PowerPoint プレゼンテーション

Size: px
Start display at page:

Download "PowerPoint プレゼンテーション"

Transcription

1 S. Tanaka Lab s Propriety mems tohoku 1 MEMS の新しい話題 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学

2 今年の話題 第 1 話 MEMS プラットフォーム ~SOI MEMS では勝負できない ~ 第 2 話成長する弾性波フィルタ 第 3 話中国での MEMS の急進展 第 4 話中国の MEMS は? 第 5 話圧電 MEMS の実用化 (AlN 編 ) 第 6 話圧電 MEMS の実用化 (PZT 編 ) 2

3 MEMS プラットフォーム ~SOI MEMS では勝負できない ~ mems tohoku

4 SOI MEMS プロセス T. D.Chen et al. (Analog Devices), Transducers 05, 1122 SiO 2 Si 3 N 4 Poly-Si Si Isolation trench 0.6 µm CMOS 4 Analog Devices XL40 加速度センサ

5 エピポリシリコンプロセス ポリ Si(TPL) 熱酸化膜 Si SiO 2 犠牲層 エピポリ Si (EPL) 1 Nucleation on SiO 2 by LPCVD at 650 (125 nm t) 2 Thick columnar poly-si deposition in a LP epitaxial reactor at 1000, 3 MPa stress, High deposition rate of μm/min Fh.G ISIT, Uppsala Univ., Thin Solid Films, 259 (1995) DRIE トレンチ 5 犠牲層エッチ 直接ポリ Si にアンカ Giacomo Langfelder et al., IEEE Sensor Journal, 11, 4 (2011) pp ST C5L24A

6 SOI MEMS( 旧 ) vs. Epi-poly Si MEMS( 新 ) SOI MEMS 埋め込み酸化膜を挟んでアンカー犠牲層エッチング時に時間制御 Epi-poly Si MEMS 基板に直接アンカー 6 可動構造下に配線層

7 3 層ポリシリコンプロセス (Robert Bosch) J. Classen et al. (Robert Bosch), IEEE MEMS 2017, pp 層構造 2 層構造 パッケージ応力によってオフセットにしにくい 樹脂モールド可能 Poly-Si #2 Poly-Si #1 酸化膜の すのこ構造 を形成することで, 大きな空洞があっても, その上に層を重ねるにあたって平坦化が不要 Poly-Si #3 7 日経 xtech

8 3 層ポリシリコン MEMS(Robert Bosch) J. Classen et al. (Robert Bosch), IEEE MEMS 2017, pp ねじりばねと上部電極 ( 赤, 緑 ) が中央部でアンカー 1 点留め パッケージ歪に鈍感 樹脂モールド可能 左のマスは中空, 右のマスは中実 z 軸感度 完全二重差動静電容量読出し 温特向上, 感度向上 対称性の高いシーソー構造熱膨張や不均一チャージアップによるドリフトを抑制 8 自動車用新世代 2 軸加速度 1 軸ジャイロセンサ Bosch SMI700/710(2015~) 7 7 mm 2

9 エピポリシリコン + 基板接合 MEMS(LETI) F. Maspero et al. (LETI), IEEE MEMS 2019, pp 日経 xtech 2019/5/ mm 2 の z 軸加速度センサ

10 ウェハレベル集積化慣性センサー (InvenSense) Steven Nasiri and Martin Lim, InvenSense, Inc. CMOS Al (500 nm) x y Direct bonding Al-Ge eutectic bonding 450 ºC, 300 N/wafer, 4 % H 2 in N 2 30 μm Ge (700 nm) ~70 μm 10

11 東北大学の集積化 MEMS プラットフォーム Yukio Suzuki et al., IEEE MEMS 2017, pp 日経テクノロジーオンライン, トヨタと東北大が新技術, ロボットセンサーと IC を安く積層 ( ) 他人の LSI をレーザー消去 金属接合 自分の LSI MEMS センサ 他人の LSI をレーザー消去 TSV ASIC レーザー消去部分 ASIC 平坦化後 300 μm レーザー消去部分 11

12 東北大学の集積化 MEMS プラットフォーム 12 Yukio Suzuki et al., IEEE MEMS 2017

13 成長する弾性波フィルタ mems tohoku

14 MEMS 売上ランキング 2017 & 2018 Million US$ 1 位 Broadcom( 旧 Avago Technologies) 位 Qorvo(TriQuint Semiconductor + RF Micro Device) 14 田中, 2018 年 MEMS 売上高ランキング トップ 30 には日本の 11 社, 日経 xtech, 2019/6/14

15 成長する弾性波フィルタ Yole Development (2019) スピーカー, pmut, 指紋センサ等 BAW フィルタ 慣性センサマイクロフォン圧力センサインクジェット 日経 xtech Photographs from Robert Aigner (Qorvo) 15 複雑化する RF モジュール, 増加する弾性波フィルタ バンド 25 Tx BAW フィルタ (Qorvo,2016)

16 弾性波フィルタへの難しい要求 耐電力性 LTEでサブキャリアがオーバラップすることあり 小さな非線形性 (Inter Modulation Distortion) キャリアアグリゲ ション 基本性能のさらなる向上 ( 挿入損失, カットオフ特性, 温度特性 ) 高難度バンドの存在 ( 例 :LTE Band 25,Band 11+21) 5Gの高周波バンド (3.5~5 GHz) Low band Mid band 1 GHz 3 GHz 4 GHz 5 GHz Band 25 Tx フィルタ特性 T. Takai et al. (Murata Mfg.), IEEE IMS 2016 アップリンク :1850 MHz 1915 MHz ダウンリンク :1930 MHz 1995 MHz ガードバンド :15 MHz 極めて狭い /700 MHz 3.3~4.2 MHz 4.4~5.0 GHz Balazs Bertenyi (Nokia), Chairman of 3GPP RAN Band n77 3.3~4.2 GHz Band n78 3.3~3.8 GHz Band n79 4.4~5.0 GHz

17 SAW or BAW? Andreas Link, Phil Warder (TriQuint Semiconductor), Golden Age for Filter Design, IEEE Microwave Magazine, August 2015, pp Hetero Acoustic Layer SAW 0.5 GHz 1.5 GHz 2.5 GHz 17

18 HAL 構造を有する弾性表面波 (SAW) デバイス 薄板化した LN または LT(t < λ) SiO 2 等 LN または LT Si, 水晶, サファイア等 Si, 水晶, サファイア等 従来の SAW デバイス HAL(Hetero Acoustic Layer) 構造の SAW デバイス バルク波 (BAW) 表面波 (SAW) LSAW/LLSAW 音速 18 縦波速い横波遅い横波 縦型漏洩 SAW 漏洩 SAW レイリー波 基板にバルク波が放射される ( 損失 ) 高音速かつ高結合係数だが, 漏洩波なので損失が大きい HAL(Hetero Acoustic Layer) 構造で漏洩 SAW を閉じ込め

19 超薄板 LT を用いた高性能 SAW デバイス ( 村田製作所 ) T. Takai et al. (Murata Mfg.), IEEE IUS 2016 岩本英樹他 ( 村田製作所 ), 日本学術振興会第 150 委員会, 第 148 回研究会, λ I.H.P. SAW technology LiTaO 3 h λ(1 μm 程度以下 ) 弾性波の閉じ込め周波数温度係数 (TCF) の改善 HAL SAW device Standard SAW device (42ºY-LT) >80 db Bandwidth 19 Si 高熱伝導率 50ºYX-LT for reported device Incredibly high performance in both Q factor and TCF Bode Q ~ 4000 バンド幅 3~3.5% Band 25 デュプレクサの TCF +8 ppm/k at left edge 8 ppm/k at right edge

20 薄板 LT/ 水晶 HAL SAW デバイス ( 東北大学 ) M. Kadota, S. Tanaka, IEEE International Ultrasonics Symposium ºYX LiTaO 3 (1.1 μm) 40ºY90ºX quartz 水晶は LTより大きな音速正の周波数温度特性を示す ( カット角による ) 温度補正 HAL SAWデバイス Impedance [Ω] CCu/42 o YX-LT BW 4.2% Z ratio 51 db λ 3.78 µm 51 db Frequency [MHz] Cu/20 o YX-LT/40 o Y90 o Xquartz BW 5.0% Z ratio 82 db λ 7.76 µm 82 db Measured frequency characteristics of Cu-metalized HAL SAW resonator on 20ºYX LT/ 40ºY90ºX quartz (right) and 42ºYX LT reference SAW resonator (left)

21 RF フロントエンドモジュールの産業構造 RF フロントエンドモジュール ( フィルタ + スイッチ + アンプ ) は, 日米の企業によって寡占化されている SAWフィルタ村田製作所,Skyworks( フィルタ部門はもとパナソニック ),RF360( もとEpcos,TDKが買収した後,Qualcommが51% の株を保有 ), Qorvo(TriQuintとRFMDが合併 ), 太陽誘電 ( もと富士通 ) BAW フィルタ (FBAR,SMR) Broadcom( もと Avago),Qorvo, RF360, 太陽誘電,Skyworks 日本 米国 Photograph: Reuters ZTE ショック 中国国営企業である ZTE( 中兴通讯 ) は米国の RF フロントエンドモジュール等の輸入ができなくなり, 経営危機に陥った 中国で BAW/SAW フィーバー 21

22 中国での BAW/SAW フィーバー 22 SAW/BAW フィルタを用いる RF フロントエンドモジュールは日米メーカーが寡占化中国は産業上 安全保障上の危機感を持つ ROFS Microsystem( 诺思 ( 天津 ) 微系統 ) 四川省綿陽市は FBAR フィルタを製造する诺思 ( 天津 ) 微系統 (ROFS Microsystem) と戦略的協力協定を締結 綿陽市游仙区の工場に総額 128 億元 ( 約 2100 億円 ) を投資 将来的には, 年間生産量 100 億個以上, 年間生産額約 150 億元 ( 約 2500 億円 ), 雇用 3000 人を見込む この企業の創業者らは産業スパイで FBI に指名手配され, 1 名は米国で拘束中 San an Optoelectronics( 三安光電 ) LED 大手企業 LED, パワーアンプ,SAW/BAW フィルタなどの技術開発と福建省泉州市での工場建設に,7 年間で 333 億元の投資を発表 田中, 中国スマホのアキレス腱 BAW フィルターの先端技術, 日経 xtech, その他にも多くの中国企業が BAS/SAW フィルタに取り組んでいる

23 中国での MEMS の急進展 mems tohoku

24 フラッグシップ国際会議での論文数 採択数 採択数

25 中国の MEMS (2018) ~ 進む欧米からの技術導入 田中秀治, 欧米 MEMS 企業の牙城崩せ 中国勢が続々切り込む, 日経テクノロジーオンライン Hankin Electronics( 罕王集団は鉱業, 鉄鋼, 精密機械などを主たる事業とする企業グループ ) は,2016 年 9 月に Maxim Integrated( 米国 ) の MEMS 事業を買収 遼寧省瀋陽に中国初となる 8 インチの MEMS 工場を新設 QR コードから Hanking Electron. CTO インタビュー 蘇州の政府系半導体企業である蘇州固鍀電子 ( Suzhou Good-Ark Electronics ) は 2010 年に Miradia( 米国 ) を買収し,2011 年に MiraMEMS を設立 TSMC をファウンドリとして使って慣性センサ等を製造 25 上海の上海矽睿科技 (QST) は, 上海のファウンドリである華虹半導体 (Hua Hong Semiconductor) 傘下の上海華虹 NEC 電子の工場に集積化 MEMS プロセスをインストールし, 慣性センサーを製造

26 QST の集積化 MEMS K. Wang (QST), Int. Conf. Commercialization Transducers & MEMS 2017, 田中秀治, 欧米 MEMS 企業の牙城崩せ 中国勢が続々切り込む : 日経テクノロジーオンライン Dr. Kegang Huang(Vice President, QSTは InvenSense,Fairchild Semiconductorなどで MEMSエンジニアとして活躍 このプロセスは華虹半導体グループの上海 Hua Hong NEC Electronics の工場にインストール,MEMS 量産中 26

27 MiraMEMS (TSMC Above-CMOS MEMS) Monocrystalline Si (a few μm) Gap (a few μm) Figure from IMEC (Poly-SiGe was gaven up) CMOS wafer A monocrystalline Si layer is bonded with a polished CMOS wafer, and used for MEMS. BEOL Last CMOS metal 27 Miradia MiraMEMS (Suzhou Good-Ark Electronics: 蘇州固鍀電 )

28 中国の MEMS (2018) ~ 政府補助で進む工場建設 28 田中秀治, 対米貿易紛争で加速する 中国 MEMS 工場への投資大口径ライン建設地で感じた 開発製造の自国化への熱意, 日経 xtech 2018/11/08 田中秀治, 中国 MEMS の急先鋒 Hanking CTO が語る工場と雇用, 日経 xtech 2018/12/07 田中秀治, 中国で MEMS 量産拡大 建設中の巨大工場を探訪, 日経 xtech 2019/4/9 厦門市の新しい半導体工場団地に, 同市の支援でパワーデバイスや LED ドライバを得意とする士兰微电子 (Silan Microsystems) の MEMS 工場 (8 インチ以上 ) が建設中 河南省鄭州市 (Zhengzhou) は, 鄭州ハイテクゾーンに中国インテリジェントセンサーバレー (3~5 km 2 ) を建設すると発表 5 年後に 1000 億元の産業を目指す 耐威科技 (Beijing NAV Technology) 傘下の大手 MEMSファウンドリSilex( スウェーデン ) は, 北京に8インチのMEMS OEMラインを建設中

29 圧電 MEMS の実用化 (AlN 編 ) mems tohoku

30 MEMS 超音波レンジファインダー (UC Davis) R. J. Przybyla, D. A. Horsley, B. E. Boser, IEEE J. Solid-State Circuits, 50, 1 (2015) f 0 = 1.6 mm Q = 18 BW = f 0 /Q = 12 khz Low-power (5 μw), Chip-sized ultrasonic range finder for gesture recognition 2 elements for transmitter (Hemispherical wave front) and 7 elements for receiver Theoretical angular resolution is15º. Pulse should be shorter for better resolution in distance, but larger than 2/BW to keep intensity. 138 μs ~ 24 mm in this study Resonant acoustic tube (Higher sensitivity) アパーチャ 3.5λ

31 MEMS 超音波レンジファインダー (UC Davis) R. J. Przybyla, D. A. Horsley, B. E. Boser, IEEE J. Solid-State Circuits, 50, 1 (2015) db line 31 SNR and angular error vs. Distance (The target is a plate of mm 2 ) Range > 1 m

32 超音波レンジファインダー (TDK-Chirp) 3.5 mm 1.25 mm CH-101: 誤差 0.35 m,170 khz CH-201:50 khz,5 m レンジ Photographs: 日経 xtech HTC VIVE Focus Plus Chirp Technology(UC Davis の David Horsley 教授らのスタートアップ ) TDK が買収 (2018) 対話型インターフェースやスマートウォッチへの応用も 32 Photographs: Amazon.com, Google, Apple, Samsung

33 TFT ベースの超音波指紋センサ (Qualcomm) Vivo XPlay 7 Displace or aluminum case on it through matching layer Polymer (e.g. SU-8) Vivo XPlay 7 (2017) The ultrasonic fingerprint sensor under OLED was used. Die size: ten-odd mm several mm AlN Mo Glass 33 US A1 Thermo-decomposed polymer? (<100 nm)

34 Galaxy S10 の超音波指紋センサが突破された Z. Zhou, S. Yoshida, S. Tanaka, Transducers 2017 pmut using Epi-PZT Z. Liu, S. Yoshida, S. Tanaka, Transducers D-printed fake fingerprint I attempted to fool the new Samsung Galaxy S10's ultrasonic fingerprint scanner by using 3D printing. I succeeded. by darkshark (April 4, 2019) 2 mm deep

35 集積化 MEMS 超音波指紋センサ Prof. D. A. Horsley (UC Davis), Prof. B. E. Boser (UD Berkeley), TDK-InvenSense, Inc. FBI standard 500 dpi 以上の解像度真皮下の構造も画像化湿気や汚れに対する堅牢性 AlN 圧電薄膜 Pixel size μm pixels dpi 35 Prof. D. Horsley s Seminar, 27 April 2017, Tohoku Univ. (Slides are available at S. Tanaka Lab website)

36 GHz 超音波指紋センサ (Cornell 大学 ) Justin C. Kuo, Amit Lal (Cornell University, Intel), IEEE MEMS 2017, pp No diaphragm 36 Reflected pulse AlN vibrates in thickness mode at 1.3 GHz. Distance resolution is μm. High frequency ASIC is necessary.

37 圧電 MEMS の実用化 (PZT 編 ) mems tohoku

38 従来の PZT 圧電 MEMS Piezoelectric MEMS gyro (Panasonic) Piezoelectric MEMS gyro (SSS) Stacked stainless steal sheet Piezoelectric film Piezoelectric MEMS gyro (Sony) Inkjet printer head (Brother) Inkjet printer head (Panasonic Konica Minolta) 38 Inkjet printer head (Xaar)

39 PZT マイクロミラーデバイス ( スタンレー電気 ) Stanley, Toshiyoshi Lab. 応用物理学会 2014 春 17p-E9-7 Toshiyoshi Lab. website 39 Resonant axis: ±14 Non-resonant axis: ±8 at 60 V

40 レーザースペックル解消デバイス ( リコー IS 東北大学 ) Mr. Fujimura at Ricoh Industrial Solutions, Visiting Researcher of S. Tanaka Lab 40 in JSTnews, April 2019 ナノインプリントで作製されたサブ波長位相拡散板を, 薄膜 PZT アクチュエータで x-y 駆動

41 圧電 MEMS スピーカ (USound) USound( オーストリア ),FhG ISIT 圧電 MEMS スピーカ PZT 膜 mm 3 2~15 khz STMicroelectronics で製造 4.7 mm 6.7 mm Usound, MEMS Engineer Forum 2019 t = 1.6 mm USound 41 3D バーチャルヘッドフォンへの応用既存の小形ダイナミックスピーカの置き換えイヤホンや補聴器への搭載ノイズキャンセリングやスピーカアレイへの応用 ( 高い制御性と性能の均一性 )

42 圧電 MEMS スピーカ (FhG ISIT) F. Stoppel et al. (Fraunhofer ISIT), Transducers 2017, T3P.098, pp mm square 42 クローズドダイヤフラムではなく, 片持ち梁構造によって大きな変位を実現 隙間を 5 μm にすることで, 空気漏れの影響なし ウーハーアクチュエータが動くと, ツイーターフレームは上に持ち上げられ, メンブレン全体で低音域の音圧を発生できる それでいて, ツイーターアクチュエータは, ウーハーアクチュエーターとは独立に動くので, 高音域の音圧を発生できる

43 Piezoelectric MEMS Speaker (FhG ISIT) F. Stoppel et al. (Fraunhofer ISIT), Transducers 2017, T3P.098, pp FhG ISIT MEMS speaker (10 10 mm 2 ) Designed Commercial dynamic speaker (AAC DMSP0916S, mm 3 ) 43 The device is fabricated by standard PZT MEMS process. ウーハーとツイーターはそれぞれ共振特性を持つが, うまく組み合わせて, 効率のよい駆動と, それでいて比較的良好な周波数特性を実現 周波数特性はフラットではないが, 駆動信号の周波数特性を整形することで解決可能

44 オートフォーカス用可変焦点液体レンズ (Wavelens) Stephane Nicolas et al. (CEA Leti, Wavelens), IEEE MEMS 2015, pp 薄膜 PZT アクチュエータでマッチングオイルを押すと, エラストマー製のメンブレンが膨らむ PoLight( ノルウェー ) も同様のデバイスを開発中 PZT actuator Elastomer membrane (several μm) Silicon (back-ground to 100 μm) 接合 正確な量のマッチングオイルが自動でガラスウェハ上のプールにディスペンスされ, ガラスウェハと Si ウェハが接合される 44 Thick photoresist Optical oil Glass (polymer bonded)

45 オートフォーカス用可変焦点液体レンズ (PoLight) Mahmoud A. Frghaly et al. (University College of Southeast Norway, PoLight), Optical Express, 24, 25 (2016) Schematic structure of varifocal lens PZT thickness = 2 μm Glass thickness = 20 μm Diameter = 3 mm Aperture = 1.6~1.7 mm 45 Rectangular Circular Rectangular Circular Calculated performance (Focal length f and RMS wavefront error versus applied voltage) for optimum geometry of varifocal lens

46 PZT 薄膜の信頼性 Smoother surface is better in terms of breakdown. The doping of Nb and Mn improves breakdown voltage. The bottom electrode of conductive oxide (e.g. SRO) is necessary for better reliability. Pt works as a catalyst for hydrogen-induced degradation of PZT. Dry etching can damage PZT, resulting in lower breakdown voltage. PECVD also can damage PZT by hydrogenated compounds. Humidity is a major source of degradation. Operation in vacuum may result in oxygen defects. 46 Fuji Film Dimatix, PiezoMEMS 2013

47 PZT の成膜 加工装置 ( 量産用 ) 2 μm ULVAC SME-200E/J ULVAC NE-5700/7800 PZT RIE 断面 (ULVAC) 山本, 上村, 応用物理学会 2014 秋 アルバックは, 薄膜 PZT MEMS に関する研究室を, 中国 蘇州の MEMSRIGHT/Nano-polis と共同で蘇州工業団地に設置する ゾルゲル成膜装置 : コーターとランプアニール 47 SCREEN SK-80EX SCREEN LA-830

48 PZT MEMS に取り組む主な企業 企業名 PZT 成膜 状況 PZT MEMSの業態 パナソニック PVD 事業化 自社 MEMS( ジャイロ ) アルバック PVD 事業化 ツール製造 (PVD,RIE) ファウンドリ ローム ゾルゲル 事業化 ファウンドリ ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング ゾルゲル 事業化 自社 MEMS( ジャイロ ) ファウンドリで提供していない シリコンセンシングシステムズ PVD 事業化 自社 MEMS( ジャイロ ) ファウンドリ TDK,SAE Magnetics PVD 事業化 自社 MEMS(HDDヘッドアクチュエータ ) 富士フィルム PVD 事業化 自社 MEMS( インクジェット ) スタンレー電気 ADRIP 開発中 自社 MEMS( マイクロミラー ) リコー ゾルゲル 開発中 自社 MEMS( インクジェット, マイクロミラー ) STMicroelectronics ゾルゲル 事業化 ファウンドリ Robert Bosch PVD( アルバック ) 開発中 自社 MEMS ファウンドリも検討 TSMC ゾルゲル 開発中 ファウンドリ 48 公表済みの主な企業

49 HDD ヘッドアクチュエータ (TDK-SAE Magnetics) M. Nemoto (TDK-SAE Magnetics), 第 14 回圧電 MEMS 研究会 (2017) mm 2 t = 9 μm 19.4 nm/v 49 Wafer process Epi-PZT deposition on Si Patterning Release from wafer Assembly Epitaxial PZT film actuator - Small - Fast response - Low voltage - High reliability

50 エピタキシャル PZT 薄膜 ( 東北大学 ) PZT (Sputter) (a, b-axis length: nm, c-axis length: nm) SRO (PLD) (0.393 nm) PZT [001] 45 LSCO ( nm) (PLD) ( 2LSCO = nm) CeO 2 (PLD) ( nm) YSZ (PLD) ( nm) Si ( nm) SiO 2 SrRuO 3 LaSrCoO 3 CeO 2 YSZ Si substrate TEM image 10 nm e 31,f = -14 C/m 2, ε r33 = 200 ~ 300 [100] [010] 50 Epitaxial structure of PZT on Si S. Yoshida et al., Sensors Actuators A, 239 (2016) pp

51 圧電薄膜の比較 Application Actuator Active sensor (e.g. Gyroscope) Energy harvester Resonator (e.g. Acoustic wave filter) Passive sensor (e.g. Microphone) Figure of Merit (FOM) Piezoelectric constant d (Piezoelectric constant) 2 /(Dielectric constant) d 2 /ε Electromechanical coupling factor K 2 d 2 /ε (Electromechanical coupling factor) (Q factor) K 2 Q (Piezoelectric constant)/(dielectric constant) g = d/ε 51 Piezo film on Si Polycrystal PZT (MPB) Epitaxial PMN-PZT AlN Epitaxial PMnN-PZT 43%Sc-AlN e 31,f [C/m 2 ] ε 33r e 31,f /(ε 0 ε 33r ) [GV/m] (e 31,f ) 2 /(ε 0 ε 33r ) [GPa] Science 334 (2011) Our work Denso

52 圧電薄膜の比較 Transverse piezoelectric constant, e 31,f [C/m 2 ] e 31,f ε Relative dielectric constant, ε r33 Performance for gyroscope, (e 31, f ) 2 /ε 0 ε r33 [GPa] Performance for gyroscope, (e 31, f ) 2 /ε 0 ε r33 [GPa] FOM = (e 31,f) 2 ε 33 Conventional poly PZT 52 [1] [2] [3] [1] S. H. Baek B. Eom, Science 334, 958 (2011) [2] F. Calame, P. Muralt, Appl. Phys. Lett. 90, (2007) [3] N. Ledermann et al., Sens. Actuators A, 105, 162 (2003) [1] [2] [3]

53 エピ PZT を用いた pmut( 東北大学 ) Z. Zhou, S. Yoshida, S. Tanaka, Transducers 2017 Φ Φ 53 Φ

54 エピタキシャル PZT 薄膜 (KRYSTAL: 旧 YOUTEC) A venture company KRYSTAL in Japan is commercially providing an epi PZT film on a Si wafer. Some companies are using this film for R&D (pmut, microphone etc.). 54

55 エピ PZT を用いた pmut(uc Davis) G.-L. Luo, Y. Kusano, M. N. Roberto, David A. Horsley, IEEE MEMS 2019, pp μm radius, 2 μm thick PZT 40 khz for large range finding distance (~1 db/m attenuation in air at 40 khz) Epi PZT: e 31,f = 24.5 C/m 2, d 31 = 195 pc/n 55 Rang finding over a few meter distance is possible.

56 今年の話題 第 1 話 MEMS プラットフォーム ~SOI MEMS では勝負できない ~ 第 2 話成長する弾性波フィルタ 第 3 話中国での MEMS の急進展 第 4 話中国の MEMS は? 第 5 話圧電 MEMS の実用化 (AlN 編 ) 第 6 話圧電 MEMS の実用化 (PZT 編 ) 56

57 MEMS Trends Commentated by Prof. Shuji Tanaka at More than 50 articles are uploaded. Click xtech banner on the lab website.

58 マイクロデバイスの研究開発, お手伝いします 基礎研究から製品開発まで小片ウェハから6インチウェハまで企業単独での開発より短時間 低コストで成果が得られるように支援します 本学で試作したデバイスの商用利用も可能です MEMSに関するコンサルティングも行っています 企業からのオーダーに応じてプライベートセミナーを開催します 田中 ( 秀 ) 研究室が一貫してお世話 研究室クリーンルーム 小片ウェハ マイクロ ナノセンター (MNC) 4 インチウェハ マイクロシステム融合研究開発センター 6 インチウェハ 58

59 S. Tanaka Laboratory Department of Robotics & Microsystem Integration Center Tohoku University Professor Shuji Tanaka Sr Res. Fellow Michio Kadota Assoc. Prof. Takashiro Tsukamoto Assoc. Prof. Hideki Hirano Assoc. Prof. Masanori Muroyama Research menu in 2019 Sensor systems for human-friendly robots Frequency control devices (SAW and BAW devices) Advanced inertial sensors Ultrasonic and acoustic sensors Micromirror devices Microactuators Piezoelectric thin films (Epitaxial PZT on Si) Heterointegration and wafer-level packaging technology MEMS process tools (ALD, wafer bonder etc.) Assoc. Prof. Shinya Yoshida Assoc. Prof. Jörg Frömel mems tohoku Sr. Assist. Prof. Yukio Suzuki

60 mems tohoku

セグメント 資料1-3_田中秀治先生資料_委員配布用

セグメント 資料1-3_田中秀治先生資料_委員配布用 mems tohoku 1 MEMS センサ Smart Society 5.0 のための Enabling Technology 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学 In cooperation with MEMS センサの全体動向 広がる応用スマートフォン, スマートウォッチ, 対話型 AI インターフェース, テレビゲーム,VR,AR,5G, ワイヤレスイヤホン,ADAS,

More information

untitled

untitled ( ) ( ) 1 MEMS : MEMS ( +13% / ) 2 3 ISFET ph,co 2 (K.Shimada, M.Esashi, Med.& Biol.Eng.& Comp.,18 (1980) p.741) (M.Esashi T.Matsuo, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343) 4 5 (Y.Matsumoto, S.Shoji,

More information

untitled

untitled 213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション S. Tanaka Lab s Propriety mems tohoku 1 MEMS の新しい話題 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学 In cooperation with 本日の話題 MEMS センサのトレンド - 技術向上 ( 小形化 ) による低コスト化とアプリケーションの広がり動きの速い MEMS センサ業界 - モジュール化 システム化の進展ビジネス上の優位性を高める部品

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

More information

スマート社会のための MEMS センサー 田中秀治東北大学工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター 1 mems tohoku

スマート社会のための MEMS センサー 田中秀治東北大学工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター 1 mems tohoku スマート社会のための MEMS センサー 田中秀治東北大学工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター 1 mems tohoku スマートフォンのシェイクを検知する MEMS 加速度センサー Bosch Sensortec LINE 教育コミュニケーションときどき http://r-lab.seesaa.net/article/308412686.html スマートフォンの中の

More information

( )

( ) MEMS 4 : ( ) ( ) Pt ITO Si (2 m) Si (0.2 m) (T.Ono et.al., J.Micromech.Microeng.,10 (2000) 445-451) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator) (XY ) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator)

More information

1

1 5-3 Photonic Antennas and its Application to Radio-over-Fiber Wireless Communication Systems LI Keren, MATSUI Toshiaki, and IZUTSU Masayuki In this paper, we presented our recent works on development of

More information

燃焼圧センサ

燃焼圧センサ 49 Combustion Pressure Sensor Kouji Tsukada, Masaharu Takeuchi, Sanae Tokumitsu, Yoshiteru Ohmura, Kazuyoshi Kawaguchi π 1000N 150 225N 1 F.S Abstract A new combustion pressure sensor capable of measuring

More information

Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama

Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms

More information

10 IDM NEC

10 IDM NEC No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3

More information

音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16)

音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16) Guide for Electret Condenser Microphones A microphone as an audio-electric converting device, whose audio pickup section has a structure of a condenser consisting of a diaphragm and a back plate opposite

More information

Huawei G6-L22 QSG-V100R001_02

Huawei  G6-L22 QSG-V100R001_02 G6 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 2 3 17 4 5 18 UI 100% 8:08 19 100% 8:08 20 100% 8:08 21 100% 8:08 22 100% 8:08 ********** 23 100% 8:08 Happy birthday! 24 S S 25 100% 8:08 26 http://consumer.huawei.com/jp/

More information

Introduction to Microfabrication

Introduction to Microfabrication 2005 Introduction to Microfabrication 1 1.1 Microfabrication disciplines Microfabrication technologies IC industry and related industries MEMS, solar cells, flat-panel displays, optelectronics In-plane

More information

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 Encore SSIS 10 c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2 SSIS 24 SSISPR

More information

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application

More information

パナソニック技報

パナソニック技報 Panasonic Technical Journal Vol. 63 No. 1 May 2017 Development of Simultaneous-Capture Wide-dynamic-range Technology and Global Shutter Technology for Organic Photoconductive Film Image Sensor Masashi

More information

資料1-3

資料1-3 WPT (2017) ( ) *JST Center of Innovation ( 13- ) Last 5X * 16 8, 15 7, 14 6 METLAB 16 20, 15 18 WPT * IEEE MTTS Wireless Power Transfer Conference ( 11-, ) MTTS TC-26 (Wireless Energy Transfer and Conversion

More information

SEIKO EPSON CORPORATION

SEIKO EPSON CORPORATION 2004 Digital Image Innovation SEIKO EPSON CORPORATION SEIKO EPSON CORPORATION 1 2 SEIKO EPSON CORPORATION TFT 1 Print Image Matching SEIKO EPSON CORPORATION 3 4 SEIKO EPSON CORPORATION 15 10 10 9 9 18

More information

untitled

untitled Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

More information

"Moir6 Patterns on Video Pictures Taken by Solid State Image Sensors" by Okio Yoshida and Akito Iwamoto (Toshiba Research and Development Center, Tosh

Moir6 Patterns on Video Pictures Taken by Solid State Image Sensors by Okio Yoshida and Akito Iwamoto (Toshiba Research and Development Center, Tosh "Moir6 Patterns on Video Pictures Taken by Solid State Image Sensors" by Okio Yoshida and Akito Iwamoto (Toshiba Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki) Reproduced resolution chart

More information

技術調査レポート(セット版)0318

技術調査レポート(セット版)0318 1 MEMS MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) MEMS MEMS 1990 MEMS MEMS 2 MEMS MEMS MEMS mm ( ) MEMS MST 1mm 1m Ball Semiconductor Inc. IC [2] IC [2] Si 3 MEMS 2.1 MEMS DNA MEMS 80 MEMS ABS 2.0mm 15mm 4

More information

<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464>

<8B5A8F70985F95B632936EE7B22E696E6464> 47 Electrical Discharge Truing for Electroplated Diamond Tools Koji Watanabe Hisashi Minami Hatsumi Hiramatsu Kiyonori Masui (211 7 8 ) Electroplated diamond tools are widely used for grinding because

More information

スライド 1

スライド 1 Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

More information

<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D>

<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D> 小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

More information

Fig. 3 Flow diagram of image processing. Black rectangle in the photo indicates the processing area (128 x 32 pixels).

Fig. 3 Flow diagram of image processing. Black rectangle in the photo indicates the processing area (128 x 32 pixels). Fig. 1 The scheme of glottal area as a function of time Fig. 3 Flow diagram of image processing. Black rectangle in the photo indicates the processing area (128 x 32 pixels). Fig, 4 Parametric representation

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 様式 C-19 F-19-1 Z-19 CK-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景ワイヤレスブロードバンドシステムが世界的に普及拡大し, より高速 大容量で利便性の高い第 4 世代 (4G) 移動通信システムの早期導入が強く要請されている.LiNbO3(LN) や LiTaO3(LT) などの圧電結晶基板を用いた弾性表面波 (SAW) デバイス ( フィルタやデュプレクサなど ) は, 小型

More information

<4D F736F F D B B83578B6594BB2D834A836F815B82D082C88C60202E646F63>

<4D F736F F D B B83578B6594BB2D834A836F815B82D082C88C60202E646F63> マイクロメカトロニクス サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/077331 このサンプルページの内容は, 初版 1 刷発行当時のものです. 1984.10 1986.7 1995 60 1991 Piezoelectric Actuators and Ultrasonic Motors

More information

ELDC_OOFELIE_ pptx

ELDC_OOFELIE_ pptx 光学応用MEMSデバイスの最適化設計 MEMS 光学設計ソリューションセミナー 2014年11月6日 15 10 15 50 ベルギー王国大使館 もくじ OOFELIE::Multiphysicsによる 光学応用MEMSデバイスの最適化設計 (MEMS = Micro Electro Mechanical Systems) Optimized Design for Optical MEMS Devices

More information

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp) Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900

More information

0810_UIT250_soto

0810_UIT250_soto UIT UNIMETER SERIES 250 201 Accumulated UV Meter Digital UV Intensity Meter Research & Development CD Medical Biotech Sterilization Exposure Bonding Manufacturing Curing Production Electronic Components

More information

untitled

untitled ( ) (mm) (GHz)=300( ) 30 300GHz=1 10mm ( 2GHz2Mbps) Gbps= Mbps ( m),? S G=P/Pi30dB=1000 Gm=4πS/λ 2, S= 80λ 2 Gm=30dB η=g/gm, S= 80λ 2,G=27dB η=50% (GHz) 80 70 60 50 40 30 20 10 16 19 22 25 28 31 34 37

More information

LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp) Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed

More information

スライド 1

スライド 1 Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

More information

Microsoft PowerPoint - machida0206

Microsoft PowerPoint - machida0206 広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ

More information

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

More information

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di (15) 15 ELA により形成された poly-si 結晶成長様式 - グレイン形状と水素の関係 - Crystal Growth Mode of Poly-Si Prepared by ELA -Relationship between the Grain Morphology and ydrogens- Naoya KAWAMOTO (Dept. of Electrical and Electronic

More information

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

More information

untitled

untitled 1. 2. ( ) 3. ( ) 4. ( ) 5. ( ) 6. MEMS 20mm 400 (40 )100 A-A A 2. ( ) MEMS A (L.M.Roylance et.al., IEEE Trans. on Electron Devices, ED-26 (1979) p.1911) ( (In-Vivo Oximetry)) (J.M.Schmitt,F.G.Mihm and

More information

) ( ) ( 34,3 (1995))

) ( ) ( 34,3 (1995)) 4. MEMS 2 : MEMS ( ) DMD (Digital Micro mirror Device) FED (Field Emission Display) ( ) ( ) RF ( ) ( ) IC RF ( ) ) ( ) ( 34,3 (1995)) (M.Murata et.al.: IEICE Trans. Electron., E84-c (2001) p.1792) ( )

More information

, 18, Observation of bedforms in the downstream reach of Rumoi River by using a brief acoustic bathymetric system Ryosuke AKAHORI, Yasuyu

, 18, Observation of bedforms in the downstream reach of Rumoi River by using a brief acoustic bathymetric system Ryosuke AKAHORI, Yasuyu , 18, 2012 6 Observation of bedforms in the downstream reach of Rumoi River by using a brief acoustic bathymetric system 1 2 3 Ryosuke AKAHORI, Yasuyuki HIRAI, Mineo KONDO 1 Ph.D. ( 062 8602 1 3 ) 2 (

More information

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.

More information

untitled

untitled /Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

More information

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード] 薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

More information

パナソニック技報

パナソニック技報 Smaller, Lighter and Higher-output Lithium Ion Battery System for Series Hybrid Shinji Ota Jun Asakura Shingo Tode 24 ICECU Electronic Control Unit46 16 We have developed a lithium-ion battery system with

More information

スライド 1

スライド 1 CMOS : swk(at)ic.is.tohoku.ac.jp [ 2003] [Wong1999] 2 : CCD CMOS 3 : CCD Q Q V 4 : CMOS V C 5 6 CMOS light input photon shot noise α quantum efficiency dark current dark current shot noise dt time integration

More information

J. Jpn. Inst. Light Met. 65(6): 224-228 (2015)

J. Jpn. Inst. Light Met. 65(6): 224-228 (2015) 65 62015 224 228 ** Journal of The Japan Institute of Light Metals, Vol. 65, No. 6 (2015), 224 228 2015 The Japan Institute of Light Metals Investigation of heat flow behavior on die-casting core pin with

More information

Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano S Nano S Nano S Nano S Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L 130-

Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano S Nano S Nano S Nano S Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L 130- L i t r o n T o t a l L a s e r C a p a b i l i t y Nano Series Ultra Compact Pulsed Nd:YAG Lasers Product Range Specification Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano

More information

Microsoft PowerPoint - 1 立命館 杉山先生.ppt

Microsoft PowerPoint - 1 立命館 杉山先生.ppt MEMS 技術を用いた 流体式 3 軸ジャイロセンサ 立命館大学立命館グローバル イノベーション研究機構教授杉山進 1 立命館大学 ナノマシンシステム技術研究センター における MEMS 研究の取り組み MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) のコンセプトナノマシンシステム技術研究センター Research Institute for Nanomachine

More information

XFEL/SPring-8

XFEL/SPring-8 DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),

More information

日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品

日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品 Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant

More information

2 3 12 13 6 7

2 3 12 13 6 7 2 8 17 42ZH700046ZH700052ZH7000 28 43 54 63 74 89 2 3 12 13 6 7 3 4 11 21 34 63 65 8 17 4 11 4 55 12 12 10 77 56 12 43 43 13 30 43 43 43 43 10 45 14 25 9 23 74 23 19 24 43 8 26 8 9 9 4 8 30 42 82 18 43

More information

電力線重畳型機器認証技術

電力線重畳型機器認証技術 1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理

More information

) ( ) ( 34,3 (1995))

) ( ) ( 34,3 (1995)) 4. MEMS 2 : MEMS ( ) DMD (Digital Micro mirror Device) FED (Field Emission Display) ( ) ( ) RF ( ) ( ) IC RF ( ) ) ( ) ( 34,3 (1995)) (M.Murata et.al.: IEICE Trans. Electron., E84-c (2001) p.1792) ( )

More information

03_委託テーマ発表資料(その2)(p.89-p.134).pdf

03_委託テーマ発表資料(その2)(p.89-p.134).pdf 89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!

More information

単位、情報量、デジタルデータ、CPUと高速化 ~ICT用語集~

単位、情報量、デジタルデータ、CPUと高速化  ~ICT用語集~ CPU ICT mizutani@ic.daito.ac.jp 2014 SI: Systèm International d Unités SI SI 10 1 da 10 1 d 10 2 h 10 2 c 10 3 k 10 3 m 10 6 M 10 6 µ 10 9 G 10 9 n 10 12 T 10 12 p 10 15 P 10 15 f 10 18 E 10 18 a 10 21

More information

2 ( ) PVD (Physical Vapor Deposition)

2 ( ) PVD (Physical Vapor Deposition) 2 ( ) PVD (Physical Vapor Deposition) G.Lim et.al., Robotica, 14 (1996) pp.499-506 ( ) ( Ionics, 20, 9 (1994) p.147) MEMS CVD (Chemical Vapor Deposition) CVD MacDonald et.al. MEMS 90 CVD 160-220ºC 1,1,1,5,5,5,5-

More information

AnechoWeb_JA_01

AnechoWeb_JA_01 EMCRF EMC Contents Update : AUGUST 24 / 5 2 / 5 emcrf_ ja /254 Deviation (db) Deviation (db) Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Tx =m Tx =m 2 2 - - 2-2 Tx

More information

Key Words: probabilisic scenario earthquake, active fault data, Great Hanshin earthquake, low frequency-high impact earthquake motion, seismic hazard map 3) Cornell, C. A.: Engineering Seismic

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 ., SUS34 Inconel6, Cr,.,, Cr,. Cr Cr,., Cr,,,.,,,,.,.,,,.,,.,,., SUS34, Inconel6,. (). CoZrNb, -2 m.,., 9. Cu, 2 m. SUS34, Inconel6 SUS34, Inconel6, 5mm mmmm.,,,. (2) (HP8752A).,. - MHz, -2 dbm.,. (3)

More information

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

More information

AN15880A

AN15880A DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

More information

01.eps

01.eps 444 SumiTurn T-REX Tool Holders Cost reduction for copying with unique multiple cornered insert Carbide inserts, cermet inserts and 4 types of breakers are available. Expansion of our popular steel turning

More information

2

2 Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

More information

H8000操作編

H8000操作編 8 26 35 32H800037H800042H8000 49 55 60 72 2 3 4 48 7 72 32 28 7 8 9 5 7 9 22 43 20 8 8 8 8 73 8 13 7 7 7 55 10 49 49 13 37 49 49 49 49 49 49 12 50 11 76 8 24 26 24 24 6 1 2 3 18 42 72 72 20 26 32 80 34

More information

Layout 1

Layout 1 Industrial communication センサーのデータにアクセスする ifm の IO-Link Digital connection technology for sensors とは? 今日のセンサーはシンプルな ON/OFF のセンサーから 大量のデータを処理するマイクロプロセッサーを搭載した高性能なデバイスまで進化してきました センサー内のデータにアクセスする IO-Link は以下の特徴があるインターフェースです

More information

2

2 8 23 26A800032A8000 31 37 42 51 2 3 23 37 10 11 51 4 26 7 28 7 8 7 9 8 5 6 7 9 8 17 7 7 7 37 10 13 12 23 21 21 8 53 8 8 8 8 1 2 3 17 11 51 51 18 23 29 69 30 39 22 22 22 22 21 56 8 9 12 53 12 56 43 35 27

More information

2

2 8 22 19A800022A8000 30 37 42 49 2 3 22 37 10 11 49 4 24 27 7 49 7 8 7 9 8 5 6 7 9 8 16 7 7 7 37 10 11 20 22 20 20 8 51 8 8 9 17 1 2 3 16 11 49 49 17 22 28 48 29 33 21 21 21 21 20 8 10 9 28 9 53 37 36 25

More information

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

More information

1 Fig. 1 Extraction of motion,.,,, 4,,, 3., 1, 2. 2.,. CHLAC,. 2.1,. (256 ).,., CHLAC. CHLAC, HLAC. 2.3 (HLAC ) r,.,. HLAC. N. 2 HLAC Fig. 2

1 Fig. 1 Extraction of motion,.,,, 4,,, 3., 1, 2. 2.,. CHLAC,. 2.1,. (256 ).,., CHLAC. CHLAC, HLAC. 2.3 (HLAC ) r,.,. HLAC. N. 2 HLAC Fig. 2 CHLAC 1 2 3 3,. (CHLAC), 1).,.,, CHLAC,.,. Suspicious Behavior Detection based on CHLAC Method Hideaki Imanishi, 1 Toyohiro Hayashi, 2 Shuichi Enokida 3 and Toshiaki Ejima 3 We have proposed a method for

More information

6 4 45 7ZS 5 59 7 8 94 05 4 5 6 4 5 5 6 8 8 40 45 48 56 60 64 66 66 68 7 78 80 8 7 8 0 0 0 90 0 57 64 69 66 66 69 0 4 4 4 4 4 0 7 48 5 4 4 5 4 4 4 7 46 46 6 46 8 46 48 46 46 4 46 46 4 4 5 4 6 4 9 9 0

More information

6 4 4 9RERE6RE 5 5 6 7 8 9 4 5 6 4 4 5 6 8 4 46 5 7 54 58 60 6 69 7 8 0 9 9 79 0 4 0 0 4 4 60 6 9 4 6 46 5 4 4 5 4 4 7 44 44 6 44 8 44 46 44 44 4 44 0 4 4 5 4 8 6 0 4 0 4 4 5 45 4 5 50 4 58 60 57 54

More information

Z7000操作編_本文.indb

Z7000操作編_本文.indb 2 8 17 37Z700042Z7000 46Z7000 28 42 52 61 72 87 2 3 12 13 6 7 3 4 11 21 34 61 8 17 4 11 4 53 12 12 10 75 18 12 42 42 13 30 42 42 42 42 10 62 66 44 55 14 25 9 62 65 23 72 23 19 24 42 8 26 8 9 9 4 11 18

More information

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite ** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite Thin Films by Dip-Coating Method and Magnetic Properties

More information

. ) ) ) 4) ON DC 6 µm DC [4]. 8 NaPiOn 4

. ) ) ) 4) ON DC 6 µm DC [4]. 8 NaPiOn 4 6- - E-mail: tam@ishss.doshisha.ac.jp, {skaneda,hhaga}@mail.doshisha.ac.jp ON, OFF.5[m].5[m].8[m] 9 8% Human Location/Height Detection using Analog type Pyroelectric Sensors Shinya OKUDA, Shigeo KANEDA,

More information

圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて

圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて 圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type

More information

On the Wireless Beam of Short Electric Waves. (VII) (A New Electric Wave Projector.) By S. UDA, Member (Tohoku Imperial University.) Abstract. A new e

On the Wireless Beam of Short Electric Waves. (VII) (A New Electric Wave Projector.) By S. UDA, Member (Tohoku Imperial University.) Abstract. A new e On the Wireless Beam of Short Electric Waves. (VII) (A New Electric Wave Projector.) By S. UDA, Member (Tohoku Imperial University.) Abstract. A new electric wave projector is proposed in this paper. The

More information

<95DB8C9288E397C389C88A E696E6462>

<95DB8C9288E397C389C88A E696E6462> 2011 Vol.60 No.2 p.138 147 Performance of the Japanese long-term care benefit: An International comparison based on OECD health data Mie MORIKAWA[1] Takako TSUTSUI[2] [1]National Institute of Public Health,

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation / 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

More information

75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)

75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4) 3 * 35 (3), 7 Analysis of Local Magnetic Properties and Acoustic Noise in Three-Phase Stacked Transformer Core Model Masayoshi Ishida Kenichi Sadahiro Seiji Okabe 3.7 T 5 Hz..4 3 Synopsis: Methods of local

More information

5b_08.dvi

5b_08.dvi , Circularly Polarized Patch Antennas Combining Different Shaped Linealy Polarized Elements Takanori NORO,, Yasuhiro KAZAMA, Masaharu TAKAHASHI, and Koichi ITO 1. GPS LAN 10% [1] Graduate School of Science

More information

IEC :2014 (ed. 4) の概要 (ed. 2)

IEC :2014 (ed. 4) の概要 (ed. 2) IEC 60601-1-2:2014 (ed. 4) (ed. 2) e 2018 4 2 1 1 2 / 1 2.1............... 2 2.2............... 3 2.3.................. 4 3 6 4 6 4.1.................. 6 4.1.1............... 7 4.1.2....... 7 4.1.3............

More information

PALL NEWS vol.126 November 2017

PALL NEWS vol.126 November 2017 PALL NEWS November 2017 Vol.126 PALL NEWS vol.126 November 2017 NEW =2000 9660 41.4 MPa 24 MPa NFPA T2.06.01 R2-2001 CAT C/90/* (1x10 6 0-28 MPa 1x10 6 29 120 C 60 C 450 Pa 340 Pa 1 MPa JIS B 8356-3/ISO

More information

ICS-01B-◇◇◇

ICS-01B-◇◇◇ ICS-02B-812 255 ... 4 Abstract... 4 1... 5 1.1... 5 1.2... 6 1.3... 7 2... 8 2.1... 8 2.2... 10 2.3...11 2.4... 13 2.5 2... 14 3... 16 3.1... 16 3.2... 17 4 2... 20 4.1... 20 4.2... 24 4.3... 27 4.4...

More information

6 4 45 ZS7ZS4ZS 5 59 7 8 94 05 4 5 6 4 5 5 6 8 8 40 45 48 56 60 64 66 66 68 7 78 80 8 7 8 0 0 0 90 0 0 4 4 4 4 6 57 64 69 66 66 66 69 4 0 7 48 5 4 4 5 4 4 4 7 46 46 6 46 8 46 48 46 46 4 46 46 4 4 5 4

More information

Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,

More information

LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC

LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516

More information

技術創造の社会的条件

技術創造の社会的条件 1999 10 21 21 i ... 1 1... 3 1-1. 20...3 1900 1945 3 1945 198x 4 198x 1999 5 1-2....7 1945 198x 7 HEMT 8 198x 1999 9 9 1-3....11 11 12 13 18 2 New Institutions... 21 2-1....21 22 24 26 2-2....27 28 29

More information

Fundamental Study on the SOX Gas Sensor Utilizing Beta-Alumina with Sputtered Praseodymium Oxide Thin Films by Shinya YAO1*, Kenji MIYAGAWA1, Shigeru

Fundamental Study on the SOX Gas Sensor Utilizing Beta-Alumina with Sputtered Praseodymium Oxide Thin Films by Shinya YAO1*, Kenji MIYAGAWA1, Shigeru Fundamental Study on the SOX Gas Sensor Utilizing Beta-Alumina with Sputtered Praseodymium Oxide Thin Films by Shinya YAO1*, Kenji MIYAGAWA1, Shigeru IIJIMA2 and Zensaku KOZUKA1 1. Faculty of Engineering,

More information

修士論文

修士論文 SAW 14 2 M3622 i 1 1 1-1 1 1-2 2 1-3 2 2 3 2-1 3 2-2 5 2-3 7 2-3-1 7 2-3-2 2-3-3 SAW 12 3 13 3-1 13 3-2 14 4 SAW 19 4-1 19 4-2 21 4-2-1 21 4-2-2 22 4-3 24 4-4 35 5 SAW 36 5-1 Wedge 36 5-1-1 SAW 36 5-1-2

More information

Developement of Plastic Collocation Method Extension of Plastic Node Method by Yukio Ueda, Member Masahiko Fujikubo, Member Masahiro Miura, Member Sum

Developement of Plastic Collocation Method Extension of Plastic Node Method by Yukio Ueda, Member Masahiko Fujikubo, Member Masahiro Miura, Member Sum Developement of Plastic Collocation Method Extension of Plastic Node Method by Yukio Ueda, Member Masahiko Fujikubo, Member Masahiro Miura, Member Summary Previously, the authors developed the plastic

More information

Table 1. Assumed performance of a water electrol ysis plant. Fig. 1. Structure of a proposed power generation system utilizing waste heat from factori

Table 1. Assumed performance of a water electrol ysis plant. Fig. 1. Structure of a proposed power generation system utilizing waste heat from factori Proposal and Characteristics Evaluation of a Power Generation System Utilizing Waste Heat from Factories for Load Leveling Pyong Sik Pak, Member, Takashi Arima, Non-member (Osaka University) In this paper,

More information

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 1 はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト

More information

スライド 1

スライド 1 High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

More information

メンテナンスフリーのセンサーを実現するエネルギー・ハーベスティング技術

メンテナンスフリーのセンサーを実現するエネルギー・ハーベスティング技術 Maintenance-Free Sensor Made with Energy Harvesting Technology 田 中 努 鈴 木 貴 志 栗 原 和 明 あらまし M2MMachine to Machine 1 CO 2 M2M 2 Abstract Energy Harvesting Technology obtains electric power from the ambient

More information

MKT-TAISEI Co.,Ltd.

MKT-TAISEI Co.,Ltd. MKT-TAISEI Co.,Ltd. CONTENTS はやぶさ と共に燃え尽きた アンテナ アンテナ 2.45GHz 4 パッチアンテナ UHF 帯アンテナ 2.4GHz フラットアンテナ 22.5GHz/24GHz/26.5GHz マイクロストリップアレーアンテナ 3 4 5 antenna_contents-04 アンテナ ANTENNA 製品例 2.45GHz 4 Patch Antenna

More information

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx 超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

More information