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いつやかがんじ
5 years ago
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1 4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ外形寸法図 (Unit : mm) SOP (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4) Min. 用途パワースイッチ DC / DC コンバータ Each lead has same dimensions 包装仕様 Type 絶対最大定格 () Parameter Pw µs, Duty cycle % 2 熱抵抗 TB 25 Symbol VDSS VGSS 2 ID ±9. IDP ±36 IS.6 Limits N-ch 3 ISP 36 2 PD 2 内部回路図 2 Tch 5 Tstg 55~+5 (8) (7) () (2) 2 2 (6) (5) (8) (7) (6) (5) () (2) (3) (4) () Tr (Nch) (2) Tr (Nch) (3) Tr2 (Pch) (4) Tr2 (Pch) (5) Tr2 (Pch) (6) Tr2 (Pch) (7) Tr (Nch) (8) Tr (Nch) P-ch 3 2 ±7. ± Parameter Symbol Limits Unit Rth (ch-a) 62.5 C / W (3) (4) Unit V V W C C Rev. /5

2 N-ch 電気的特性 () Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions IGSS µ VGS=2V, VDS=V V(BR) DSS 3 V ID=m, VGS=V IDSS µ VDS=3V, VGS=V VGS (th). 2.5 V VDS=V, ID=m 2 8 ID=9., VGS=V RDS (on) 6 24 mω ID=9., VGS=4.5V 7 25 ID=9., VGS=4V Yfs 7. S ID=9., VDS=V Ciss 9 pf VDS=V Coss 34 pf VGS=V Crss 9 pf f=mhz td (on) ns ID=4.5, VDD 5V 5 ns VGS=V td (off) 55 ns RL=3.33Ω 22 ns RG=Ω Qg 5 nc VDD 5V Qgs 3. nc VGS=5V Qgd 6. nc ID=9. 内部ダイオード特性 ( ソースドレイン間 ) () Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VSD.2 V IS=6.4, VGS=V Rev. 2/5

3 P-ch 電気的特性 () Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions IGSS µ VGS= 2V, VDS=V V(BR) DSS 3 V ID= m, VGS=V IDSS µ VDS= 3V, VGS=V VGS (th). 2.5 V VDS= V, ID= m 2 28 ID= 7., VGS= V RDS (on) mω ID= 3.5, VGS= 4.5V 3 42 ID= 3.5, VGS= 4.V Yfs 6. S ID= 3.5, VDS= V Ciss 26 pf VDS= V Coss 45 pf VGS=V Crss 35 pf f=mhz td (on) 2 ns ID= 3.5, VDD 5V 5 ns VGS= V td (off) ns RL=4.29Ω 7 ns RG=Ω Qg 25 nc VDD 5V Qgs 5.5 nc VGS= 5V Qgd nc ID= 7. 内部ダイオード特性 ( ソースドレイン間 ) () Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VSD.2 V IS=.6, VGS=V Rev. 3/5

4 N-ch 電気的特性曲線 CPCITNCE : C (pf) f=mhz VGS=V Ciss Coss Crss.. DRIN-SOURCE VOLTGE : VDS (V) SWITCHING TIME : t (ns) td (off) td (on).. VDD=5V VGS=V RG=Ω GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) VDD=5V ID=9 RG=Ω TOTL GTE CHRGE : Qg (nc) Fig. Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage Fig.2 Switching Characteristics Fig.3 Dynamic Input Characteristics.. Ta=25 C VDS=V GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) Fig.4 Typical Transfer Characteristics ID=9 ID= GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) Fig.5 Static Drain-Source vs. Gate-Source Voltage SOURCE CURRENT : Is (). Ta=25 C VGS=V SOURCE-DRIN VOLTGE : VSD (V) Fig.6 Source Current vs. Source-Drain Voltage Ta=25 C. VGS=V Fig.7 Static Drain-Source vs. Drain Current (Ι) Ta=25 C. VGS=4.5V Fig.8 Static Drain-Source vs. Drain Current (ΙΙ) Ta=25 C VGS=4V. Fig.9 Static Drain-Source vs. Drain Current (ΙΙΙ) Rev. 4/5

5 P-ch 電気的特性曲線 CPCITNCE : C (pf) f=mhz VGS=V Ciss Coss Crss.. DRIN-SOURCE VOLTGE : VDS (V) SWITCHING TIME : t (ns) td (off) VDD= 5V VGS= V RG=Ω td (on).. GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) VDD= 5V ID= 7 RG=Ω TOTL GTE CHRGE : Qg (nc) Fig. Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage Fig.2 Switching Characteristics Fig.3 Dynamic Input Characteristics.. Ta=25 C VDS= V GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) Fig.4 Typical Transfer Characteristics ID= 3.5 ID= GTE-SOURCE VOLTGE : VGS (V) Fig.5 Static Drain-Source vs. Gate-Source Voltage SOURCE CURRENT : IS (). Ta=25 C VGS=V SOURCE-DRIN VOLTGE : VSD (V) Fig.6 Source Current vs. Source-Drain Voltage Ta=25 C VGS= V. Fig.7 Static Drain-Source vs. Drain Current (Ι) Ta=25 C VGS= 4.5V. Fig.8 Static Drain-Source vs. Drain Current (ΙΙ) Ta=25 C VGS= 4V. Fig.9 Static Drain-Source vs. Drain Current (ΙΙΙ) Rev. 5/5

6 ppendix 2 V O 6 85 ppendix-rev.

XP233P1501TR-j.pdf

XP233P1501TR-j.pdf P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応鉛フリー用途スイッチング用内部接続図端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)