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11 hν Hz

12 α α α α α α

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14 No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに 長時間 連続運転可能な 使える 光周波 数シンセサイザとして 様々な 応用に展開していきたいと考え ている 10 (UURU +] (UURU +] したレーザーへの位相同期の技 7LPH V D 7LPH V E 図 9 Yb:KYW レーザー光周波数コムの位相同期 a オフセット 周波数 b レーザーとコムのモードとのビート周波数 周 波数カウンタのゲート時間 1 秒 Error がその逆数 1Hz より も十分小さく位相同期が達成されている

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21 R v T V ktk T k k kt v i x k k k T k E k A k x k B k V x k A k k B k V B k E k x k x k A k x k B k V B k E k k k w k x k z k z k A z k B z k w k w k B z k z k A Q P A T PA Q P r B z k T PA z k w k k k r B z k T PB z k

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24 Solid lines: S DD21, Broken lines: S DC21 Black lines: HUB A, Grey lines: HUB B [MHz] [db] et al.

25 Coincidence counts [/10s] 0 /2 Phase [rad]

26 G e h et al. et al.

27 V V V V V V

28 10-4 (a) 10-5 Intensity [a.u.] (b) (c) Cav. A Cav. B Time [ps]

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48 V DD V A R PKG V VCCS V R PKG R Mesh R Mesh VCCS RO RO Freq. Max. IRD 16mV Max error 2.0mV Min. IRD 9mV Volt. source PKG On-chip component

49 Fmax ΔF RO ΔF / Fmax = 10.4% VDD RO = 0.65V 7-stage RO 0 ~80 s (a) ΔF / Fmax = 0.6% RO VDD RO = 0.65V 7-stage RO 0 ~80 s (b)

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51 Ionization Coefficient (cm -1 ) NPT3 (N a =3.7x10 16 cm -3 ) NPT4 (N a =1.3x10 17 cm -3 ) PT1 (W=4.75 m) PT2 (W=2.12 m) NPT1 (N d =4.0x10 16 cm -3 ) NPT2 (N d =2.0x10 16 cm -3 ) Inverse of Electric Field (cm/mv) Current Density (A/cm 2 ) P = 100 m S = 100 m 500 m PiN Region JBS Region Edge Termination p + -type Epitaxial Anode p + -barrier Space-Modulated JTE n - -type Voltage-Blocking Layer (6x10 14 cm -3, 95 m) n + -type 4H-SiC Substrate Cathode Forward Voltage (V) Current Density (ma/cm 2 ) N d = 6x10 14 cm -3, d = 95 μm P = S = 100 μm 11.3 kv Reverse Bias Voltage (V)

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54 Radiation intensity (a.u.) (2.3 mw) (300 ) Q=101 (48 ) Wavenumber (cm -1 ) Radiation intensity (a.u.) V 10 V (db) k 10k 100k 1M (Hz) Wavenumber (cm -1 )

55 step 0 step 50 step 100 step 200 step 900 PC y PC Relative pulse absorptivity Steps Absorptivity x J sc = 32.0 ma/cm Wavelength (nm)

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57 (a) Radiation intensity(a.u.) ity(a.u.) SiC Q : Wavelength(nm) (b) Radiation intensity(a.u.) SiC SiO 2 Si SiC Q : (c) Wavelength(nm) CCD CCD

58 α α α α α α α α α α α α α α on sapphire substrates (600 nm) on sapphire substrates (1200 nm) on annealed buffer layer ( nm) Mobility [cm 2 /Vs] Carrier density [cm -3 ] α

59 Figure 1: High-quality knowledge acquisition overview

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62 11 10 Nonlinear Linear Nonlinear Linear Q [db] 9 8 Q [db] P in [dbm] P in [dbm/ch]

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64 eitb foot point (r/a) before island formation I p [ka] after island formation 1.5

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69 Intensity [arb. unit] AlN [%] AlN Raman shift [cm -1 ] GaN x-ray AlN SiC μ 1 asub R( ρ) = 2 a a bulk sub asubρ 1 a ρ sub AlN SiC AlN SiC

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72 duration browsing states gaze actions gaze targets prob

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