AD5259: 不揮発性、I2C 互換 256 ポジション、デジタル・ポテンショメータ
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- うのすけ わしあし
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1 I 2 C LFCSP-13mm 3mm.8mm MSOP-13mm 4.9mm 1.1mm I 2 C V LOGIC 5kΩ 1kΩ 5kΩ 1kΩ.1EEPROM EEPROM1ms 4 D D typ V V DD V LOGIC GND SCL SD D D1 I 2 C SERIL INTERFCE POER- ON RESET V LOGIC 8 8 RDC EEPROM DT CONTROL 1. COMMND DECODE LOGIC DDRESS DECODE LOGIC CONTROL LOGIC RDC REGISTER V DD RDC LCDV COM LCD RF FTTH SCL SD D D1 GND I 2 C SERIL INTERFCE 2. EEPROM COMMND DECODE LOGIC DDRESS DECODE LOGIC CONTROL LOGIC RDC REGISTER ND LEVEL SHIFTER LFCSP-13mm 3mm MSOP-13mm 4.9mm 1 I 2 C EEPROM EEPROM.1 1 D 2 D1 3 SD 4 SCL 5 3. TOP VIE (Not to Scale) V DD 7 GND 6 V LOGIC V LOGIC D D1 4 1 VR RDC REV. REVISION 25 nalog Devices, Inc. ll rights reserved MT
2 7/5 Rev. to Rev. 2/5 Revision : Initial Version
3 V DD V LOGIC 5V 1 3V 1 V V DD V V 4 T 85 1 Parameter Symbol Conditions Min Typ 1 Max Unit DC CHRCTERISTICS: RHEOSTT MODE Resistor Differential Nonlinearity R-DNL R, V = no connect LS 5 kω 1 ± kω 1 ± kω/1 kω.5 ± Resistor Integral Nonlinearity R-INL R, V = no connect LS 5 kω 4 ± kω 2 ± kω/1 kω 1 ±.4 +1 Nominal Resistor Tolerance R T = 25 C, V DD = 5.5 V 3 +3 % Resistance Temperature Coefficient ( R x 1 6 )/ Code = x/x8 5/15 ppm/ C (R x T) Total iper Resistance R Code = x Ω DC CHRCTERISTICS: POTENTIOMETER DIVIDER MODE Differential Nonlinearity DNL LS 5 kω 1 ± kω.5 ± kω/1 kω.5 ± Integral Nonlinearity INL LS 5 kω 1 ± kω.5 ± kω/1 kω.5 ± Full-Scale Error V FSE Code = xff LS 5 kω kω kω/1 kω 1.4 Zero-Scale Error V ZSE Code = x LS 5 kω kω kω/1 kω.2.5 Voltage Divider Temperature ( V x 1 6 )/ Code = x/x8 6/5 ppm/ C Coefficient (V x T) RESISTOR TERMINLS Voltage Range V,, GND V DD V Capacitance, C, f = 1 MHz, measured to GND, 45 pf code = x8 Capacitance C f = 1 MHz, measured to GND, 6 pf code = x8 Common-Mode Leakage I CM V = V = V DD /2 1 n
4 Parameter Symbol Conditions Min Typ 1 Max Unit DIGITL INPUTS ND OUTPUTS Input Logic High V IH.7 x V L V L +.5 V Input Logic Low V IL.5.3 x V L V Leakage Current I IL µ SD, D, D1 V IN = V or 5 V.1 ±1 SCL Logic High V IN = V SCL Logic Low V IN = 5 V.1 ±1 Input Capacitance C IL 5 pf POER SUPPLIES Power Supply Range V DD V Positive Supply Current I DD.1 2 µ Logic Supply V LOGIC V Logic Supply Current I LOGIC V IH = 5 V or V IL = V 3 6 µ Programming Mode Current (EEPROM) I LOGIC(PROG) V IH = 5 V or V IL = V 35 m Power Dissipation P DISS V IH = 5 V or V IL = V, V DD = 5 V 15 4 µ Power Supply Rejection Ratio PSRR V DD = +5 V ± 1%, code = x8 ±.5 ±.6 %/% DYNMIC CHRCTERISTICS andwidth 3 d Code = x8 R = 5 kω 2 khz R = 1 kω 8 khz R = 5 kω 16 khz R = 1 kω 8 khz Total Harmonic Distortion THD R = 1 kω, V = 1 V rms,.1 % V =, f = 1 khz V Settling Time t S R = 1 kω, V = 5 V, 5 ns ±1 LS error band Resistor Noise Voltage Density e N_ R = 5 kω, f = 1 khz 9 nv/ Hz 1 typ 25V DD 5V
5 V DD V LOGIC 5V 1 3V 1 V V DD V V 4 T 85 2 Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit I 2 C INTERFCE TIMING CHRCTERISTICS 1 SCL Clock Frequency f SCL 4 khz t UF us Free Time etween Stop t µs and Start t HD;ST Hold Time (Repeated Start) t 2 fter this period, the first clock pulse is.6 µs generated. t LO Low Period of SCL Clock t µs t HIGH High Period of SCL Clock t 4.6 µs t SU;ST Setup Time for Repeated t 5.6 µs Start Condition t HD;DT Data Hold Time t 6.9 µs t SU;DT Data Setup Time t 7 1 ns t F Fall Time of oth SD and t 8 3 ns SCL Signals t R Rise Time of oth SD and t 9 3 ns SCL Signals t SU;STO Setup Time for Stop Condition t 1.6 µs EEPROM Data Storing Time t EEMEM_STORE 26 ms EEPROM Data Restoring Time at t EEMEM_RESTORE1 V DD rise time dependent. Measure without 3 µs Power On 2 decoupling capacitors at V DD and G ND. EEPROM Data Restoring Time upon t EEMEM_RESTORE2 V DD = 5 V. 3 µs Restore Command 2 EEPROM Data Rewritable Time 3 t EEMEM_RERITE 54 µs FLSH/EE MEMORY RELIILITY Endurance kcycles Data Retention 5 1 Years 1 I 2 C 2 EEPROM 3 EEPROM 4 JEDEC 22, Method 117 1, , typ 5 JEDEC 22, Method 117 T J 55.6eV t 8 t 6 t 9 t 2 SCL t 2 t 3 t 4 t 7 t 5 t 1 t 8 t 9 SD t 1 P S S 4. I 2 C P 526-4
6 T 25 3 Parameter V DD, V LOGIC to GND V, V, V to GND Rating.3 V to +7 V GND.3 V, V DD +.3 V 1 I MX Pulsed 1 ±2 m Continuous ±5 m Digital Inputs and Output Voltage V to 7 V to GND Operating Temperature Range 4 C to +85 C Maximum Junction Temperature 15 C (T JMX ) Storage Temperature 65 C to +15 C Lead Temperature 3 C (Soldering, 1 sec) Thermal Resistance 2 2 C/ θ J : MSOP T JMX T / θ J ESD 4V ESD ESD
7 1 D 2 D1 3 SD 4 SCL 5 TOP VIE (Not to Scale) V DD 7 GND 6 V LOGIC GND V V DD 2 DO 3 D1 1 4 SD 5 SCL 6 V LOGIC 7 GND 8 V DD 9 GND V V DD 1 GND V V DD
8 V DD V LOGIC 5.5V R 1kΩ T 25 RHEOSTT MODE INL (LS) V V CODE (Decimal) (LS) DNL POTENTIOMETER MODE C +25 C +85 C CODE (Decimal) R-INL 9. DNL RHEOSTT MODE DNL (LS) V V CODE (Decimal) POTENTIOMETER MODE INL (LS) V 5.5V CODE (Decimal) R-DNL 1. INL (LS) INL POTENTIOMETER MODE.15.1 T = +85 C T = +25 C T = 4 C CODE (Decimal) (LS) DNL POTENTIOMETER MODE V 5.5V CODE (Decimal) INL 11. DNL
9 (LS) V DD = 2.7V INL MODE RHEOSTT C +25 C (LS) ZSE V DD = 5.5V C CODE (Decimal) TEMPERTURE ( C) R-INL RHEOSTT MODE DNL (LS) T = 4 C T = +25 C T = +85 C I D D, SUPPLY CURRENT ( µ ) V DD = 5.5V CODE (Decimal) TEMPERTURE ( C) R-DNL (LS) FSE.5 1. V DD = 5.5V V DD = 2.7V TEMPERTURE ( C) I L OGI C, LOGIC SUPPLY CURRENT ( µ ) 5 4 V DD = 5.5V V DD = 2.7V TEMPERTURE ( C)
10 R HEOSTT MODE TEMPCO (ppm/ C ) kΩ 1kΩ 12 5kΩ 1kΩ CODE (Decimal) T OTL RESISTNCE (k Ω) kΩ V DD = 5.5V 5kΩ V DD = 5.5V 1kΩ V DD = 5.5V 5kΩ V DD = 5.5V TEMPERTURE ( C) R 1 6 / R T P OTENTIOMETER MODE T EMPCO (ppm / C ) kΩ 2 1kΩ kΩ 5kΩ CODE (Decimal) GIN (d) k 8 H 4 H 2 H 1 H 8 H 4 H 2 H 1 H 1k 1k FREQUENCY (Hz) 1M M 19. V 1 6 / V T 22. R 5kΩ H 4 H x V DD = 2.7V GIN (d) H 1 H 8 H 4 H 2 H 1 V DD = 5.5V TEMPERTURE ( C) k 1k 1 H 1k FREQUENCY (Hz) 1M M 2. R 23. R 1kΩ
11 1k 6 8 H 12 4 H GIN (d) H 1 H 8 H 4 H 2 H 1 H I L OGI C (µ ) 1k 1 V DD = V LOGIC = 3V V DD = V LOGIC = 5V k 1k 1k FREQUENCY (Hz) 1M V IH (V) R 5kΩ H 8 CODE = MIDSCLE, V = V LOGIC, V = V H 2 H 6 V LOGIC = 5V DC ± 1% p-p C GIN (d) H 8 H 4 H PSRR (d) 4 V LOGIC = 3V DC ± 1% p-p C H 1 H k 1k 1k FREQUENCY (Hz) 1M k 1k 1k 1M FREQUENCY (Hz) R 1kΩ 28. PSRR 6 GIN (d) kΩ 8kHz 5kΩ 16kHz 1kΩ 8kHz 5kΩ 2MHz 2mV/DIV 1 V V/DIV 2 SCL k 1k 1k FREQUENCY (Hz) 1M M 4ns/DIV x8 29.
12 5mV/DIV 1 2V/DIV V 1 V 1µs/DIV V/DIV 2 SCL 2ns/DIV x7f x8 31.
13 V+ DUT V+ = V DD 1LS = V+/2 N V MS INL DNL V V DD V+ V+ = V DD 1% V DUT ( MS ) PSRR (d) = 2 LOG V V MS % DD PSS (%/%) = V DD % V MS PSS PSSR NO CONNECT DUT V MS R-INL R-DNL I OFFSET GND 36. V IN +2.5V DUT +5V D861 5V V OUT V MS2 DUT V I = V DD /R NOMINL R = [V MS1 V MS2 ]/I R S =.1V DUT I S CODE = x I S.1V V MS GND TO V DD
14 256 VR EEPROM RDC R 5kΩ 1kΩ 5kΩ 1kΩVR 256 RDC D R D R 2 R D 8 RDC 1 R R D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D R S R S R S RDC R R 256 D R DR 2 R EEPROM R.1 V DD GND 4. V I 5V 1LS V 5V V D 256 D V DV V V V O R V DV D R V D R R 4 RDC LTCH ND DECODER 39. R S RDC R R 2m
15 I 2 C SCL SD 4 7 R/ 6 R/ R/ 2 D D1 2 I 2 C SD R/ RDC EEPROM SD MS LS LS 9 SD R/ 3 6RDC EEPROM EEPROM RDC RDC EEPROM R/ SCL SD 1 SD 46 9 SD 1 SD SD 47 RDC RDC RDC RDC
16 I 2 C 5 S P S M N R X S P S M D1 D 2 5. D1 ddress Pin D ddress Pin I 2 C Device ddress N R X 6. S 7-it Device ddress (See Table 5) R/ S C2 C1 C S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D S P Slave ddress yte Instruction yte Data yte 7. RDC EEPROM C2 C1 C Command Description Operation etween Interface and RDC. 1 Operation etween Interface and EEPROM. 1 Operation etween Interface and rite Protection Register. See Table 1. 1 NOP. 1 1 Restore EEPROM to RDC. 1 1 Store RDC to EEPROM. 8. RDC S 7-it Device ddress (See Table 5) S S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D S P Slave ddress yte Instruction yte Data yte 9. EEPROM S 7-it Device ddress (See Table 5) S 1 S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D S P Slave ddress yte Instruction yte Data yte 1. S 7-it Device ddress (See Table 5) S 1 S P S P Slave ddress yte Instruction yte Data yte
17 1 P P P 3 2 EEPROM 2 EEPROM 11. RDC S 7-it Device ddress 7-it Device ddress (See Table 5) S S S (See Table 5) 1 S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D N P Slave ddress yte Instruction yte Slave ddress yte Read ack Data Repeat Start 12. EEPROM S 7-it Device ddress (See Table 5) S 1 S S Repeat Start 7-it Device ddress (See Table 5) 1 S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D N P Slave ddress yte Instruction yte Slave ddress yte Read ack Data 13. EEPROM RDC S 7-it Device ddress (See Table 5) S 1 1 S P Slave ddress yte Instruction yte 14. EEPROMRDC S 7-it Device ddress (See Table 5) S 1 1 S P Slave ddress yte Instruction yte
18 15. 7-it Device ddress S (See Table 5) S 7-it Device ddress (See Table 5) S S S Repeat Start S S S Repeat Start 7-it Device ddress (See Table 5) Slave ddress yte Instruction yte Slave ddress yte Decimal yte 7-it Device ddress (See Table 5) 1 S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D N P Slave ddress yte Instruction yte Slave ddress yte Sign + Integer yte 1 S D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D N P it Device ddress S (See Table 5) Slave ddress yte S S S Instruction yte Repeat Start 7-it Device ddress (See Table 5) Slave ddress yte 1 S D7 D6 D5 D4 D3D2D1DMD7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D N P Sign + Integer yte Decimal yte R D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D SIGN SIGN ITS FOR INTEGER NUMER 8 ITS FOR DECIML NUMER R R EEPROM EEPROM MS R 1kΩ MS R _CTUL 12.81kΩ
19 ESD V DD V LOGIC GND3 V DD GND ESD 42 SCL SD V LOGIC GND ESD V DD V DD GND GND V LOGIC µF ESR 1 1µF 44 1 V DD C2 1µF + C1.1µF V DD SCL 43. SD GND V LOGIC GND ESD 41 GND/V DD /V LOGIC V DD V LOGIC GND V DD V LOGIC V V V GND/V DD /V LOGIC V V V GND 2 D D1 2 I 2 C indows 98/indows 2/indows XP PC D GUI
20 V LOGIC V DD LCD 3 5VV COM 46 5V C1 1µF VCC (~3.3V) MCU R6 1kΩ R5 1kΩ 46. 5V V DD V LOGIC SCL SD GND 14.4V R1 7kΩ R2 1kΩ V COM V 3.3V V DD V DD 4.8V 4.8V V DD µ V LOGIC MCU 3.3V EEPROM 35m V LOGIC 7kΩ 35m V LOGIC V DD R3 25kΩ U1 D V < V COM < 4.5V V LOGIC V DD 2 V LOGIC EEPROM V DD C1 1µF VCC (~3.3V) MCU R6 1kΩ SUPPLIES POER TO OTH THE MICRO ND THE LOGIC SUPPLY OF THE DIGITL POT 47. R5 1kΩ V DD V LOGIC SCL SD GND 14.4V R1 7kΩ R2 1kΩ V DD EDN Simple VCOM djustment uses any Logic Supply Voltage VCOM R3 25kΩ U1 D V < V COM < 4.5V 526-7
21 3. SC INDEX RE 3. SC SQ PIN 1 INDICTOR 3. SC PIN SC COPLNRITY SC 1.1 MX SETING PLNE COMPLINT TO JEDEC STNDRDS MO MSOP RM-1 mm CS SQ SETING PLNE TOP VIE SIDE VIE MX.55 TYP.5 SC EXPOSED PD (OTTOM VIE) LFCSP-D 3mm 3mm CP-1-9 mm MX.2 NOM.2 REF D526--7/5()-J Model R (kω) Temperature Range Package Description Package Option randing RMZ5 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4P RMZ5-R7 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4P CPZ5-R7 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead LFCSP_D CP-1-9 D4P RMZ1 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4Q RMZ1-R7 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4Q CPZ1-R7 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead LFCSP_D CP-1-9 D4Q RMZ5 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4R RMZ5-R7 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4R CPZ5-R7 1 5 k 4 C to +85 C 1-Lead LFCSP_D CP-1-9 D4R RMZ1 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4S RMZ1-R7 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead MSOP RM-1 D4S CPZ1-R7 1 1 k 4 C to +85 C 1-Lead LFCSP_D CP-1-9 D4S EVL 2 Evaluation oard 1 Z RoHS 2 1kΩ I 2 CI 2 C I 2 C I 2 C
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お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NE エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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isopower 50mW DC/DC 2 DC/DC 5V/10mA DC 1Mbps NRZ 2 8SOP RoHS 105 3ns 3ns 70ns 25kV/µs UL UL 1577 2500V rms 1 CSA Component Acceptance Notice #5A VDE DIN V VDE V 0884-10 VDE V 0884-102006-12 V IORM 560V
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1A 3 1A 3 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) 2 (60V) * C Converted to nat2000 DTD updated with tape and reel with the new package name. SN Mil-Aero: Order Info table - moved J-15 part from WG row
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19-3374; Rev ; 7/4 FLAG RESET FLAG RESET µ µ C C TOP VIEW IN GND 1 2 6 OUT 5 SS µ µ PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE MAX4836EUTxy_-T* -4 C to +85 C 6 SOT23-6 MAX4836ETTxy_-T -4 C to +85 C 6 TDFN-6 MAX4837EUTxy_dd-T*
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