３Ｒ対策技術への取り組み

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しじんまるこ
5 years ago
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1 温室効果が低く環境に優しい代替フロン (CF3I) を用いた世界トップレベルの半導体加工技術の実現平成 19 年 9 月 28 日 NEDO 環境技術開発部 ( 株 ) 半導体先端テクノロジーズ 1

2 我が国の代替フロン等 3 ガス排出削減への取り組み 2

我が国の京都議定書による温室効果ガス削減目標 (1990 年比 6% 削減 ) 我が国の京都議定書目標 ( 6%) の内訳エネルギー起源 CO2 非エネルギー起源 CO2 CH4 N2O 代替フロン等 3 ガス HFC PFC SF6 森林吸収 CDM 等温室効果ガス排出量合計基準年百万 t-co2

3 我が国の京都議定書による温室効果ガス削減目標 (1990 年比 6% 削減 ) 我が国の京都議定書目標 ( 6%) の内訳エネルギー起源 CO2 非エネルギー起源 CO2 CH4 N2O 代替フロン等 3 ガス HFC PFC SF6 森林吸収 CDM 等温室効果ガス排出量合計基準年百万 t-co 年百万 t-co2 課題 % 以内 % 以上 % 以内 : 代替フロン等 3 ガス分野は 1995 年を基準年とした CO2 換算排出量比 68 吸収源 : 3.9% CDM 等 : 1.6% % 3

京都議定書対象温室効果ガ議定書温室効果ガス排出削減の取り組みの流れ基準年 ( 単位 : 百万 ton-co2) エネルギー起源 CO2 (+0.6%) 1056 CO 2 1122 N 2 O 40 CH 4 25 (1990 年 ) 1187 経済成長による増加代替フロン等 3 ガス非エネ起源 CO2 メタン排出一酸化二窒素排出 ( 1.2%) 124 森林吸収源 3.

4 京都議定書対象温室効果ガ議定書温室効果ガス排出削減の取り組みの流れ基準年 ( 単位 : 百万 ton-co2) エネルギー起源 CO2 (+0.6%) 1056 CO N 2 O 40 CH 4 25 (1990 年 ) 1187 経済成長による増加代替フロン等 3 ガス非エネ起源 CO2 メタン排出一酸化二窒素排出 ( 1.2%) 124 森林吸収源 3.9% CDM 等 1.6% 計 ( 5.5%) % 削減 1237 HFC 20.2 PFC ガス (+0.1%) スSF (1995 年 ) 基準排出量 1237 特定フロン類 160 モントリオール(1995 年 : 参考値 ) 特定フロンからの移行阻止回収除害技術代替物質の開発ノンフロン化技術 CFC 65.0 HCFC 95.0 最終的に使用禁止 (2030 年 ) 数値は H17 年 3 月 30 日地球温暖化対策推進本部京都議定書達成目標計画ならびにモントリオール議定書関係資料より抜粋 4

5 特定フロン類 (CFC HCFC) および代替フロン類等 3 ガス (HFC PFC SF6) 排出量推移排出量 (1 排出量 (100 万 t-co2) 0 0 万 t - C O CFC HCFC の代替として 3 ガス排出量が増加 CFC HCFC 3 ガス 2 50 ) 実績 2000 実績 2010 自然体 2010 第 1 次目標 2010 第次目標削減目標値達成のため重点対策が必要見通し (1998 年の時点における自然体の推定値 - 当初見通し ) 地球温暖化対策推進大綱 (1998 年 ) 目標値 :+2% ( 73 百万 t-co 2 ) 京都議定書目標達成計画 (2004 年 ) 目標値 :+0.1% ( 51 百万 t-co 2 ) 見通し (2004 年度時点での推定値 ) 67.5 ( 現行対策での推定値 ) 出典 : 産業構造審議会化学バイオ部会第 12 回地球温暖化防止対策小委員会 H17/6 月 CFC HCFC の値は NEDO による推定値 5

6 代替フロン削減目標 (5600 万 ton-co2 削減 ) 達成のための重点的取り組み 1995 年 ( 基準年 ) 年推定値 107 (+5%) 2010 年 ( 第 1 次削減目標値 ) 73.7 (+2%) HFCs 20.2 PFCs 12.6 HFCs 51.1 SF 年自然体での予測値 107 PFCs 10.8 SF 第 1 次削減量目標 (1998) = 年削減量加速 ( 再精査による削減量加速 ) 66.6 (+2%) 単位 ( 百万 t-co2) (2004 再精査 ) 73-66=7 追加対策 2010 年 ( 第 2 次削減目標値 ) 51.7 (+0.1%) 発泡断熱材 HFCs 34.9 冷凍空調機器半導体液晶製造金属製造 PFCs 8.7 SF6 8.0 第 2 次削減目標追加措置 (2005) 73-51=22 最終削減目標 =56 重点対策分野発泡断熱冷凍空調機器半導体液晶製造金属製造等の分野での代替フロン脱フロン技術の開発と普及 6

7 代替フロン等 3 ガス排出量の分野別実績 ( 年 ) 1995 基準年総排出量 (100 万 t-co2) HFC 等製造に係る事項発泡断熱材に係る事項エアゾール等に係る事項冷凍空調機器に係る事項洗浄剤溶剤に係る事項半導体等製造に係る事項絶縁ガス機器に係る事項金属製品に係る事項出典 : 産業構造審議会化学バイオ部会第 17 回地球温暖化防止対策小委員会 H19/6 月 : 目標計画策定時の基準年 (1995 年 ) 総排出量は 49.7( 50) 百万 t-co2 とされていたがその後推計方法の変更や更なる使用実態の把握等により変更されている発泡断熱材冷凍空調機器半導体等製造及び金属製品が増加傾向にある 7

8 HFC 等 3 ガス分野別排出量推移 ( 京都議定書対象外の HFC PFC を除く ) HFC 等 3 ガスガス別排出量推移 ( 京都議定書対象外の HFC PFC を除く ) ( 百万 GWPt) 金属製品に係る事項電気絶縁ガス使用機器に係る事項半導体等製造に係る事項洗浄剤溶剤に係る事項冷凍空調機器に係る事項エアゾール等に係る事項発泡断熱材に係る事項 HFC 等製造に係る事項 ( 百万 GWPt) SF6 PFC HFC 出典 : 産業構造審議会化学バイオ部会第 17 回地球温暖化防止対策小委員会 H19/6 月 8

9 代替フロン等 3 ガス排出抑制状況の国際比較について国際比較が可能な 2004 年時点で我が国の排出量は基準年比約 48% 減少しているが一方で米国は約 51% の大幅増また EU は横ばいに留まっているなお中国については詳細なデータは不足しているが WRI-CAIT の 2000 年ベースと我が国 (2004 年 ) を比較すると約 2.3 倍の排出量になる現在はより増加しているものと推測される先進各国の代替フロン等 3 ガス排出量推移 ( 百万 GWPt) 米国 95 EU15 ヵ国日本資料 :UNFCCC 9

10 NEDO の代替フロン等 3 ガス排出削減への取り組み 10

11 温暖化対策目標へ向けた組織的取り組み (1990 年比 6% 削減 ) 我が国の京都議定書目標 ( 6%) の内訳エネルギー環境技術本部による総合的貢献エネルギー起源 CO2 非エネルギー起源 CO2 CH4 N2O 代替フロン等 3 ガス HFC PFC SF6 森林吸収 CDM 等温室効果ガス排出量合計基準年百万 t-co 年百万 t-co2 課題 % 以内 % 以上 % 以内吸収源 : 3.9% CDM 等 : 1.6% % 省エネ技術開発部新エネ技術開発部環境技術開発部エネルギー対策推進部省エネ技術開発部新エネ技術開発部環境技術開発部エネルギー対策推進部および京都メカニズム事業推進部 : 代替フロン等 3 ガス分野は 1995 年を基準年とした CO2 換算排出量比 11

NEDO におけるフロン対策分野の技術開発の流れ (1) ~1997 代替物質の開発ロータリーキルン方式 CFC 分解処理技術 (1996~1998) プラズマ方式特定フロン破壊処理技術 (1993~1995) 実線は実施済み実施中のPJ, 点線は検討中のPJ 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010~

電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガスの代替ガスシステム及び代替プロセスの研究開発 (1999~2003) シクロペンタン断熱材からのシクロペンタン回収技術開発 (1999~2000) ハロン破壊実証試験 (1999~2000) HFC 等破壊処理技術調査 (1999~2000) 省エネフロン代替物質合成技術開発 (2002~006) ノンフロン化技術の開発 SF6フリー高機能発現

新規フロン代替物質を使用したエッチング性能評価水発泡を含むノンフロン発泡材の革新的ノンフロン系断熱材技術開発断熱性能劣化防止 (2007~2011) 建築物解体現場向け可搬型処理装置の開発 ( 実用化 ) CDM JI 事業への適用ノンハロン消火システムの基礎技術開発省エネ型 SF6 代替ガス利用 Mg 鋳造システムの開発ノンフロンダストブロワーの開発ノンフロン冷凍 /

12 NEDO におけるフロン対策分野の技術開発の流れ (1) ~1997 代替物質の開発ロータリーキルン方式 CFC 分解処理技術 (1996~1998) プラズマ方式特定フロン破壊処理技術 (1993~1995) 実線は実施済み実施中のPJ, 点線は検討中のPJ ~ 新規冷媒等研究開発 (1994~2001) 建築用断熱材フロン回収処理技術調査 (2000~2001) 液中燃焼方式 HFC-23 破壊技術の開発 (1998~2001) プラズマ方式 SF6 等に代替するガスを利用した電子デバイスクリーニンクフロセスシステムの研究開発 (1998~2002) 回収破壊技術の開発電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガスの代替ガスシステム及び代替プロセスの研究開発 (1999~2003) シクロペンタン断熱材からのシクロペンタン回収技術開発 (1999~2000) ハロン破壊実証試験 (1999~2000) HFC 等破壊処理技術調査 (1999~2000) 省エネフロン代替物質合成技術開発 (2002~006) ノンフロン化技術の開発 SF6フリー高機能発現 Mg 合 SF6フリー高機能発現 Mg 合金組織制御技術開発金組織制御技術開発 PJ (2004~2006) 超臨界 CO2 による断熱発泡材の開発空気サイクル冷凍システム空調技術の開発断熱材中のフロン回収無害化技術現場発泡 ( 新規フロン代替物質 ) 実証研究開発を経て実用化へ SF6 代替ガスによる送変電機器技術の開発実用化研究を経て実用化へ新規フロン代替物質を使用したエッチング性能評価水発泡を含むノンフロン発泡材の革新的ノンフロン系断熱材技術開発断熱性能劣化防止 (2007~2011) 建築物解体現場向け可搬型処理装置の開発 ( 実用化 ) CDM JI 事業への適用ノンハロン消火システムの基礎技術開発省エネ型 SF6 代替ガス利用 Mg 鋳造システムの開発ノンフロンダストブロワーの開発ノンフロン冷凍 / 空調システムの開発 (2005~2009) 市場化促進支援へ自動車家電リサイクル現場向高機能回収無害化設備の開発送変電分野からの温室効果ガス排出抑制半導体 MEMS 分野からの温室効果ガス排出抑制ノンハロン消火システムの世界市場投入 SF6 フリーマクネシウム鋳造製造技術開発タストフロワー分野の完全ノンフロン化発泡分野の完全ノンフロン化達成冷凍空調システムからの冷媒漏洩対策断熱発泡材中のフロン回収無害化達成リサイクル現場のフロン漏洩セロ化無害化達成フロン製造利用現場の漏洩ゼロ化 ( 含海外 ) 12

13 NEDO におけるフロン対策分野の技術開発の流れ (2) [ 第 1 期 : 回収破壊技術の開発 ] CFC HFC 等破壊回収技術開発 ( プラズマキルン焼却方式 ) ~ 2005 年 ~ 2010 年 2008 年京都議定書第 1 約束期間 (2008 年 ~2012 年 ) [ 第 4 期 :NEDO 開発技術の実証普及 ] 2012 年 ~ 2015 年 HFC-23 破壊技術の開発設備実用化実証 [ 第 2 期 : 代替物質の開発 ] 電子テハイスクリーニンクエッチンクカス等技術開発 ( 低 GWP 合成ガス開発 ) 地域地球温暖化防止支援事業 (H18~20 年度 ) 省エネフロン代替合成技術開発 ( 絶縁カス断熱エッチンクマクネシウム等 ) 新規フロン代替物質を使用したエッチング性能評価開発技術の実証普及促進地球温暖化対策推進大綱目標達成希少資源対応フロン回収システム開発世界規模での温暖化抑止への貢献開発技術の CDM JI 化 [ 第 3 期 : ノンフロン化技術の開発 ] 超臨界 CO2 による断熱発泡材開発 /CO2 圧縮機空調機の要素技術開発 SF6 フリー Mg 合金組成制御技術開発革新的ノンフロン系断熱材技術開発ノンフロン冷凍空調システム開発 ( 業務住宅車 ) 13

14 参考資料新規代替フロン CF3I について地球温暖化係数 GWP 1 オゾン層破壊係数 ODP

2.E.1 半導体製造

2.E.1 半導体製造 (Semiconductor)(HFCs, PFCs, SF6, NF3) 1. 排出吸収源の概要 1.1 排出吸収源の対象及び温室効果ガス排出メカニズム半導体製造プロセスではフッ素化合物が (ⅰ) シリコン含有材料のプラズマエッチング (ⅱ) シリコンが析出する化学蒸着室の洗浄の 2つの工程で使用されておりそれに伴い HFC-23 PFCs (CF 4(PFC-14)