PowerPoint プレゼンテーション

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection

<4D F736F F F696E74202D208FE393635F928289BB95A894BC93B191CC8CA48B8689EF5F47614E F815B835E5F88F38DFC97702E707074>

21 年 6 月 24 日第 8 回窒化物半導体応用研究会 GaN 系電子デバイスの現状とその可能性 GaN パワーデバイスのインバータ応用 パナソニック株式会社 セミコンダクター社半導体デバイス研究センター 上田哲三 講演内容 GaNインバータによる省エネルギー化 GaNパワーデバイス技術 低コストSi 基板上 GaN 結晶成長 ノーマリオフ化 : Gate Injection Transistor

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt

集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

研究成果報告書

MIS HEMT MIS HEMT MIS HEMT AlGaN/GaN MIS ALD AlGaN/GaN MIS-HEMT (1)MIS MIS AlGaN/GaN MIS-HEMT BCl 3 Cl 2 Ti/Al/Mo/Au (15/60/35/50 nm) 850 ºC AlGaN Ni/Au (100/150 nm) 300 ºC Lg=3m Lgd=5 mwg=100 m ALD Al

PowerPoint Presentation

半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発

エレクトロニクス 低転位 GaN 基板上縦型トランジスタの開発 岡 田 政 也 * 斎 藤 雄 横 山 満 徳 中 田 健 八重樫 誠 司 片 山 浩 二 上 野 昌 紀 木 山 誠 勝 山 造 中 村 孝 夫 Development of Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors on Low Dislocation Density GaN

スライド 1

Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

2011. 3. 2 高等研究院 インテックセンター成果報告会 極限を目指した 新しい半導体デバイスの実現 京都大学工学研究科電子工学専攻 木本恒暢 須田淳 光 電子理工学 エネルギー 環境問題や爆発的な情報量増大解決へ 物理限界への挑戦と新機能の創出 自在な光子制御 フォトニック結晶 シリコンナノフォト二クス ワイドバンドギャップ光半導体 極限的な電子制御 ワイドバンドギャップ (SiC) エレクトロニクス

パナソニック技報

67 Next-generation Power Switching Devices for Automotive Applications: GaN and SiC Tetsuzo Ueda Yoshihiko Kanzawa Satoru Takahashi Kazuyuki Sawada Hiroyuki Umimoto Akira Yamasaki GaNSiCGaNSiGate Injection

I II III 28 29

生活設計レジメ

44 4 I (1) ( ) (10 15 ) ( 17 ) ( 3 1 ) (2)

(1) I 44 II 45 III 47 IV 52 44 4 I (1) ( ) 1945 8 9 (10 15 ) ( 17 ) ( 3 1 ) (2) 45 II 1 (3) 511 ( 451 1 ) ( ) 365 1 2 512 1 2 365 1 2 363 2 ( ) 3 ( ) ( 451 2 ( 314 1 ) ( 339 1 4 ) 337 2 3 ) 363 (4) 46

i ii i iii iv 1 3 3 10 14 17 17 18 22 23 28 29 31 36 37 39 40 43 48 59 70 75 75 77 90 95 102 107 109 110 118 125 128 130 132 134 48 43 43 51 52 61 61 64 62 124 70 58 3 10 17 29 78 82 85 102 95 109 iii

第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発

第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006

Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface （低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構）

2014/03/19 応用物理学会 2014 年春季学術講演会 コンダクタンス法による AlGaN/GaN ヘテロ 接合界面トラップに関する研究 Investigation on interface traps in AlGaN/GaN heterojunction by conductance method 劉璞誠 1, 竇春萌 2, 角嶋邦之 2, 片岡好則 2, 西山彰 2, 杉井信之 2,

untitled

/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

SiC 高チャネル移動度トランジスタ

エレクトロニクス SiC 高チャネル移動度トランジスタ 日吉透 * 増田健良 和田圭司 原田真 築野孝 並川靖生 SiC MOSFET with High Channel Mobility by Toru Hiyoshi, Takeyoshi Masuda, Keiji Wada, Shin Harada, Takashi Tsuno and Yasuo Namikawa SiC (silicon

( ) : 1997

( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード]

薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

Slide 1

SPring-8 利用推進協議会第 4 回次世代先端デバイス研究会 / 第 13 回 SPring-8 先端利用技術ワークショップ 2017.3.21 AP 品川京急第 2 ビル 先進パワーデバイスにおける 新規ゲート絶縁膜開発と 放射光利用 MOS 界面評価事例 大阪大学大学院工学研究科 渡部平司 転載不可 大阪大学大学院工学研究科渡部研究室 1/60 概要 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

橡災害.PDF

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 2.1 2.2 2.2.1 13 2.2.2 2.2.3 14 2.3 2.3.1 2.3.2 all or nothing 2.4. 2.4.1 15 i) ii) iii) iv) 2.5 2.4.2 2.2 2.5 2.5.1 16 2.5.2 2.6 2.6.1 2.4 2.6.2 2.6.3 2.6.4 17 18 3.2.1 Hazard

Acrobat Distiller, Job 2

2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX

PowerPoint Presentation

半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの 光応答とその応用に関する研究

窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究 徳島大学大学院 工学研究科物質材料工学専攻 岡田政也 2008/2/4 博士論文公聴会 第一章序論 論文の構成と発表内容 研究背景 目的第二章深い準位による I-V 特性の過渡応答のシミュレーション 発表では省略 第三章 AlGaN/GaN HFET 用エピタキシャル基板 2DEG シート抵抗の光応答 第四章深い準位によるしきい値電圧の光照射および温度依存性

MOSFET HiSIM HiSIM2 1

MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -2...2...3...4...4...4...5...6...7...8...

取 扱 説 明 書 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -2...2...3...4...4...4...5...6...7...8...9...11 - - - - - - - - - - - - - - - - -

事務連絡

二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 平成 21 年度採択研究代表者 H23 年度 実績報告 橋詰保 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 研究課題 異種接合 GaN 横型トランジスタのインバータ展開 1. 研究実施体制 (1) 北大 グループ 1 研究代表者 : 橋詰保 ( 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 ) 2 研究項目 ドライエッチ面を含む Al 2

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

スライド 1

High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

入門ガイド

ii iii iv NEC Corporation 1998 v P A R 1 P A R 2 P A R 3 T T T vi P A R T 4 P A R T 5 P A R T 6 P A R T 7 vii 1P A R T 1 2 2 1 3 1 4 1 1 5 2 3 6 4 1 7 1 2 3 8 1 1 2 3 9 1 2 10 1 1 2 11 3 12 1 2 1 3 4 13

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

(Microsoft PowerPoint - \203E\203B\203\223\203N\210\244\222m.ppt)

IGBT 発展の経緯と限界特性 中川明夫 中川コンサルティング事務所 1 パワーデバイス応用分野の変遷 1997 2005 HVDC Transmission HVDC Transmission IGBT 2 パワーデバイス発展の経緯 ( 東芝の例 ) Power rating (VA) 100M 10M 1M 100K 1 st wave 10K 1960 500A2500V 80A400V 150A1000V

untitled

Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

i

14 i ii iii iv v vi 14 13 86 13 12 28 14 16 14 15 31 (1) 13 12 28 20 (2) (3) 2 (4) (5) 14 14 50 48 3 11 11 22 14 15 10 14 20 21 20 (1) 14 (2) 14 4 (3) (4) (5) 12 12 (6) 14 15 5 6 7 8 9 10 7

Wide Scanner TWAIN Source ユーザーズガイド

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

スピントランジスタの基本技術を開発 　 ―　高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体　―

スピン MOS トランジスタの基本技術を開発 高速 低消費電力 不揮発の次世代半導体 本資料は 本年米国ボルチモアで開催の IEDM(International Electron Devices Meeting 2009) における当社講演 Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized Ferromagnet/MgO

PowerPoint プレゼンテーション

1 次世代パワーデバイスの 自動車への応用について 2012.7.9 トヨタ自動車 ( 株 ) 第 3 電子開発部 長尾勝 本日の内容 2 1. 自動車を取り巻く環境 2. 自動車用パワーエレクトロニクス 3. 次世代パワーデバイスと自動車 今後の自動車産業 ~ 自動車用エレクトロニクス開発 ~ 3 究極 201X 年 2010 年 20XX 年 ゼロエミッション 大気並の排気 環境 代替エネルギーへの対応

Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt

第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

高耐圧SiC MOSFET

エレクトロニクス 高耐圧 S i C M O S F E T 木村錬 * 内田光亮 日吉透酒井光彦 和田圭司 御神村泰樹 SiC High Blocking Voltage Transistor by Ren Kimura, Kousuke Uchida, Toru Hiyoshi, Mitsuhiko Sakai, Keiji Wada and Yasuki Mikamura Recently,

SSM3K7002KFU_J_

MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

第１部　一般的コメント

(( 2000 11 24 2003 12 31 3122 94 2332 508 26 a () () i ii iii iv (i) (ii) (i) (ii) (iii) (iv) (a) (b)(c)(d) a) / (i) (ii) (iii) (iv) 1996 7 1996 12

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

SSM6J505NU_J_

MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

第１章　国民年金における無年金

1 2 3 4 ILO ILO 5 i ii 6 7 8 9 10 ( ) 3 2 ( ) 3 2 2 2 11 20 60 12 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 13 14 15 16 17 14 15 8 16 2003 1 17 18 iii 19 iv 20 21 22 23 24 25 ,,, 26 27 28 29 30 (1) (2) (3) 31 1 20

スライド 1

1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

1 (1) (2)

1 2 (1) (2) (3) 3-78 - 1 (1) (2) - 79 - i) ii) iii) (3) (4) (5) (6) - 80 - (7) (8) (9) (10) 2 (1) (2) (3) (4) i) - 81 - ii) (a) (b) 3 (1) (2) - 82 - - 83 - - 84 - - 85 - - 86 - (1) (2) (3) (4) (5) (6)

- 2 -

- 2 - - 3 - (1) (2) (3) (1) - 4 - ~ - 5 - (2) - 6 - (1) (1) - 7 - - 8 - (i) (ii) (iii) (ii) (iii) (ii) 10 - 9 - (3) - 10 - (3) - 11 - - 12 - (1) - 13 - - 14 - (2) - 15 - - 16 - (3) - 17 - - 18 - (4) -

2 1980 8 4 4 4 4 4 3 4 2 4 4 2 4 6 0 0 6 4 2 4 1 2 2 1 4 4 4 2 3 3 3 4 3 4 4 4 4 2 5 5 2 4 4 4 0 3 3 0 9 10 10 9 1 1

1 1979 6 24 3 4 4 4 4 3 4 4 2 3 4 4 6 0 0 6 2 4 4 4 3 0 0 3 3 3 4 3 2 4 3? 4 3 4 3 4 4 4 4 3 3 4 4 4 4 2 1 1 2 15 4 4 15 0 1 2 1980 8 4 4 4 4 4 3 4 2 4 4 2 4 6 0 0 6 4 2 4 1 2 2 1 4 4 4 2 3 3 3 4 3 4 4

ＰＲ映画-1

II III I ~ 2 ~

中堅中小企業向け秘密保持マニュアル

20 15 14.6 15.3 14.9 15.7 16.0 15.7 13.4 14.5 13.7 14.2 10 10 13 16 19 22 1 70,000 60,000 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 0 2,500 59,862 56,384 2,000 42,662 44,211 40,639 37,323 1,500 33,408 34,472

I? 3 1 3 1.1?................................. 3 1.2?............................... 3 1.3!................................... 3 2 4 2.1........................................ 4 2.2.......................................

橡ミュラー列伝Ⅰ.PDF

DocuPrint C5450 ユーザーズガイド

1 2 3 4 5 6 7 8 1 10 1 11 1 12 1 13 1 14 1 15 1 16 17 1 1 18 1 19 1 20 1 21 1 22 1 23 1 24 1 25 1 26 27 1 1 28 1 29 1 30 1 31 1 2 12 13 3 2 10 11 4 9 8 7 6 5 34 24 23 14 15 22 21 20 16 19 18 17 2 35

untitled

表1票4.qx4

iii iv v 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 23 10 11 24 25 26 27 10 56 28 11 29 30 12 13 14 15 16 17 18 19 2010 2111 22 23 2412 2513 14 31 17 32 18 33 19 34 20 35 21 36 24 37 25 38 2614

福祉行財政と福祉計画［第３版］

TPCP8406_J_

MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa

m 3 /s

SONY HAD Sensor に関する SONY と NEC の特許戦争 (1994~2002) SONY の 1975 年の HAD Sensor 特許に対する NEC からの攻撃内容の詳細 NECの1980 年の埋め込みPhotodiode 特許では BASE 領域を完全空乏化することを特許請

SONY HAD Sensor に関する SONY と NEC の特許戦争 (1994~2002) SONY の 1975 年の HAD Sensor 特許に対する NEC からの攻撃内容の詳細 NECの1980 年の埋め込みPhotodiode 特許では BASE 領域を完全空乏化することを特許請求しているが すでに上記の2 件の萩原 1975 年特許の実施図で完全空乏化が明示されている また その埋め込み層の電位は

低炭素社会の実現に向けた技術および経済 社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 技術開発編 GaN 系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 平成 29 年 3 月 Technological Issues and Future Prospects of GaN

低炭素社会の実現に向けた技術および経済 社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 技術開発編 GaN 系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 平成 29 年 3 月 Technological Issues and Future Prospects of GaN and Related Semiconductor Devices Strategy for Technology

印刷用一括

I.... - 2 -...- 2 -...- 2 -...- 2 -...- 3 -...- 4 -...- 6 - II.... - 7 - III.... - 9 -...- 9 -...- 15 -...- 20 -...- 22 -...- 28 - IV.... - 33 -...- 33 -...- 33 -...- 70 -...- 85 -...- 106 - V.... - 122

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>

量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

untitled

MOSFET 17 1 MOSFET.1 MOS.1.1 MOS.1. MOS.1.3 MOS 4.1.4 8.1.5 9. MOSFET..1 1.. 13..3 18..4 18..5 0..6 1.3 MOSFET.3.1.3. Poon & Yau 3.3.3 LDD MOSFET 5 3.1 3.1.1 6 3.1. 6 3. p MOSFET 3..1 8 3.. 31 3..3 36

I A-7 CNT 27 A A A A A B A,C,D A B C D ( ) I A-8 Ce:YIG 31 A A,B A B JST I A-9 Cr 2 O 3 35 I A-10 CuO 39 A B A A A B I A-11 Co BiCoO 3 43 A A,B A A A

24 12 13 ( ) I-A 9:50 9:55 9:55 10:50 12:20 13:50 TL-1 1 14:00 15:00 OL-2 7 JST CREST I-B I A 15:10 16:05 16:05 17:50 10F S10A I A-3 X 11 A B B B A B I A-4 X 15 A A I A-5 X 19 A A I A-6 X 23 A A i I A-7

PowerPoint プレゼンテーション

() 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit (2) 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit MOS トランジスタの高周波モデル High-frequency model for MOS FET ゲート酸化膜は薄いので G-S, G-D 間に静電容量が生じる

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

:

: 2005 4 16 1 1 1.1............................ 1 1.2................................ 2 2 4 2.1............................ 4 2.2......................... 4 3 5 3.1........................ 5 3.2.................

磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発 ~ 電圧をかけずに動作する電気化学デバイス実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 29 年 9 月 7 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構 (NIMS) 概要 1.NIMS は 電圧でなく磁気でイオンを輸送するという 従来と全く異なる原理で動作するトランジスタの開発に成功しました

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

I

I II 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Rp.1) 50mg 3 3 14 Rp.2) 2.5mg 2 14 Rp.1) 2.5mg 3 2 2:1 14 Rp.) 15g 1 3 28 Rp.2) 50 600mg 1 2 28 12 Rp.1) CR 20mg 1 1 1 14 Rp.2) R 200 1 2 14 Rp.3) 3 1 3 14 Rp.1) 2.5mg 0.4

平成 7 年度修士論文内容梗概 電気電子工学専攻 研究題目 /GaN MIS-HFET におけるヒステリシス特性の研究 氏名松田潤也 大野研究室 はじめに /GaN HFET は高電子移動度であるほか 絶縁破壊電界が大きいため高速 高出力デバイスとして 期待されている しかし実用化にはいくつか課題が

平成 7 年度修士論文 /GaN MIS-HFET における ヒステリシス特性の研究 徳島大学大学院工学研究科電気電子工学専攻物性デバイス講座 松田潤也 平成 7 年度修士論文内容梗概 電気電子工学専攻 研究題目 /GaN MIS-HFET におけるヒステリシス特性の研究 氏名松田潤也 大野研究室 はじめに /GaN HFET は高電子移動度であるほか 絶縁破壊電界が大きいため高速 高出力デバイスとして

低損失V溝型SiCトレンチMOSFET 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs with the Buried p+ regions

エレクトロニクス 低損失 V 溝型 SiC トレンチ MOSFET 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs with the Buried p + regions * 斎藤雄和田圭司日吉透 Yu Saitoh Keiji Wada Toru Hiyoshi 増田健良築野孝御神村泰樹 Takeyoshi Masuda Takashi Tsuno Yasuki Mikamura 我々はワイドバンドギャップ半導体である炭化珪素

内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET の課題 4)SiC トレンチ MOSFET

SiC GaN パワー半導体の最新技術 課題 ならびにデバイス評価技術の重要性 2016 年 7 月 12 日 筑波大学数理物質系物理工学域 教授岩室憲幸 1 内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET

provider_020524_2.PDF

1 1 1 2 2 3 (1) 3 (2) 4 (3) 6 7 7 (1) 8 (2) 21 26 27 27 27 28 31 32 32 36 1 1 2 2 (1) 3 3 4 45 (2) 6 7 5 (3) 6 7 8 (1) ii iii iv 8 * 9 10 11 9 12 10 13 14 15 11 16 17 12 13 18 19 20 (2) 14 21 22 23 24

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

untitled

2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,