資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

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ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

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InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

表紙

Akira Fujishima 2005.Vo.3 1 Kiyoshi kanamura kanamura-kiyoshi@c.metro-u.ac.jp 2 2005.Vol.3 Rechargeable Lithium Ion-Battery Active Material Liquid Electrolyte σ = 10-2 10-3 S cm -1 3D Interface of Solid

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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

シャープ技報 第 93 号 2005 年 12 月 Cz 1. 実験 1 1 デバイス シミュレーション Integrated Systems Engineering, Inc.ISE TCAD 図 1 表 ライフタイム評価 bulk SRV Cz eff CVD PECVD SiH /

高効率シリコン裏面電極型太陽電池 High Efficiency Back Contact Si Solar Cell 中村京太郎 * 1 伊坂隆行 * 2 舩越康志 * 2 Kyotaro Nakamura Takayuki Isaka Yasushi Funakoshi 殿村嘉章 * 2 町田智弘 * 2 岡本浩二 * 1 Yoshifumi Tonomura Tomohiro Machida

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

PFニュース indd

最近の研究から Ｘ線回折法による Si(111) 表面における Ag の超構造および薄膜結晶配向性の研究 高橋敏男 1 * 田尻寛男 1 隅谷和嗣 1 秋本晃一 2 1 東京大学物性研究所 2 名古屋大学大学院工学研究科 Structural studies on superstructures and thin films of Ag on Si(111) by X-ray diffraction

利点を併せ持つからである バックコンタクト構造では受光面に電極が無く電極の陰によるロス ( シャドーロス ) が無いことによって高い J sc が得られ 3), また, ヘテロ接合技術では, アモルファスシリコンと結晶シリコンのヘテロ接合界面が界面でのキャリア再結合を低減できるため, 高い不活性化

Development of Next-Generation High Efficiency Crystalline Si Solar Cells 中村淳一 * 浅野直城 * 稗田健 * 岡本親扶 * 片山博之 * Junichi Nakamura Naoki Asano Takeshi Hieda Chikao Okamoto Hiroyuki Katayama 既に商品化している太陽電池モジュール

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di

(15) 15 ELA により形成された poly-si 結晶成長様式 - グレイン形状と水素の関係 - Crystal Growth Mode of Poly-Si Prepared by ELA -Relationship between the Grain Morphology and ydrogens- Naoya KAWAMOTO (Dept. of Electrical and Electronic

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6

NMR ESR NMR 5 Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6 Fig. (a) Na O-B -Si Na O-B Si Fig. (b) Na O-CaO-SiO Na O-CaO-B -Si. Na O-. CaO-. Si -. Al O

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

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電気化学 (F2027&F2077) 第 1 回講義平成 22 年 4 月 13 日 ( 火 ) 電気化学の概説 1. カリキュラムの中での本講義の位置づけの理解 2. 電気化学の発展 3. 電気化学の学問領域, 主な分野 4. 電気化学が支える先端技術分野と持続的社会 はじめに の部分 電気化学の歴史, 体系, エネルギー変換電気化学が深く関係する学問領域と先端技術の例を挙げよ電気化学が関係する先端技術の例を挙げよ

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スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子

Microsoft Word - basic_15.doc

分析の原理 15 電位差測定装置の原理と応用 概要 電位差測定法は 溶液内の目的成分の濃度 ( 活量 ) を作用電極と参照電極の起電力差から測定し 溶液中のイオン濃度や酸化還元電位の測定に利用されています また 滴定と組み合わせて当量点の決定を電極電位変化より行う電位差滴定法もあり 電気化学測定法の一つとして古くから研究 応用されています 本編では 電位差測定装置の原理を解説し その応用装置である

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

04.プレゼン資料（豊橋技科大_伊﨑先生）

平成 28 年度新技術説明会 2016/1/12 超高効率太陽電池 水素生成用 インタースタック酸化物構造体 豊橋技術科学大学大学院工学研究科機械工学専攻教授伊﨑昌伸 m-izaki@me.tut.ac.jp 太陽エネルギーの活用 太陽光スペクトルと擬似太陽光 pn 接合型太陽電池の動作原理と理論変換効率ー単接合太陽電池の限界ー 空乏層 伝導帯 e 伝導帯 e 変換効率 < 28% h 荷電子帯 h

PVEゲルの作製方法 PVAの既存のゲル化法 １ 繰り返し凍結解凍法 1975 hydroxyl groups N. A. Peppas, Makromole. Chemie., 176, 3443-3440 (1975). M. Nambu, Japanese Patent Kokai, No. 57/130543 (1982). Acetoxy groups ２ 凍結法 in Water/DMSO

Microsoft Word - 3_テクノセンター年報2013年度131115（上野）

特集 1 インクジェット用イカ墨色素の精製と粒子径制御法の開発 特許取得, ベンチャー企業の参入, 製品化への道筋 上野孝 ( 物質環境工学科 ) 1. はじめに函館ではイカの加工工程で内臓が取り除かれて廃棄物として処分される 内臓の約 2% に相当する約 240 トンの墨袋が毎年廃棄されている イカ墨の黒い色素成分はユーメラニンの色である 顔料や化粧品メーカーは食べられる, または肌につけても安全な天然黒色色素に強い関心があり,

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3. 溶解 沈殿反応 天然水の化学組成 大陸地殻表層 (mg kg ) 河川水 (mg kg ) Al 77.4.5 Fe 3.9.4 Ca 9.4 3.4 Na 5.7 5. 8.6.3 Mg 3.5 3.4 Andrews et al. (3) An introduction to Environmental Chemistry 天然水の特徴 天然水の金属イオンは主に岩石の風化により生じる ただし

プラズマ・核融合学会Vol.85-12

a Al-BSFBack Surface Filed b 3. Surface Passivation Films for Crystalline Silicon Solar Cells MIYAJIMA Shinsuke F.F. F.F Ω μ author s e-mail: miyajima.s.aa@m.titech.ac.jp μ μ μ μ CVD a-al xo x p μ Solar

新技術説明会　様式例

1 新材料 BaSi 2 による 薄膜太陽電池開発の現状 筑波大学数理物質系 教授末益崇 材料による分類 太陽電池の分類 シリコン系 シリコン系新材料 結晶シリコン アモルファル III-V 族 (GaAs) 単結晶シリコン多結晶シリコン微結晶シリコン多接合へテロ接合型 (HIT) 太陽電池 化合物系 CIGS 系 (CuInSe 2 ) BaSi 2 CdTe c=1.158nm 有機系 有機半導体

フォルハルト法 NH SCN の標準液または KSCN の標準液を用い,Ag または Hg を直接沈殿滴定する方法 および Cl, Br, I, CN, 試料溶液に Fe SCN, S 2 を指示薬として加える 例 : Cl の逆滴定による定量 などを逆滴定する方法をいう Fe を加えた試料液に硝酸

沈殿滴定とモール法 沈殿滴定沈殿とは溶液に試薬を加えたり加熱や冷却をしたとき, 溶液から不溶性固体が分離する現象, またはその不溶性固体を沈殿という 不溶性固体は, 液底に沈んでいいても微粒子 ( コロイド ) として液中を浮遊していても沈殿と呼ばれる 沈殿滴定とは沈殿が生成あるいは消失する反応を利用した滴定のことをいう 沈殿が生成し始めた点, 沈殿の生成が完了した点, または沈殿が消失した点が滴定の終点となる

スライド 1

亜酸化銅 (Cu2O) を用いる超低コスト太陽電池技術 金沢工業大学 工学部電気電子工学科 教授 宮田俊弘 Kanazawa Institute of Technology Optoelectronic Device System Research & Development Center 1 発表内容 1. 研究の背景 ( 従来技術の問題点 ) 2. 超低コスト亜酸化 (Cu2O) ヘテロ接合太陽電池

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

食糧　その科学と技術　No.43( )

17 DNA SEM, Scanning electron microscope TEM, transmission electron microscope X NMR AFM, atomic force microscopy SPM, scanning probe microscopy 1 SPM SPM AFM SNOM NSOM, Scanning near-field optical microscope

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

着色斜め蒸着膜の光学的性質～無機偏光膜への応用

Anisotropy in the Optical Absorption of Metal-insulator Obliquely Deposited Thin Films The Application for an Inorganic Polarizer Motofumi Suzuki, Yasunori Taga Abstract An attempt has been made to clarify

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F913791BE977A E646F63>

1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果

事務連絡

二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 平成 21 年度採択研究代表者 H23 年度 実績報告 橋詰保 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 研究課題 異種接合 GaN 横型トランジスタのインバータ展開 1. 研究実施体制 (1) 北大 グループ 1 研究代表者 : 橋詰保 ( 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 ) 2 研究項目 ドライエッチ面を含む Al 2

1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し

2014 年 8 月 1 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東京大学 太陽電池の接合界面に相競合状態を持たせ光電変換効率を向上 - 多重キャリア生成により光電流が増幅 強相関太陽電池の実現へ前進 - 本研究成果のポイント 光照射で相転移を起こす強相関電子系酸化物と半導体を接合した太陽電池を作製 金属と絶縁体の相競合状態をヘテロ接合界面のごく近くで誘起することに成功 界面での相競合状態を磁場を使うことで観測可能に

スライド 1

研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

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2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

(transparent conductive oxide: TCO) が PVD(physical vapor deposition: 物理蒸着 ) 処理され スクリーン印刷した金属接点グリッドで電荷を収集する 背面には どちらも PECVD 処理された真性な a-si:h( 水素化アモルファスシ

(1090-6-(1)) 新エネルギー ( 太陽エネ ) 結晶シリコンアモルファスシリコンヘテロ接合 高効率太陽電池 仮訳 a-si/c-si ヘテロ接合 PV セル ( スイス ) 高効率な結晶 アモルファスシリコンヘテロ接合 PV セル グループメンバー : 外部メンバー修士学生実施中のプロジェクト : S. De Wolf, N. Badel, L. Barraud, B. Demaurex,

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

Introduction to Microfabrication

2005 Introduction to Microfabrication 1 1.1 Microfabrication disciplines Microfabrication technologies IC industry and related industries MEMS, solar cells, flat-panel displays, optelectronics In-plane

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

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平成 26 年 2 月 26 日 東京工業大学広報センター長 大谷 清 半導体中を秒速 8 万 m で動きまわる電子を撮影 - 見える化 により多様な半導体材料の評価に威力 - 要点 半導体材料中の 20 nm スケールの領域に流れる電子を 200 フェムト秒間隔で測定 電子が半導体中を秒速約 8 万 m で動きまわる様子の動画撮影に成功 半導体の新しいナノ構造の開拓や未来の新材料開発に貢献 概要

Vol. 21, No. 2 (2014) W 3 mm SUS304 Ni 650 HV 810 HV Ni Ni Table1 Ni Ni μm SUS mm w 50 mm l 3 mm t 2.2 Fig. 1 XY Fig. 3 Sch

110 : 565-0871 2-1 567-0871 11-1 660-0811 1-9 - 1 tanigawa@jwri.osaka - u.ac.jp Influence of Laser Beam Profile on Cladding Layer TANIGAWA Daichi, ABE Nobuyuki, TSUKAMOTO Masahiro, HAYASHI Yoshihiko, YAMAZAKI

untitled

SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

Electrochromic Properties of Zincphthalocyanine Vacuum Evaporated Thin Films Kohji Kato, Student Member, Masayoshi Masui, Member, Fujio Kaneko, Non-member, Manabu Takeuchi, Member (Ibaraki University)

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

Corrosion Wear of Alloy Tool Steel (SKD 11) Coated with VC and Precipitation Hardening Stainless Steel (SUS 630) in Sodium Chloride Aqueous Solution T

Corrosion Wear of Alloy Tool Steel (SKD 11) Coated with VC and Precipitation Hardening Stainless Steel (SUS 630) in Sodium Chloride Aqueous Solution Toshiyuki TANAKI*, Makoto YUASA** and Isao SEKINE***

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LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

SPring-8ワークショップ_リガク伊藤

GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8

Temperature Rise in a Birefringent Substrate by RF Discharge Plasma Koichi Takaki, Member, Kunioh Sayama, Student Member, Atsushi Takahashi, Student M

Temperature Rise in a Birefringent Substrate by RF Discharge Plasma Koichi Takaki, Member, Kunioh Sayama, Student Member, Atsushi Takahashi, Student Member, Tamiya Fujiwara, Member (Iwate University),

銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果

トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved

Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】

報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授

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酸と 酸と 酸 acid 亜硫酸 pka =.6 pka =.9 酸 acid ( : 酸, すっぱいもの a : 酸の, すっぱい ) 酸性 p( ) 以下 酸っぱい味 ( 酸味 ) を持つ リトマス ( ) BTB( ) 金属と反応して ( ) を発生 ( 例 )Z l Zl リン酸 P pka =.5 pka =. pka =.8 P P P P P P P 酸性のもと 水素イオン 塩化水素

資料２　次世代太陽電池における計測機器

第 9 回 先 端 計 測 分 析 技 術 機 器 開 発 小 委 員 会 2010 年 11 月 24 日 次 世 代 太 陽 電 池 における 計 測 機 器 韓 礼 元 次 世 代 太 陽 電 池 センター 1 太 陽 電 池 の 分 類 太 陽 電 池 シリコン 化 合 物 単 結 晶 結 晶 系 多 結 晶 薄 膜 系 (アモルファス マイクロクリスタル 等 ) 単 結 晶 ( GaAs

<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D>

小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

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MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite Thin Films by Dip-Coating Method and Magnetic Properties

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

新技術説明会　様式例

1 新型 D-π-A 型蛍光性色素を用いた 色素増感太陽電池 広島大学大学院工学研究院物質化学工学部門応用化学専攻准教授大山陽介 2 研究背景 光増感有機色素を吸着させた酸化チタン (Ti 2 ) ナノ粒子電極を用いる色素増感太陽電池 (DSSC) は 太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する安価でクリーンな次世代太陽光発電システムとして注目されており 実用化を目指した熾烈な研究開発が国際的に行われている

新技術説明会　様式例

1 218 年 6 月 26 日 IoT/ トリリオンセンサを指向した 小型ホルムアルデヒド検出器 物質 材料研究機構 国際ナノアーキテク トニクス研究拠点 ナノマテリアル分野 フロンティア分子 G 主任研究員 石原伸輔 2 Outline (1) 電気抵抗が変わるホルムアルデヒド検出材料 (2) デバイス化の例 (3) まとめと企業連携への期待 3 従来技術とその問題点 ホルムアルデヒドは 接着剤や防腐剤として建材などに使用され

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

研究成果報告書

様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs

sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します 情報機構 sample

sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します http://www.johokiko.co.jp/ebook/bc140202.php 情報機構 sample はじめに リチウムイオン電池は エネルギー密度や出力密度が大きいことなどから ノートパソコンや携帯電話などの電源として あるいは HV や EV などの自動車用動力源として用いられるようになってきている

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

【請求項１】

請 求 項 1 単 結 晶 半 導 体 からなる 支 持 基 板 に 多 孔 質 半 導 体 層 を 形 成 する 工 程 と 前 記 支 持 基 板 上 に 前 記 多 孔 質 半 導 体 層 を 介 して 単 結 晶 半 導 体 層 を 形 成 する 工 程 と 前 記 単 結 晶 半 導 体 層 の 表 面 に 絶 縁 層 を 形 成 し 表 示 領 域 の 絶 縁 層 を 残 して 周 辺

PowerPoint プレゼンテーション

第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

研究成果報告書

MIS HEMT MIS HEMT MIS HEMT AlGaN/GaN MIS ALD AlGaN/GaN MIS-HEMT (1)MIS MIS AlGaN/GaN MIS-HEMT BCl 3 Cl 2 Ti/Al/Mo/Au (15/60/35/50 nm) 850 ºC AlGaN Ni/Au (100/150 nm) 300 ºC Lg=3m Lgd=5 mwg=100 m ALD Al

錫-亜鉛-アルミニウム系鉛フリーはんだの実用化

- Practical Use of Lead-Free Tin-Zinc-Aluminum (Sn-Zn-Al) Solder - - - - - Abstract Fujitsu has implemented a company-wide effort to progressively reduce the use of lead and eventually eliminate this environmental

Transformation-Induced Plasticity a TitleMartensitic Transformation of Ultra Austenite in Fe-Ni-C Alloy( Abstrac Author(s) Chen, Shuai Citation Kyoto

Transformation-Induced Plasticity a TitleMartensitic Transformation of Ultra Austenite in Fe-Ni-C Alloy( Abstrac Author(s) Chen, Shuai Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-03-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18

(Microsoft Word - \230a\225\266IChO46-Preparatory_Q36_\211\374\202Q_.doc)

問題 36. 鉄 (Ⅲ) イオンとサリチルサリチル酸の錯形成 (20140304 修正 : ピンク色の部分 ) 1. 序論この簡単な実験では 水溶液中での鉄 (Ⅲ) イオンとサリチル酸の錯形成を検討する その錯体の実験式が求められ その安定度定数を見積もることができる 鉄 (Ⅲ) イオンとサリチル酸 H 2 Sal からなる安定な錯体はいくつか知られている それらの構造と組成はpHにより異なる 酸性溶液では紫色の錯体が生成する

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動き

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動きやすい物質を 透明アモルファス酸化物半導体で実現 これらを電子注入層と輸送層に用い 逆積みで順積みよりも優れた特性の有機

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt

集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右

3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり

研究成果報告書

EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda