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- きみお ゆのもと
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6 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6
7 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7
8 8
9 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX E( 0) = W s 0 OX ε qn = ε 2ε ε OX V EOX tox + φ ( ) = EOX tox + φsur s = 0 Q = Q + Q S n SC W m 2ε 0 ε s 2 = φ f qn A Q SC = qε ε N 2φ 2 0 s A f 9
10 V th qn AW 2ε m s qn A 2φ f = 2φ f + = 2φ f + C C OX OX C ε 0 ε OX OX = tox 10
11 11
12 V 0 = φ M φ s qn W 2ε qn 2 φ A m s A f Vth = 2φ f + + V0 = 2φ f + + V0 COX COX Q( x) C { V V V ( x) } = OX G th 12
13 E I D = Zµ Q( x)e L I dx Z C { V V V ( x) } 0 D dv µ dx dx = L OX G th I D µ OX G th VD VD 2 L = Z C ( V V ) Z COX 2 2 I {( V V ) ( V V V )} D = µ G th G th D 2L Zµ COX I D= 2L V V V D G ( V V ) th G th 2 13
14 14
15 15
16 E 1 Ex E y E 4 E1 E E 4 x E E 4 y D ds = Qrec S rec 16
17 X 1 X1 D ds = ( ε sεo E y ε sε o E1) dx ( ε sεo E s ) dx S rec Q rec 0 0 = q y X 1 A ( N n) dxdy d dv 2 6C OX = ( V Vg ) + qn A dv dy ε sε 0 ε sε 0 X 1 Q m = q o X 1 ndx 6 Q m Vg = VG V0 2φ f SD = D S1 D S1 + E A ( V V ) + B( V V ) C A 2 3COX ε sε 0 X 1 = 6qN A 6COX B ( V V ) 6 = g S1 ε ε ε ε X ε ε X V s 0 s 0 1 s 0 1 V D S1 D Qmdv V 2 C = E S1 E SD E S1 E S1 = E P E A ( V V ) + E = A ( V V ) + E SD = D P P DS PS PS dv I D = WQm µ E y = WQm µ dy I D = WQn µ E y S1 17
18 di I D D dv = L ( E sy ) I D I exp( L / L) = 1 L = VD dv DS = ( E ) V PS ( sy ) VS1 sy E V dv I I exp( L L) = D Dsat / I I ( V V ) ( V V ) D 2 A A = Dsat DS PS DS PS E PS E PS 1 LA I D I Dsat = L 1 L L = I L L Dsat = L L eff I Dsat A 2 COX = ε ε X x s 0 1 j ( V V )( X x ) DS 2 A K ( + + 2φ ) X = 0 V PS V SUB f 1 PS 1 j 18
19 19
20 E E kt ( E) = 0, exp de 0 e J qv( E E) Nc( E) n E E kt ( E) = 0, exp de 0 e J qp( E) v( E E) Nc( E) G qφ = b J G P xp qv kte 0 qφ = b J nsca exp kte [( E + qφ ) ε ] N ( E, E) Nc( E + qφ ) E E exp kte 0 0 b, c b de S ca = 0 v [( E + qφb ), E] Nc( E + qφb ) 0 v E ( E, E) Nc( E) exp de exp kt e E kt e de qeox 20
21 q 16πε ε qφ ( x) = qφ qeox x bi b0 x m0 OX 0 OX 2 OX x q = 16πε 0 ε E qeox φb = 4πε ε 0 OX φ = φ 0 φ b b b qeox J E 4 exp ( q ) * m φb OX 3qEOX 21
22 J FN 2 q EOX = 8πhφ b 2 4 exp * 2m 3qE ( qφ ) OX 3 2 b J FN ( qφ ) 2 2 * 3 2 q E OX m 1 πckt 4 2m = b exp v( y) * 2 8πhφ bm t ( y) sin( πckt ) 3qE OX C 2 2m qφ t( y) qe OX b * = b b y = φ φ dn t n v ( N n ) dt = σ C th C t t J G = qn v qn v C d C th n () t t t 1 exp τ = N t C = ( J σ q) 1 τ C G C Q t () t t 1 exp τ = qnt C 22
23 Qt () t = q t OX 0 n dx N t T t = OX 0 N dx x E E G E G () t s() t () t OX OX s Qt x = E + ε 0 ε t () t Q = t x E E 1 ε 0 εox tox E G () t s() t Q () t x t = E ε 0 εox tox () t Q = + t x E E 1 ε 0 εox tox V ( + ) G V ( ) () t ( t x) t Qt = OX ε 0 ε OX () t x Qt G = ε 0 ε OX () t Qt tox x qnt x V 0= = ε 0ε OX ε 0ε OX [ 1 exp( t τ )] C 23
24 24
25 qφ V B = qφ χ M s 0 = φ M φ s 25
26 2ε ( 0) 0 ε W = s V0 qn d qε 0ε s N D 1 C J () 0 = 2 V0 qv exp 0 kt ( ) 0 I sdif I qv 0 = 0 exp kt 26
27 ( ) B I I exp Mdif qφ 0 = 0 kt ( 0 ) I sdif ( 0) I ( 0) = 0 I = Mdif I ( V ) sdif A ( V ) q V0 A = I 0 exp kt 27
28 qφ Mdif A = Mdif 0 0 kt ( ) ( ) = B I V I I exp I ( V A ) = I sdif ( VA ) I Mdif ( V A ) q( V V ) = I = I = I 0 0 A 0 qφ B exp I 0 exp kt kt qφ 0 qv A exp exp 1 kt kt qv A ( 0) exp 1 kt sdif W 0 s ( V ) ( V V ) A 2ε ε = 0 qn D A qε 0ε s N D 1 C J ( V A ) = 2 V0 V A 28
29 ( V ) q V0 + A I sdif ( V A ) = I 0 exp kt qφ ( ) = B I Mdif V A I 0 exp kt I ( V ) = I = I 0 ( V V ) q A A = I 0 exp kt qφ 0 qv exp exp kt kt qv () 0 exp A 1 kt sdif 0 A I 0 1 qφ exp B kt qv exp A < 1 kt I ( V ) I ( V ) I ( V ) sdif A Mdif A Mdif A 29
30 C ( V ) 2ε ε W + 0 s ( V ) = ( V V ) J A 0 qn D A = qε ε N A 0 s D 1 2 V 0 + V A 30
31 31
32 32
33 33
34 PC TR6150 GP-IB トライアキシャルコアキシャル HP4140B HP4141B 変換ボックス ウェハ台 34
35 35
36 36
37 37
38 電流 [A] 5E-14 4E-14 3E-14 2E-14 1E E-14-2E-14-3E-14-4E-14-5E 電圧 [V] 3.5E-13 3E E-13 電流 [A] 2E E-13 1E-13 5E 電圧 [V] 38
39 39
40 40
41 41
42 SNRef-1 SNRef-2 SNRef-3 SNRef-4 1.0E-04 電流 [A] 5.0E E 電圧 [V] 42
43 SNFe-1 SNFe-2 SNFe-3 SNFe-4 SNFe-5 SNFe-6 1.0E-04 電流 [A] 5.0E E 電圧 [V] 43
44 SNRef-1 SNRef-4 SNFe-1 SNFe-4 1.0E-04 電流 [A] 5.0E E 電圧 [V] 44
45 SRef-1 SRef-2 SRef-3 SRef E+00 漏れ電流 [A] -5.0E E E-08 電圧 [V] SRef-1 SRef-2 SRef-3 SRef E+00 漏れ電流 [A] -5.0E E-09 電圧 [V] 45
46 -10[V] -20[V] -30[V] -40[V] -50[V] 0.0E 漏れ電流 [A] -6.0E E-08 面積比 46
47 SNFe-1 SNFe-2 SNFe-3 SNFe-4 SNFe-5 SNFe E+00 漏れ電流 [A] -5.0E E-07 電圧 [V] SNFe-1 SNFe-2 SNFe-3 SNFe-4 SNFe-5 SNFe E+00 漏れ電流 [A] -5.0E-10 電圧 [V] -1.0E-09 47
48 -10[V] -20[V] -30[V] -40[V] -50[V] 0.0E 漏れ電流 [A] -5.0E E E-07 面積比 SNRef-1 SNRef-2 SNRef-3 SNFe-1 SNFe-2 SNFe E+00 電流 [A] -1.0E-09 電圧 [V] -2.0E-09 48
49 49
50 E g qφ s = qχ s + qφ f 2 kt N φ f = ln q ni ln φ f = φsn 1.1 =
51 φ Al < φ sn φ Al > φ sn 51
52 I( V ) A qφ = exp 0 qv exp A I 0 1 kt kt * 2 I 0 = A T S 52
53 53
54 54
55 1.4 担体発生量 (v: 8.0E11[cm2]) 保持時間 [s] 担体発生量 (v: 8.0E11[cm -2 ]) 保持時間 [s] 55
56 56
57 57
58 n ++ n + p + p 58
59 59
60 1.0E-05 ドレイン電流 [V] 5.0E E ゲート電圧 [V] Vsub=0[V] Vsub=-1[V] Vsub=-2[V] Vsub=-3[V] Vsub=-4[V] Vsub=-5[V] Vsub=-6[V] Vsub=-7[V] Vsub=-8[V] Vsub=-9[V] 1.0E-05 ドレイン電流 [A] 5.0E E ゲート電圧 [V] 60
61 L=10.0[μm] L=1.0[μm] L=0.6[μm] L=0.5[μm] 1.0E-05 ドレイン電流 [V] 5.0E E ゲート電圧 [V] 61
62 ゲート電流 ソース電流 ドレイン電流 n チャネル電流 p n 基板電流 1.5E-03 ソース電流 [A] 1.0E E E ドレイン電流 [A] 62
63 1.5E-03 ドレイン電流 [A] 1.0E E E ドレイン電圧 [V] 0.0E 基板電流 [A] -5.0E E-03 ドレイン電流 [A] 63
64 0.0E ゲート電流 [A] -5.0E E E E E E E-12 ドレイン電圧 [V] 7.0E-04 ソース ドレイン電流差分 基板電流 電流 [A] 3.5E E ドレイン電圧 [V] 64
65 6.0E-04 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] ソース電流 [A] 3.0E E ドレイン電圧 [V] 65
66 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 3.0E-03 ソース電流 [A] 1.5E E ドレイン電圧 [V] 66
67 Vsub=0[V] Vsub=1[V] Vsub=2[V] Vsub=3[V] Vsub=4[V] Vsub=5[V] 3.0E-04 ソース電流 [A] 2.0E E E ドレイン電圧 [V] Vsub=0[V] Vsub=1[V] Vsub=2[V] Vsub=3[V] Vsub=4[V] Vsub=5[V] 2.0E-03 ソース電流 [A] 1.0E E ドレイン電圧 [V] 67
68 3.0E-03 L=10.0[μm] L=1.0[μm] L=0.6[μm] L=0.5[μm] ソース電流 [A] 1.5E E ドレイン電圧 [V] 68
69 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 0.0E E-05 基板電流 [A] -1.0E E E E-04 ドレイン電圧 [V] 69
70 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 基板電流 [A] -2.0E E-05 ドレイン電圧 [V] Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 0.0E 基板電流 [A] -3.0E E-04 ドレイン電圧 [V] 70
71 Vsub=0 Vsub=-1 Vsub=-2 Vsub=-3 Vsub=-4 Vsub=-5 0.0E 基板電流 [A] -5.0E E E-04 ドレイン電圧 [V] 71
72 Vsub=0 Vsub=-1 Vsub=-2 Vsub=-3 Vsub=-4 Vsub=-5 0.0E 基板電流 [A] -3.0E E-08 ドレイン電圧 [V] Vsub=0 Vsub=-1 Vsub=-2 Vsub=-3 Vsub=-4 Vsub=-5 0.0E 基板電流 [A] -2.0E E-04 ドレイン電圧 [V] 72
73 L=10.0[μm] L=1.0[μm] L=0.6[μm] L=0.5[μm] 0.0E 基板電流 [A] -3.0E E-04 ドレイン電圧 [V] 73
74 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 0.0E ゲート電流 [A] -5.0E E E-11 ドレイン電圧 [V] 74
75 Vg=0[V] Vg=1[V] Vg=2[V] Vg=3[V] Vg=4[V] Vg=5[V] 0.0E ゲート電流 [A] -3.0E E-11 ドレイン電圧 [V] Vsub=0 Vsub=-1 Vsub=-2 Vsub=-3 Vsub=-4 Vsub=-5 0.0E ゲート電流 [A] -4.0E E-12 ドレイン電圧 [V] 75
76 Vsub=0 Vsub=-1 Vsub=-2 Vsub=-3 Vsub=-4 Vsub=-5 0.0E ゲート電流 [A] -1.5E E-11 ドレイン電圧 [V] 76
77 L=10.0[μm] L=1.0[μm] L=0.6[μm] L=0.5[μm] 0.0E E-11 ゲート電流 [A] -2.0E E E E E-11 ドレイン電圧 [V] 0.0E ゲート電流 [A] -2.5E-12 L=10.0[μm] L=1.0[μm] L=0.6[μm] L=0.5[μm] -5.0E-12 ドレイン電圧 [V] 77
78 78
79 L=10[μm] L=0.5[μm] 3 しきい値電圧 [V] 基板電圧 [V] 79
80 1 V th = 2φ f + 2ε sqn A 2φ f + VSUB C OX V th 1 r j 2yd = 2φ f ε Si qn A φ p Vsub Cox L r j 2φ + f V SUB L=10.0[μm] L=1.0[μm] 3 しきい値電圧 [V] φ p + V SUB [ V ] 2φ + V f SUB 80
81 2ε Si N A + N D W S = φ p + φ n + V q N A N D SUB 2ε Si N A + N D W D = φ p + φn + VSUB + V q N AN D D 81
82 1 空乏層幅 [μm] 基板電圧 [V] m b α = Aexp E E 82
83 電子電離係数 ホール電離係数 1.0E E+05 電離係数 [cm -1 ] 1.0E E E E E E+05 電界 [V/cm] 1.0E+06 83
84 経路 1 経路 2 1.4E E E+06 電界 [V/cm] 8.0E E E E E E E E E E E E-05 距離 [cm] N AV I D I S I S 84
85 85
86 86
87 87
88 (a)電位分布図 (b)電荷密度図 図 7.10 ロングチャネル試料(L=10.00[um])シミュレーションにおける電位 電荷密度図 次に図 7.10 のロングチャネル試料(L=10.00[um])のシミュレーション結果を見る こ の試料は今回の測定試料のようにシリコン近傍の濃度を濃くするという工程無しで製作さ れてあるためショートチャネル効果が顕著に現れている ゲート長が短くなったことによ りドレイン電圧による電界が強くなり 図 7.11(a)のようにゲート電圧でシリコン近傍の電 界を制御できなくなる その結果 赤矢印で示したようにシリコン内部を電流が流れるよ うになる これは図 7.11(b)を見ても高電荷密度領域が内部にあることから確認できる 88
89 (a)電位分布図 (b)電荷分布図 図 7.11 ショートチャネル試料(L=1.00[um])シミュレーションにおける電位 電荷密度図 図 7.12 は今回測定した試料の定格電圧印加時 (a) VD=5[V]VG=3[V]VSUB=-3[V] と定格電 圧より高いドレイン電圧印加時 (b) VD=7.5[V]VG=3[V]VSUB=-3[V] の電位分布図のシミュ レーション結果である 少し 分かりにくいのでドレイン近傍の拡大図も示す (a)の定格 電圧を印加したときはゲート酸化膜近傍の濃度を濃くしたことによりシリコン表面近傍を チャネル電流が流れている しかし ドレイン電圧を増加させて定格電圧より高い電圧を 印加すると図 7.12(b)のようにあまり顕著ではないが等電位線図が湾曲している このこと よりゲート酸化膜近傍を濃くした今回の試料においても定格電圧より高い電圧をいんかす るとチャネル電流はシリコン内部を流れる 89
90 90
91 E+00 ドレイン電圧 [V] ゲート電流 [A] -1.0E E E E-12 91
92 E+00 ドレイン電圧 [V] ゲート電流 [A] -1.0E E E E E+00 ドレイン電圧 [V] ゲート電流 [A] -1.0E E E E-12 92
93 E+00 ドレイン電圧 [V] ゲート電流 [A] -1.0E E E E ドレイン電圧 [V] E+00 基板電流 [A] -4.0E E-04 93
94 E c E c E v E v E fm E fm E+00 ドレイン電圧 [V] 基板電流 [A] -4.0E E-04 94
95 E c E c E v E v E fm E fm 95
96 E+00 ドレイン電圧 [V] 基板電流 A] -4.0E E E+00 ドレイン電圧 [V] E-12 ゲート電流 [A] -4.0E E E E E-11 96
97 97
98 98
99 99
100 100
101 101
102 102
103 103
104 104
105 105
106 106
107 107
108 108
109 109
110 110
111 111
112 112
113 113
114 114
115 115
116 116
117 117
118 118
119 119
120 120
121 121
122 122
123 123
124 124
125 125
126 126
127 127
128 128
129 129
130 130
131 131
132 132
133 133
134 134
135 135
136 136
137 137
138 138
139 139
140 140
13 2 9
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199 1 1 199 1 1. Vx) m e V cos x π x π Vx) = x < π, x > π V i) x = Vx) V 1 x /)) n n d f dξ ξ d f dξ + n f = H n ξ) ii) H n ξ) = 1) n expξ ) dn dξ n exp ξ )) H n ξ)h m ξ) exp ξ )dξ = π n n!δ n,m x = Vx)
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" ( K p( pasals! ( kg / m 3 " ( K! v M V! M / V v V / M! 3 ( kg / m v ( v "! v p v # v v pd v ( J / kg p ( $ 3! % S $ ( pv" 3 ( ( 5 pv" pv R" p R!" R " ( K ( 6 ( 7 " pv pv % p % w ' p% S & $ p% v ( J /
More information18 2 F 12 r 2 r 1 (3) Coulomb km Coulomb M = kg F G = ( ) ( ) ( ) 2 = [N]. Coulomb
r 1 r 2 r 1 r 2 2 Coulomb Gauss Coulomb 2.1 Coulomb 1 2 r 1 r 2 1 2 F 12 2 1 F 21 F 12 = F 21 = 1 4πε 0 1 2 r 1 r 2 2 r 1 r 2 r 1 r 2 (2.1) Coulomb ε 0 = 107 4πc 2 =8.854 187 817 10 12 C 2 N 1 m 2 (2.2)
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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル
More information6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2
1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a
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in yukawa@numse.nagoya-u.ac.jp 2 3 4 5 x 2 6 Continuum) 7 8 9 F F 10 F L L F L 1 L F L F L F 11 F L F F L F L L L 1 L 2 12 F L F! A A! S! = F S 13 F L L F F n = F " cos# F t = F " sin# S $ = S cos# S S
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phonon U r U = nαi U ( r nαi + u nαi ) = U ( r nαi ) + () nαi,β j := nαi β j U r nαi r β j > U r nαi r u nαiuβ j + β j β j u β j n α i () nαi,β juβj 調和振動子近似の復習 極 小 値近傍で Tylor展開すると U ( x) = U ( x ) + (
More informationNo δs δs = r + δr r = δr (3) δs δs = r r = δr + u(r + δr, t) u(r, t) (4) δr = (δx, δy, δz) u i (r + δr, t) u i (r, t) = u i x j δx j (5) δs 2
No.2 1 2 2 δs δs = r + δr r = δr (3) δs δs = r r = δr + u(r + δr, t) u(r, t) (4) δr = (δx, δy, δz) u i (r + δr, t) u i (r, t) = u i δx j (5) δs 2 = δx i δx i + 2 u i δx i δx j = δs 2 + 2s ij δx i δx j
More information120 9 I I 1 I 2 I 1 I 2 ( a) ( b) ( c ) I I 2 I 1 I ( d) ( e) ( f ) 9.1: Ampère (c) (d) (e) S I 1 I 2 B ds = µ 0 ( I 1 I 2 ) I 1 I 2 B ds =0. I 1 I 2
9 E B 9.1 9.1.1 Ampère Ampère Ampère s law B S µ 0 B ds = µ 0 j ds (9.1) S rot B = µ 0 j (9.2) S Ampère Biot-Savart oulomb Gauss Ampère rot B 0 Ampère µ 0 9.1 (a) (b) I B ds = µ 0 I. I 1 I 2 B ds = µ 0
More information. µ, v i E i p i µ µv i p i p f µv i, momentum tansfe q p p i p f q p i cos Θ) 4p i sin Θ/) q p i sinθ/) p f p i q z ) q F z dt φ φ z z e cos ρdt d L
Ruthefod v pojectiletaget a, impact paamete a ) > a ) a ) σ π a ) a σ l σl B σln n cm 3 mean fee path)λ l σln nσ dx di Ix)σndx Ix) I e nσx /e e e nσx x λ/e nσ mean fee timeτ λ v nσv collision fequency
More information50 2 I SI MKSA r q r q F F = 1 qq 4πε 0 r r 2 r r r r (2.2 ε 0 = 1 c 2 µ 0 c = m/s q 2.1 r q' F r = 0 µ 0 = 4π 10 7 N/A 2 k = 1/(4πε 0 qq
49 2 I II 2.1 3 e e = 1.602 10 19 A s (2.1 50 2 I SI MKSA 2.1.1 r q r q F F = 1 qq 4πε 0 r r 2 r r r r (2.2 ε 0 = 1 c 2 µ 0 c = 3 10 8 m/s q 2.1 r q' F r = 0 µ 0 = 4π 10 7 N/A 2 k = 1/(4πε 0 qq F = k r
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1 1.. ( ) ( ) ( ) (A) E icb φ Et = + cdiva ct (H3) (B) ( ) ct ct ' ctct ' + ' = ' ct ' + ct ' i( ') (H3,H18) 3 (i) cosh Ψ = cosh ΘcoshΩ sinhψ sinhθ sinhω cosh Ψ cosh Θ cosh Ω = sinhψ sinhθ sinhω tanhψ
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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する
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n n (n) (n) (n) (n) n n ( n) n n n n n en1, en ( n) nen1 + nen nen1, nen ( ) e + e ( ) ( ) e + e () ( ) e e Τ ( ) e e ( ) ( ) () () ( ) ( ) ( ) ( ) ( n) Τ n n n ( n) n + n ( n) (n) n + n n n n n n n n
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SFG 1 SFG SFG I SFG (ω) χ SFG (ω). SFG χ χ SFG (ω) = χ NR e iϕ +. ω ω + iγ SFG φ = ±π/, χ φ = ±π 3 χ SFG χ SFG = χ NR + χ (ω ω ) + Γ + χ NR χ (ω ω ) (ω ω ) + Γ cosϕ χ NR χ Γ (ω ω ) + Γ sinϕ. 3 (θ) 180
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4 y O x 4 Typed by L A TEX ε ) ) ) 6 4 ) 4 75 ) http://kumamoto.s.xrea.com/plan/.. PDF) Ctrl +L) Ctrl +) Ctrl + Ctrl + ) ) Alt + ) Alt + ) ESC. http://kumamoto.s.xrea.com/nyusi/kumadai kiseki ri i.pdf
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. p.1/14 F(x,y) = (F 1 (x,y),f 2 (x,y)) (x,y). p.2/14 F(x,y) = (F 1 (x,y),f 2 (x,y)) (x,y) (x,y) h. p.2/14 F(x,y) = (F 1 (x,y),f 2 (x,y)) (x,y) (x,y) h h { F 2 (x+ h,y) F 2 2(x h,y) F 2 1(x,y+ h)+f 2 1(x,y
More information68 A mm 1/10 A. (a) (b) A.: (a) A.3 A.4 1 1
67 A Section A.1 0 1 0 1 Balmer 7 9 1 0.1 0.01 1 9 3 10:09 6 A.1: A.1 1 10 9 68 A 10 9 10 9 1 10 9 10 1 mm 1/10 A. (a) (b) A.: (a) A.3 A.4 1 1 A.1. 69 5 1 10 15 3 40 0 0 ¾ ¾ É f Á ½ j 30 A.3: A.4: 1/10
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x E E E e i ω t + ikx k λ λ π k π/λ k ω/v v n v c/n k nω c c ω/π λ k πn/λ π/(λ/n) κ n n κ N n iκ k Nω c iωt + inωx c iωt + i( n+ iκ ) ωx c κω x c iω ( t nx c) E E e E e E e e κ e ωκx/c e iω(t nx/c) I I
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I 1 m 2 l k 2 x = 0 x 1 x 1 2 x 2 g x x 2 x 1 m k m 1-1. L x 1, x 2, ẋ 1, ẋ 2 ẋ 1 x = 0 1-2. 2 Q = x 1 + x 2 2 q = x 2 x 1 l L Q, q, Q, q M = 2m µ = m 2 1-3. Q q 1-4. 2 x 2 = h 1 x 1 t = 0 2 1 t x 1 (t)
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I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld
More information= hυ = h c λ υ λ (ev) = 1240 λ W=NE = Nhc λ W= N 2 10-16 λ / / Φe = dqe dt J/s Φ = km Φe(λ)v(λ)dλ THBV3_0101JA Qe = Φedt (W s) Q = Φdt lm s Ee = dφe ds E = dφ ds Φ Φ THBV3_0102JA Me = dφe ds M = dφ ds
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AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
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--- S A, G U S S ds = d 'Q r / ΔS = S S = ds =,r,r d 'Q r r S -- ds = d 'Q r / ΔS = S S = ds =,r,r d 'Q r r d Q r e = P e = P ΔS d 'Q / e (d'q / e ) --3,e Q W Q (> 0),e e ΔU = Q + W = (Q + Q ) + W = 0
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2 2 T c µ T c 1 1.1 1911 Kammerlingh Onnes 77K ρ 5.8µΩcm 4.2K ρ 1 4 µωcm σ 77K ρ 4.2K σ σ = ne 2 τ/m τ 77K τ 4.2K σ 58 213 email:takada@issp.u-tokyo.ac.jp 1933 Meissner Ochsenfeld λ = 1 5 cm B = χ B =
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9 7 A = A x x + A y y + A, B = B x x + B y y + B, C = C x x + C y y + C..6 x y A B C = A x x + A y y + A B x B y B C x C y C { B = A x x + A y y + A y B B x x B } B C y C y + x B y C x C C x C y B = A
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65 1 1.1 1.1.1 1.1 H H () = E (), (1.1) H ν () = E ν () ν (). (1.) () () = δ, (1.3) μ () ν () = δ(μ ν). (1.4) E E ν () E () H 1.1: H α(t) = c (t) () + dνc ν (t) ν (), (1.5) H () () + dν ν () ν () = 1 (1.6)
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2017 12 9 4 1 30 4 10 3 1 30 3 30 2 1 30 2 50 1 1 30 2 10 (1) (2) (3) (4) HB B ( ) (5) (6) (7) 40 (8) (9) (10) (1) i 23 c 23 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 a b d e f g h i (2) 23 23 (3) 23 ( 23 ) 23 x 1 x 2 23 x
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5 S 2 tot = S 2 T (y, t) + S 2 (y) = const. Z 2 (4.22) σ 2 /4 y = y z y t = T/T 1 2 (3.9) (3.15) s 2 = A(y, t) B(y) (5.1) A(y, t) = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u), u = x(y + x 2 )/t s 2 T A 3T d S 2 tot S
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8 ( ) 8 5 4 I II III A B C( ),,, 5 I II A B ( ),, I II A B (8 ) 6 8 I II III A B C(8 ) n ( + x) n () n C + n C + + n C n = 7 n () 7 9 C : y = x x A(, 6) () A C () C P AP Q () () () 4 A(,, ) B(,, ) C(,,
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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
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2 2.1? [ ] L 1 ε(p) = 1 ( p 2 2m x + p 2 y + pz) 2 = h2 ( k 2 2m x + ky 2 + kz) 2 n x, n y, n z (2.1) (2.2) p = hk = h 2π L (n x, n y, n z ) (2.3) n k p 1 i (ε i ε i+1 )1 1 g = 2S + 1 2 1/2 g = 2 ( p F
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sin cos P (primary) S (secondly) 2 P S A sin(ω2πt + α) A ω ω α 3 3 2 2V 3 33+.6T m T 5 34m Hz. 34 3.4m 2 36km 5Hz. 36km m 34 m 5 34 + m 5 33 5 =.66m 34m 34 x =.66 55Hz, 35 5 =.7 485.7Hz 2 V 5Hz.5V.5V V
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