メタマテリアルの熱伝導率予測

物性物理学I_2.pptx

The University of Tokyo, Komaba Graduate School of Arts and Sciences I 凝縮系 固体 をデザインする 銅()面上の鉄原子の 量子珊瑚礁 IBM Almaden 許可を得て掲載 www.almaden.ibm.com/vis/stm/imagesstm5.jpg&imgrefurl=http://www.almaden.ibm.com/vis/

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

プログラム

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

1).1-5) - 9 -

- 8 - 1).1-5) - 9 - ε = ε xx 0 0 0 ε xx 0 0 0 ε xx (.1 ) z z 1 z ε = ε xx ε x y 0 - ε x y ε xx 0 0 0 ε zz (. ) 3 xy ) ε xx, ε zz» ε x y (.3 ) ε ij = ε ij ^ (.4 ) 6) xx, xy ε xx = ε xx + i ε xx ε xy = ε

untitled

SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

_0212_68<5A66><4EBA><79D1>_<6821><4E86><FF08><30C8><30F3><30DC><306A><3057><FF09>.pdf

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

ポリトロープ、対流と輻射、時間尺度

宇宙物理学 ( 概論 ) 6/6/ 大阪大学大学院理学研究科林田清 ポリトロープ関係式 1+(1/) 圧力と密度の間にP=Kρ という関係が成り立っていると仮定する K とは定数でをポリトロープ指数と呼ぶ 5 = : 非相対論的ガス dlnp 3 断熱変化の場合 断熱指数 γ, と dlnρ 4 = : 相対論的ガス 3 1 = の関係にある γ 1 等温変化の場合は= に相当 一様密度の球は=に相当

C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B

I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld

「セメントを金属に変身させることに成功」

報道関係者各位 平成 27 年 8 月 22 日 国立大学法人筑波大学 排熱を電気に変換して蓄えるコイン型電池セル ~ イオン二次電池活物質の新たな応用 ~ 研究成果のポイント 1. 正極と負極に同一の層状酸化物を用いたコイン型電池セルにおいて 電気化学ゼーベック効果 1) を初めて評価しました 2. 温度差印加により生じた電圧の時間依存性を解析することにより 電極間でナトリウムイオンの移動が生じることがわかりました

がら この巨大な熱電効果の起源は分かっておらず 熱電性能のさらなる向上に向けた設計指針 は得られていませんでした 今回 本研究グループは FeSb2 の超高純度単結晶を育成し その 結晶サイズを大きくすることで 実際に熱電効果が巨大化すること またその起源が結晶格子の振動 ( フォノン 注 2) と

鉄化合物における巨大な熱電効果の起源解明 - 低温で高い性能を示す熱電変換素子の新たな設計指針 - 1. 発表者 : 高橋英史 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科日本学術振興会特別研究員 PD) 岡崎竜二 ( 東京理科大学物理工学部物理学科講師 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科助教 ) 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授

d > 2 α B(y) y (5.1) s 2 = c z = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u) c z y 1 d 2 + α c z y t y y t- s 2 2 s 2 > d > 2 T c y T c y = T t c = T c /T 1 (3.

5 S 2 tot = S 2 T (y, t) + S 2 (y) = const. Z 2 (4.22) σ 2 /4 y = y z y t = T/T 1 2 (3.9) (3.15) s 2 = A(y, t) B(y) (5.1) A(y, t) = x d 1+α dx ln u 1 ] 2u ψ(u), u = x(y + x 2 )/t s 2 T A 3T d S 2 tot S

ナノ構造熱電材料開発 －多重薄膜によるナノ構造制御の検討－

エレクトロニクス SiGe ナノ粒子 a-sige サファイア基板 Au ナノ構造熱電材料開発 - 多重薄膜によるナノ構造制御の検討 - Control of Nano Structure by Multi Films for Nano-Structured Thermoelectric Materials 足立 * 真寬 藤井俊輔 木山誠 Masahiro Adachi Syunsuke Fujii

本文／目次（裏白）

<4D F736F F F696E74202D208BE091AE8A7789EF F FAC924A816A95CF8D58>

熱電変換材料の実験値データベース構築と実験値マテリアルズ インフォマティクス 拓史 1,3, 桂ゆかり 1,3, 熊 将也 2, 今井庸 3, 郡司咲 3, 村薫 1 本 属学会 2017 秋 1 東京 学 学院新領域創成科学研究科物質系専攻 2 理化学研究所 新知能統合研究センター 3 物質 材料研究機構物質 材料統合研究拠点 [1] P. Gorai et al., Comp. Mat. Sci.

D論研究 :「表面張力対流の基礎的研究」

D 論研究 : 表面張力対流の基礎的研究 定常 Marangoni 対流 及び非定常 Marangoni 対流に関する実験及び数値解析による検討 Si 単結晶の育成装置 Cz 法による Si 単結晶育成 FZ 法による Si 単結晶育成 気液表面 るつぼ加熱 気液表面 大きな温度差を有す気液表面では表面張力対流 (Marangoni 対流 ) が顕著 プロセス終了後のウエハ Cz 法により育成した

パーキンソン病治療ガイドライン2002

研修コーナー

l l l l l l l l l l l α α β l µ l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l

LLG-R8.Nisus.pdf

d M d t = γ M H + α M d M d t M γ [ 1/ ( Oe sec) ] α γ γ = gµ B h g g µ B h / π γ g = γ = 1.76 10 [ 7 1/ ( Oe sec) ] α α = λ γ λ λ λ α γ α α H α = γ H ω ω H α α H K K H K / M 1 1 > 0 α 1 M > 0 γ α γ =

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

Microsoft PowerPoint - ２．斧先生.ppt

スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子

Microsoft Word - 明戸v10.doc

卒業論文 熱電変換材料における累積熱伝導率の普遍性 平成 6 年 月 3 日提出 指導教員塩見淳一郎准教授 359 明戸大介 目次第 章序論... 3. 熱電変換... 4. 熱電変換材料の効率... 5.3 ナノ構造化による格子熱伝導率低減... 6.4 第一原理熱伝導率解析法... 8.5 研究の目的... 8 第 章計算手法... 9. 格子動力学法..... 熱容量..... 状態密度.....3

untitled

1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)

熱電変換の紹介とその応用について.ppt

熱電変換の紹介と その応用について 埼玉大学 大学院理工学研究科 長谷川 靖洋 hasegawa@mail.saitama-u.ac.jp http://www.env.gse.saitama-u.ac.jp/hasegawa/ Tel&Fax:048-858-3757 熱電変換研究の歴史 7/24 1821年 ゼーベックによるゼーベック効果の発見 1834年 ペルチェによるペルチェ効果の発見

薄膜結晶成長の基礎4.dvi

4 464-8602 1 [1] 2 (STM: scanning tunneling microscope) (AFM: atomic force microscope) 1 ( ) 4 LPE(liquid phase epitaxy) 4.1 - - - - (Burton Cabrera Frank) BCF [2] P f = (4.1) 2πmkB T 1 Makio Uwaha. E-mail:uwaha@nagoya-u.jp;

19 σ = P/A o σ B Maximum tensile strength σ % 0.2% proof stress σ EL Elastic limit Work hardening coefficient failure necking σ PL Proportional

19 σ = P/A o σ B Maximum tensile strength σ 0. 0.% 0.% proof stress σ EL Elastic limit Work hardening coefficient failure necking σ PL Proportional limit ε p = 0.% ε e = σ 0. /E plastic strain ε = ε e

untitled

( 9:: 3:6: (k 3 45 k F m tan 45 k 45 k F m tan S S F m tan( 6.8k tan k F m ( + k tan 373 S S + Σ Σ 3 + Σ os( sin( + Σ sin( os( + sin( os( p z ( γ z + K pzdz γ + K γ K + γ + 9 ( 9 (+ sin( sin { 9 ( } 4

マスコミへの訃報送信における注意事項

銀ナノシートを有する層状化合物において超高電子移動度を実現 - 室温以下で動作する新しい熱電変換素子の開発に道 - 1. 発表者 : 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授 ) 塩見雄毅 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 3 年 ) 李鍾碩 ( 研究当時 : 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻特任講師 ) M. S. Bahramy( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員

日本内科学会雑誌第102巻第4号

物性物理学I_2.pptx

phonon U r U = nαi U ( r nαi + u nαi ) = U ( r nαi ) + () nαi,β j := nαi β j U r nαi r β j > U r nαi r u nαiuβ j + β j β j u β j n α i () nαi,β juβj 調和振動子近似の復習 極 小 値近傍で Tylor展開すると U ( x) = U ( x ) + (

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a

1 2 2.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a) L ( ) ) * 2) W Z 1/2 ( - ) d u + e + ν e 1 1 0 0

The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices

ASAKURA Nobuyuki, Japan Atomic Energy Research Institute, Naka, Ibaraki 311-0193, Japan e-mail: asakuran@fusion.naka.jaeri.go.jp The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices Naka Fusion Research Establishment,

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

Erased_PDF.pdf

第86回日本感染症学会総会学術集会後抄録（I）

κ κ κ κ κ κ μ μ β β β γ α α β β γ α β α α α γ α β β γ μ β β μ μ α ββ β β β β β β β β β β β β β β β β β β γ β μ μ μ μμ μ μ μ μ β β μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ μ β

情報処理学会研究報告 IPSJ SIG Technical Report Vol.2010-MPS-80 No /9/29 II NTT Introduction [V1][K1] π 18 = (1 π 18 ) 2 =

II NTT 2 2 2 100 1 Introduction [V1][K1] 2 2 1 3 π 18 = 4048 2 1 (1 π 18 ) 2 = 0.93265 2-1 c2010 Information 2 (RCP) 4 3 [S] 1 ρ 1 ρ = 1 1 2 1 8 8 r 3 r 3 r [Y][V2] 2 r 2 r 1 r 1 < ( 2 3 1)r 2 3 r 1

目次 序論 熱電変換 熱電変換材料とその性能 ナノ構造化による ZT 向上 ナノ構造化バルクシリコン 目的... 1 実験方法 プラズマ CVD によるナノ粒子作製 放電

修士論文 ナノ構造化バルク熱電材料の作製と性能評価 指導教員塩見淳一郎准教授 37136231 三浦飛鳥 目次 序論... 3 1.1 熱電変換... 3 1.2 熱電変換材料とその性能... 4 1.3 ナノ構造化による ZT 向上... 7 1.4 ナノ構造化バルクシリコン... 9 1.5 目的... 1 実験方法... 11 2.1 プラズマ CVD によるナノ粒子作製... 12 2.2

Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx

スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

( ) ,

II 2007 4 0. 0 1 0 2 ( ) 0 3 1 2 3 4, - 5 6 7 1 1 1 1 1) 2) 3) 4) ( ) () H 2.79 10 10 He 2.72 10 9 C 1.01 10 7 N 3.13 10 6 O 2.38 10 7 Ne 3.44 10 6 Mg 1.076 10 6 Si 1 10 6 S 5.15 10 5 Ar 1.01 10 5 Fe 9.00

Microsoft PowerPoint - meta_tomita.ppt

メタマテリアルの光応答 量子物性科学講座 冨田知志 メタマテリアルとは meta-: higher, beyond Oxford ALD Pendry, Contemporary Phys. (004) メタマテリアル (meta-material): 波長 λ に対して十分小さい要素を組み合わせて 自然界には無い物性を実現した人工物質 ( 材料 ) 通常の物質 :, は構成原子に起因 メタ物質 :

Formation process of regular satellites on the circumplanetary disk Hidetaka Okada Department of Earth Sciences, Undergraduate school of Scie

Formation process of regular satellites on the circumplanetary disk Hidetaka Okada 22060172 Department of Earth Sciences, Undergraduate school of Science, Hokkaido University Planetary and Space Group

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

006 11 8 0 3 1 5 1.1..................... 5 1......................... 6 1.3.................... 6 1.4.................. 8 1.5................... 8 1.6................... 10 1.6.1......................

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

I II III IV V

I II III IV V N/m 2 640 980 50 200 290 440 2m 50 4m 100 100 150 200 290 390 590 150 340 4m 6m 8m 100 170 250 µ = E FRVβ β N/mm 2 N/mm 2 1.1 F c t.1 3 1 1.1 1.1 2 2 2 2 F F b F s F c F t F b F s 3 3 3

2 G(k) e ikx = (ik) n x n n! n=0 (k ) ( ) X n = ( i) n n k n G(k) k=0 F (k) ln G(k) = ln e ikx n κ n F (k) = F (k) (ik) n n= n! κ n κ n = ( i) n n k n

. X {x, x 2, x 3,... x n } X X {, 2, 3, 4, 5, 6} X x i P i. 0 P i 2. n P i = 3. P (i ω) = i ω P i P 3 {x, x 2, x 3,... x n } ω P i = 6 X f(x) f(x) X n n f(x i )P i n x n i P i X n 2 G(k) e ikx = (ik) n

Microsoft Word - Phononic crystal article

フォノニック結晶による熱伝導制御と熱電変換応用 Thermal conduction control by phononic crystal and application to thermoelectrics 東京大学生産技術研究所野村政宏 e-mail: nomura[at]iis.u-tokyo.ac.jp 1. はじめに熱伝導は, 温度差と熱伝導率で熱流束が決定されて熱移動が起こる拡散現象である.

pdf

http://www.ns.kogakuin.ac.jp/~ft13389/lecture/physics1a2b/ pdf I 1 1 1.1 ( ) 1. 30 m µm 2. 20 cm km 3. 10 m 2 cm 2 4. 5 cm 3 km 3 5. 1 6. 1 7. 1 1.2 ( ) 1. 1 m + 10 cm 2. 1 hr + 6400 sec 3. 3.0 10 5 kg

n 2 + π2 6 x [10 n x] x = lim n 10 n n 10 k x 1.1. a 1, a 2,, a n, (a n ) n=1 {a n } n=1 1.2 ( ). {a n } n=1 Q ε > 0 N N m, n N a m

1 1 1 + 1 4 + + 1 n 2 + π2 6 x [10 n x] x = lim n 10 n n 10 k x 1.1. a 1, a 2,, a n, (a n ) n=1 {a n } n=1 1.2 ( ). {a n } n=1 Q ε > 0 N N m, n N a m a n < ε 1 1. ε = 10 1 N m, n N a m a n < ε = 10 1 N

2 (March 13, 2010) N Λ a = i,j=1 x i ( d (a) i,j x j ), Λ h = N i,j=1 x i ( d (h) i,j x j ) B a B h B a = N i,j=1 ν i d (a) i,j, B h = x j N i,j=1 ν i

1. A. M. Turing [18] 60 Turing A. Gierer H. Meinhardt [1] : (GM) ) a t = D a a xx µa + ρ (c a2 h + ρ 0 (0 < x < l, t > 0) h t = D h h xx νh + c ρ a 2 (0 < x < l, t > 0) a x = h x = 0 (x = 0, l) a = a(x,

開発の社会的背景 再生可能エネルギーの大量導入時代を見据えて 光 熱 振動などを利用する発電技術の研究開発が盛んに行われている その一つである熱電発電は 熱電材料 ( 固体 ) を用いて自然熱や未利用廃熱 分散した微小熱を電力として回収する技術であり 省スペース 無振動 長寿命などの長所がある 高効

高効率な熱電変換を可能にする新しいタイプの大振幅原子振動 - 新規熱電材料の新しい設計指針を提案 - 平成 30 年 2 月 2 日国立研究開発法人産業技術総合研究所国立大学法人九州大学国立研究開発法人科学技術振興機構 ポイント 高い熱電性能が得られる新しいタイプの大振幅原子振動 ( ラットリング ) を提案 新規提案の平面ラットリングが出現する原因を解明 熱電材料探索の対象物質が飛躍的に増え より高性能な新熱電材料の発見につながると期待

第90回日本感染症学会学術講演会抄録（I）

dvipsj.8449.dvi

9 1 9 9.1 9 2 (1) 9.1 9.2 σ a = σ Y FS σ a : σ Y : σ b = M I c = M W FS : M : I : c : = σ b

Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity

perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface

Ł\”ƒ-2005

note4.dvi

10 016 6 0 4 (quantum wire) 4.1 4.1.1.6.1, 4.1(a) V Q N dep ( ) 4.1(b) w σ E z (d) E z (d) = σ [ ( ) ( )] x w/ x+w/ π+arctan arctan πǫǫ 0 d d (4.1) à ƒq [ƒg w ó R w d V( x) QŽŸŒ³ džq x (a) (b) 4.1 (a)

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a

研究成果報告書(基金分)

(DMS) 1 3 DMS 2 4 DMS II-VI CdTe ZnTe 2 4 DMS 2 4 DMS II-VI 2 3d 4 3d (MBE) II-VI ZnTe CdTe 3d Mn, Cr, Fe 2 4 DMS MBE X (XRD)X (XAFS) II (SQUID) (a) 4 DMS (Cd,Mn,Cr)Te 4 DMS II-VI CdTe 2 Mn, Cr (Cd,Mn,Cr)Te

2008/02/18 08:40-10:10, 12:50-14:20 14:30-16:00, 16:10-17:40,

008/0/18 08:40-10:10, 1:50-14:0 14:30-16:00, 16:10-17:40, 1pt A 1911 Leiden Heike Kammelingh-Onnes H.Kammelingh Onnes 1907 He 1 4. K H H c T c T H c Hg:40 mt, Pb:80 mt, Sn:30 mt 100 mt I c H c H c H

JFE.dvi

,, Department of Civil Engineering, Chuo University Kasuga 1-13-27, Bunkyo-ku, Tokyo 112 8551, JAPAN E-mail : atsu1005@kc.chuo-u.ac.jp E-mail : kawa@civil.chuo-u.ac.jp SATO KOGYO CO., LTD. 12-20, Nihonbashi-Honcho

untitled

(a) (b) (c) (d) Wunderlich 2.5.1 = = =90 2 1 (hkl) {hkl} [hkl] L tan 2θ = r L nλ = 2dsinθ dhkl ( ) = 1 2 2 2 h k l + + a b c c l=2 l=1 l=0 Polanyi nλ = I sinφ I: B A a 110 B c 110 b b 110 µ a 110

C: PC H19 A5 2.BUN Ohm s law

C: PC H19 A5 2.BUN 19 8 6 3 19 3.1........................... 19 3.2 Ohm s law.................... 21 3.3.......................... 24 4 26 4.1................................. 26 4.2.................................

³ÎΨÏÀ

2017 12 12 Makoto Nakashima 2017 12 12 1 / 22 2.1. C, D π- C, D. A 1, A 2 C A 1 A 2 C A 3, A 4 D A 1 A 2 D Makoto Nakashima 2017 12 12 2 / 22 . (,, L p - ). Makoto Nakashima 2017 12 12 3 / 22 . (,, L p

医系の統計入門第 2 版 サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. このサンプルページの内容は, 第 2 版 1 刷発行時のものです.

医系の統計入門第 2 版 サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/009192 このサンプルページの内容は, 第 2 版 1 刷発行時のものです. i 2 t 1. 2. 3 2 3. 6 4. 7 5. n 2 ν 6. 2 7. 2003 ii 2 2013 10 iii 1987

Optical Flow t t + δt 1 Motion Field 3 3 1) 2) 3) Lucas-Kanade 4) 1 t (x, y) I(x, y, t)

http://wwwieice-hbkborg/ 2 2 4 2 -- 2 4 2010 9 3 3 4-1 Lucas-Kanade 4-2 Mean Shift 3 4-3 2 c 2013 1/(18) http://wwwieice-hbkborg/ 2 2 4 2 -- 2 -- 4 4--1 2010 9 4--1--1 Optical Flow t t + δt 1 Motion Field

SE Vol.4 033 1

卒業論文

Cu-Ru ...7 1.1....7 1.2....7 1.3....8...9 2.1....9 2.1.1....9 2.1.2....10 2.2.... 11 2.2.1.... 11 2.2.2. ()...12 2.2.3. ()...13 2.2....15...18 3.1. Cu z ...18 3.1.1....18 3.1.2....19 3.1.3....29 3.2.

資料1-2 コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズインフォマティクスの融合によるラボ改革

コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズ インフォマティックスの融合によるラボ改革 国立研究開発法人物質 材料研究機構エネルギー 環境材料研究拠点 後藤真宏 高速な材料開発の必要性 高性能なエネルギー変換材料の創製が急務 自然エネルギー生成 エネルギー有効利用 Web. JAXA 地球環境の悪化が進行 省エネルギー 摩擦力低減など 非常に過酷な制約がある 短期間で! ユビキタス 無害な元素 原子から材料まで

(1.2) T D = 0 T = D = 30 kn 1.2 (1.4) 2F W = 0 F = W/2 = 300 kn/2 = 150 kn 1.3 (1.9) R = W 1 + W 2 = = 1100 N. (1.9) W 2 b W 1 a = 0

1 1 1.1 1.) T D = T = D = kn 1. 1.4) F W = F = W/ = kn/ = 15 kn 1. 1.9) R = W 1 + W = 6 + 5 = 11 N. 1.9) W b W 1 a = a = W /W 1 )b = 5/6) = 5 cm 1.4 AB AC P 1, P x, y x, y y x 1.4.) P sin 6 + P 1 sin 45

研究室ガイダンス(H28)福山研.pdf

1 2 3 4 5 4 He M. Roger et al., JLTP 112, 45 (1998) A.F. Andreev and I.M. Lifshitz, Sov. Phys. JETP 29, 1107 (1969) Born in 2004 (hcp 4 He) E. Kim and M.H.W. Chan, Nature 427, 225 (2004); Science 305,

2 ID POS 1... 1 2... 2 2.1 ID POS... 2 2.2... 3 3... 5 3.1... 5 3.2... 6 3.2.1... 6 3.2.2... 7 3.3... 7 3.3.1... 7 3.3.2... 8 3.3.3... 8 3.4... 9 4... 11 4.1... 11 4.2... 15 4.3... 27 5... 35... 36...

Note.tex 2008/09/19( )

1 20 9 19 2 1 5 1.1........................ 5 1.2............................. 8 2 9 2.1............................. 9 2.2.............................. 10 3 13 3.1.............................. 13 3.2..................................

磁性物理学 - 遷移金属化合物磁性のスピンゆらぎ理論

email: takahash@sci.u-hyogo.ac.jp May 14, 2009 Outline 1. 2. 3. 4. 5. 6. 2 / 262 Today s Lecture: Mode-mode Coupling Theory 100 / 262 Part I Effects of Non-linear Mode-Mode Coupling Effects of Non-linear

講 座 熱電研究のための第一原理計算入門 第2回 バンド計算から得られる情報 桂 1 はじめに ゆかり 東京大学 が独立にふるまうようになる 結晶構造を定義する際に 前回は 第一原理バンド計算の計算原理に続いて 波 アップスピンの原子 ダウンスピンの原子をそれぞれ指 のように自由な電子が 元素の個性

講 座 熱電研究のための第一原理計算入門 第2回 バンド計算から得られる情報 桂 1 はじめに ゆかり 東京大学 が独立にふるまうようになる 結晶構造を定義する際に 前回は 第一原理バンド計算の計算原理に続いて 波 アップスピンの原子 ダウンスピンの原子をそれぞれ指 のように自由な電子が 元素の個性のない一様な周期的 定することで 強磁性体や反強磁性体など さまざまな ポテンシャルに置かれたときに

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

IPSJ SIG Technical Report 1,a) 1,b) 1,c) 1,d) 2,e) 2,f) 2,g) 1. [1] [2] 2 [3] Osaka Prefecture University 1 1, Gakuencho, Naka, Sakai,

1,a) 1,b) 1,c) 1,d) 2,e) 2,f) 2,g) 1. [1] [2] 2 [3] 1 599 8531 1 1 Osaka Prefecture University 1 1, Gakuencho, Naka, Sakai, Osaka 599 8531, Japan 2 565 0871 Osaka University 1 1, Yamadaoka, Suita, Osaka

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

７章　構造物の応答値の算定

(1) 2 (2) 5.4 5.8.4 2 5.2 (3) 1.8 1) 36 2) PS 3) N N PS 37 10 20m N G hg h PS N (1) G h G/G 0 h 3 1) G 0 PS PS 38 N V s G 0 40% Gh 1 S 0.11% G/G 0 h G/G 0 h H-D 2),3) R-O 4) 5),6),7) τ G 0 γ = 0 r 1 (

薄膜結晶成長の基礎3.dvi

3 464-8602 1 [1] 2 3 (epitaxy) (homoepitaxy) (heteroepitaxy) 1 Makio Uwaha. E-mail:uwaha@nagoya-u.jp; http://slab.phys.nagoya-u.ac.jp/uwaha/ 2 3.1 [2] (strain) r u(r) ɛ αγ (r) = 1 ( uα + u ) γ (3.1) 2

PowerPoint Presentation

半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

(Blackbody Radiation) (Stefan-Boltzmann s Law) (Wien s Displacement Law)

( ) ( ) 2002.11 1 1 1.1 (Blackbody Radiation).............................. 1 1.2 (Stefan-Boltzmann s Law)................ 1 1.3 (Wien s Displacement Law)....................... 2 1.4 (Kirchhoff s Law)...........................

1 911 9001030 9:00 A B C D E F G H I J K L M 1A0900 1B0900 1C0900 1D0900 1E0900 1F0900 1G0900 1H0900 1I0900 1J0900 1K0900 1L0900 1M0900 9:15 1A0915 1B0915 1C0915 1D0915 1E0915 1F0915 1G0915 1H0915 1I0915

COE-RES Discussion Paper Series Center of Excellence Project The Normative Evaluation and Social Choice of Contemporary Economic Systems Graduate Scho

COE-RES Discussion Paper Series Center of Excellence Project The Normative Evaluation and Social Choice of Contemporary Economic Systems Graduate School of Economics and Institute of Economic Research

Q & A Q A p

Q & A 2004.12 1 Q1. 12 2 A1. 11 3 p.1 1.1 2 Q2. A2. < > [ ] 10 5 15 (p.138) (p.150) (p.176) (p.167 ) 3 1. 4 1.6 1.6.1 (2) (p.6) Q3. 5 1 1:1.0 12 2 1:0.6 1:1.0 1:1.0 1:0.6 1:0.6 1:0.6 1:1.0 1:0.6 ( ) 1:1.0

研究室ガイダンス(H29)福山研v2.pdf

J.M. Kosterlitz and D.J. Thouless, Phys. 5, L124 (1972); ibid. 6, 1181 (1973) David J. Thouless J. Michael Kosterlitz + ρ T s KT D.J. Bishop and J.D. Reppy, PRL 40, 1727 (1978) ( ) = 2k B m2 T KT π 2 T

Undulator.dvi

X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B

PowerPoint プレゼンテーション

半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域

日歯雑誌（Ｈ２２・７月号）ＨＰ用／ｐ０６‐１６　クリニカル①　田崎

NewsLetter-No2

ｎｓｇ０２－１３／ｋｙ０４５０５９３０１６０００３３２１０

φ φ φ φ κ κ α α μ μ α α μ χ et al Neurosci. Res. Trpv J Physiol μ μ α α α β in vivo β β β β β β β β in vitro β γ μ δ μδ δ δ α θ α θ α In Biomechanics at Micro- and Nanoscale Levels, Volume I W W v W

修士論文

SAW 14 2 M3622 i 1 1 1-1 1 1-2 2 1-3 2 2 3 2-1 3 2-2 5 2-3 7 2-3-1 7 2-3-2 2-3-3 SAW 12 3 13 3-1 13 3-2 14 4 SAW 19 4-1 19 4-2 21 4-2-1 21 4-2-2 22 4-3 24 4-4 35 5 SAW 36 5-1 Wedge 36 5-1-1 SAW 36 5-1-2

( ) 1 1.1? ( ) ( ) ( ) 1.1(a) T m ( ) 1.1(a) T g ( ) T g T g 500 74% ( ) T K ( 1.1(b) 15 T g T g 10 13 T g T g T g [ ] A ( ) exp (1.1) T T 0 Vogel-Fulcher T 0 T 0 T K T K Ortho-Terphenil (OTP) SiO 2 (1.1)

表紙

Akira Fujishima 2005.Vo.3 1 Kiyoshi kanamura kanamura-kiyoshi@c.metro-u.ac.jp 2 2005.Vol.3 Rechargeable Lithium Ion-Battery Active Material Liquid Electrolyte σ = 10-2 10-3 S cm -1 3D Interface of Solid