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目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ

オルソポジトロニウムの寿命測定による QED の実験的検証 課題演習 A2 2016 年後期 大田力也鯉渕駿龍澤誠之 羽田野真友喜松尾一輝三野裕哉 目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ 第 1 章イントロダクション 実験の目的 4 ポジトロニウム ( 後述 ) の崩壊を観測 オルソポジトロニウム ( スピン 1 状態 ) の寿命を測定

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある 2.6 トランジスタの等価回路 2.6.1 トランジスタの直流等価回路 V I I D 1 D 2 α 0

NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L

19 P6 γ 2 3 27 NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter LaBr 3 (Ce) PMT 662keV 2.9% CsI(Tl) 7.1%

スライド 1

2008 年度 P6 発表会 新型半導体検出器 MPPCによる放射線測定 2009 年 3 月 11 日福間 今野班 目次 福間 今野 実験の目的 MPPCとシンチレータ 原理と解説 測定での困難 測定結果と考察 まとめと課題 実験の目的 MPPC(Multi Pixel Photon Counter) 最近になって開発された新しい光検出器優れたフォトンカウンティング能力低電圧で動作コンパクト LaBr3

Microsoft Word - N-TM307取扱説明書.doc

Page 1 of 12 2CHGATEANDDELAYGENERATORTYPE2 N-TM307 取扱説明書 初版発行 2015 年 10 月 05 日 最新改定 2015 年 10 月 05 日 バージョン 1.00 株式会社 テクノランドコーポレーション 190-1212 東京都西多摩郡瑞穂町殿ヶ谷 902-1 電話 :042-557-7760 FAX:042-557-7727 E-mail:info@tcnland.co.jp

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC BS1 m1 PMT m2 BS2 PMT1 PMT ADC PMT2 α PMT α α = n ω n n Pn TMath::Poisson(x,[0]) 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 λ 1.5 ω n 2 = ( α 2 ) n n! e α 2 α 2 = λ = λn n! e λ Poisson Pn 0.1

untitled

MPPC 18 2 16 MPPC(Multi Pixel Photon Counter), MPPC T2K MPPC T2K (HPK) CPTA, MPPC T2K p,π T2K > 5 10 5 < 1MHz > 15% 200p.e. MIP 5p.e. p/π MPPC HPK MPPC 2 1 MPPC 5 1.1...................................

SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT

3 SPECT SJ SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT 9ch MPPC array 3 3 9 3 3 9.mm(sigma) . SPECT..................................................................3............

25 3 4

25 3 4 1 µ e + ν e +ν µ µ + e + +ν e + ν µ e e + TAC START STOP START veto START (2.04 ± 0.18)µs 1/2 STOP (2.09 ± 0.11)µs 1/8 G F /( c) 3 (1.21±0.09) 5 /GeV 2 (1.19±0.05) 5 /GeV 2 Weinberg θ W sin θ W

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

<4D F736F F D2091AA92E895FB964082C982C282A282C45F >

相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

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3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周

トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

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第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.

CsI(Tl) 2005/03/

CsI(Tl) 2005/03/30 1 2 2 2 3 3 3.1............................................ 3 3.2................................... 4 3.3............................................ 5 4 6 4.1..............................................

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

VUV MPPC study

VUV MPPC の性能評価 2014/12/5 B02 班主催第 2 回若手研究者ミニ研究会 @ 名古屋大学 早大寄田研 ANKOK 実験 M2 鷲見貴生 暗黒物質 (WIMP) とその直接探索 暗黒物質存在の示唆 宇宙論的観測 ( 宇宙背景輻射 大規模構造 etc.) 天文学的観測 ( 銀河の回転曲線 重力レンズ etc.) 標準模型を超える理論 (SUSY, 超弦理論 etc.) 暗黒物質の存在はほとんど揺るぎない事実

データ収集用 NIM/CAMAC モジュールマニュアル 2006/5/23 目次 クレート コントローラ CC/ NIM ADC 1821 (Seiko EG&G)...3 ADC インターフェイス U デッドタイム

データ収集用 NIM/CAMAC モジュールマニュアル 2006/5/23 hiromi@tac.tsukuba.ac.jp 目次 クレート コントローラ CC/7700...2 NIM ADC 1821 (Seiko EG&G)...3 ADC インターフェイス U9201...4 デッドタイム カウンター NK-1000...5 AD811 8ch ADC (Ortec)...6 C011 4ch

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

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実験 No 電気回路の応答 交流回路とインピーダンスの計測 平成 26 年 4 月 担当教員 : 三宅 T A : 許斐 (M2) 齋藤 (M) 目的 2 世紀の社会において 電気エネルギーの占める割合は増加の一途をたどっている このような電気エネルギーを制御して使いこなすには その基礎となる電気回路をまず理解する必要がある 本実験の目的は 電気回路の基礎特性について 実験 計測を通じて理解を深めることである

レベルシフト回路の作成

レベルシフト回路の解析 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 96305033 黒岩伸幸 指導教官小林春夫助教授 1 ー発表内容ー 1. 研究の目的 2. レベルシフト回路の原理 3. レベルシフト回路の動作条件 4. レベルシフト回路のダイナミクスの解析 5. まとめ 2 1. 研究の目的 3 研究の目的 信号レベルを変換するレベルシフト回路の設計法を確立する このために 次の事を行う

カイ二乗フィット検定、パラメータの誤差

統計的データ解析 008 008.. 林田清 ( 大阪大学大学院理学研究科 ) 問題 C (, ) ( x xˆ) ( y yˆ) σ x πσ σ y y Pabx (, ;,,, ) ˆ y σx σ y = dx exp exp πσx ただし xy ˆ ˆ はyˆ = axˆ+ bであらわされる直線モデル上の点 ( ˆ) ( ˆ ) ( ) x x y ax b y ax b Pabx (,

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

<8AEE B43979D985F F196DA C8E323893FA>

基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )

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パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第 4 回 サイリスタ変換器 ( 相ブリッジ ) 自励式変換器 平成 年 7 月 7 日月曜日 限目 位相制御単相全波整流回路 転流重なり角 これまでの解析は交流電源の内部インピーダンスを無視 考慮したらどうなるか? 電源インピーダンスを含まない回路図 点弧時に交流電流は瞬時に反転» 概念図 電源インピーダンスを含んだ回路図 点弧時に交流電流は瞬時に反転できない»

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. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h

アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用

アナログ回路 I 参考資料 2014.04.27 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用いて再現することである 従って LTspice の使用方法などの詳細は 各自で調査する必要があります

研修コーナー

l l l l l l l l l l l α α β l µ l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l

パーキンソン病治療ガイドライン2002

soturon.dvi

Stopped Muon 94S2003J 11 3 10 1 2 2 3 2.1 Muon : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 3 2.2 : : : : : : : : 4 2.3 : : : : : : : : : : : : : 6 3 7 3.1 : : : : : : : : : : : : : : : :

Microsoft Word - ライントレーサー2018.docx

トランジスタとライントレースカー 作成 阪府 学太 正哉改変奈良教育 学薮哲郎最終修正 時 206.5.2 的 ライントレースカーを製作することにより 回路図の読み 各種回路素 の理解 電 作の技術を習得します 2 解説 2. トランジスタ トランジスタはさまざまな電気 電 機器の回路に搭載される最も重要な電 部品のひ とつです トランジスタは電流を増幅する機能を持っています 飽和領域で いると 電

データ解析

データ解析 ( 前期 ) 最小二乗法 向井厚志 005 年度テキスト 0 データ解析 - 最小二乗法 - 目次 第 回 Σ の計算 第 回ヒストグラム 第 3 回平均と標準偏差 6 第 回誤差の伝播 8 第 5 回正規分布 0 第 6 回最尤性原理 第 7 回正規分布の 分布の幅 第 8 回最小二乗法 6 第 9 回最小二乗法の練習 8 第 0 回最小二乗法の推定誤差 0 第 回推定誤差の計算 第

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

例 e 指数関数的に減衰する信号を h( a < + a a すると, それらのラプラス変換は, H ( ) { e } e インパルス応答が h( a < ( ただし a >, U( ) { } となるシステムにステップ信号 ( y( のラプラス変換 Y () は, Y ( ) H ( ) X (

第 週ラプラス変換 教科書 p.34~ 目標ラプラス変換の定義と意味を理解する フーリエ変換や Z 変換と並ぶ 信号解析やシステム設計における重要なツール ラプラス変換は波動現象や電気回路など様々な分野で 微分方程式を解くために利用されてきた ラプラス変換を用いることで微分方程式は代数方程式に変換される また 工学上使われる主要な関数のラプラス変換は簡単な形の関数で表されるので これを ラプラス変換表

高校卒程度技術 ( 電気 ) 専門試験問題 問 1 次の各問いに答えなさい なお 解答欄に計算式を記入し解答すること 円周率 π は 3.14 で計算すること (1)40[Ω] の抵抗に 5[A] の電流を流した時の電圧 [V] を求めなさい (2) 下の回路図においてa-b 間の合成抵抗 [Ω]

高校卒程度技術 ( 電気 ) 専門試験問題 問 1 次の各問いに答えなさい なお 解答欄に計算式を記入し解答すること 円周率 π は 3.14 で計算すること (1)40[Ω] の抵抗に 5[A] の電流を流した時の電圧 [V] を求めなさい (2) 下の回路図においてa-b 間の合成抵抗 [Ω] を求めなさい 40[Ω] 26[Ω] a b 60[Ω] (3) ある電線の直径を 3 倍にし 長さを

RLC 共振回路 概要 RLC 回路は, ラジオや通信工学, 発信器などに広く使われる. この回路の目的は, 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである. 使い方には, 周波数を設定し外へ発する, 外部からの周波数に合わせて同調する, がある. このように, 周波数を扱うことから, 交流を考える

共振回路 概要 回路は ラジオや通信工学 などに広く使われる この回路の目的は 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである 使い方には 周波数を設定し外へ発する 外部からの周波数に合わせて同調する がある このように 周波数を扱うことから 交流を考える 特に ( キャパシタ ) と ( インダクタ ) のそれぞれが 周波数によってインピーダンス *) が変わることが回路解釈の鍵になることに注目する

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge

22 2 24 W 1983 W ± Z 0 3 10 cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC 65000 18 ADC [ (µs)] = 0.0207[] 0.0151 (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ 2 2 1 20 µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (GeV) 2 G µ ( hc) 3 1 1 7 1.1.............................

If(A) Vx(V) 1 最小 2 乗法で実験式のパラメータが導出できる測定で得られたデータをよく近似する式を実験式という. その利点は (M1) 多量のデータの特徴を一つの式で簡潔に表現できること. また (M2) y = f ( x ) の関係から, 任意の x のときの y が求まるので,

If(A) Vx(V) 1 最小 乗法で実験式のパラメータが導出できる測定で得られたデータをよく近似する式を実験式という. その利点は (M1) 多量のデータの特徴を一つの式で簡潔に表現できること. また (M) y = f ( x ) の関係から, 任意の x のときの y が求まるので, 未測定点の予測ができること. また (M3) 現象が比較的単純であれば, 現象を支配 する原理の式が分かることである.

CdTe γ 02cb059e :

CdTe γ 02cb059e : 2006 5 2 i 1 1 1.1............................................ 1 1.2............................................. 2 1.3............................................. 2 2 3 2.1....................................

Thick-GEM 06S2026A 22 3

Thick-GEM 06S2026A 22 3 (MWPC-Multi Wire Proportional Chamber) MPGD(Micro Pattern Gas Detector) MPGD MPGD MPGD MPGD GEM(Gas Electron Multiplier) GEM GEM GEM Thick-GEM GEM Thick-GEM 10 4 Thick-GEM 1 Introduction

ES_Exp_32_Photovo_Cells_LQ_日本語

太陽電池 LabQuest 32 太陽によって生産されるエネルギーは太陽エネルギーと呼ばれる. 太陽全体で起こっている核融合反応によって生産されている. このエネルギーは光の形式で地球に届く. 光電池あるいは太陽電池は, 光エネルギーを電卓や自動車, 人工衛星などで使われる電気エネルギーに変換する. 光電池は普通, シリコンなどの半導体物質から作られる. 電池に光が入ると, 電子を動かし電池に電流を発生させる.

Microsoft PowerPoint - H22パワエレ第3回.ppt

パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第三回サイリスタ位相制御回路逆変換動作 平成 年 月 日月曜日 限目 誘導負荷 位相制御単相全波整流回路 導通期間 ( 点弧角, 消弧角 β) ~β( 正の半波について ) ~ β( 負の半波について ) β> となる時に連続導通となる» この時, 正の半波の導通期間は~» ダイオードでは常に連続導通 連続導通と不連続導通の境界を求める オン状態の微分方程式

2. λ/2 73Ω 36Ω 2 LF λ/4 36kHz λ/4 36kHz 2, 200/4 = 550m ( ) 0 30m λ = 2, 200m /200 /00 λ/ dB 3. λ/4 ( ) (a) C 0 l [cm] r [cm] 2 l 0 C 0 = [F] (2

JARL 36kHz 20.7.3 JA5FP/.... 36kHz ( ) = () + + 0m 00mΩ 0 00Ω 3 36kHz 36kHz 短小モノポールモノポールの設置環境 垂直なキャパシタンス 孤立キャパシタンス アンテナエレメント 短小モノポールモノポールの等価回路 浮遊容量 H 浮遊容量 電力線 L 接地抵抗 放射抵抗 対地容量 損失抵抗 損失抵抗 立木 水平なキャパシタンス 大地深部

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

Datenblatt

寸法 35 55 9 Teach H.Res Norm H.Spd Off.D T.Off On.D LO DO 型番 光ファイーバーアンプ 特長 接続方法 簡単操作 表示と設定ボタンでパラメータ設定可能 ブリッジ通信でもっと簡単な配線構成が可能 ASC ( 自動信号制御 ) 透明体検出可能 マスタモジュール 3 μs ハイスピードモード +UB 13VDC V Q Release dae: 29-1-22

GEMを使った 中性子画像検出器の開発

GEM を用いた検出器の開発 千葉研究室修士 2 年 杉山史憲 発表の流れ 研究目的 GEMを用いた中性子画像検出器の原理 基本特性 ビームテスト 今後の実験 研究目的 1. 中性子検出の必要性 2. 中性子捕獲 3. 現在の中性子検出器 中性子検出の必要性 中性子の特徴 - スピンが 1/2 - 電荷がゼロ X 線で見た構造 中性子で見た構造 構造解析 窒素 炭素 酸素 水素たんぱく質 ( ミオグロビン

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています

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2017 年度 v1 1 機械工学実験実習 オペアンプの基礎と応用 オペアンプは, 世の中の様々な装置の信号処理に利用されています本実験は, 回路構築 信号計測を通し, オペアンプの理解をめざします オペアンプの回路 ( 音楽との関連 ) 入力信号 機能 - 振幅の増幅 / 低減 ( 音量調整 ) - 特定周波数の抽出 ( 音質の改善 ) - 信号の合成 ( 音の合成 ) - 信号の強化 ( マイクに入力される微弱な音信号の強化

AK XK109 答案用紙記入上の注意 : 答案用紙のマーク欄には 正答と判断したものを一つだけマークすること 第一級総合無線通信士第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 試験問題 25 問 2 時間 30 分 A 1 図に示すように 電界の強さ E V/m が一様な電界中を電荷 Q C が電界の方向

K XK9 答案用紙記入上の注意 : 答案用紙のマーク欄には 正答と判断したものを一つだけマークすること 第一級総合無線通信士第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 試験問題 25 問 2 時間 3 分 図に示すように 電界の強さ /m が一様な電界中を電荷 Q が電界の方向に対して θ rd の角度を保って点 から点 まで m 移動した このときの電荷の仕事量 W の大きさを表す式として 正しいものを下の番号から選べ

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................

τ－→K－π－π＋ν τ崩壊における CP対称性の破れの探索

τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れの探索 奈良女子大学大学院人間文化研究科 物理科学専攻高エネルギー物理学研究室 近藤麻由 1 目次 はじめに - τ 粒子の概要 - τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れ 実験装置 事象選別 τ - K - π - π + ν τ 崩壊の不変質量分布 CP 非対称度の解析 - モンテカルロシミュレーションによるテスト

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2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

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8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=

電子回路基礎

前回はダイオードをやりましたが 今回はトランジスタ素子について学びます まず 古典的なバイポーラトランジスタを紹介します バイポーラトランジスタ または BJT は 以前はアナログ ディジタルの両方に用いられましたが 最近はほとんどアナログ回路専門で 実際はアナログ回路でも使われなくなっています しかも 電流増幅素子なんで理解が難しいし 回路構成法も難しいです しかし 最も早く発明されたのでその動作原理を知らないとバカにされてしまいますし

放射線検出モジュール C12137 シリーズ 高精度で小型の高感度放射線検出モジュール C12137シリーズは シンチレータとMPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を内蔵した 137 Cs ( セシウム137) などからのγ 線検出を目的とするモジュールです 入射したγ

高精度で小型の高感度 C7シリーズは シンチレータとMPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を内蔵した 7 Cs ( セシウム7) などからのγ 線検出を目的とするモジュールです 入射したγ 線をシンチレータにて可視光に変換し MPPCで極微弱な光まで検出して 低エネルギー γ 線を高精度に計測することが可能です 信号処理回路やA/D 変換回路をコンパクトな筐体に収めており

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物理計測法特論 No.1 第 1 章 : 信号と雑音 本講義の主題 雑音の性質を理解することで 信号と雑音の大きさが非常に近い状態での信号の測定技術 : 微小信号計測 について学ぶ 講義の Web http://www.g-munu.t.u-tokyo.ac.jp/mio/note/sig_mes/tokuron.html 物理学の基本は実験事実の積み重ねである そして それは何かを測定することから始まる

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年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

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CALET プロトタイプの ビーム実験結果と シミュレーションの比較 早大理工研, 神奈川大工 A, 横浜国大工 B, 苅部樹彦, 鳥居祥二, 笠原克昌, 小澤俊介, 清水雄輝, 赤池陽水, 相場俊英, 植山良貴, 奥野祥二 A, 田村忠久 A, 片寄祐作 B 目次 研究目的 実験概要 データ解析方法 解析の流れ 検出器の座標較正, シャワートリガーと混入粒子除去条件 陽電子に関する実験結果とシミュレーションとの比較

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4 演算増幅器と応用 目的演算増幅器 (Operatinal Amplifier 日本ではオペアンプと俗称されることがある ) は, 入力インピーダンスと増幅率が極めて大きいという優れた特性をもつアナログ型の増幅器で, 種々の機能をもつ電子回路を実現するのに用いられる応用範囲の広い要素である. 演算増幅器は, トランジスタ, ダイオード, 抵抗, コンデンサなどを複雑に組み合わせて構成されるが, 現在では,

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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

統計的データ解析

統計的データ解析 011 011.11.9 林田清 ( 大阪大学大学院理学研究科 ) 連続確率分布の平均値 分散 比較のため P(c ) c 分布 自由度 の ( カイ c 平均値 0, 標準偏差 1の正規分布 に従う変数 xの自乗和 c x =1 が従う分布を自由度 の分布と呼ぶ 一般に自由度の分布は f /1 c / / ( c ) {( c ) e }/ ( / ) 期待値 二乗 ) 分布 c

Xamﾃｽﾄ作成用ﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ

電場と電位 00 年度本試験物理 IB 第 5 問 A A 図 のように,x 軸上の原点に電気量 Q の正の点電荷を, また, x d Q の位置に電気量の正の点電荷を固定した 問 図 の x 軸を含む平面内の等電位線はどのようになるか 最も適当なものを, 次の~のうちから一つ選べ ただし, 図中の左の黒丸 Q は電気量 Q の点電荷の位置を示し, 右の黒丸は電気量の点電荷の 位置を示す 電場と電位

目次 概要... 1 目次 電気的特性 静的特性 動的特性 静電容量特性 実効容量 ( エネルギー換算 ) スイッチング特性 dv/dt 耐量...

パワー MOSFET 電気的特性 概要 本資料はパワー MOSFET の電気的特性について述べたものです 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. 電気的特性... 3 1.1. 静的特性... 3 1.2. 動的特性... 3 1.2.1. 静電容量特性... 3 1.2.2. 実効容量 ( エネルギー換算 )... 4 1.2.3. スイッチング特性... 5 1.2.4. dv/dt 耐量...

DVIOUT

第 章 離散フーリエ変換 離散フーリエ変換 これまで 私たちは連続関数に対するフーリエ変換およびフーリエ積分 ( 逆フーリエ変換 ) について学んできました この節では フーリエ変換を離散化した離散フーリエ変換について学びましょう 自然現象 ( 音声 ) などを観測して得られる波 ( 信号値 ; 観測値 ) は 通常 電気信号による連続的な波として観測機器から出力されます しかしながら コンピュータはこの様な連続的な波を直接扱うことができないため

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. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

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DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

実験セットアップ 輸送ソレノイド36 出口 ミューオン停止標的 マグネシウム 大きさ 37mm 8mm 厚さ 2mm Bz = 2. T 双極磁場 By=+.4 T トリガーカウンター プラスチックシンチレーター 磁場に耐性のあるMPPCで読み出し 厚さ 3.5mm μビーム μ ミューオンX線 ビーム中負ミューオンの位置分布 シミュレーション 遮 Mg標的の位置 9 X線検出器 ゲルマニウム検出器

Microsoft PowerPoint - 基礎電気理論 07回目 11月30日

基礎電気理論 7 回目 月 30 日 ( 月 ) 時限 次回授業 時間 : 月 30 日 ( 月 )( 本日 )4 時限 場所 : B-3 L,, インピーダンス教科書 58 ページから 64 ページ http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 授業評価アンケート ( 中間期評価 ) NS の授業のコミュニティに以下の項目について記入してください

第90回日本感染症学会学術講演会抄録（I）

「リフレッシュ理科教室」テキスト執筆要領

F. 部品を集めてラジオを作ろう 電波はラジオ テレビ 携帯電話をはじめとして 宇宙通信など多くの通信に広く使われている ただし 最近のラジオは IC を使用し 動作がよくわからない ここでは 簡単な回路を用いて基本的なラジオを作る ラジオ伝送では 変調と検波と呼ばれる操作があり これを理解しておこう 1. ラジオによる音声信号の送受信 1.1 ラジオ送信の考え方 ( 変調 ) ラジオなどに利用される電波は音声に比較するとはるかに高い周波数です

Microsoft Word - 実験2_p1-12キルヒホッフ（第1７-2版）P1-12.doc

実験. テスターの使用法と直流回路. 目的オームの法則 キルヒホッフの法則について理解する テスターの基本的使用法を学ぶ. 予習課題 テスターで測定できる物理量は何か また =00Ω =400Ω 3=500Ωとしてp3435 の計算をすること オームの法則 キルヒホッフの法則について回路図を書き 説明すること 3. 理論金属のように電気をよく通す物質を導体という 導体に電圧をかけると電流が流れる 流れる電流

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

Ł\”ƒ-2005

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

49Z-12716-2.qxd (Page 1)

www.tektronix.co.jp µ 全 A = 1/4N * ( T 1-T 2 ), (i =1...N) ディスク ドライブ設計のための測定ソリューション アプリケーション ノート 図 6. リード チャンネルの電流を生成するために使用する任意波形ゼネレー タと電流プローブ リード ライト ヘッドの電流 ライト ヘッドの電流振幅は ヘッド リードを電流プ ローブでルーピングすることにより簡単に測定できま

スライド 1

劣化診断技術 ビスキャスの開発した水トリー劣化診断技術について紹介します 劣化診断技術の必要性 電力ケーブルは 電力輸送という社会インフラの一端を担っており 絶縁破壊事故による電力輸送の停止は大きな影響を及ぼします 電力ケーブルが使用される環境は様々ですが 長期間 使用環境下において性能を満足する必要があります 電力ケーブルに用いられる絶縁体 (XLPE) は 使用環境にも異なりますが 経年により劣化し

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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

問題 2 資料 No.2 を見て 次の設問に答えなさい < 送風機の断面図 > で示す片吸込み型送風機において 過去に何らかの原因で運転中に羽根車のアンバランスが増大し 軸受損傷に至った経緯がある このアンバランス増大傾向をいち早く捉えるために ポータブル型の振動診断器によって傾向管理を行うことにな

問題 1 資料 No.1 を見て 次の設問に答えなさい < ポンプユニット > で示すポンプユニットは これまでの保全実績からポンプ入力軸の転がり軸受の故障が問題になっている このため 軸受の長寿命化を計画中であるが 今後の設備信頼性維持 ( 突発故障による設備の停止防止 ) の観点から 振動法による設備診断を導入することにした 設備の劣化傾向を < 傾向管理グラフ > に示す太い点線であると仮定した場合

スライド 1

実験 III 素粒子テーマ 素粒子物理学とは 物質の究極の構造 ( 素粒子 ), 素粒子間に働く力 ( 相互作用 ) 時空の構造, 対称性を探求する分野です 担当教員 : 佐藤 TA: 和田 内山連絡先 : 自然学系棟 D208 (x4270) ksato@hep.px.tsukuba.ac.jp 実験スケジュール 第 1 回 : 素粒子物理概説,μ 粒子寿命測定法, 同軸ケーブルとインピーダンス,NIMモジュールの機能.

(1). 長期的な安定した電力測定でなければならない 不安定な電力測定を行わなければならない場合 IEC は安定した測定結果を得るために長い時間の測定を許しています 汎用パワーアナライザは 被測定物の不安定性な要因を予定していません 高性能のパワーアナライザであれば 短期間の測定時間で測定安定性を得

アプリケーション 対象機種 N4L 社製パワーアナライザ PPA5530HC PPA5500 / LC PPA1500 / HC PPA500 / HC 待機電力測定 IEC62301(11 ページ )2012.07.30 待機モードで電子機器の無駄な電力損失の割合は 5-15% ほどあります 無駄な消費電力は 環境コストの国際的な考えのもと 国際的な規格が設けられており 電子製品の生産者もこれを遵守しています

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

JPS2012spring

BelleII 実験用 TOP カウンターの性能評価 2012.7.7( 土 ) 名古屋大学高エネルギー物理学研究室 (N 研究室 ) 有田義宣 BelleII に搭載する粒子識別装置 TOP カウンター 2 BelleII 実験 もっとも識別の難しい π/k 識別 BelleⅡ 実験は Belle 実験をさらに高輝度化 (40 倍 ) し 大量の B 中間子からの稀崩壊現象を探る電子陽電子コライダー

LED特性の自動計測ver3.1改.pptx

LED 特性の自動計測 テキストの変更追加と実験手順の詳細が記載してあります 必ず事前に確認してから実験を始めること 2013.04.26 実験の目的 電子計測用プログラムで 測定機器を操作して 実際に経験して 電子計測を理解する データを解析する 今回の実験のあらまし LabVIEW でプログラムを作成して オシロスコープを操作して データから LED の I-V 特性 I-P 特性を解析 テキストの要約

大面積Micro Pixel Chamberの開発 9

Introduction µ-pic と電場構造 ガス増幅 Simulation 信号波形の再現 まとめと今後 京都大学宇宙線研究室髙田淳史 2 次元ガスイメージング検出器プリント基板技術で製作ピクセル間隔 :4 μm 個々のピクセルでガス増幅大面積 : cm 2 and 3 3 cm 2 大きな増幅率 :max ~15 高い位置分解能 :RMS ~12 μm 均一な応答 :RMS ~5% ( cm

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

Microsoft PowerPoint - 2-4_matsunaga

ソフトエラー対策用 EDA ツールの開発 九州大学大学院システム情報科学研究院松永裕介 設計ツールとフローの構築 安浦チーム対象範囲 ディペンダビリティアナライザ アーキテクチャ設計 RTL 設計 論理設計 ディペンダビリティエンハンサ ディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサ 評価 解析 評価指標 設計変更 評価 解析 評価指標

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RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value