Microsoft Word - XC6504_JTR docx

Size: px
Start display at page:

Download "Microsoft Word - XC6504_JTR docx"

Transcription

1 JTR47-7.6μA 超低消費電流 超小型電圧レギュレータ (CL コンデンサレス対応 ) 概要 は.6μA と超低消費電流を実現した正電圧レギュレータです また 出力電流が μa( 軽負荷 ) の場合でも安定した電圧が得られ 出力電流をあまり必要としないアプリケーションに最適です パッケージに mm の超小型パッケージ USPN-4B を採用した事に加え 出力安定化コンデンサ (CL) レス対応とした事で実装面積の大幅な削減が可能です 本 IC は基準電圧源 誤差増幅器 ドライバトランジスタ 過電流保護回路 位相補償回路等から構成されています CL はセラミック等の低 ESR コンデンサに対応していますが 内部位相補償により CL が無くても安定した動作が可能です 出力電圧は レーザートリミングにより内部にて固定されており.V~5.V まで.V ステップで製品選択が可能です CE 端子に L レベルを入力する事で IC はスタンバイ状態になり 消費電流を.μA 以下に低減します また スタンバイ状態時には CL にチャージされた電荷を内部スイッチで放電して 高速に VSS レベルに戻すことが出来ます 用途 モバイル機器 端末 ワイヤレス モジュール ( ワイヤレス カメラ etc.) 代表標準回路 特長 消費電流 :.6μA 入力電圧範囲 :.4V~6.V 出力電圧範囲 :.V~5.V (.V ステップ ) 出力電圧精度 : ±V@V OUT <V ±%@V OUT V 出力電圧温度特性 : ±5ppm/ 最大出力電流 : 5mA ON 抵抗 :.Ω@V OUT =.V スタンバイ電流 : μa 保護回路 : 電流制限 短絡保護 機能 : C L 高速ディスチャージ 出力コンデンサ : 低 ESR コンデンサ対応 (C L コンデンサレス可 ) 動作周囲温度 : -4 ~+85 パッケージ : USPN-4B SSOT-4 SOT-5 USPQ-4B4 環境への配慮 : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 代表特性例 Supply Current: ISS [μa] V CE =V IN I OUT =ma C IN =C L =open /

2 ブロック図 A タイプ * 上図のダイオードは 静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです 製品分類 品番ルール XC DESIGNATOR ITEM SYMBOL DESCRIPTION Type A Refer to Selection Guide ~5 e.g..8v =, =8 4 Accuracy ±V (V OUT <V), ±% (V OUT V) 7R-G USPN-4B (5,pcs/Reel) 56-7 (*) Packages (Order Unit) NR-G SSOT-4 (,pcs/reel) MR-G SOT-5 (,pcs/reel) 9R-G USPQ-4B4 (,pcs/reel) (*) -G は ハロゲン & アンチモンフリーかつ EU RoHS 対応製品です セレクションガイド TYPE CURRENT LIMITTER CE PULL-DOWN RESISTOR C L AUTO-DISCHARGE A Yes No Yes /

3 XC654 シリーズ 端子配列 *USPQ-4B4 の放熱板は実装強度強化および放熱の為はんだ付けを推奨しております 参考パターンレイアウトと参考メタルマスクデザインでのはんだ付けをご参照ください 尚 放熱板の電位をとる場合は V SS ( 番 Pin) へ接続して下さい 端子説明 PIN NUMBER USPQ-4B4 USPN-4B SSOT-4 SOT-5 PIN NAME FUNCTIONS 5 V OUT Output V SS Ground CE ON/OFF Control V IN Power Supply Input NC No Connection 機能表 PIN NAME SIGNAL STATUS CE L H OPEN Stand-by Active Unstable * CE 端子は OPEN 状態を避け 任意の固定電位として下さい /

4 絶対最大定格 PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITS Input Voltage V IN -.~+6.5 V Output Current I OUT 47 (*) ma V OUT -.~V IN +. or +6.5 (*) V CE Input Voltage V CE -.~+6.5 V USPQ-4B4 55 (4mm x 4mm 標準基板 ) (*) Power Dissipation USPN-4B SSOT-4 Pd 55 (4mm x 4mm 標準基板 ) (*) 5 5 (4mm x 4mm 標準基板 ) ( *) mw SOT (4mm x 4mm 標準基板 ) (*) Operating Ambient Temperature Topr -4~+85 Storage Temperature Tstg -55~+5 各電圧定格は V SS を基準とする (*) I OUT は Pd/(V IN -V OUT ) 以下でご使用下さい (*) 最大値は V IN +.V と +6.5V いずれか低い方になります (*) 基板実装時の許容損失の参考データとなります 実装条件は許容損失の項目をご参照下さい 4/

5 XC654 シリーズ 電気的特性 PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNITS CIRCUIT Input Voltage V IN I OUT =μa.4-6. V V (*) OUT(T) <V V OUT(E) V OUT(T) V - V OUT(T) (*) +.99 V Maximum Output Current I OUTMAX ma Load Regulation Dropout Voltage V OUT μa I OUT ma - 6 mv ma I OUT 5mA Vdif (*) I OUT =5mA - E- (*4) V Vdif (*) I OUT =5mA - E- (*4) V OUT(T) <.9V Supply Current I SS I OUT =ma.9v V OUT(T) <4.V μa V OUT(T) 4.V Stand-by Current I STB V IN =6.V, V CE =V SS -. μa I OUT =μa V OUT(T) +.5V V IN 6.V -. Line Regulation V OUT / V OUT(T) <.V, ( V IN V OUT ) I OUT =ma.7v V IN 6.V V OUT(T).V, -.9 %/V V OUT(T) +.5V V IN 6.V V OUT / I OUT =ma, Temperature ( Topr V OUT ) -4 Topr 85 Characteristics - ±5 - ppm/ Current Limit I LIM V OUT =V OUT(E) ma Short-Circuit Current I SHORT V OUT =V SS ma C L Auto-Discharge Resistance R DCHG V CE =V SS,V OUT =V OUT(T) Ω CE "H" Level Voltage V CEH.9-6. V CE "L" Level Voltage V CEL V SS -.8 V CE "H" Level Current I CEH V IN = 6.V μa CE "L" Level Current I CEL V IN =6.V, V CE =V SS μa 特に指定がない場合 V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V (*) V OUT(E) : 実際の出力電圧値 (*) V OUT(T) : 設定出力電圧値 (*) Vdif={V IN -V OUT } と定義 V IN : 入力電圧を徐々に下げて V OUT が出力された時の入力電圧値 V OUT : I OUT 毎に十分安定した V IN を入力したときの出力電圧に対して 98% の電圧値 (*4) E- / E-: 設定電圧別一覧表を参照 5/

6 電気的特性 設定電圧別一覧表 NOMINAL - E- E- OUTPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE (V) DROPOUT VOLTAGE (V) V OUT(T) (V) V OUT(E) Vdif Vdif MIN. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX /

7 XC654 シリーズ 測定回路図 測定回路図 測定回路図 測定回路図 7/

8 動作説明 の出力電圧制御は V OUT 端子に接続された R と R によって分割された電圧と内部基準電源の電圧を誤差増幅器で比較し その出力信号で V IN 端子に接続されたドライバトランジスタを駆動し 出力電圧が安定するように負帰還をかけてコントロールしています A タイプ < 電流制限 短絡保護機能 > は 電流制限 短絡保護として定電流制限回路とフォールドバック回路を内蔵しています この つの回路を組み合わせる事で出力電流が制限電流に達すると出力電圧が降下すると共に出力電流が絞られる動作をします <CE 端子 > は CE 端子の信号により IC 内部の回路を停止することができます CE L レベル電圧を入力した IC 停止状態では V OUT 端子は R R とそれらと並列に接続された C L 放電抵抗 (R DCHG ) により Pull-down され V SS レベルになります CE 端子に入力する電圧は CE 端子電圧規格内であれば論理は確定され動作に支障はありませんが V IN または V SS 以外の中間電圧を入力すると IC 内部回路の貫通電流により消費電流が増加します また CE 端子オープンでは不定動作となります <C L 高速ディスチャージ機能 > は CE L レベル電圧を入力した IC 停止時に V OUT - V SS 間接続の内部スイッチにより C L にチャージされた電荷を高速にディスチャージする回路を内蔵しています この機能により C L に貯まった電荷によるアプリケーションの誤動作を防ぐ事が可能です C L 放電時間は C L と R DCHG により決定されます C L と R DCHG の時定数をτ(τ=C L R DCHG ) とすると 以下 CR 放電式より 内部スイッチによる放電中の出力電圧を求めることが可能です 尚 R DCHG は V IN に依存し V IN が高くなると R DCHG は低くなります V = V OUT(E) e -t/τ また t について展開すると t=τln(v OUT(E) / V) V: 放電中の出力電圧値 V OUT(E) : 実際の出力電圧値 t: 放電時間 τ: C L R DCHG < 低 ESR コンデンサ対応 > は C L が無い場合でも また 低 ESR コンデンサを使用した場合でも安定した出力電圧が得られるように IC 内部に位相補償回路を内蔵しています C L を接続する場合は V OUT 端子と V SS 端子の直近に接続して下さい また V IN 安定化の必要がある場合には入力コンデンサ (C IN ) を V IN 端子と V SS 端子の直近に接続して下さい 8/

9 XC654 シリーズ 使用上の注意. 一時的 過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について 絶対最大定格を超える場合には 劣化または破壊する可能性があります. 配線のインピーダンスが高い場合 出力電流によるノイズの回り込みや位相ずれを起こしやすくなり 動作が不安定になることがあります 特に V IN 及び V SS の配線は十分強化して下さい. 入力コンデンサ (C IN ) 出力コンデンサ (C L ) を接続する場合は 出来るだけ配線を短くして IC の近くに配置して下さい 4. 入力コンデンサ (C IN ) 出力コンデンサ(C L ) を使用する場合は 使用するコンデンサのバイアス依存 温度特性などによる容量抜けの影響 また ESR の影響で安定した位相補償が出来なくなる恐れがある為 使用するコンデンサの選定には十分ご注意下さい 5. 当社では製品の改善 信頼性の向上に努めております しかしながら 万が一のためにフェールセーフとなる設計およびエージング処理など 装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします 9/

10 特性例 特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () vs. Output Current.4.4 : V OUT [V] VIN=.5V VIN=.5V VIN=4.5V VIN=6.V : V OUT [V] : V OUT [V] VIN=.5V VIN=.5V VIN=4.5V VIN=6.V : V OUT [V] : V OUT [V] VIN=.5V VIN=.8V VIN=4.5V VIN=6.V : V OUT [V] /

11 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () vs. Output Current : V OUT [V] VIN=4.5V VIN=5.V VIN=6.V : V OUT [V] () vs. Input Voltage.4. : V OUT [V] : V OUT [V] : V OUT [V] : V OUT [V] /

12 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () vs. Input Voltage..9 : V OUT [V] : V OUT [V] : V OUT [V] : V OUT [V] () Dropout Voltage vs. Output Current 8 8 Dropout Voltage: Vdif [mv] Below the minimum operating Voltage Dropout Voltage: Vdif [mv] /

13 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () Dropout Voltage vs. Output Current 8 8 Dropout Voltage: Vdif [mv] Dropout Voltage: Vdif [mv] (4) Supply Current vs. Input Voltage.4 I OUT =ma.4 I OUT =ma Supply Current: I SS [μa] Supply Current: I SS [μa] I OUT =ma.4 I OUT =ma Supply Current: I SS [μa] Supply Current: I SS [μa] /

14 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V (5) Supply Current vs. Output Current 5 V IN =.5V 5 V IN =.5V Supply Current: ISS [μa] 4 Supply Current: ISS [μa] Output Current: IOUT [ma] Output Current: IOUT [ma] 5 V IN =.8V 5 V IN =5.V Supply Current: ISS [μa] 4 Supply Current: ISS [μa] Output Current: IOUT [ma] Output Current: IOUT [ma] 4/

15 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V (6) (5) vs. Ambient Temperature..9 : V OUT [V] Ambient Temperature: Ta [ ] : V OUT [V] Ambient Temperature: Ta [ ].9 4. : V OUT [V] Ambient Temperature: Ta [ ] : V OUT [V] Ambient Temperature: Ta [ ] (7) (6) Supply Current vs. Ambient Temperature (8) (7) CE Threshold Voltage vs. Ambient Temperature Supply Current: I SS [μa] XC654xxxxR VOUT=.V VOUT=.8V VOUT=.8V VOUT=4.V I OUT =ma Ambient Temperature: Ta [ ] CE Threshold Voltage: V CE [V] XC654xxxxR CE"H"LEVEL CE"L"LEVEL Ambient Temperature: Ta [ ] 5/

16 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V (8) (9) Rising Response Time 6. V IN =V.5V, tr=5μs V IN =V.5V, tr=5μs Input Voltage Time (μs/div) : V OUT [V] Input Voltage Time (μs/div) : V OUT [V] 6. V IN =V.8V, tr=5μs V IN =V 5.V, tr=5μs Input Voltage : V OUT [V] Input Voltage : V OUT [V] - Time (μs/div) - Time (μs/div) () (9) Input Transient Response 5. V IN =.5V 4.5V, tr=tf=5μs.5 5. V IN =.5V 4.5V, tr=tf=5μs Input Voltage..5.5 : V OUT [V] 4.. Input Voltage without CL CL=.μF(ceramic)..5.5 : V OUT [V] - Time (μs/div).5 - Time (μs/div).5 6/

17 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () (9) Input Transient Response 5. V IN =.5V 4.5V, tr=tf=5μs V IN =.5V 4.5V, tr=tf=5μs Input Voltage : V OUT [V] 4.. Input Voltage without CL CL=.μF(ceramic) : V OUT [V] - Time (μs/div) - Time (μs/div) 5. V IN =.8V 4.8V, tr=tf=5μs V IN =.8V 4.8V, tr=tf=5μs Input Voltage : V OUT [V] 4.. Input Voltage without CL CL=.μF(ceramic) : V OUT [V] - Time (μs/div) - Time (μs/div) V IN =5.V 6.V, tr=tf=5μs Input Voltage : V OUT [V] V IN =5.V 6.V, tr=tf=5μs Input Voltage without CL CL=.μF(ceramic) : V OUT [V] Time (μs/div).5 Time (μs/div).5 7/

18 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () () Load Transient Response I OUT =μa ma, tr=tf=5μs 5 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] - Output Current 4 : V OUT [V] - Output Current Time (μs/div) Time (μs/div) I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] - Output Current 4 : V OUT [V] - Output Current without CL CL=.μF CL=μF Time (μs/div) Time (μs/div) I OUT =μa ma, tr=tf=5μs 5 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] - Output Current 4 : V OUT [V] - Output Current Time (μs/div) Time (μs/div) 8/

19 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () () Load Transient Response I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] - Output Current 4 : V OUT [V] - Output Current without CL CL=.μF CL=μF Time (μs/div) Time (μs/div) 4 I OUT =μa ma, tr=tf=5μs 5 4 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] Output Current 4 : V OUT [V] Output Current Time (μs/div) Time (μs/div) 4 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 4 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] Output Current 4 : V OUT [V] Output Current without CL CL=.μF CL=μF Time (μs/div) Time (μs/div) 9/

20 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () () Load Transient Response 6 I OUT =μa ma, tr=tf=5μs 5 6 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] 5 4 Output Current 4 : V OUT [V] 5 4 Output Current 9 6 Time (μs/div) Time (μs/div) 6 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 6 I OUT =ma ma, tr=tf=5μs 5 : V OUT [V] 5 4 Output Current 4 : V OUT [V] 5 4 Output Current without CL CL=.μF CL=μF 4 Time (μs/div) Time (μs/div) () () CE Rising Response Time 4. V CE =V V IN, tr=5μs. 4. V CE =V V IN, tr=5μs. CE Input Voltage: V CE [V] Time (μs/div) CE Input Voltage : V OUT [V] CE Input Voltage: V CE [V] Time (μs/div) CE Input Voltage : V OUT [V] /

21 XC654 シリーズ 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () () CE Rising Response Time 6. V CE =V V IN, tr=5μs V CE =V V IN, tr=5μs 6. CE Input Voltage: V CE [V] Time (μs/div) CE Input Voltage : V OUT [V] CE Input Voltage: V CE [V] Time (μs/div) CE Input Voltage : V OUT [V] () () Power Supply Rejection Ratio Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.5V+.5V P-PAC k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.5V+.5V P-PAC without CL CL=.μF(ceramic) CL=μF(ceramic) k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.5V+.5V P-PAC k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.5V+.5V P-PAC without CL CL=.μF(ceramic) CL=μF(ceramic) k k k M Frequency: f [Hz] /

22 特性例 測定条件に特に指定がない場合, V CE =V IN, I OUT =ma, C IN =C L =open, V IN は下記の通り V OUT(T) <.5V : V IN =.5V V OUT(T).5V : V IN =V OUT(T) +V () () Power Supply Rejection Ratio Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.8V+.5V P-PAC k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =.8V+.5V P-PAC without CL CL=.μF(ceramic) CL=μF(ceramic) k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =5.V+.5V P-PAC k k k M Frequency: f [Hz] Power Supply Rejection Ratio: PSRR [db] V IN =5.V+.5V P-PAC without CL CL=.μF(ceramic) CL=μF(ceramic) k k k M Frequency: f [Hz] /

23 XC654 シリーズ 外形寸法図 USPQ-4B4 参考パターンレイアウト USPQ-4B4 参考メタルマスクデザイン /

24 外形寸法図 USPN-4B (unit:mm).75±5 pin INDENT.8±5 4 (.4) USPN-4B 参考パターンレイアウト (unit:mm) USPN-4B 参考メタルマスクデザイン (unit:mm) C /

25 XC654 シリーズ 外形寸法図 5/

26 6/

27 XC654 シリーズ USPN-4B パッケージ許容損失 (4mm X 4mm 標準基板 ) USPN-4B パッケージにおける許容損失特性例となります 許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため 下記実装条件にての参考データとなります. 測定条件 ( 参考データ ) 測定条件 : 基板実装状態雰囲気 : 自然対流実装 : Pbフリーはんだ実装基板 : 基板 4mm 4mm( 片面 6mm ) に対して銅箔面積表面約 5%- 裏面約 5% 各リードと銅箔接続 ( 各リード表面約.5%- 裏面約.5% の銅箔と接続 ) 基板材質 : ガラスエポキシ (FR-4) 板厚 :.6mm スルーホール : ホール径.4mm 4 個 評価基板レイアウト ( 単位 :mm). 許容損失 - 周囲温度特性 基板実装 (Tjmax = 5 ) 周囲温度 ( ) 許容損失 Pd(mW) 熱抵抗 ( /W) Pd-Ta 特性グラフ 5 許容損失 Pd(mW) 周囲温度 Ta( ) 7/

28 SSOT-4 パッケージ許容損失 (4mm X 4mm 標準基板 ) SSOT-4 パッケージにおける許容損失特性例となります 許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため 下記実装条件にての参考データとなります. 測定条件 ( 参考データ ) 測定条件 : 基板実装状態雰囲気 : 自然対流実装 : Pbフリーはんだ実装基板 : 基板 4mm 4mm( 片面 6mm ) に対して銅箔面積表面約 5%- 裏面約 5% 放熱板と周りの銅箔接続基板材質 : ガラスエポキシ (FR-4) 板厚 :.6mm スルーホール : ホール径.8mm 4 個 評価基板レイアウト ( 単位 :mm). 許容損失 - 周囲温度特性 基板実装 (Tjmax = 5 ) 周囲温度 ( ) 許容損失 Pd(mW) 熱抵抗 ( /W) Pd-Ta 特性グラフ 5 許容損失 Pd(mW) 周囲温度 Ta( ) 8/

29 XC654 シリーズ SOT-5 パッケージ許容損失 (4mm X 4mm 標準基板 ) SOT-5 パッケージにおける許容損失特性例となります 許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため 下記実装条件にての参考データとなります. 測定条件 ( 参考データ ) 測定条件 : 基板実装状態雰囲気 : 自然対流実装 : Pbフリーはんだ実装基板 : 基板 4mm 4mm( 片面 6mm ) に対して銅箔面積表面約 5%- 裏面約 5% 放熱板と周りの銅箔接続 (SOT6 基板を共用 ) 基板材質 : ガラスエポキシ (FR-4) 板厚 :.6mm スルーホール : ホール径.8mm 4 個 評価基板レイアウト ( 単位 :mm). 許容損失 - 周囲温度特性 基板実装 (Tjmax = 5 ) 周囲温度 ( ) 許容損失 Pd(mW) 熱抵抗 ( /W) Pd-Ta 特性グラフ 6 許容損失 Pd(mW) 周囲温度 Ta( ) 9/

30 マーキング SOT-5 (Under dot 仕様 ) 拡大 * SOT-5 は Under dot 仕様とする マーク 製品番号を表す シンボル品名表記例 9 XC654A*****-G マーク 出力電圧の範囲を表す シンボル品名表記例出力電圧.V~.9V 出力電圧 4.V~5.V A B XC654A*****-G マーク 出力電圧を表す シンボル出力電圧 (V) シンボル出力電圧 (V) - 4. F H K L M N P R S T.4 - A 5. U.5 - B. - V.6 - C. - X.7 - D. - Y.8 - E.4 - Z.9 - マーク 4,5 製造ロットを表す ~9, A~Z, ~9Z, A~A9, AA~AZ, B~ZZ を繰り返す ( 但し G, I, J, O, Q, W は除く 反転文字は使用しない ) /

31 XC654 シリーズ マーキング SSOT-4 ( 下バー付きタイプ ) USPQ-4B * SSOT-4 は 下バー付きタイプとする 4 マーク 出力電圧の範囲を表す シンボル品名表記例出力電圧.V~.9V 出力電圧 4.V~5.V P R XC654A*****-G マーク 出力電圧を表す シンボル 出力電圧 (V) シンボル 出力電圧 (V) - 4. F H K L M N P R S T.4 - A 5. U.5 - B. - V.6 - C. - X.7 - D. - Y.8 - E.4 - Z.9 - マーク,4 製造ロットを表す ~9, A~Z, ~9Z, A~A9, AA~AZ, B~ZZ を繰り返す ( 但し G, I, J, O, Q, W は除く 反転文字は使用しない ) /

32 マーキング USPN-4B 4 マーク 出力電圧の範囲を表す シンボル品名表記例出力電圧.V~.9V 出力電圧 4.V~5.V A B XC654A*****-G マーク 出力電圧を表す シンボル 出力電圧 (V) シンボル 出力電圧 (V) - 4. F H K L M N P R S T.4 - A 5. U.5 - B. - V.6 - C. - X.7 - D. - Y.8 - E.4 - Z.9 - マーク 製造ロットを表す ~9, A~Z を繰り返す ( 但し G, I, J, O, Q, W は除く 反転文字は使用しない ) /

33 XC654 シリーズ. 本データシートに記載された内容 ( 製品仕様 特性 データ等 ) は 改善のために予告なしに変更することがあります 製品のご使用にあたっては その最新情報を当社または当社代理店へお問い合わせ下さい. 本データシートに記載された内容は 製品の代表的動作及び特性を説明するものでありそれらの使用に関連して発生した第三者の知的財産権の侵害などに関し当社は一切その責任を負いません 又その使用に際して当社及び第三者の知的財産権の実施許諾を行うものではありません. 本データシートに記載された製品或いは内容の情報を海外へ持ち出される際には 外国為替及び外国貿易法 その他適用がある輸出関連法令を遵守し 必要な手続きを行って下さい 4. 本製品は ) 原子力制御機器 ) 航空宇宙機器 ) 医療機器 4) 車両 その他輸送機器 5) 各種安全装置及び燃焼制御装置等々のように その機器が生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼす可能性があるような非常に高い信頼性を要求される用途に使用されることを意図しておりません これらの用途への使用は当社の事前の書面による承諾なしに使用しないで下さい 5. 当社は製品の品質及び信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品はある確率で故障が発生します 故障のために生じる人身事故 財産への損害を防ぐためにも設計上のフェールセーフ 冗長設計及び延焼対策にご留意をお願いします 6. 本データシートに記載された製品には耐放射線設計はなされておりません 7. 保証値を超えた使用 誤った使用 不適切な使用等に起因する損害については 当社では責任を負いかねますので ご了承下さい 8. 本データシートに記載された内容を当社の事前の書面による承諾なしに転載 複製することは 固くお断りします トレックス セミコンダクター株式会社 /

XP233P1501TR-j.pdf

XP233P1501TR-j.pdf P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)

More information

XP231P0201TR-j.pdf

XP231P0201TR-j.pdf Pchannel MOSFET 3V,.2A JTR11381 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=5Ω@VGS =4.5V : 2.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT23(TO236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT23(TO236)

More information

Microsoft Word - XC6701_JTR0334_012b.doc

Microsoft Word - XC6701_JTR0334_012b.doc JTR_1b スタンバイ機能付き V 動作高速低消費レギュレータ 概要 は CMOS プロセスの V 動作正電圧レギュレータ IC です 内部基準電圧源 誤差増幅器 ドライバトランジスタ 電流制限回路 過熱保護回路 位相補償回路等から構成されています 出力電圧は レーザートリミングにより内部にて 1.V~1.V まで.1V ステップで設定可能です 出力安定化コンデンサ CL にセラミックコンデンサ等の低

More information

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10 端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

More information

elm1117hh_jp.indd

elm1117hh_jp.indd 概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )

More information

Microsoft Word - XC6120_JTR doc

Microsoft Word - XC6120_JTR doc JTR0209-009 高精度超小型低消費電流タイプ電圧検出器 概要 XC6120 シリーズは CMOS プロセスとレーザートリミング技術を用いて 高精度 低消費電流を実現した電圧検出器です 消費電流が小さく高精度で精密携帯機器に適しています 超小型パッケージを使用しており 高密度実装に適しています 出力形態は CMOS 出力と N-ch オープンドレイン出力の 2 種類があります 用途 マイコンシステムのリセット

More information

出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F

出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F 低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F

More information

NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい

NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい 低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲

More information

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S 反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 概要 MM3631X は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 2.8 1.15mm) の小型パッケージを採用しています CE 端子を内蔵しており スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています

More information

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

More information

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

More information

NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238

NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V

More information

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

More information

NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております

NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール

More information

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

More information

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

More information

HA17458シリーズ データシート

HA17458シリーズ データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o 小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,

More information

TC7SZU04AFS_J_

TC7SZU04AFS_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,

More information

TC74HC00AP/AF

TC74HC00AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

More information

untitled

untitled ON/OFF 3mA.µF.V.V DSC/DVC U. V.V (.Vstep) 7dB typ. (f=khz Vo=3V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.V) Io(max.)=3mA Vo±.%.V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-3 U. CONTROL. GND 3. N.C.. V OUT. V IN V IN V OUT Control Bandgap

More information

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

More information

TC7SET08FU_J_

TC7SET08FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )

More information

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度 3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

More information

elm73xxxxxxa_jp.indd

elm73xxxxxxa_jp.indd 概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき

More information

untitled

untitled NJM88/A ma.µf SOT-89- TO--(NJM88ADL) ESON6-H(NJM88AKH) NJM88U NJM88ADL NJM88AKH (...97mm) 7dB typ. (f=khz, Vo=V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.7V) Io(max.)=mA Vo±.%.8V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-(NJM88U) / TO--(NJM88ADL)

More information

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです

More information

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です

More information

RD2.0S~RD150S DS

RD2.0S~RD150S DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

uPC258,4558 DS

uPC258,4558 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄 3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)

More information

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

TC7SHU04FU_J_

TC7SHU04FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25

More information

TC74HC14AP/AF

TC74HC14AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

More information

uPC1093 DS

uPC1093 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します

More information

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

More information

TC7SET125FU_J_

TC7SET125FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力

More information

untitled

untitled JTR0329-005 LDO () CMOS IC USP-3 SSOT-24 0.9V4.0V 0.1V (CL) ESR () DSC / Camcorders : 200mA(300mA Limit : TYP.) (VOUT=3.0VVIN=4.0V ) : 200mV@IOUT=100mA (VOUT=3.0V ) : 1.5V ~ 6.0V : 0.9 ~ 4.0V (0.1V ) :

More information

DF2B29FU_J_

DF2B29FU_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:

More information

TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長

More information

TC4093BP/BF

TC4093BP/BF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND

More information

TC74HC4017AP/AF

TC74HC4017AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により

More information

DF10G5M4N_J_

DF10G5M4N_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :

More information

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

More information

TC7WT126FU

TC7WT126FU 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

More information

TTD1415B_J_

TTD1415B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 大電力スイッチング用 ハンマードライブ用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = 3 V, I C = 3 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い : V CE(sat) = 1.5 V ( 最大 ) (I C = 3 A, I B = 6 ma) (3) TTB1020Bとコンプリメンタリ

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため

More information

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181

More information

TTD1409B_J_

TTD1409B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,

More information

2SC5200N_J_

2SC5200N_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (

More information

DF2B6.8FS_J_

DF2B6.8FS_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格

More information

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また

More information

2SC1213, 2SC1213A データシート

2SC1213, 2SC1213A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

TC74HCT245AP/AF

TC74HCT245AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Traceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2 S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

More information

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

More information

2SC458, 2SC2308 データシート

2SC458, 2SC2308 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

More information

高速度スイッチングダイオード

高速度スイッチングダイオード は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します

More information

2SD667. 2SD667A データシート

2SD667. 2SD667A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

TC7SZ125FU_J_

TC7SZ125FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer with 3-State Output 2. 特長 (1) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 1) (2) 高出力電流 : ±24 ma ( ) ( CC = 3 ) (3) 超高速動作 : t pd = 2.6 ( 標準 ) ( CC = 5, C L = pf) (4) 動作電圧範囲 :

More information

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

More information

S-1206シリーズ ボルテージレギュレータ

S-1206シリーズ ボルテージレギュレータ S-126 シリーズ www.ablic.com www.ablicinc.com 超低消費電流低飽和型 CMOS ボルテージレギュレータ ABLIC Inc., 26-215 Rev.3.2_2 S-126 シリーズは CMOS 技術を使用して開発した 超低消費電流 低ドロップアウト電圧 高精度出力電圧 25 ma 出力電流の正電圧ボルテージレギュレータです 入出力コンデンサが.1 F と小さく

More information

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

More information

TTC004B_J_

TTC004B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.

More information

S-89210/89220シリーズ コンパレータ

S-89210/89220シリーズ コンパレータ S-89210/89220 シリーズ www.ablic.com www.ablicinc.com ミニアナログシリーズ CMOS コンパレータ ABLIC Inc., 2002-2010 ミニアナログシリーズは汎用アナログ回路を小型パッケージに搭載した IC です S-89210/89220 シリーズは CMOS 型コンパレータで 低電圧駆動 低消費電流の特長を持つため 電池駆動の小型携帯機器への応用に最適です

More information

TC74HC109AP/AF

TC74HC109AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

More information

Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt

Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt 特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては

More information

TC74HC245,640AP/AF

TC74HC245,640AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

More information

NJM41005-T 75Ω ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 75Ω ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT to5.5V -40to dBtyp. 0dBtyp.

NJM41005-T 75Ω ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 75Ω ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT to5.5V -40to dBtyp. 0dBtyp. ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT23-5 4.5to5.5V -4to+5-55dBtyp. dbtyp. dbtyp.atmhz 概要 NJM45 は 映像信号用途に開発された 回路入りアイソレーションアンプです アイソレーションアンプにより信号の同相ノイズを除去でき

More information

TTB1067B_J_

TTB1067B_J_ バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )

More information

TC74HC112AP/AF

TC74HC112AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

More information

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電 3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵

More information

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc 3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.

More information

Microsoft Word - XCL102_103_JTR docx

Microsoft Word - XCL102_103_JTR docx JTR28011-001 コイル一体型昇圧 DC/DC コンバータ (micro DC/DC) 概要 XCL102/XCL103シリーズは コイルと制御 ICを一体化した超小型 (2.5mm 2.0mm, h=1.0mm) の昇圧 microdc/dcコンバータです 回路に同期整流方式を採用することでダイオードが不要となり 外付け部品はセラミックコンデンサを2 個だけで高効率な昇圧電源回路を作ることができます

More information

HD74LV2GT34A

HD74LV2GT34A お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

uPA2000 Series DS

uPA2000 Series DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

AC08DSMA, AC08FSMA DS

AC08DSMA, AC08FSMA DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC7W139F,TC7W139FU 2-to-4 Line Decoder TC7W139 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 4 出力デコーダです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます A B 2 本のバイナリアドレス入力により選択された出力のみ L レベルとなります 非選択の出力はすべて

More information

MITSUMI Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notificat

MITSUMI Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notificat VDD VOUT CE Bias CS Vref GND Thermal Shutdown Current Limit 5 4 2 SOT89-5A (TOP VIEW) 3 A µf µf VDD VOUT A V A CE GND CS.µF µf µf VDD VOUT CE GND CS.µF Schottky barrier diode VDD VOUT CE GND CS VDD

More information

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

More information

2SC460, 2SC461 データシート

2SC460, 2SC461 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

TRS3E65F_J_

TRS3E65F_J_ SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図

More information

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

More information

Microsoft Word - 80c08d3be78df73e f4a4e8a8940ab000fdaa2e doc

Microsoft Word - 80c08d3be78df73e f4a4e8a8940ab000fdaa2e doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック DC モータ用シーケンシャルデュアルブリッジドライバ ( 正 逆 切り替えドライバ ) は 正 逆転切り替え用として最適なブリッジドライバで正転 逆転 ストップ ブレーキの 4 モードがコントロールできます 出力電流は 1.0A (AVE.) および 2.0A (PEAK) 取り出せます 特に VTR のフロントローディング テープローディング用として最適な回路構成であり出力側と制御側の二系統電源端子を有しており

More information

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

More information

Microsoft Word - XC6133_JTR doc

Microsoft Word - XC6133_JTR doc シリーズ JTR02030-002 センス端子分離遅延容量外付けタイプ電圧検出器 概要 シリーズは超小型 高精度 センス端子分離 遅延容量外付けタイプ高精度電圧検出器です CMOS プロセス 高精度基準電源 レーザートリミング技術の採用により高精度 低消費電流を実現しています センス端子と電源入力端子が分離されており 別電源の電圧を監視する事が可能で 監視する電源の電圧が 0V まで低下しても 出力を検出状態に保持する事が可能です

More information

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です

More information

HD74HCT564, HD74HCT574

HD74HCT564, HD74HCT574 ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり

More information

DF2B26M4SL_J_

DF2B26M4SL_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32

More information

TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート

TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 出力には 波形整形用バッファが付加されており

More information

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,

More information

AN15880A

AN15880A DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

More information

PQ200WN3MZPH

PQ200WN3MZPH 小型面実装型低損失レギュレータ 特長 () 出力電流 :ma () 高耐圧 in(max)= () 低消費電流 ( 無負荷時消費電流 :MAX.mA OFF 時消費電流 :MAX.μA) ()ON/OFF 機能内蔵 () 過電流保護 過熱保護機能内蔵 ()ASO 保護機能内蔵 (7) セラミックコンデンサ対応 ()RoHS 指令対応品 用途 ()FPDテレビ ()DDレコーダ () デジタルSTB

More information

p ss_kpic1094j03.indd

p ss_kpic1094j03.indd DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

More information

TPC8107

TPC8107 TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い

More information

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc IR0 赤外線センサ 特長 旭化成赤外線センサ IR0 は 常温で動作することを特徴とした超小型 表面実装対応の量子型赤外線センサです 自社のホール素子製造技術をベースにした InSb 薄膜からフォトダイオードを作成 これを太陽電池モードで動作させることにより 高感度 高速応答性 直流出力 フィルター不要等の量子型赤外線センサの特徴はそのままに 無バイアスで赤外線を検知できます 人体検知 非接触温度測定

More information