Microsoft PowerPoint - PF研究会 改(柳原).pptx

LLG-R8.Nisus.pdf

d M d t = γ M H + α M d M d t M γ [ 1/ ( Oe sec) ] α γ γ = gµ B h g g µ B h / π γ g = γ = 1.76 10 [ 7 1/ ( Oe sec) ] α α = λ γ λ λ λ α γ α α H α = γ H ω ω H α α H K K H K / M 1 1 > 0 α 1 M > 0 γ α γ =

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

PowerPoint プレゼンテーション

1 2011.9.30 マルチスケールモデリングによる材料科学 研究会 Fe-Ni-S 鋼の粒界脆化機構 の第一原理計算 新日本製鐵 ( 株 ) 先端技術研究所 澤田英明 2 鉄鋼において粒界偏析が係わる事象 割れ スラブ表面割れ耐熱鋼再熱脆化 IF 鋼二次加工脆性 変態制御 Solute drag 効果 ( 粒成長抑制 ) 変態核生成抑制 ( 変態抑制 ) 強度 靭性 焼入れ性 3 粒界偏析に対する当社の取り組み

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白金族元素を含まない垂直磁気記録材料 筑波大学大学院数理物質科学研究科電子 物理工学専攻 教授 喜多 英治 准教授 柳原 英人 研究背景 磁性体の薄膜化による新物性 薄膜化 多層化によって顕在化する物理現象 巨大磁気抵抗効果 (GMR)(1988) トンネル磁気抵抗効果 (TMR)(1994) 層間交換結合 垂直磁気異方性 スピンホール効果 スピン注入磁化反転 2 態制御垂直磁気異方性 2010/10/18

日本磁気学会雛形（JP）

5aC 7 一軸異方性膜の異方性磁場と強磁性共鳴式 * 河本修, 松島康 ( レゾナ技研, * 岡山大学 ) Anisotropy field and ferromagnetic resonance equation of in-plane uniaxial anisotropy film O. Kohmoto, Y. Matsushima* (Resona Lab. *Okayama Univ.)

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

SPring-8ワークショップ_リガク伊藤

GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8

GJG160842_O.QXD

Microsoft PowerPoint - PF研究会-KEK (提出) [互換モード]

ナノ構造の磁気異方性と電界効果 Magnetic anisotropy and its electric field effects in nano structures 小田竜樹 Tatsuki Oda Institute of Science and Engineering, Kanazawa University, Kanazawa, 90 119, Japan PF 研究会 磁性薄膜 多層膜を究める

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

<4D F736F F F696E74202D208DDE97BF955D89BF8A778AEE F8BF38AD48C512E B93C782DD8EE682E890EA97705D>

材料科学の枠組み 基礎編 材料評価学基礎 格子 晶系 空間群 ( 対称性 ) いろいろな結晶の構造 結晶と逆格子 ( 回折結晶学 ) X 線と結晶 応用編 電子顕微鏡 放射光 中性子線 1 格子 (Lattice) 3 次元の周期的な点の配列 点のまわりの環境が同一である, 空間の 点の無限の配列 c R n1a n2b n3c 格子定数 (Lattice parameters a or Lattice

Microsoft PowerPoint - 物構研シンポ

結晶 MgO トンネル障壁の 巨大トンネル磁気抵抗効果 湯浅新治 片山利一 共同研究者およびスポンサー 産総研 福島章雄長浜太郎久保田均 A. A. Tulapurkar 片山利一薬師寺啓安藤功兒 キヤノンアネルバ D. Djayaprawira 恒川孝二前原大樹長嶺佳紀長井基将山形伸二渡辺直樹 大阪大基礎工 鈴木義茂松本利映 A. Deac 東芝 與田グループの方々 新エネルギー 産業技術総合開発機構

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

線形弾性体 線形弾性体 応力テンソル とひずみテンソルソル の各成分が線形関係を有する固体. kl 応力テンソル O kl ひずみテンソル

Constitutive equation of elasti solid Hooke s law λδ μ kk Lame s onstant λ μ ( )( ) ( ) linear elasti solid kl kl Copyright is reserved. No part of this doument may be reprodued for profit. 線形弾性体 線形弾性体

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

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Sprg-8 利用推進協議会第 6 回先端磁性材料研究会 Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の 交換磁気異方性と界面非補償反強磁性スピン 角田匡清 ( 東北大学工学研究科電子工学専攻 ) 共同研究者 : 高橋宏和 小田洋平 三俣千春 佐久間昭正 ( 東北大学 ) 中村哲也 児玉謙司 (JASRI/SPrg-8) 213 年 3 月 11 日東京 Outle 1. はじめに ~ 交換磁気異方性とその応用

15

15 1...1 1-1...1 1-1-1...1 1-1-2...3 1-1-3...4 1-1-4...5 1-2...5 1-2-1...5 1-2-2...6 1-3...6 1-3-1...6 1-3-2...7 1-3-3...8 1-3-4...8 1.4 Co-Pt...9 1.5...9 2...10 2-1...10 2-1-1...10 2-1-2...10 2-2...11

MM1_03_Diffusion

第 3 章拡散 3.1 はじめに 3 回生 材料組織学 1 緒言 コップに入れた水に赤インクを 1 滴落とすと インクが水の中に拡散して やがて色の区 別がなくなる こうした拡散現象 (diffusion) は 固体結晶の中でも起きている 前章で論じ た固体の相変態の多くにおける構造変化は 固体中の原子の拡散により生じる ( 拡散型相変 態 ) 金属を塑性変形した後 焼き鈍し熱処理 (annealing)

CoPt 17

CoPt 17 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...1 1.2.3...2 1.3...3 1.4 CoPt...3 1.5...4 2...6 2.1...6 2.1.1...6 2.1.2...6 2.2...7 2.2.1 X...7 2.2.2...7 2.3...8 2.3.1...8 2.3.2...9 3 CoPt...10 3.1...10

講 座 熱電研究のための第一原理計算入門 第2回 バンド計算から得られる情報 桂 1 はじめに ゆかり 東京大学 が独立にふるまうようになる 結晶構造を定義する際に 前回は 第一原理バンド計算の計算原理に続いて 波 アップスピンの原子 ダウンスピンの原子をそれぞれ指 のように自由な電子が 元素の個性

講 座 熱電研究のための第一原理計算入門 第2回 バンド計算から得られる情報 桂 1 はじめに ゆかり 東京大学 が独立にふるまうようになる 結晶構造を定義する際に 前回は 第一原理バンド計算の計算原理に続いて 波 アップスピンの原子 ダウンスピンの原子をそれぞれ指 のように自由な電子が 元素の個性のない一様な周期的 定することで 強磁性体や反強磁性体など さまざまな ポテンシャルに置かれたときに

PowerPoint プレゼンテーション

光が作る周期構造 : 光格子 λ/2 光格子の中を運動する原子 左図のように レーザー光を鏡で反射させると 光の強度が周期的に変化した 定在波 ができます 原子にとっては これは周期的なポテンシャルと感じます これが 光格子 です 固体 : 結晶格子の中を運動する電子 隣の格子へ 格子の中を運動する粒子集団 Quantum Simulation ( ハバードモデル ) J ( トンネル ) 移動粒子間の

1

GL (a) (b) Ph l P N P h l l Ph Ph Ph Ph l l l l P Ph l P N h l P l .9 αl B βlt D E. 5.5 L r..8 e g s e,e l l W l s l g W W s g l l W W e s g e s g r e l ( s ) l ( l s ) r e l ( s ) l ( l s ) e R e r

: (a) ( ) A (b) B ( ) A B 11.: (a) x,y (b) r,θ (c) A (x) V A B (x + dx) ( ) ( 11.(a)) dv dt = 0 (11.6) r= θ =

1 11 11.1 ψ e iα ψ, ψ ψe iα (11.1) *1) L = ψ(x)(γ µ i µ m)ψ(x) ) ( ) ψ e iα(x) ψ(x), ψ(x) ψ(x)e iα(x) (11.3) µ µ + iqa µ (x) (11.4) A µ (x) A µ(x) = A µ (x) + 1 q µα(x) (11.5) 11.1.1 ( ) ( 11.1 ) * 1)

研究成果報告書

様式 C-9 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 4 月 9 日現在 機関番号 :4 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2~2 課題番号 :2276224 研究課題名 ( 和文 ) 強磁性 - 反強磁性型二次元ナノ構造体におけるスピン配列の解明 研究課題名 ( 英文 ) Study on spin arrangement in two dimensional

(1.2) T D = 0 T = D = 30 kn 1.2 (1.4) 2F W = 0 F = W/2 = 300 kn/2 = 150 kn 1.3 (1.9) R = W 1 + W 2 = = 1100 N. (1.9) W 2 b W 1 a = 0

1 1 1.1 1.) T D = T = D = kn 1. 1.4) F W = F = W/ = kn/ = 15 kn 1. 1.9) R = W 1 + W = 6 + 5 = 11 N. 1.9) W b W 1 a = a = W /W 1 )b = 5/6) = 5 cm 1.4 AB AC P 1, P x, y x, y y x 1.4.) P sin 6 + P 1 sin 45

Microsoft PowerPoint - ‚æ3‘Í [„Ý−·…‡†[…h]

第 3 章変形と理論強度 目的 弾性変形および塑性変形に関し, 原子レベルからの理解を深める. 3. 弾性変形 (elastic defomation) 3.. 原子間に作用する力 3.. ポテンシャルエネルギー 33 3..3 フックの法則 3..4 弾性率の温度依存性 3..5 弾性変形時のポアソン比 3..6 理論強度 3. 塑性変形 (plastic defomation) 3.. すべり

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン

表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える

< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>

2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

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材料科学基礎 Ⅰ 材料科学の枠組み 元素の結晶構造 いろいろな金属間化合物, 合金の結晶 いろいろなセラミックスの結晶とイオン結晶 格子, 晶系, 点群 X 線と結晶 物質の性質と対称性 結晶の欠陥と組織 1 hcp (hexagonal close packed structure) 2 fcc (face centered cubic structure) 3 hcp の軸比 (c/a) について

スライド 1

文部科学省 量子ビーム基盤技術開発プログラム シンポジウム 2012 年 12 月 3 日東京秋葉原 UDX ギャラリー NEXT 軟 X 線の高速偏光制御による機能性材料の探究と創製 高エネルギー加速器研究機構雨宮健太 1. プロジェクトの概要 2. これまでの成果 (1) 高速偏光スイッチングの開発 (2) スピントロニクス材料の解析と探索 (3) 表面化学反応のリアルタイム追跡 3. まとめと今後の展開

コロイド化学と界面化学

環境表面科学講義 http://res.tagen.tohoku.ac.jp/~liquid/mura/kogi/kaimen/ E-mail: mura@tagen.tohoku.ac.jp 村松淳司 分散と凝集 ( 平衡論的考察! 凝集! van der Waals 力による相互作用! 分散! 静電的反発力 凝集 分散! 粒子表面の電位による反発 分散と凝集 考え方! van der Waals

三重大学工学部

反応理論化学 ( その 軌道相互作用 複数の原子が相互作用して分子が形成される複数の原子軌道 ( または混成軌道 が混合して分子軌道が形成される原子軌道 ( または混成軌道 が混合して分子軌道に変化すると軌道エネルギーも変化する. 原子軌道 原子軌道は3つの量子数 ( nlm,, の組合せにより指定される量子数の取り得る値の範囲 n の値が定まる l の範囲は n の値に依存して定まる m の範囲は

素粒子物理学２ 素粒子物理学序論B 2010年度講義第2回

素粒子物理学２ 素粒子物理学序論B 2010年度講義第2回 =1.055 10 34 J sec =6.582 10 22 MeV sec c = 197.33 10 15 MeV m = c = c =1 1 m p = c(mev m) 938M ev = 197 10 15 (m) 938 =0.2 10 13 (cm) 1 m p = (MeV sec) 938M ev = 6.58

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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

[ ] (Ising model) 2 i S i S i = 1 (up spin : ) = 1 (down spin : ) (4.38) s z = ±1 4 H 0 = J zn/2 i,j S i S j (4.39) i, j z 5 2 z = 4 z = 6 3

4.2 4.2.1 [ ] (Ising model) 2 i S i S i = 1 (up spin : ) = 1 (down spin : ) (4.38) s z = ±1 4 H 0 = J zn/2 S i S j (4.39) i, j z 5 2 z = 4 z = 6 3 z = 6 z = 8 zn/2 1 2 N i z nearest neighbors of i j=1

2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å

MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]

スライド 1

研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

δf = δn I [ ( FI (N I ) N I ) T,V δn I [ ( FI N I ( ) F N T,V ( ) FII (N N I ) + N I ) ( ) FII T,V N II T,V T,V ] ] = 0 = 0 (8.2) = µ (8.3) G

8 ( ) 8. 1 ( ) F F = F I (N I, T, V I ) + F II (N II, T, V II ) (8.1) F δf = δn I [ ( FI (N I ) N I 8. 1 111 ) T,V δn I [ ( FI N I ( ) F N T,V ( ) FII (N N I ) + N I ) ( ) FII T,V N II T,V T,V ] ] = 0

(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a

1 2 2.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a) L ( ) ) * 2) W Z 1/2 ( - ) d u + e + ν e 1 1 0 0

èCò_ï\éÜ.pdf

[Co/Ru] 20 Antiferromagnetic Exchange Coupling Energy in [Co/Ru] 20 19 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...2 1.3...2 1.4...3 1.4.1...3 1.4.2...5 1.5...5 1.5.1...5 1.5.2 SF...6 1.5.3 TAMR...6 2...8

èCémò_ï (1Å`4èÕ).pdf

Simulation of Magnetization Process in Antiferromagnetic Exchange-Coupled Films 19 1...1 1-1...1 1-2...1 1-2-1... 1 1-2-2 HDD...2 1-2-3 ( )...3 1-3 GMR... 4 1-4 ( )...5 1-5 SFMedia...5 1-6 (HAMR)...6 1-6-1...

Microsoft PowerPoint - ‚æ4‘Í

第 4 章平衡状態 目的物質の平衡状態と自由エネルギーの関係を理解するとともに, 平衡状態図の基礎的な知識を習得する. 4.1 自由エネルギー 4.1.1 平衡状態 4.1.2 熱力学第 1 法則 4.1.3 熱力学第 2 法則 4.1.4 自由エネルギー 4.2 平衡状態と自由エネルギー 4.2.1 レバールール 4.2.2 平衡状態と自由エネルギー 4.3 平衡状態図 4.3.1 全率固溶型 4.3.2

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity

perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface

素粒子物理学2 素粒子物理学序論B 2010年度講義第4回

素粒子物理学 素粒子物理学序論B 010年度講義第4回 レプトン数の保存 崩壊モード 寿命(sec) n e ν 890 崩壊比 100% Λ π.6 x 10-10 64% π + µ+ νµ.6 x 10-8 100% π + e+ νe 同上 1. x 10-4 Le +1 for νe, elμ +1 for νμ, μlτ +1 for ντ, τレプトン数はそれぞれの香りで独立に保存

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Non-linea factue mechanics き裂先端付近の塑性変形 塑性域 R 破壊進行領域応カ特異場 Ω R R Hutchinson, Rice and Rosengen 全ひずみ塑性理論に基づいた解析 現段階のひずみは 除荷がないとすると現段階の応力で一義的に決まる 単純引張り時の応カーひずみ関係 ( 構成方程式 ): ( ) ( ) n () y y y ここで α,n 定数, /

[Ver. 0.2] 1 2 3 4 5 6 7 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1 1.1 1 1.2 1. (elasticity) 2. (plasticity) 3. (strength) 4. 5. (toughness) 6. 1 1.2 1. (elasticity) } 1 1.2 2. (plasticity), 1 1.2 3. (strength) a < b F

報告されている (8) (11). このことは,L1 0 FePt のサイズを制御することにより,H c を決定している磁化過程を制御できることを意味している. しかしながら, 薄膜成長形態を利用したこれまでの研究では微粒子の形状やサイズの制御が困難であった. 本研究では, 微細加工法を用いることで

高保磁力 FePt 合金の磁化制御 関剛斎. はじめに今日の我々の生活は電子情報機器の高性能化および多機能化の恩恵を大いに受けており, それらの機器は利便性を追求しながら発展してきた. しかしながら, 近年のエネルギー問題や資源枯渇の危惧から, 電子情報産業においても省エネルギー, 環境調和, あるいは低炭素排出といった観点が重要視されるようになってきている. 中でも, 電子情報機器の根幹を成す記憶素子の低消費電力化を進めることが,

2009 年 11 月 16 日版 ( 久家 ) 遠地 P 波の変位波形の作成 遠地 P 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに P U () t = S()* t E()* t P() t で近似的に計算できる * は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録

遠地 波の変位波形の作成 遠地 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに U () t S() t E() t () t で近似的に計算できる は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録 参照 ) ここで St () は地震の断層運動によって決まる時間関数 1 E() t は地下構造によって生じる種々の波の到着を与える時間関数 ( ここでは 直達 波とともに 震源そばの地表での反射波や変換波を与える時間関数

論文の内容の要旨 論文題目 Spectroscopic studies of Free Radicals with Internal Rotation of a Methyl Group ( メチル基の内部回転運動を持つラジカルの分光学的研究 ) 氏名 加藤かおる 序 フリーラジカルは 化学反応の過

論文の内容の要旨 論文題目 Spectroscopic studies of Free Radicals with Internal Rotation of a Methyl Group ( メチル基の内部回転運動を持つラジカルの分光学的研究 ) 氏名 加藤かおる 序 フリーラジカルは 化学反応の過程で生成され 不対電子が存在する故 直ちに他の分子やラジカルと反応し 安定な分子やイオンになる このように

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテ

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテクサイエンス 日東光器 ( 株 ) 秋田県産業技術センター 1 従来技術 ( 磁気力顕微鏡 ) とその問題点

の実現は この分野の最大の課題となってい (a) た ゲージ中の 酸素イオンを 電子で置換 筆 者 ら の 研 究 グ ル ー プ は 23 年 に 12CaO 7Al2O3 結 晶 以 下 C12A7 を用 い て 安定なエレクトライド C12A7: を実現3) Al3+ O2 Cage wall O2 In cage その電子状態や物性を解明してきた4) 図 1 のように C12A7 の結晶構造は

(Jackson model) Ziman) (fluidity) (viscosity) (Free v

1) 16 6 10 1) e-mail: nishitani@ksc.kwansei.ac.jp 0. 1 2 0. 1. 1 2 0. 1. 2 3 0. 1. 3 4 0. 1. 4 5 0. 1. 5 6 0. 1. 6 (Jackson model) 8 0. 1. 7 10. 1 10 0. 1 0. 1. 1 Ziman) (fluidity) (viscosity) (Free volume)(

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a

総研大恒星進化概要.dvi

The Structure and Evolution of Stars I. Basic Equations. M r r =4πr2 ρ () P r = GM rρ. r 2 (2) r: M r : P and ρ: G: M r Lagrange r = M r 4πr 2 rho ( ) P = GM r M r 4πr. 4 (2 ) s(ρ, P ) s(ρ, P ) r L r T

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

Microsoft PowerPoint - 物質の磁性090918配布

物質の磁性 - 計算しないでわかることと計算でわかること - 大阪大学名誉教授山田科学振興財団理事長金森順次郎 1. 元素と磁性 2. 単体 合金 化合物の電子構造 3. 世界最強のネオジム磁石 4.CMDの意義 5. ナノ物質設計の今後 2009 9 18 CMD 1 2 1. 元素と磁性 なぜ 遷移元素でもとくに 3d 元素が磁性の主役を演じるか? なぜ 希土類元素でもとくに 4f 電子は局在しているか?

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スピントロニクスの基礎 サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/077461 このサンプルページの内容は, 初版 1 刷発行時のものです. i 1 2 ii 3 5 4 AMR (anisotropic magnetoresistance effect) GMR (giant magnetoresistance

氏 名 田 尻 恭 之 学 位 の 種 類 博 学 位 記 番 号 工博甲第２４０号 学位与の日付 平成１８年３月２３日 学位与の要件 学位規則第４条第１項該当 学 位 論 文 題 目 La1-x Sr x MnO 3 ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ 士 工学 効果の研究 論 文 審 査

九州工業大学学術機関リポジトリ Title La1-xSrxMnO3ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ効果の研究 Author(s) 田尻, 恭之 Issue Date 2006-06-30 URL http://hdl.handle.net/10228/815 Rights Kyushu Institute of Technology Academic Re 氏 名 田 尻 恭 之 学 位

kawa (Spin-Orbit Tomography: Kawahara and Fujii 21,Kawahara and Fujii 211,Fujii & Kawahara submitted) 2 van Cittert-Zernike Appendix A V 2

Hanbury-Brown Twiss (ver. 1.) 24 2 1 1 1 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 3 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 4 3.1............................................

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂夫 ( 東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所教授 ) 2. 発表のポイント : 薄膜のコバルト層とパラジウム層の界面にて

VSM 振動試料型磁力計 - 製品資料

VSM 振動試料型磁力計 製品資料 東英工業株式会社 TOEI INDUSTRY CO., LTD. 振動試料型磁力計 (VSM) の使用方法と注意点 1. 装置概要...1 2. 構成及びブロック図...2 2-1. 構成及びブロック図... 2 2-2. 磁化検出原理... 3 3. 測定項目...4 3-1. 測定項目... 4 3-2. ヒステリシスループの評価項目... 5 3-3. レマネンスループの評価項目...

スライド 1

2015 年 3 月 5 日 18:00 於 : 仙台国際ホテル Nd-Fe-B 薄膜における / 界面組織と保磁力メカニズム 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻 助教松浦昌志 国内生産金額 ( 億円 ) 研究背景 - Nd-Fe-B 系焼結磁石 - 磁石の国内生産額推移 [1] 2000 1500 1000 500 0 2004 希土類磁石フェライト磁石合金磁石 2006 2008 year

D-2 Co(S,Se) 2 A A, A, A Co(S 1 x Se x ) 2 S Se x.5 [1] CoS 2 Co(S 1 x Se x ) 2 SQUID FC-7 FC-77 1:1 CoS 2 S Se [1]H. Wada et al, Phys. Rev. B 74 (26)

D 3 D-1 Fe/Cr GMR A, B, C A, A, A, A, B, B, C, C, C Fe/Cr (Giant magnetoresistance:gmr) Fe Cr GMR, GMR [Fe(2 )/Cr(8 )] 2 3MeV C 4+ 1 15 /cm 2 GMR GPa P 2. GPa, -3 T B 3 T, T=, 77.4K Fig.1 [Fe(2 )/Cr(8

4/15 No.

4/15 No. 1 4/15 No. 4/15 No. 3 Particle of mass m moving in a potential V(r) V(r) m i ψ t = m ψ(r,t)+v(r)ψ(r,t) ψ(r,t) = ϕ(r)e iωt ψ(r,t) Wave function steady state m ϕ(r)+v(r)ϕ(r) = εϕ(r) Eigenvalue problem

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

カイラル秩序をもつ磁性体のスピンダイナミクス

発表の流れ カイラル秩序をもつ磁性体 LiCuVO4 本研究の目的 一次元モデル 三次元モデル スピン フロップ転移の発現機構 三方向印加磁場に対するスピンの振る舞い LiCuVO4 の豊かな物性 1 スピンフラストレート鎖 Cu 2+ CuO2 chin J 1 =-1.6meV( 強磁性 ) J 2 =3.8meV( 反強磁性 ) LiCuVO4 結晶構造 [1] カイラル秩序 90 低磁場 (

Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.0) van Cittert - Zernike mutual coherence

Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.) 25 4 4 1 2 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 4 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 5 3.1............................................

( ) ) ) ) 5) 1 J = σe 2 6) ) 9) 1955 Statistical-Mechanical Theory of Irreversible Processes )

( 3 7 4 ) 2 2 ) 8 2 954 2) 955 3) 5) J = σe 2 6) 955 7) 9) 955 Statistical-Mechanical Theory of Irreversible Processes 957 ) 3 4 2 A B H (t) = Ae iωt B(t) = B(ω)e iωt B(ω) = [ Φ R (ω) Φ R () ] iω Φ R (t)

19 σ = P/A o σ B Maximum tensile strength σ % 0.2% proof stress σ EL Elastic limit Work hardening coefficient failure necking σ PL Proportional

19 σ = P/A o σ B Maximum tensile strength σ 0. 0.% 0.% proof stress σ EL Elastic limit Work hardening coefficient failure necking σ PL Proportional limit ε p = 0.% ε e = σ 0. /E plastic strain ε = ε e

磁性工学特論 第6回 磁気と電気伝導

磁性工学特論 050526 第 6 回磁気と電気伝導 佐藤勝昭 復習コーナー ( 第 5 回の問題 ) 反磁性体は磁界の変化を妨げるように逆向きの磁化を生じる それではなぜ強い静磁界のもとで反磁性体を浮かせることができるのか 単位質量あたりの反磁性磁化率を χ=-χ d とする 磁化 M が磁界 B の中にある時のポテンシャルエネルギーは E=-M B であるから 力は E の距離微分 F=-MdB/dz

磁性物理学 - 遷移金属化合物磁性のスピンゆらぎ理論

email: takahash@sci.u-hyogo.ac.jp May 14, 2009 Outline 1. 2. 3. 4. 5. 6. 2 / 262 Today s Lecture: Mode-mode Coupling Theory 100 / 262 Part I Effects of Non-linear Mode-Mode Coupling Effects of Non-linear

( ) Note (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e

( ) Note 3 19 12 13 8 8.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R, µ R, τ R (1a) L ( ) ) * 3) W Z 1/2 ( - )

untitled

8- My + Cy + Ky = f () t 8. C f () t ( t) = Ψq( t) () t = Ψq () t () t = Ψq () t = ( q q ) ; = [ ] y y y q Ψ φ φ φ = ( ϕ, ϕ, ϕ,3 ) 8. ψ Ψ MΨq + Ψ CΨq + Ψ KΨq = Ψ f ( t) Ψ MΨ = I; Ψ CΨ = C; Ψ KΨ = Λ; q

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技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

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平成 24 年度大学院共通授業科目トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 有機導体における密度波状態 応用物理学専攻トポロジー工学研究室 DC1 上遠野一広 目次 低次元導体, 有機導体の特徴について ゆらぎと次元性の関係と朝永 -Luttinger 液体 (g-gology) 私の研究について 目次 低次元導体, 有機導体の特徴について ゆらぎと次元性の関係と朝永 -Luttinger 液体 (g-gology)

0.1 (77 :21-25),,... VSEPR. (1) 2 ( ). (2), ( ). (3),. (4),. (5) 3,. (6),. *1 (7) *2. (8),Li,Be,B. 1:. VSEPR( ). VSEPR. (1),.. (2), >, > (3

0.1 (77 :21-25),,... VSEPR. (1) 2 ( ). (2), ( ). (3),. (4),. (5) 3,. (6),. *1 (7) *2. (8),Li,Be,B. 1:. VSEPR( ). VSEPR. (1),.. (2), >, >. 2 3 4 5 6 (3) 120. *1,,. *2 ( ) = ( ) ( ) 2 ( ) 1 2: 2 ( ).,,..

2 (1) a = ( 2, 2), b = (1, 2), c = (4, 4) c = l a + k b l, k (2) a = (3, 5) (1) (4, 4) = l( 2, 2) + k(1, 2), (4, 4) = ( 2l + k, 2l 2k) 2l + k = 4, 2l

ABCDEF a = AB, b = a b (1) AC (3) CD (2) AD (4) CE AF B C a A D b F E (1) AC = AB + BC = AB + AO = AB + ( AB + AF) = a + ( a + b) = 2 a + b (2) AD = 2 AO = 2( AB + AF) = 2( a + b) (3) CD = AF = b (4) CE

NMR_wakate_ ppt

NMR 基礎講義 & 2 第 0 回若手 NMR 研究会 2009 年 9 月 4 日 ( 金 )-6 日 ( 日 ) IPC 生産性国際交流センター ( 湘南国際村 ) 大阪大学蛋白質研究所構造プロテオミクス研究系 池上貴久 化学シフトの直積演算子 (product-operator) I " I cos (#t) + I sin (#t) x x y ω : 角速度 (rad/s) z 一周の長さ

物性物理学I_2.pptx

2 物質の構造 単結晶 秩序 から 非晶質 乱れ まで 0) 凝縮系物質の形態 morphology polycrystal monocrystal single crystal 準結晶 quasicrystal 1) 結晶の構造 amorphous ー周期性と並進対称性ー 単結晶 でも 非晶質 でもない固体内秩序 h"p://shinbun.fan@miyagi.jp/arlcle/arlcle_20120223.php

新しい高密度記録技術──高K u 磁性材料──

特 新しい高密度記録技術 高 K u 磁性材料 New High Density Recording Technology: High K u Magnetic Materials 片岡弘康 Hiroyasu Kataoka 小宮山和弥 Kazuya Komiyama 高橋伸幸 Nobuyuki Takahashi 高い磁気異方性定数 K u を持った L1 1 型 CoPt 規則合金膜のスパッタ法での合成に,

(Microsoft PowerPoint - SPring-8_WS_kondo_\224z\225z\227p [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])

SPring-8 利用推進協議会先端磁性材料研究会第 3 回研究会 パターン媒体の先端技術開発とナノ磁気イメージングからのアプローチ 2010 年 3 月 16 日 顕微 XMCD 法によるパターン媒体の磁気特性評価 近藤祐治, 千葉隆, 田口香, 有明順 本多直樹 鈴木基寛, 河村直己, 高垣昌史 秋田県産業技術総合研究センター 東北工業大学 高輝度光科学研究センター /SPring-8 B. M.

Microsoft Word - note02.doc

年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

体状態を保持したまま 電気伝導の獲得という電荷が担う性質の劇的な変化が起こる すなわ ち電荷とスピンが分離して振る舞うことを示しています そして このような状況で実現して いる金属が通常とは異なる特異な金属であることが 電気伝導度の温度依存性から明らかにされました もともと電子が持っていた電荷やスピ

4. 発表内容 : 電子は電荷とスピンを持っており 電荷は電気伝導の起源 スピンは磁性の起源になって います 電荷同士の反発力が強い物質中では 結晶の格子点上に二つの電荷が同時に存在する ことができません その結果 結晶の格子点の数と電子の数が等しい場合は 電子が一つずつ各格子点上に止まったモット絶縁体と呼ばれる状態になります ( 図 1) モット絶縁体の多く は 隣接する結晶格子点に存在する電子のスピン同士が逆向きになろうとする相互作用の効果

使用した装置と試料 装置 : 位相差測定装置 KOBA-W 使用ソフト : 位相差測定 Eソフト 専用治具 : 試料引張治具 試料 : 表 1の各フィルムを測定 ( 測定は室温 3 ) 表 1 実験に用いた試料 記号 材質 厚さ (μm) 光軸角 Ω( ) 備考 pc4 ポリカーボネート 6 87.

1.4 王子計測機器株式会社 光弾性係数に関する実験結果 はじめに高分子材料において観測される複屈折を分類すると 配向複屈折 応力複屈折および形態複屈折があります その中で形態複屈折は 樹脂中に微細な繊維状物質が配列した場合などに見られるもので 通常の高分子材料では無視できます 一方向に引張荷重を負荷する一軸伸長変形の場合に観測される複屈折は 図 1のように配向複屈折と応力複屈折の合計になります 光弾性係数は

C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B

I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld

構造力学Ⅰ第１２回

第 回材の座屈 (0 章 ) p.5~ ( 復習 ) モールの定理 ( 手順 ) 座屈とは 荷重により梁に生じた曲げモーメントをで除して仮想荷重と考える 座屈荷重 偏心荷重 ( 曲げと軸力 ) 断面の核 この仮想荷重に対するある点でのせん断力 たわみ角に相当する曲げモーメント たわみに相当する ( 例 ) 単純梁の支点のたわみ角 : は 図 を仮想荷重と考えたときの 点の支点反力 B は 図 を仮想荷重と考えたときのB

02-量子力学の復習

4/17 No. 1 4/17 No. 2 4/17 No. 3 Particle of mass m moving in a potential V(r) V(r) m i ψ t = 2 2m 2 ψ(r,t)+v(r)ψ(r,t) ψ(r,t) Wave function ψ(r,t) = ϕ(r)e iωt steady state 2 2m 2 ϕ(r)+v(r)ϕ(r) = εϕ(r)

Microsoft PowerPoint - 物構研シンポ09（岡本-misumi）.ppt

物構研シンポジウム : 放射光 中性子 ミュオンを用いた表面 界面科学の最前線 共鳴軟 X 線散乱による 薄膜電子状態の研究 KEK 物構研 岡本 淳 2009. 11. 17 つくば国際会議場 共同研究者共鳴軟 x 線散乱および硬 x 線散乱測定 D. J. Huang C.-H. Hsu C. T. Chen (NSRRC, Taiwan) K. S. Chao S. W. Huang (National

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PF 研究会 磁性薄膜 多層膜を究める : キャラクタリゼーションから新奇材料の創製へ (2011.10.14, つくば ) メスバウアー分光法を用いた磁性薄膜の キャラクタリゼーション - 放射線源実験と放射光実験 - 壬生攻 名古屋工業大学大学院工学研究科 (JST-CREST) 目次 メスバウアー分光法を用いた磁性薄膜のキャラクタリゼーション - 放射線源実験と放射光実験 - イントロダクション

2005 2006.2.22-1 - 1 Fig. 1 2005 2006.2.22-2 - Element-Free Galerkin Method (EFGM) Meshless Local Petrov-Galerkin Method (MLPGM) 2005 2006.2.22-3 - 2 MLS u h (x) 1 p T (x) = [1, x, y]. (1) φ(x) 0.5 φ(x)

物性基礎

水素様原子 水素原子 水素様原子 エネルギー固有値 波動関数 主量子数 角運動量 方位量子数 磁気量子数 原子核 + 電子 個 F p F = V = 水素様原子 古典力学 水素様原子 量子力学 角運動量 L p F p L 運動方程式 d dt p = d d d p p = p + dt dt dt = p p = d dt L = 角運動量の保存則 ポテンシャルエネルギー V = 4πε =

2.2 h h l L h L = l cot h (1) (1) L l L l l = L tan h (2) (2) L l 2 l 3 h 2.3 a h a h (a, h)

1 16 10 5 1 2 2.1 a a a 1 1 1 2.2 h h l L h L = l cot h (1) (1) L l L l l = L tan h (2) (2) L l 2 l 3 h 2.3 a h a h (a, h) 4 2 3 4 2 5 2.4 x y (x,y) l a x = l cot h cos a, (3) y = l cot h sin a (4) h a

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 23 年 6 月 10 日現在 機関番号 :82626 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2009~2010 課題番号 :21760243 研究課題名 ( 和文 ) 界面スピン顕微分析技術の開発と界面強磁性の直接解析 研究課題名 ( 英文 ) A microscopic technique for direct analysis of