100 DC 2 NS 2 12302100 2 NS NS DC 8 1 ADL CM NS NS DC DC 9 DC DN Dr 10 11 11 4 25,000 H20 11/2526 1 6 3 5
The University of Tokyo Magazine t a n s e i /10 TOPICS 21 COE ] in Seoul 1 ] in Seoul 2 ] 15
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The University of Tokyo Magazine t a n s e i 20 2007/10 TOPICS 21COE ] in Seoul 1 ] in Seoul 2 ] 15 2 The University of Tokyo Magazine t a n s e i 20 2007/10 130 1920 20 130 UT index p.3-18 [] 130 p.19
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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor
DIGITAL IMAGE INNOVATION Colorio me p4 LP-9000C p6 TV LIVINGSTATION p8
2003 2003 4 1 2004 3 31 DIGITAL IMAGE INNOVATION Colorio me p4 LP-9000C p6 TV LIVINGSTATION p8 ........................................... 1!!!............................. 4.............. 4 LP-9000C......
2005年3月期中間事業報告書
2004 Vol. 4 NRI 2005 3 2004 4 1 2004 9 30 NRI Dream up the future. Dream up the future. NRI NRI 2 3 5 7 10 11 13 15 17 1 NRI 2005 3 2004 4 2004 9 IT 1,151 123 129 68 20 NRI 2004 11 2 2003 3 2004 3 2005
半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術
半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2003 年 3 月 3 日 STRJ ワークショップ 0 過去 40 年の
化学4月P001通常総会資料+t三
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MOSFET HiSIM HiSIM2 1
MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution
東京エレクトロン デバイス株式会社 拠点 証券コード 年 7月1日現在 国内 事業拠点 子会社 大宮営業所 松本営業所 仙台営業所 インベスターズガイド つくば営業所 INVESTORS GUIDE 2019 いわき営業所 名古屋営業所 水戸営業所 京都営業所 大阪オフィス 福岡
東京エレクトロン デバイス株式会社 拠点 証券コード 2760 2019 年 7月1日現在 国内 事業拠点 子会社 大宮営業所 松本営業所 仙台営業所 インベスターズガイド つくば営業所 INVESTORS GUIDE 2019 いわき営業所 名古屋営業所 水戸営業所 京都営業所 大阪オフィス 福岡営業所 株主 投資家の皆様へ 新宿オフィス 新宿サポートセンター 立川営業所 エンジニアリングセンター
J. Jpn. Inst. Electron. Packaging 17(4): (2014)
一般社団法人エレクトロニクス実装学会 第 3 回定時総会報告 1. 26 5 23 14 00 15 00 2. 167-0042 3-12-2 3. 2,230 2,230 4. 1,140 37 1,103 1,140 5. 6. 1 25 2 25 3 26 4 26 5 7. 11 15 2 TDK 1 25 25 2 25 25 25 4 1 26 3 31 23 2 3 26 26 4
NEC THE INTERNET SOLUTION PROVIDER NEC NEC 12 NEC 16 NEC NEC NEC NEC NEC NEC
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HP ビジネスノートブック 総合カタログ
HP 2016 3 HP HP 1980 HP HP HP 1983 1994 1995 2001 2002 2012 2014 Compaq Portable IBM 220 HP 200LX Digital HiNote Ultra 1995 PDA Compaq ipaqpocket PC H3630 1.13kg B5Compaq Evo Notebook N200 PC HP Compaq
02 1600 96 14 03 98 121 04 Eli Lilly & Co. 98 4 05 HTC DIAMOND2 3G 98 102 ----------------------------------------------------------------------------
: 10409125 7 Tel: 886-2-2507-2811Fax: 886-2-2508-3711 E-mail: tiplo@tiplo.com.tw Website:www.tiplo.com.tw : 2-13-11 506 Tel: 81-3-3354-3033Fax: 81-3-3354-3010 TIPLO Attorenys-at-Law 2010 TIPLO, All Rights
2 1997 1M SRAM 1 25 ns 1 100 250 1,000 DRAM 60 120 ns 50 5 10 50 10 20 ms 5,000,000 0.1 0.2 1
1 2 1997 1M SRAM 1 25 ns 1 100 250 1,000 DRAM 60 120 ns 50 5 10 50 10 20 ms 5,000,000 0.1 0.2 1 CPU 1 1 2 2 n CPU SRAM DRAM CPU 3 4 5 6 7 N+ N+ P SRAM DRAM 8 Computer Architecture 9 DRAM 3 4 10 11 Ta 2
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I/F Memory Array Control Row/Column Decoder I/F Memory Array DRAM Voltage Generator
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VHDL-AMS Department of Electrical Engineering, Doshisha University, Tatara, Kyotanabe, Kyoto, Japan TOYOTA Motor Corporation, Susono, Shizuok
VHDL-AMS 1-3 1200 Department of Electrical Engineering, Doshisha University, Tatara, Kyotanabe, Kyoto, Japan TOYOTA Motor Corporation, Susono, Shizuoka, Japan E-mail: tkato@mail.doshisha.ac.jp E-mail:
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ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005
106_表1
vol.1062012.12 02 http://www.neconet.jp http://www.nta.go.jp/taxanswer/index2.htm http://www.nenkin.go.jp/n/www/index.html http://www.neconet.jp 03 04 http://www.neconet.jp http://www.neconet.jp 05 06
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Research & Development Each company of the Sumitomo Electric Group combines its unsurpassed creativity with knowledge and experience to generate dynamics that allows the group to contribute to society.
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(SoC) 2004/6/11 Yukihiro Nakamura e-mail: nakamura@kuee.kyoto-u.ac.jp u.ac.jp (VLSI) () VLSI DIPS IBM370 CPU MH MB GB DIPS-11201975 VAIO LSI Sony VAIO CPU MH MB GB Pentium () () V,S.,B Sun Micro
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1 12 2 5 2 DVD 1995 QV1 3 268 4 17 42212 5 6 2 8 CIPA 12 7 1 2 2 1 23 4 25 6 1 27 18 1 2 9 121 1 2 2 2 43 23 2.8 1 2 1 4 1 5 5 CIPA 211 9 12 18 1 6 13 1 7 7 29 25 1 6 1 1 2 21 1 117 2 16 3 SDIC1 4 5 67
DC-DC Control Circuit for Single Inductor Dual Output DC-DC Converter with Charge Pump (AKM AKM Kenji TAKAHASHI Hajime YOKOO Shunsuke MIWA Hiroyuki IW
DC-DC Control Circuit for Single Inductor Dual Output DC-DC Converter with Charge Pump (AKM AKM Kenji TAKAHASHI Hajime YOKOO Shunsuke MIWA Hiroyuki IWASE Nobukazu TAKAI Haruo KOBAYASHI Takahiro ODAGUCHI
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1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)
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(1) 4 1. (supercomputer) 2. (mainframe) (large scale computer) (general purpose computer)] 3. (minicomputer) (midrange computer) Workstation,WS 4. (Personal Computer, PC) 24 room-size computer mainframe
03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf
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12 9 2 12 13 2 14 11 1 2 1 3 3 4 13 12 18 9 22 22 2005 13 5 22 32 21 13 12 3 37 37 13 6 26 50 13 1 16 56 56 12 12 5 61 16 75 80 83 83 12 10 31 87 21 13 2 6 100 21 104 104 13 3 21 109 13 4 24 115 14 4 18
2005 1
25 SPARCstation 2 CPU central processor unit 25 2 25 3 25 4 DRAM 25 5 25 6 : DRAM 25 7 2 25 8 2 25 9 2 bit: binary digit V 2V 25 2 2 2 2 4 5 2 6 3 7 25 A B C A B C A B C A B C A C A B 3 25 2 25 3 Co Cin
1 1980 5, 2008; Shih, Wang, & Wei, 2007 6 1,342 ha 2009 8,835 2003 1,677 ha 2009 2,412 1995 1,613 ha 2009 4,611 2 1 1990 200 1990, 2008 2 IC 2 2009 IC
ISSN 1347-4448 ISSN 1348-5504 10 3 2011 3 E-mail: kishimoto@icsead.or.jp 100 200 1, 2000 1990 Acer IC Integrated Circuit TSMC IC MediaTek AUO 2011 Global Business Research Center www.gbrc.jp 179 2010 8
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u-japan : HP: http://cis.k.hosei.ac.jp/~jianhua/ (Ubiquitous) (Ubiquitous) : : : : ( 1945 1975 1985 1995 2007 PC PC PC PDA, µ- chip Hitachi s RFID Chip in 2006 By Hitachi, 2003 015 0.15x0.15 015mm Integrated
富士通会社案内2014-2015
CONTENTS 04. 05. FUJITSU Way 06. Fujitsu Technology and Service Vision 08. 10. 11. 12. 14. 15. 16. 18. ICT ICTInformation and Communication Technology ICT ICT 04 Fujitsu Way n n n n n n 05 Fujitsu Technology
(a) 4 1. A v = / 2. A i = / 3. A p = A v A i = ( )/( ) 4. Z i = / 5. Z o = /( ) = 0 2 1
http://www.ieicehbkb.org/ 1 7 2 1 7 2 2009 2 21 1 1 3 22 23 24 25 2 26 21 22 23 24 25 26 c 2011 1/(22) http://www.ieicehbkb.org/ 1 7 2 1 7 2 21 2009 2 1 1 3 1 211 2 1(a) 4 1. A v = / 2. A i = / 3. A p
2002 715 02-13M 1. 200110 024 2. 3. 4. 100 60 5. 6. 2002715 1 1 1 4 9 9 12 12 13 14 14 15 15 17 17 18 22 22 23 25 25 25 29 200110 024 3 1 1965 500 800 3,000 2,000 1 1 60 2.84 1.173 1 2002 71 1,726 1,085
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お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO
プラズマ・核融合学会
1. Philosophy of Radiological Protection and Radiation Hazard Protection Law 1) Oita University of Nursing and Health Sciences, Oita, OITA 870-1201, Japan 2) National Institute for Fusion Science, Toki,
LSI ( ) ( ) ( ) (
1. 2 2. 5 3. 6 4. 6 5. 6 6. 6 1 7. 6 8. 6 9. 7 10. 7 11. 8 12. 8 13. 8 14. 8 15. 8 16.LSI 9 17. 9 18. 10 11 9 ( ) 10 11 9 ( ) 11 11 10 ( ) 14 11 10 ( ) 15 11 11 ( ) 17 11 11 ( ) 19 19. 20 20. 22 21. 24
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Panasonic Technical Journal Vol. 63 No. 1 May 2017 Development of Simultaneous-Capture Wide-dynamic-range Technology and Global Shutter Technology for Organic Photoconductive Film Image Sensor Masashi
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SH7670 Hi-Speed USB 2.0 R01AN0700JJ0100 Rev.1.00 Hi-Speed USB 2.0 LSI SH7670/SH7671/SH7672/SH7673 SH767x USB 1.... 2 2. USB... 3 3.... 5 4.... 7 5. VBUS... 9 6. REFRIN... 10 7. EMI/ESD... 11 8.... 12 R01AN0700JJ0100
Policy Study No. 3 新 ビジネスモデルによる 日 本 企 業 の 強 さの 変 革 - 科 学 技 術 新 産 業 創 造 立 国 実 現 へのシナリオ - 1999 年 5 月 日 本 語 版 全 文 科 学 技 術 庁 科 学 技 術 政 策 研 究 所 第 1 研 究 グループ 前 田 昇 21 1 20 11 IT 11 12 IT 13 18 20 25 2 27 31
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2 2 2 2 vision mission statement buy-in 2 pre-competitive precompetitive collaboration competitivepre-competitive pre-competitive collaboration SEMI News 2009, No.2 198090 86 93 70DRAM 77 SIA SIA LSI 78
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Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 1 WG1: NEC STARC STARC Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 2 WG1 ITRS Design System Drivers SoC EDA Work in Progress
ワールド・ワイド ９‐２／８．朴
186 100 40 12 Yoon, 2006. 1 2 IT 1997 IT GDP 1/3 IT IT 2/3 2003 2004 GDP 2 50 Kim Jung, 2005. 12 IT 1999 17.7 IMF 2004 IT 20.4 29.4 3 2005. 12. 26 IT CDMA LCD TV 4 1995 LG 7 IT 5 Lee, 2003 1996 CDMA 5
科学夢ロードマップ2014 Part2
Ref) http://www.ibtimes.com/virgi n- galac tics -spac eshi p- com pl etes -sec on d- fli gh t- tes t-14 03309 http://www.nasa.g ov/expl orati o n/ab ou t/isec g/ JAXA JAXA Ref)http://kids. gakke n.co.
P361
ΣAD -RFDAC - High-Speed Continuous-Time Bandpass ΣAD Modulator Architecture Employing Sub-Sampling Technnique with 376-8515 1-5-1 Masafumi Uemori Tomonari Ichikawa Haruo Kobayashi Department of Electronic
User's Guide
magicolor 2300 DL 1800687-014B magicolor 2300 DL Windows TCP/IP Web URL http://www.minolta-qms.co.jp/support/userreg/index.html QMS MINOLTA-QMS magicolor MINOLTA-QMS, Inc. Minolta Peerless Systems Corporation
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5-3 Photonic Antennas and its Application to Radio-over-Fiber Wireless Communication Systems LI Keren, MATSUI Toshiaki, and IZUTSU Masayuki In this paper, we presented our recent works on development of