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- ゆいと うえや
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1 第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則 2, 西山彰 2, 杉井信之 2, 筒井一生 2, 名取研二 1, 岩井洋 1 東工大フロンティア研 1, 東工大院総理工 2 Hiroshi Omine 1,D. H. Zadeh 1,K. Kakushima 2,Y. Kataoka 2, A. Nishiyama 2,N. Sugii 2,K. Tsutsui 2,K. Natori 1,H. Iwai 1 Tokyo Tech. FRC 1,Tokyo Tech. IGSSE 2 oomine.h.aa@m.titech.ac.jp
2 次世代 nmosfet に適した In 0.53 Ga 0.47 As 化合物半導体 現在の Si CMOS Strain Si High-k/Metal gate OI Substrate Fin-FET MOSFET の駆動電流向上 I v D, sat s 1 0 ox s WC v V v E 0 inj eff Metal gate Higher-k In Direct Contact Si g V Ref: M. Shur, EDL, 23, pp. 511 (2002). th 高移動度チャネル材料 nmosfet pmosfet Higher-k In Direct Contact InGaAs chan. Higher-k In Direct Contact Ge chan. 駆動電流は 1. 注入速度, 2. 移動度の改善で向上できるゲート長 L g < 10nmでは注入速度 ( m t *) が支配的になる 高移動度チャネル材料を利用した MOSFET は 10nm 世代以降に期待される Si 2
3 Band gap (ev) 高移動度チャネル材料の選択 Si Ge InP GaAs In 0.53 Ga 0.47 As InAs electron mob. (cm 2 /Vs) electron effective mass (/m 0 ) m t :0.19 m l :0.916 mt:0.082 mt: hole mob. (cm 2 /Vs) hole effective mass (/m 0 ) m HH :0.49 m LH :0.16 m HH :0.082 m LH :0.044 m HH :0.45 m LH :0.12 m HH :0.45 m LH :0.082 m HH :0.45 m LH :0.052 m HH :0.57 m LH :0.35 band gap (ev) In 0.53 Ga 0.47 As Ga composition BTBT 短チャネル効果 ON 電流はそれぞれトレードオフの関係 Band gap, 電子の有効質量, 移動度と格子ミスマッチを考慮すると In 0.53 Ga 0.47 Asが最適である 3
4 High-k/InGaAs スタックの課題 [1] [2] [3] [4] Gate Metal High-k InGaAs 絶縁膜 Al 2 O 3 D it (ev -1 cm -2 ) 2.0x10 12 HfO 2 2.0x10 13 ZrO 2 2.0x10 12 La 2 O 3 7.0x10 11 化学反応的視点 デバイス特性の課題 プロセス温度 ( o C) 400 o C 400 o C o C As-Oxide 低温で形成される Ga-Oxide As-dimer, antisite High-k/InGaAs 界面の熱安定性低下界面準位密度 D it 増大 CET (nm) [1] S. Takagi et al., 2012 IEDM [2] R. Suzuki et al., 2012 APL. [3] N. Goel et al., 2008 IEDM [4] D. H. Zade et al., 2013 IEDM 界面特性の向上は InGaAs デバイスでは重要 4
5 Intensity (a.u.) (10 nm) W HfO 2 InGaAs (10 nm) W La 2 O 3 と HfO 2 の界面反応の比較 As 2p 3/2 As-oxide Substrate Ga 2p 3/2 Substrate In 3d 5/2 Ga-oxide Ga-O-La In-oxide Substrate In-O-La La 2 O 3 InGaAs PMA@500 o C W gate PMA@420 o C Binding Energy (ev) W gate HfO 2 AsO x GaO x InOx In 0.53 Ga 0.47 As La 2 O PMA@420 o C HfO 2 + suboxides LaInGaO x In0.53 Ga0.47 As La 2 O 3 La 3.1 In 1.9 Ga 2.5 O 12 La 2 O 3 はInGaAsと反応し固有の結合状態を形成し SubOxideによる界面特性の劣化を防ぐ 5 IL Ref: D. H. Zadeh et al., SSDM 2013
6 ALD-La2O3/InGaAsゲートスタックの課題 高密度キャリアにおける移動度低下 界面ラフネス ラフネスの相間長 Ref: C.H. Lee et. al., IEDM(2013) Ref: W. Wang et. al., IEEE Trans. on Elec. Dev. 58(2011)1972 ALD-La2O3/InGaAs界面ラフネス Gate Metal ALD-La2O3 n-in0.53ga0.47as Ra=0.45nm (from TEM image) ALD-La2O3/InGaAs界面のラフネスは移動度の低 下につながる 6
7 本発表の目的 ALD-La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスの低減に向けたラフネス増加の原因特定 1 洗浄プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 2 ALD プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 7
8 本発表の目的 ALD-La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスの低減に向けたラフネス増加の原因特定 1 洗浄プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 2 ALD プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 8
9 実験プロセスと評価方法 n-in 0.53 Ga 0.47 As ( cm -3 ) アセトン エタノール + HF (20%) による基板酸化物の除去 (NH 4 ) 2 S (6~7%) による硫黄処理 ALD-La 2 O 3 堆積 ( 堆積温度 150 o C) (10cycle~1nm) FG (N 2 :H 2 =97%:3%) 雰囲気中にて320oC, 5min. アニール (PDA) ALD-La 2 O 3 をHF(1%) 用いてエッチング AFM 測定 ALD-La 2 O PDA 320 o C 3 + HF(20%) (NH 4 ) 2 S + (10cyc.) 5min. in FG AFM 測定洗浄前 3min. + AFM 測定 (6~7%) 20min. HF(1%) AFM 測定 AFM 測定 AFM 測定 HF(1%) n-ingaas n-ingaas n-ingaas n-ingaas n-ingaas 9
10 各洗浄プロセスによるラフネスへの影響 洗浄前 HF(20%) 3min. (NH 4 ) 2 S (6~7%) 20min. 走査エリア :1.0 μm 2 Ra=0.035 nm Ra=0.070 nm Ra=0.437 nm (NH 4 ) 2 S (6~7%) による表面処理により R a =0.3nm 増加 10
11 界面ラフネス Ra(nm) 硫黄処理時間とラフネスの関係 硫黄処理のみ行った場合のラフネス R a (nm) 走査エリア :0.1μm 硫黄処理時間 t s (min.) 硫黄処理時間 5min. 以上でラフネスは 0.3nm 増加 11
12 本発表の目的 ALD-La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスの低減に向けたラフネス増加の原因特定 1 洗浄プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 2 ALD プロセスによる界面ラフネスへの影響を調査 12
13 ALD プロセスのラフネスへの影響 界面ラフネス R a (nm) 走査エリア :1.0 μm 2 ALD La 2 O 3 /InGaAs 堆積温度 :150 o C 走査エリア :0.1 μm Ra=0.451 nm (NH 4 ) 2 S 処理によるラフネス増加が支配的 ALD-La2O3 堆積後の熱処理でラフネスは0.1nm 増加 13
14 硫黄処理によるラフネスへの影響 走査エリア :1.0 μm 2 ALD La 2 O 3 /InGaAs 堆積温度 :150 o C 硫黄処理なし n-in 0.53 Ga 0.47 As HF (20%) 3min. (NH 4 ) 2 S (6~7%) 20min. ALD-La 2 O 3 depo. (10cycle~1nm) ALD-La 2 O 3 removed by HF(1%) AFM 測定 硫黄処理あり Ra=0.171 nm Ra=0.451 nm 硫黄処理は絶縁膜成膜までのプロセスでラフネス増加に影響している 14
15 界面ラフネス R a (nm) 硫黄処理によるラフネス増加抑制効果 走査エリア :0.1μm 2 w. S w/o. S ΔR a =0.02 nm ΔR a =0.10 nm 硫黄処理によりで ΔR a : nm に抑制可能 15
16 Intensity (a. u.) Oxide to substrate peak intensity ratio 硫黄処理 硫黄処理の有無による XPS 分析 室温ではAs-S bond が形成 (Ga-Sが水に溶解する) 200 o C 程度の熱処理によりAs-S bond がIn-S bondに変化 or 脱離 47 As 3d Sub 45 As-As As Sub Ga 2p HF(20%) Only HF(20%) + (NH 4 ) 2 S Ga-S Ga Ref: B. Brennan et. al., Appl. Sur. Sci. 257(2011) ALD-La 2 O 3 (1nm)/InGaAs (no PDA) の XPS スペクトル Ga Sub TOA = 90 o 1116 Binding Energy (ev) In 3d 5/2 446 硫黄終端により InGaAs 表面は化学的安定化し加熱処理による基板破壊を抑制する In 3+ hν = eV In Sub M 1+ (M-S, Sub Oxide) No detect HF(20%) Only HF(20%) + (NH 4 ) 2 S AsOx/Sub 1+ InOx/Sub 1+ GaOx/Sub 1+ 16
17 まとめ ALD-La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスの低減に向けたラフネス増加の原因特定 (NH 4 ) 2 S を用いた硫黄処理は最もラフネスを増加させる (R a =0.3nm, t S =20min.) ALD-La 2 O 3 堆積によるラフネスの増加 (ΔR a =0.1nm) は硫黄処理 (t S =20min.) により ΔR a =0.02nm 程度 抑制可能 17
18 ALD プロセスのラフネスへの影響 界面ラフネス R a (nm) 走査エリア :0.1μm 2 ALD La 2 O 3 /InGaAs (after etching) 走査エリア :0.1μm ΔR a = 0.10 nm Ra=0.171 nm ALD-La 2 O 3 堆積によりラフネスは 0.1nm 増加する 18
19 硫黄処理による ALD-La 2 O 3 成膜のラフネス増加 走査エリア :1.0 μm 2 ALD-La 2 O 3 depo. (no PMA) 硫黄処理あり硫黄処理なし硫黄処理あり Ra=0.437 nm Ra=0.171 nm Ra=0.451 nm 硫黄処理により ALD-La 2 O 3 成膜後のラフネス R a は > 0.45nm 増加する 19
20 HF(20%), HCl(10%) による InGaAs エッチングメカニズム InGaAs+3HX aq InF 3aq +GaX 3aq +AsH 3gas X=F, Cl ΔG HF = (kj/mol) ΔG HCl =+75.5 (kj/mol) Ref: C. W. Cheng et. al., Nature Com. (2013) HF による native oxide のエッチングメカニズム Ref: F. L. Lie et. al., Microelec. Eng. 87(2010) HF により Native oxide と InGaAs をエッチングできる 20
21 硫黄処理終端のメカニズム (NH 4 ) 2 S 2NH 4aq+ +S 2- aq S 2- aq +H 2 O HS - +OH - A III B V +HS - +H 2 O AS+BS+OH - +H 2 (g) Ref: N. Eassa et. al., Surface Sci. 6050(2011) Ref: B. Brennan et. al., Appl. Sur. Sci. 257(2011) 硫化アンモニウムによるエッチング機構が存在する 21
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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,
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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
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27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?
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2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター
スライド 1
Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,
本組よこ／根間：文１１－０２９＿Ｐ３７７‐４０８
377 378 a b c d 379 p M NH p 380 p 381 a pp b T 382 c S pp p 383 p M M 384 a M b M 385 c M d M e M 386 a M b M a M 387 b M 388 p 389 a b c 390 391 a S H p p b S p 392 a T 393 b S p c S 394 A a b c d 395
スライド 1
2015 年 2 月 17 日 ( 火 ) 学士卒業論文発表会 TiC 及び TiSi 2 電極と SiC ショットキーダイオードの電気特性評価 (Electrical Characteristics of SiC Schottky Diodes with TiC and TiSi 2 Electrodes) Iwai and Kakushima Laboratory Tomoyuki Suzuki
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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス
物理化学I-第12回(13).ppt
I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)
特-4.indd
1 000 Ni-Cr Tribological Characteristics of Ni-Cr Alloy at 1 000 C in Air R&D 1 000 Ni-Cr 1 000 Ni-Cr alloy sliding tests in atmosphere at 1 000 C were carried out and the process in which a glazed oxide
Microsoft PowerPoint - 豊田2008HP閲覧用資料
核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University
J. Mass Spectrom. Soc. Jpn.: 58(5), (2010)
J. Mass Spectrom. Soc. Jpn. Vol. 58, No. 5, 2010 REVIEW 9 Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) SIMS SIMS Fundamentals of Mass Spectrometry Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), Cluster SIMS, and Electrospray
42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =
![42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =](/thumbs/73/68712188.jpg "42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =")
3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u
P.1P.3 P.4P.7 P.8P.12 P.13P.25 P.26P.32 P.33
: : P.1P.3 P.4P.7 P.8P.12 P.13P.25 P.26P.32 P.33 27 26 10 26 10 25 10 0.7% 331 % 26 10 25 10 287,018 280,446 6,572 30,236 32,708 2,472 317,254 313,154 4,100 172,724 168,173 4,551 6,420 6,579 159 179,144
研究成果報告書(基金分)
様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ
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1-1 情報デバイス工学特論 第 1 回 CMOS 集積回路概観 1-2 目的 現在の LSI の主流デバイスであるシリコン CMOS 集積回路を理解する 素子の製法 ( プロセス ) から動作原理 ( デバイス ) 素子の使い方 ( 回路 ) まで総合的に理解する 半導体集積回路 LSI : Large Scale Integrated Circuit 1-3 チップ ウエハ 現在は直径 12 インチ
T c T>Tc T From Evans Application Notes
3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2
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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
α α α α α α
α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
2006122 2/13
2006122 HEMT IT 1/13 2006122 2/13 2006122 3/13 2006122 4/13 2006122 5/13 2006122 Dingle 9 GaAs 6/13 2006122 7/13 2006122 8/13 2006122 9/13 2006122 10/13 2006122 4 11/13 2006122 GaAs MOSFET HEMT HEMT MBE
Acrobat Distiller, Job 2
2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX
8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b)
8 (2006 ) X ( ) 1. X X X 2. ( ) ( ) ( 1) X (a) (b) 1: (a) (b) X hkl 2θ ω 000 2: ω X 2θ X 3: X 2 X ω X 2θ X θ-2θ X X 2-1. ( ) ( 3) X 2θ ω 4 Si GaAs Si/Si GaAs/GaAs X 2θ : 2 2θ 000 ω 000 ω ω = θ 4: 2θ ω
untitled
254nm UV TiO 2 20nm :Sr 5 Ta 4 O 15 3 4 KEY-1 KEY-2 (Ti,Nb,Ta) 5 KEY-1 KEY-2 6 7 NiO/ Sr 2 Ta 2 O 7 mmol h -1 g -1 20 15 10 5 H 2 O 2 H 2 O 2 0 0 2 4 6 8 10 12 NiO/Sr 2 Ta 2 O 7 The synthesis of photocatalysts
<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>
1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm
集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
EPWエッチング方法
4 Si 異方性エッチング 作成日 :4.7.27 更新日 :5.3.1 河合研究室 M2 山中雅貴 4.1 EPW による Si 異方性エッチング 4.1.1 目的 Si() (11) 基板に異方性エッチングにより 微細構造を作製し マイクロマシンの作製に役立てる 特に本研究において Si() 結晶面を利用したピラミダル形状の微細貫通孔の作製を試みる 4.1.2 使用材料 器具 エチレンジアミン
13 2 9
13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子
研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を
研究部 研究課題名 Cu(In,Ga)Se 2 多結晶薄膜の局所構造と太陽電池性能の相関 研究代表者名立命館大学 理工学部 峯元高志 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに太陽電池が 21 世紀を担うクリーンエネルギーとして期待されている 現状では 結晶シリコンが太陽電池材料の主流である 一方 ガラス等の基板上に金属や半導体などの薄膜を堆積させた薄膜型太陽電池が 低コスト
ナノテクノロジ
Nanotechnology 10 1 HEMT 201 2000 12 Abstract Since former President Clinton announced the National Nanotechnology Initiative, nanotechnology has become a well-known field. It has attracted much attention
Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx
4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (
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2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大
電子回路I_4.ppt
電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt
チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
jse2000.dvi
pn 1 2 1 1947 1 (800MHz) (12GHz) (CPUDSP ) 1: MOS (MOSFET) CCD MOSFET MES (MESFET) (HBT) (HEMT) GTO MOSFET (IGBT) (SIT) pn { 3 3 3 pn 2 pn pn 1 2 sirafuji@dj.kit.ac.jp yoshimot@dj.kit.ac.jp 1 3 3.1 III
untitled
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb
「諸雑公文書」整理の中間報告
30 10 3 from to 10 from to ( ) ( ) 20 20 20 20 20 35 8 39 11 41 10 41 9 41 7 43 13 41 11 42 7 42 11 41 7 42 10 4 4 8 4 30 10 ( ) ( ) 17 23 5 11 5 8 8 11 11 13 14 15 16 17 121 767 1,225 2.9 18.7 29.8 3.9
untitled
SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g
,255 7, ,355 4,452 3,420 3,736 8,206 4, , ,992 6, ,646 4,
30 8 IT 28 1,260 3 1 11. 1101. 1102. 1103. 1 3 1,368.3 3 1,109.8 p.5,p.7 2 9,646 4,291 14.5% 10,p.11 3 3,521 8 p.13 45-49 40-44 50-54 019 5 3 1 2,891 3 6 1 3 95 1 1101 1102 1103 1101 1102 1103 1 6,255
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
高 1 化学冬期課題試験 1 月 11 日 ( 水 ) 実施 [1] 以下の問題に答えよ 1)200g 溶液中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 整数 ) 2)200g 溶媒中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 有効数字 2 桁 ) 3) 同じ
![高 1 化学冬期課題試験 1 月 11 日 ( 水 ) 実施 [1] 以下の問題に答えよ 1)200g 溶液中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 整数 ) 2)200g 溶媒中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 有効数字 2 桁 ) 3) 同じ](/thumbs/94/118405200.jpg "高 1 化学冬期課題試験 1 月 11 日 ( 水 ) 実施 [1] 以下の問題に答えよ 1)200g 溶液中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 整数 ) 2)200g 溶媒中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 有効数字 2 桁 ) 3) 同じ")
高 1 化学冬期課題試験 1 月 11 日 ( 水 ) 実施 [1] 以下の問題に答えよ 1)200g 溶液中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 整数 ) 2)200g 溶媒中に溶質が20g 溶けている この溶液の質量 % はいくらか ( 有効数字 2 桁 ) 3) 同じ溶質の20% 溶液 100gと30% 溶液 200gを混ぜると質量 % はいくらになるか ( 有効数字
事務連絡
二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 平成 21 年度採択研究代表者 H23 年度 実績報告 橋詰保 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 研究課題 異種接合 GaN 横型トランジスタのインバータ展開 1. 研究実施体制 (1) 北大 グループ 1 研究代表者 : 橋詰保 ( 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 ) 2 研究項目 ドライエッチ面を含む Al 2
devicemondai
c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
eto-vol1.dvi
( 1) 1 ( [1] ) [] ( ) (AC) [3] [4, 5, 6] 3 (i) AC (ii) (iii) 3 AC [3, 7] [4, 5, 6] 1.1 ( e; e>0) Ze r v [ 1(a)] v [ 1(a )] B = μ 0 4π Zer v r 3 = μ 0 4π 1 Ze l m r 3, μ 0 l = mr v ( l s ) s μ s = μ B s
Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx
スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度
muramatsu_ver1.key
229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow
4_Laser.dvi
1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
研究成果報告書
MIS HEMT MIS HEMT MIS HEMT AlGaN/GaN MIS ALD AlGaN/GaN MIS-HEMT (1)MIS MIS AlGaN/GaN MIS-HEMT BCl 3 Cl 2 Ti/Al/Mo/Au (15/60/35/50 nm) 850 ºC AlGaN Ni/Au (100/150 nm) 300 ºC Lg=3m Lgd=5 mwg=100 m ALD Al
µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)
1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37
2 (March 13, 2010) N Λ a = i,j=1 x i ( d (a) i,j x j ), Λ h = N i,j=1 x i ( d (h) i,j x j ) B a B h B a = N i,j=1 ν i d (a) i,j, B h = x j N i,j=1 ν i
1. A. M. Turing [18] 60 Turing A. Gierer H. Meinhardt [1] : (GM) ) a t = D a a xx µa + ρ (c a2 h + ρ 0 (0 < x < l, t > 0) h t = D h h xx νh + c ρ a 2 (0 < x < l, t > 0) a x = h x = 0 (x = 0, l) a = a(x,