LTC リチウムイオン/リチウムポリマー・バッテリ向けのシャント・バッテリ・チャージャ・システム

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1 特長 45nA 1% 5mA PFET 5mA 4.V 4.1V 4.2V / 間欠 連続 および低電力の充電源に最適 ローバッテリとハイバッテリの状態出力 シンプルな低電圧時負荷切断アプリケーション 熱特性が改善された高さの低い (.75mm) 8 ピン (2mm 3mm)DFN および MSOP パッケージ アプリケーション 低電力リチウムイオン / リチウムポリマー バッテリのバックアップ バックアップ付きのソーラー駆動システム メモリ バックアップ 組み込み車載 薄膜バッテリ エネルギー捕集 / 環境発電 ( エナジーハーベスト ) L LT LTC LTM Linear Technology および Linear のロゴはリニアテクノロジー社の登録商標です ThinSOT はリニアテクノロジー社の商標です その他すべての商標の所有権は それぞれの所有者に帰属します リチウムイオン / リチウムポリマー バッテリ向けのシャント バッテリ チャージャ システム 概要 LTC 47 / 45nA 5mA 5mA 1 1% 4 LTC471.75mm 2mm 3mm 8 DFN 8 MSOP 標準的応用例 V IN 4.3 = 4.2 Q1:FDR = LBO BIAS 1k V F (V) = NTHS85E313LT T 47 TA1a TEMPERATURE ( C) TA1b 1

2 絶対最大定格 Note 1 2 I CC...±6mA BIAS DRV LBO HBO の電圧....3V~.3V 動作接合部温度範囲... 4 ~125 最大接合部温度 保存温度範囲 ~15 ピーク リフロー温度...26 ピン配置 TOP VIEW BIAS HBO DDB PACKAGE 8-LEAD (3mm 2mm) PLASTIC DFN T JMAX = 125 C, θ JA = 76 C/W EXPOSED PAD (PIN 9) IS NOT INTERNALLY CONNECTED, MUST BE SOLDERED TO PCB, TO OBTAIN θ JA DRV LBO BIAS HBO TOP VIEW DRV 6 LBO 5 MS8E PACKAGE 8-LEAD PLASTIC MSOP T JMAX = 125 C, θ JA = 4 C/W EXPOSED PAD (PIN 9) IS NOT INTERNALLY CONNECTED, MUST BE SOLDERED TO PCB, TO OBTAIN θ JA 発注情報 * EDDB#PBF EDDB#TRPBF LFPD 8-Lead (3mm 2mm) Plastic DFN 4 C to 125 C IDDB#PBF IDDB#TRPBF LFPD 8-Lead (3mm 2mm) Plastic DFN 4 C to 125 C EMS8E#PBF EMS8E#TRPBF LTFMT 8-Lead Plastic MSOP 4 C to 125 C IMS8E#PBF IMS8E#TRPBF LTFMT 8-Lead Plastic MSOP 4 C to 125 C さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては 弊社または弊社代理店にお問い合わせください * 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます 非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については 弊社または弊社代理店にお問い合わせください 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については をご覧ください テープアンドリールの仕様の詳細については をご覧ください 電気的特性 V = T A = 25 Note 2 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS V Programmable Float Voltage 1µA I CC 5mA V = V V = Float V = I CCMAX Maximum Shunt Current > V l 5 ma I CCQ Operating Current V HBO Low l na I CCQLB Low Bat Operating Current = 3.1V 3 na l l l V V V 2

3 電気的特性 V = T A = 25 Note 2 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS High Battery Status V HBTH HBO Threshold (V ) Rising l mv V HBHY Hysteresis 1 mv Low Battery Status V LBTH LBO Threshold Falling l V V LBHY Hysteresis mv Status Outputs HBO/LBO V OL CMOS Output Low I SINK = 1mA, = 3.7V l.5 V V OH CMOS Output High V LBO : = 3.1V, I SOURCE = 1µA V HBO : I CC = 1.5mA, I SOURCE = 5µA l.6 V 3-State Selection Input: V Input Level Input Logic Low Level l.3 V Input Logic High Level l.3 V I (Z) Allowable Leakage Current in l ±3 µa Floating State I Leakage Current V< < 5 5 na I BIAS Average BIAS Sink Current Pulsed Duty Cycle <.2% 3 pa V () Delta Float Voltage per Comparator Step I CC = 1mA, Falling Below One of the TH Thresholds = V = Float = TH1 Comparator Falling Thresholds V as % of V BIAS Amplitude % TH % TH % TH % HY Hysteresis 3 mv Drive Output I DRV(SOURCE) DRV Output Source Current = 3.1V, V DRV = V 1 ma I DRV(SINK) DRV Output Sink Current I CC = 1mA, R DRV = 475k (Note 3) 3 µa mv mv mv Note 1 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可能性がある 長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える可能性がある Note 3 I DRV(SNK) 電流は 475k の抵抗 R DRV を介して DRV ピンを まで引き上げることによってテストされる 低インピーダンスで DRV ピンを まで引き上げると レギュレータはディスエーブルされる Note 2 は T J が T A にほぼ等しいパルス負荷条件でテストされている E は ~85 の温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている 4 ~125 の動作接合部温度範囲での仕様は 設計 特性評価および統計学的なプロセス コントロールとの相関で確認されている I は 4 ~125 の全動作接合部温度範囲で動作することが保証されている これらの仕様と調和する最大周囲温度は 基板レイアウト パッケージの定格熱抵抗および他の環境要因と関連した特定の動作条件によって決まることに注意 3

4 標準的性能特性 T A = 25 I CC (na) I CC 1 = FALLING 3 2 RISING 1 V (mv) V I CC V (V) V I CC = 1mA NO = = = 1 2 (V) G I CC (ma) G TEMPERATURE ( C) 47 G3 I CCQ (na) I CCQ = TEMPERATURE ( C) 47 G4 V HBTH (mv) V HBTH = TEMPERATURE ( C) 47 G5 V HBHY (mv) V HBHY = TEMPERATURE ( C) 47 G6 V (V) V I CC = 1mA V LBTH V LBHY = = = TEMPERATURE ( C) G7 V LBTH (V) = = = TEMPERATURE ( C) 47 G8 V LBHY (V) = = = TEMPERATURE ( C) 47 G9 4

5 標準的性能特性 T A = LBO/HBO V OH I SOURCE 2.5 LBO/HBO V OL I SINK = 3.7V V OH (V) LBO = 3.1V HBO = V F 25m V OL (V) I SOURCE (ma) G I SINK (ma) G11 C C = 33µF = 81Ω 8mAHr = 81Ω PSD (µv RMS / Hz) C C = 1µF, I CC = 1mA, 1Hz Res Bandwidth, Noise = 1.452mV RMS from 1Hz to 1kHz CH1 = V IN (2V/DIV) CH2 = (2V/DIV) CH4 = I IN (1mA/DIV) CH3 = V HBO (2V/DIV) CH4 = I IN (1mA/DIV) CH1 = V IN (2V/DIV) CH2 = (2V/DIV) CH3 = V HBO (2V/DIV) FREQUENCY (Hz) 47 G12 4ms/DIV 47 G13 4ns/DIV 47 G14 ピン機能 BIAS 1 BIAS BIAS 2 BIAS 3 4.V 4.1V 4.2V 5

6 ピン機能 HBO 4 H HBO CMOS V HBTH H V HBTH V HBHY HBO L PCB DRV 7 PFET 5mA DRV 8 4.V 4.1V 4.2V 5mA.1μF C IN LBO 6 H LBO CMOS 3.2V 3.5V <V LBTH H > V LBTH V LBHY L ブロック図 PULSED DUTY CYCLE <.2% 3µs 3-STATE DETECT LBO 1.5s BIAS CLK OSC HBO R NOM 1k ADC T REF EA DRV 47 BD 6

7 動作 1 45nA ( I CHG = V IN V BAT ) 1% 5mA 5mA P MOSFET V 4.V 4.1V 4.2V 3 4.V 4.1V 4.2V ΔV BIAS 349 B 25/85 Vishay V _EFF Vishay NTHS42E313LT 349 B 25/85 1k 1k BIAS 4 1 ΔV 1 5mV 75mV 1mV V _EFF 1 1. ΔV 5mV T < 4 C 4 C T < 5 C 5 C T < 6 C 6 C T < 7 C 7 C < T Float 75mV T < 4 C 4 C T < 5 C 5 C T < 6 C 6 C T < 7 C 7 C T 1mV T < 4 C 4 C T < 5 C 5 C T < 6 C 6 C T < 7 C 7 C T V V _ BIAS EFF V > 36.5% 29.% < V 36.5% 22.8% < V 29.% 17.8% < V 22.8% V 17.8% V > 36.5% 29.% < V 36.5% 22.8% < V 29.% 17.8% < V 22.8% V 17.8% V > 36.5% 29.% < V 36.5% 22.8%< V 29.% 17.8% < V 22.8% V 17.8% 4.V 3.95V 3.9V 3.85V 3.8V 4.1V 4.25V 3.95V 3.875V 3.8V 4.2V 4.1V 4.V 3.9V 3.8V 3.8V = V 4 ΔV = V _MIN 7 BIAS BIAS HBO V _EFF V HBTH HBO H V HBTH V HBHY HBO L 45nA BIAS DRV 7

8 動作 N T C 1 m V A DJ =.29 V BIAS <V <.36 V BIAS HBO V ΔV V HBTH = 4.2V 1mV 4mV = 4.6V HBO V ΔV V HBTH V HBHY = 4.2V 1mV 4mV 1mV = 3.96V LBO 3.2V LBO H 3.5V LBO L 3nA アプリケーション情報 1mV 1 / 1 AC V WALL 12V V BAT_MIN 3V ( I MAX_CHARGE = V WALL V BAT_MIN) ( ) = 12V 3V 162Ω =55.5mA ( P DISS = V WALL V BAT _MIN ) 2 = ( 12V 3V)2 162Ω =.5W 4mV 45nA AC V ( ) I SHUNT_MAX = V WALL V ( ) = 12V 4.1V =49mA 162Ω 388mW 12V WALL ADAPTER IF NOT NEEDED 162Ω.5W BIAS 47 F BATTERY 8

9 アプリケーション情報 24V WALL ADAPTER IF NOT NEEDED WALL ADAPTER IF NOT NEEDED IF NOT NEEDED 11Ω 4W BIAS DRV Q1 Q1: FDN352AP BIAS BIAS 1 2 BATTERY BATTERY 47 F BATTERY P MOSFET Q1 2 AC V WALL 24V V BAT 3V = 11Ω 191mA 4W P MOSFET AC P MOSFET 182mA MOSFET / AC WALL ADAPTER IF NOT NEEDED IF NOT NEEDED F3 BIAS DRV Q1 BIAS Q1, Q2: Si3469DV 1 2 DRV Q2 BATTERY BATTERY - 4 C 1 C 349 B 25/85 Vishay BIAS 4 TH1 TH4 1.5 BIAS 47 F

10 アプリケーション情報 R R NOM R NOM B 25/85 Vishay NTHSO42E313LT R NOM 1k R NOM BIAS BIAS R ( ) R R NOM R NOM B 25/85 R FIX B 25/85 TH1 TH4 R FIX R ( ) R FIX R R NOM B 2 5 / k S42E314HT R NOM = 1k R FIX = 3.92kΩ R/T TH1 = 36.5% TH2 = 29.% TH3 = 22.8% TH4 = 17.8% R FIX R FIX = 3.92k V _EFF 1 12V AC V _MIN = 3.8V 5mA 165Ω 25mW θ JA 4 /W MSOP 5mA 8 θ JA 76 /W DFN 5mA 16 PFET DRV PFET I DRV SINK 3μA PCB DRV PFET 2. PFET R NOM R/T TH R NOM = 88.7k 1k Q GS V TH MIN R DS ON FDN352AP Fairchild.5nC.8V.33 Si3467DV Vishay 1.7nC 1.V.73 Si3469DV Vishay 3.8nC 1.V.41 DMP213LDM Diodes Inc. 2.nC.6V.94 DMP315LSS Diodes Inc. 7.2nC 1.V.14 1

11 標準的応用例!! AC 11 R3 249k R4 249k IF NOT NEEDED R1 249k R2 249k BIAS 47 F5 5. AC 4.2V UL 5 AC 4.2V 249k 4 1 UL 14μA UL AC PV 6 Q1 PV Q1 Q1 PV Q1 V BE V BC MB4S AC! AC AC AC AC BATTERY PV 4.1V Q1 - Q1 Q1 V BAT mv PV PV V BC V BE Q1 6 PV 5% 1k 2 NTHS42E313LT R NOM 1k C IN.1µF BIAS Q1 MP565 R NOM 1k R : NTHS42E313LT 1k 6. T V BAT OR 2N F6 11

12 標準的応用例 LED 7 LED D1 LBO V LBTH V LBTH LED D1 LED D2 HBO V _EFF V HBTH D2 D2 D3 D2 = 25Ω D3 1.1V 15V V IN = 8V TO 15V 25Ω 1W R LED2 1k 12 D2 LTST C19GKT OPTIONAL D3 BAS416 D1 LTST C19CKT R LED1 1k LBO HBO BIAS R NOM 1k R : NTHS42E313LT 1k 7. LED 1 LBO HBO I IN = 5mA DRV BIAS T Q1 DMP315LSS T V BAT = 4.1V R NOM 1k R = NTHS42E313LT 1k 8. 3 NiMH 1 V BAT = 4.1V 47 TA1a 47 F7 3.8V 5mA D3 226Ω 3 NiMH 1 8 NiMH NiMH C/1 9 12V AC 25mA PFET 3.6V 25mA 4 4.1V = Q1 192mA mV 2mA 7 3.8V HBO LED D1 LED 4mV 1.5mA V HBTH V HBHY LED D1 HBO LED R LED LED LED HBO R LED R LED ( ) <V HBHY 5mV V LED V LED LED HBO 5mV 1.1V V LED LED

13 パッケージ DDB 8 DFN 3mm 2mm (Reference LTC DWG # Rev B) 2.55 ± ±.5.61 ±.5 (2 SIDES).25 ±.5.5 BSC 2.2 ±.5 (2 SIDES).7 ±.5 1 NOTE 6.2 REF NOTE 1. JEDEC MO-229 WECD mm ±.1 (2 SIDES) 2. ±.1 (2 SIDES).75 ±.5.5 R =.5 TYP.56 ±.5 (2 SIDES) R =.115 TYP ± ±.5 (2 SIDES) ±.1.5 BSC 1 R = (DDB8) DFN 95 REV B 13

14 パッケージ MS8E 8 MSOP (Reference LTC DWG # Rev E) ±.12 (.11 ±.4).889 ±.127 (.35 ±.5) ±.12 (.81 ±.4) 1.83 ±.12 (.72 ±.4).29 REF 5.23 (.26) MIN.42 ±.38 (.165 ±.15) TYP 2.83 ± (.82 ±.4) ( ).65 (.256) BSC 3. ±.12 (.118 ±.4) (NOTE 3) DETAIL B.52 (.25) REF.5 REF DETAIL B.254 (.1) DETAIL A 6 TYP 4.9 ±.152 (.193 ±.6) 3. ±.12 (.118 ±.4) (NOTE 4).18 (.7) DETAIL A.53 ±.152 (.21 ±.6) NOTE 1. / (.43) MAX (.9.15) TYP.65 (.256) BSC mm mm mm.4.86 (.34) REF.116 ±.58 (.4 ±.2) MSOP (MS8E) 98 REV E 14

15 改訂履歴 Rev A 4/1 図 6 で Q1 の製品番号を変更 12 B 9/1 概要 セクションの更新 発注情報 セクションの温度範囲を更新 Note 2を更新 によるフロート電圧調整 (ΔV () ) セクションの文章更新 保護 セクションの文章更新 関連製品 を更新

16 標準的応用例 12V 41.2Ω 2W Q2: FDR858 LBO DRV Q1: FDN352AP SYSTEM STATUS D1 LTST C19KGKT R LED 2.67k HBO BIAS R NOM 1k T R : NTHS42E313LT 1k 47 TA V AC 25mA 関連製品 LT1389 8nA.5% 1ppm/ LT1634 1μA.5% 1ppm/ LTC mm 3mm DFN MSOP DC/DC 95nA( 52nA UVLO 2.6V 19.2V 1mA 1.8V 2.5V 3.3V 3.6V LTC362 2mm 2mm DFN 15mA LTC3642 3mm 3mm DFN MSE 5mA LTC1734L ThinSOT LTC454L ThinSOT LTC465L LTC471 2mm 2mm DFN 25mA / 95% 15mA 5kHz 18μA 2.9V 5.5V 4.5V 45V 6V 5mA 1% 12μA LTC1734 5mA I CHRG 18mA LTC454 1mA I CHRG 15mA C/1 LTC465 15mA I CHRG 25mA.6% 4.2V 5% 1 IC 55nA 5mA 4.V 4.1V 4.2V 8 2mm 3mm DFN MSOP 東京都千代田区紀尾井町 3-6 紀尾井町パークビル 8F TEL FAX LT 91 REV B PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 21