MIP2N1AUKL

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れいがこやぎ
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1 種別用途構造ブロック図外形シリコン MOS 形集積回路スイッチング電源制御用 Bi-CMOS 形図 8 TO-220C-G3-B マーク MIP2N1AUK A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) NO. 定格備考 1 ドレイン端子電圧 D -0.3 ~ コントロール端子電圧 C -0.3 ~ 出力ピーク電流 1 チャネル部接合温度保存温度 IDP Tj Tstg ~ +150 A 1: 最小オンパルス幅 : MIN(PW) 以内での保証とする B. 動作保証条件 NO. 定格備考 1 動作保証温度 2 Top -40 ~ : 動作周囲温度 (Ta) 注 : 絶対最大定格は瞬時たりとも超えてはならない規格です最大定格を超えると IC の破壊や劣化や損傷の原因となり IC 以外にも障害を与えるおそれもありますいかなる動作条件においても必ず最大定格を超えないように設計を行ってくださいご使用に際しては記載された動作範囲内でご使用ください C. 熱抵抗特性 NO. typ 値備考 1 ジャンクション - エアー間 Rthj-a 69.0 /W 1 1cm エポキシ基板実装時 2 ジャンクション - エアー間 Rthj-a 42.7 /W cm エポキシ基板実装時 3 ジャンクション - ケース間 Rthj-c 3.0 /W Page 1 of 12

2 D. 電気的特性測定条件 (Ta=25 ±3 ) コントロール機能は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大出力周波数周波数ジッター偏差周波数ジッター変調率 fosc d_fosc fm C=C(CNT)-0.4, D=5 図 3 参照 C=C(CNT)-0.4, D=5 図 3 参照 C=C(CNT)-0.4, D= khz 5.5 khz 270 Hz 4 最大デューティサイクル MAXDC C=C(CNT)-0.4, D= % 5 起動前動作電流 IC(SB)1 C=C(ON)-0.06,D= 軽負荷時停止電流 IC(SB)2 C=C(CNT),D= 動作電流 IC(OP) C=C(CNT)-0.2, D= 起動時コントロール端子電圧 C(ON) D= 停止時コントロール端子電圧 C(OFF) D= 起動 / 停止ヒステリシス電圧 d_c C(ON) C(OFF) コントロール端子クランプ電圧間欠動作時間比間欠動作周波数 C(CLP) TSW/TTIM ftim IC=3 図 4 参照 S1=OPEN 図 4 参照 S1=OPEN % Hz 14 コントロール端子充電電流 IC(CHG)1 IC(CHG)2 C=0, D=50 C=5, D= コントロール端子電圧コントロール端子電圧ヒステリシスソフトスタート時間 C(CNT) d_c(cnt) Tsoft D=5 D=5 C=C(CNT) m ms 18 コントロール端子電圧 / 停止電圧差 d_c2 C(CNT) - d_c(cnt) C(OFF) 設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません Page 2 of 12

3 保護機能は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大図 5 参照 DUTY=MAXDC 過電流検出参照値可変レート Reao 19 Reao=(EAO_1-EAO_2) / / 図 5 参照過電流検出参照値 EAO_MAX 20 DUTY=MAXDC 図 5 参照過電流検出レベル時 C 電圧 C_MAX 21 DUTY=MAXDC 図 2, 図 6 参照 Ton=3 μs 22 過電流保護検出 ILIMIT C=C(CNT) A オン時ブランキング幅 ton(blk) ns 過電流検出遅れ時間 td(ocl) ns D=50 最小オンパルス幅 MIN(PW) 25 C=C(CNT) - d_c(cnt) ns 過熱保護温度 3 TOTP 過熱保護温度ヒステリシス d_totp ラッチリセット電圧 Creset 3: 本製品の絶対最大定格の保証保存温度範囲は Tj=150 Max. ですこの温度を超えての保存使用はその後の IC の正常動作を保証できないだけでなく発煙発火を起こす場合もありますいかなる場合もこの温度を超えての保存使用はお避けくださいまた本 IC は上記の過熱検出機能を内蔵していますがこの機能は本 IC の温度を 150 以下に抑えるものではありません ( 本機能につきましては出荷時個々に実温度での検査は実施しておりません TEST 機能にて擬似的に検出回路動作の確認のみ行っております ) 設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません Page 3 of 12

4 出力は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 29 オン抵抗 RDS(ON) ID=0.1 A Ω 30 オフ時ドレイン端子リーク電流 IDSS D=650, C>C(CNT) μa ドレイン耐圧立ち上がり時間立下がり時間 DSS tr tf ID=100 μa, C>C(CNT) 図 7 参照図 7 参照 ns ns 電源電圧 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 34 最小ドレイン電圧 D(MIN) S1=OPEN Ta=-40~ : 動作保証温度範囲において IPD が起動 ( 発振開始 ) するために必要なドレイン印加電圧を示します Ta= で出荷検査を行っております設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません Page 4 of 12

5 D. 電気的特性測定条件 (Ta=125 ±5 ) コントロール機能は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 35 出力周波数 fosc C=C(CNT)-0.4, D= khz 図 3 参照周波数ジッター偏差 d_fosc 36 C=C(CNT)-0.4, D=5 5.3 khz 図 3 参照周波数ジッター変調率 fm 37 C=C(CNT)-0.4, D=5 200 Hz 38 最大デューティサイクル MAXDC C=C(CNT)-0.4, D= % 39 起動前動作電流 IC(SB)1 C=C(ON)-0.06,D= 軽負荷時停止電流 IC(SB)2 C=C(CNT),D= 停止時コントロール端子電圧 C(OFF) D=5 44 起動 / 停止ヒステリシス電圧 d_c C(ON) C(OFF) 45 コントロール端子クランプ電圧 C(CLP) IC=3 間欠動作時間比 TSW/TTIM 図 4 参照 46 S1=OPEN 間欠動作周波数 ftim 図 4 参照 47 S1=OPEN 48 動作電流起動時コントロール端子電圧 C(ON) D=5 コントロール端子充電電流 49 コントロール端子電圧 C(CNT) D= コントロール端子電圧ヒステリシス d_c(cnt) D= ソフトスタート時間 Tsoft C=C(CNT) コントロール端子電圧 / 停止電圧差 IC(OP) IC(CHG)1 IC(CHG)2 d_c2 C=C(CNT)-0.2, D=5 C=0, D=50 C=5, D=50 C(CNT) - d_c(cnt) C(OFF) 設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません % Hz m ms 1.55 Page 5 of 12

6 保護機能は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大図 5 参照 DUTY=MAXDC 過電流検出参照値可変レート Reao 53 Reao=(EAO_1-EAO_2) / / 過電流検出参照値 EAO_MAX 図 5 参照 54 DUTY=MAXDC 過電流検出レベル時 C 電圧 C_MAX 図 5 参照 55 DUTY=MAXDC 図 2, 図 6 参照 Ton=3 μs 56 過電流保護検出 ILIMIT C=C(CNT) A オン時ブランキング幅 ton(blk) ns 過電流検出遅れ時間 td(ocl) ns D=50 最小オンパルス幅 MIN(PW) 59 C=C(CNT) - d_c(cnt) ns 60 ラッチリセット電圧 Creset 設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません Page 6 of 12

7 出力は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 61 オン抵抗 RDS(ON) ID=0.1 A 62 オフ時ドレイン端子リーク電流 IDSS D=650, C>C(CNT) 63 ドレイン耐圧 DSS ID=100 μa, C>C(CNT) 立ち上がり時間 tr 図 7 参照立下がり時間 tf 図 7 参照設計保証 : 設計として保証しますが出荷検査は行っていません参考値記載 : 設計上の参考値であり検査による全数保証はできていません Ω μa 700 ns ns Page 7 of 12

8 図 1: 測定回路図本測定回路図は過電流保護検出値の測定には使用できません 1 s1 2 1μF C=0~8 D=0~50 3 s2 端子説明 1:CONTROL 2:SOURCE 3:DRAIN 図 2: 測定回路図本測定回路図は過電流保護検出値の測定に使用します 1 s1 2 1μF 100μH C=0~8 D=0~ Ω s2 端子説明 1:CONTROL 2:SOURCE 3:DRAIN Page 8 of 12

9 図 3: d_fosc fm 測定波形 fosc d_fosc fosc=fosc 平均 1/fM 時間図 4: TTSW,TTIM,fTIM 測定波形 TTIM ftim=1/ttim C(ON) C(CNT) C(OFF) TSW 発振発振停止時間 Page 9 of 12

10 図 5: EAO 測定 EAO EAO_MAX EAO_2 EAO_1 0 Reao=(EAO_1-EAO_2)/0.1 C_MAX C C(CNT) C(CNT)-10m C(CNT)-110m 図 6: ILIMIT 測定 ID ILIMIT 0 3μsec 時間図 7: tr tf 測定 D tf tr 90% 10% 0 時間 Page 10 of 12

11 図 8: ブロック図 CONTROL 起動用定電流 DRAIN 内部電源供給エラーアンプ軽負荷検出間欠発振制御用タイマー間欠動作回路過熱保護回路 C_ クランプジッター付発振器 MAX DUTY CLOCK 再起動トリガ S Q ゲートドライバーパワー MOSFET R Q EAO EAO_MAX オン時ブランキングパルス発生回路ドレイン電流検出用 SOURCE 図 9: 端子配置図ピンNo 端子名 1 CONTROL 2 SOURCE 3 DRAIN Page 11 of 12

12 使用上の注意 1 CONTROL-SOURCE 間には必ず端子のすぐ近くに (0.1 μf 以上の ) セラミックコンデンサを接続して下さい使用上の注意 2 以下のような条件では破損し場合によっては破裂発煙の可能性があります以下の使用は避けていただくとともに安全規格上の認定試験において対策が必要になる場合には入力段へのヒューズ追加や CONTROL-SOURCE 間へのツェナーダイオード追加などの対策を講じてください具体的な対策については個別に相談させていただくことも可能ですが最終的にはお客様側にてご判断をお願いいたします (1) DRAIN 端子と CONTROL 端子をショートする (2) DRAIN 端子と SOURCE 端子をショートする Page 12 of 12

13 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は当該国における法令特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください (2) 本書に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものでありそれをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありませんしたがって上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合当社はその責任を負うものではありません (3) 本書に記載の製品は一般用途 ( 事務機器通信機器計測機器家電製品など ) もしくは本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております特別な品質信頼性が要求されその故障や誤動作が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある用途 - 特定用途 ( 車載機器航空宇宙用輸送機器交通信号機器燃焼機器医療機器安全装置など ) でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上使用条件等に関して別途文書での取り交わしをお願いします文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては当社は一切の責任を負いません (4) 本書に記載の製品および製品仕様は改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承くださいしたがって最終的な設計ご購入ご使用に際しましては事前に最新の書または仕様書をお求め願いご確認ください (5) 設計に際しては絶対最大定格動作保証条件 ( 動作電源電圧動作環境等 ) の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします特に絶対最大定格に対しては電源投入および遮断時各種モード切替時などの過渡状態においても超えることのないように十分なご検討をお願いいたします保証値を超えてご使用された場合その後に発生した機器の故障欠陥については当社として責任を負いませんまた保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率故障モードをご考慮の上当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故火災事故社会的な損害などを生じさせない冗長設計延焼対策設計誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします (6) 製品取扱い時実装時およびお客様の工程内における外的要因 (ESD EOS 熱的ストレス機械的ストレス ) による故障や特性変動を防止するために使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しませんまた防湿包装を必要とする製品は保存期間開封後の放置時間など個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください (7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され万が一転売先から何らかの請求を受けた場合お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに転載または複製することを堅くお断りいたします No

MIP5310MT

MIP5310MT 種別用途構造シリコン MO 形集積回路スイッチング電源制御用 CMO 形等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅