R1RW0408D シリーズ

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1 お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ ( 年 4 月 1 日ルネサスエレクトロニクス株式会社 発行 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ( 問い合わせ先

2 OA AV RoHS

3 R1RW0408D 4M High Speed SRAM (512-kword 8-bit) RJJ03C Rev R1RW0408D 512k 8 4M RAM CMOS6 R1RW0408D 400-mil 36 SOJ 3.3V 3.3V±0.3V 10 ns /12 ns (max) TTL 115mA /100mA (max) TTL 40mA (max) CMOS 5mA (max) 0.8mA (max) (L-version) 0.4mA (max) (L-version) 2V (min) (L-version) V CC V SS Type No. Access time Package R1RW0408DGE-0PR 10 ns R1RW0408DGE-2PR 12 ns 400-mil 36-pin plastic SOJ (36P0K) R1RW0408DGE-2LR 12 ns , page 1 of 11

4 R1RW0408D 36-pin SOJ A NC A A18 A A17 A A16 A A15 CS# 6 31 OE# I/O I/O8 I/O I/O7 V CC 9 28 V SS V SS I/O V CC I/O6 I/O I/O5 WE# A14 A A13 A A12 A A11 A A10 A NC (Top View) Pin name Function A0 to A18 Address input I/O1 to I/O8 Data input/output CS# Chip select OE# Output enable WE# Write enable V CC Power supply V SS Ground NC No connection , page 2 of 11

5 R1RW0408D (LSB) A14 A13 A12 A5 A6 A7 A11 A10 A3 A1 (MSB) I/O1... I/O8 WE# CS# Row decoder CS Input data control 1024-row 32-column 16-block 8-bit (4,194,304 bits) Column I/O Column decoder A8 A9 A18 A16 A17 A0 A2 A4 A15 (LSB) (MSB) CS V CC V SS OE# CS , page 3 of 11

6 R1RW0408D CS# OE# WE# Mode V CC current I/O Ref. cycle H Standby I SB, I SB1 High-Z L H H Output disable I CC High-Z L L H Read I CC D OUT Read cycle (1) to (3) L H L Write I CC D IN Write cycle (1) L L L Write I CC D IN Write cycle (2) H: V IH, L: V IL, : V IH or V IL Parameter Symbol Value Unit Supply voltage relative to V SS V CC 0.5 to +4.6 V Voltage on any pin relative to V SS V T 0.5* 1 to V CC + 0.5* 2 V Power dissipation P T 1.0 W Operating temperature Topr 0 to +70 C Storage temperature Tstg 55 to +125 C Storage temperature under bias Tbias 10 to +85 C 1. (under shoot) 6ns 2.0V 2. (over shoot) 6ns V CC + 2.0V DC (Ta = 0 to +70 C) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply voltage V CC * V V SS * V Input voltage V IH 2.0 V CC + 0.5* 2 V V IL 0.5* V 1. (under shoot) 6ns 2.0V 2. (over shoot) 6ns V CC + 2.0V 3. V CC 4. V SS , page 4 of 11

7 R1RW0408D DC (Ta = 0 to +70 C, V CC = 3.3 V ± 0.3 V, V SS = 0 V) Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions Input leakage current II LI I 2 µa V IN = V SS to V CC Output leakage current II LO I 2 µa V IN = V SS to V CC Operation power supply 10ns cycle I CC 115 ma current 12ns cycle I CC 100 ma Min cycle CS# = V IL, l OUT = 0 ma Other inputs = V IH /V IL Standby power supply current I SB 40 ma Min cycle CS# = V IH, Other inputs = V IH /V IL I SB1 5 ma f = 0 MHz V CC CS# V CC 0.2 V, (1) 0 V V IN 0.2 V or (2) V CC V IN V CC 0.2 V * 1 0.8* 1 ma Output voltage V OL 0.4 V I OL = 8 ma 1. L V OH 2.4 V I OH = 4 ma (Ta = +25 C, f = 1.0 MHz) Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions Input capacitance* 1 C IN 6 pf V IN = 0 V Input/output capacitance* 1 C I/O 8 pf V I/O = 0 V , page 5 of 11

8 R1RW0408D AC (Ta = 0 to +70 C, V CC = 3.3 V ± 0.3 V, unless otherwise noted.) 3.0V/0.0V 3ns 1.5V 1.5 V 3.3 V D OUT Zo=50 Ω RL=50 Ω D OUT 319Ω 30 pf 353Ω 5 pf Output load (A) Output load (B) (for t CLZ, t OLZ, t CHZ, t OHZ, t WHZ, and t OW ) R1RW0408D 10ns 12ns Parameter Symbol Min Max Min Max Unit Notes Read cycle time t RC ns Address access time t AA ns Chip select access time t ACS ns Output enable to output valid t OE 5 6 ns Output hold from address change t OH 3 3 ns Chip select to output in low-z t CLZ 3 3 ns 1 Output enable to output in low-z t OLZ 0 0 ns 1 Chip deselect to output in high-z t CHZ 5 6 ns 1 Output disable to output in high-z t OHZ 5 6 ns , page 6 of 11

9 R1RW0408D R1RW0408D 10ns 12ns Parameter Symbol Min Max Min Max Unit Notes Write cycle time t WC ns Address valid to end of write t AW 7 8 ns Chip select to end of write t CW 7 8 ns 9 Write pulse width t WP 7 8 ns 8 Address setup time t AS 0 0 ns 6 Write recovery time t WR 0 0 ns 7 Data to write time overlap t DW 5 6 ns Data hold from write time t DH 0 0 ns Write disable to output in low-z t OW 3 3 ns 1 Output disable to output in high-z t OHZ 5 6 ns 1 Write enable to output in high-z t WHZ 5 6 ns 1 1. B±200mV 2. CS# low 3. WE# CS# high 4. CS# OE# low I/O 5. CS# low WE# low WE# low high-z 6. t AS CS# WE# low 7. t WR CS# WE# high 8. CS# lowwe# low t WP CS# low WE# low CS# high WE# high 9. t CW CS# low , page 7 of 11

10 R1RW0408D (1) (WE# = V IH ) t RC Address Valid address CS# t AA t ACS t CHZ t OH t OE t OHZ OE# t OLZ t CLZ D OUT High impedance Valid data (2) (WE# = V IH, CS# = V IL, OE# = V IL ) t RC Address Valid address t AA t OH t OH D OUT Valid data , page 8 of 11

11 R1RW0408D (3) (WE# = V IH, CS# = V IL, OE# = V IL )* 2 CS# t RC t ACS t CHZ t CLZ D OUT High impedance Valid data High impedance (1) (WE# Controlled) t WC Address Valid address t AW t WR OE# t CW CS#* 3 t AS t WP WE#* 3 t OHZ D OUT High impedance* 5 t DW t DH D IN * 4 Valid data * , page 9 of 11

12 R1RW0408D (2) (CS# Controlled) t WC Address Valid address t CW t WR CS# * 3 t AW t WP WE# * 3 t AS t WHZ t OW D OUT High impedance* 5 t DW t DH D IN * 4 Valid data * , page 10 of 11

13 R1RW0408D (Ta = 0 to +70 C) L Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions V CC for data retention V DR 2.0 V V CC CS# V CC 0.2 V (1) 0 V V IN 0.2 V or (2) V CC V IN V CC 0.2 V Data retention current I CCDR 400 µa V CC = 3 V, V CC CS# V CC 0.2 V (1) 0 V V IN 0.2 V or (2) V CC V IN V CC 0.2 V Chip deselect to data retention time t CDR 0 ns See retention waveform Operation recovery time t R 5 ms V CC 3.0 V t CDR Data retention mode t R V DR 2.0 V CS# 0 V V CC CS# V CC 0.2 V , page 11 of 11

14 R1RW0408D Rev Sep. 30, P1 P5 P6/P7

15 () () () 120 () () () () () () () 5-25 () () (03) (042) (022) (0246) (029) (025) (0263) (052) (06) (076) (082) (092) Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 10.1

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