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1 12 DAC V REF SPI 12 ±0.2 LSB DNL (typ.) ±2 LSB INL (typ.) 20 MHz SPI LDAC 4.5 µs 2.048V V REF 50 ppm/ C 2.7V 5.5V : -40 C +125 C CS SDI SCK LDAC MCP482X 2.7V5.5V DNL 12 (DAC) (SPI ) MCP482X DAC MCP482X PDIP, SOIC MSOP MCP482X DNL MCP482X LDAC (POR) 8 PDIP, SOIC, MSOP CS SCK SDI MCP A AVSS SHDN LDAC A DAC A B DAC B 2.048V V REF AV SS 8 PDIP, SOIC, MSOP 1 CS 2 SCK 3 SDI 4 MCP A 7 AVSS 6 B 5 LDAC DAC A DAC B A SHDN B 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 1

2 V... AV SS 0.3V + 0.3V...±2 ma...±50 ma...±25 ma C +150 C C +125 C ESD... 4kV (HBM), 400V (MM) (T J ) C : 5V AC/DC :, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 2x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf, T A = C. +25 C Min Typ Max MCP4821 Input Current - MCP4822 I DD µa, = 0x000 I SHDN µa I SHDN_SW µa V POR 2.0 V DC n 12 INL INL -12 ±2 12 LSB DNL ( 1) DNL ± LSB V OS -1 ± % of FSR = 0x000h V OS / C 0.16 ppm/ C -45 C 25 C ppm/ C +25 C 85 C g E % of FSR 0xFFFh, ΔG/ C -3 ppm/ C (V REF ) V REF V G = 1x = 0xFFFh A ΔV REF / C ppm/ C -40 C 0 C ( 1) LSB/ C -40 C 0 C ppm/ C 0 C +85 C LSB/ C 0 C +85 C (V REF ) E NREF ( Hz) 290 µv p-p = 0xFFFh, G = 1 e NREF 1.2 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 (1 khz) e NREF (10 khz) 1.0 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 1/f f CORNER 400 Hz 2: DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

3 5V AC/DC (CONTINUED) :, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 2x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf, T A = C. +25 C Min Typ Max to = 10 mv ( 40 mv) 1 LSB PM 66 SR 0.55 V/µs I SC ma t SETTLING 4.5 µs 1/4 3/4 1/2 LSB DAC <10 nv-s 45 nv-s 1 LSB ( ) <10 nv-s <10 nv-s 2: 3V AC/DC :, = 3V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 1x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf, T A = C. 25 C Min Typ Max MCP4821 Input Current - MCP4822 I DD µa,, = 0x000 I SHDN µa I SHDN_SW 2 6 µa V POR 2.0 V DC n 12 Bits INL INL -12 ±3 12 LSB DNL ( 1) DNL ± LSB V OS -1 ± % of FSR 0x000h V OS / C 0.5 ppm/ C -45 C +25 C ppm/ C +25 C +85 C g E % of FSR 0xFFFh, ΔG/ C -3 ppm/ C 2: Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 3

4 3V AC/DC (CONTINUED) :, = 3V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 1x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf, T A = C. 25 C Min Typ Max (V REF ) V REF V G = 1x = 0xFFFh A ΔV REF / C ppm/ C -40 C 0 C ( 1) LSB/ C -40 C 0 C ppm/ C 0 C +85 C LSB/ C 0 C +85 C (V REF ) E NREF ( Hz) 290 µv p-p = 0xFFFh, G = 1 e NREF 1.2 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 (1 khz) e NREF (10 khz) 1.0 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 1/f f CORNER 400 Hz to =10 mv ( 40 mv) 1LSB PM 66 SR 0.55 V/µs I SC ma t SETTLING 4.5 µs 1/4 3/4 1/2 LSB DAC <10 nv-s 45 nv-s 1 LSB ( ) <10 nv-s <10 nv-s 2:. 5V :, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 2x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf +125 C Min Typ Max MCP4821 Input Current - MCP4822 I DD I SHDN 1.5 µa I SHDN_SW 5 µa V POR 1.85 V DC n 12 Bits INL INL ±4 LSB 2:. µa,, = 0x000 DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

5 5V (CONTINUED) :, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, (G) = 2x, R L = 5 kω GND, C L = 100 pf +125 C Min Typ Max DNL ( 1) DNL ±0.25 LSB V OS ±0.02 % of FSR Code 0x000h V OS / C -5 ppm/ C +25 C +125 C g E % of FSR 0xFFFh, ΔG/ C -3 ppm/ C (V REF ) V REF V G = 1x = 0xFFFh A ΔV REF / C 125 ppm/ C -40 C 0 C ( 1) 0.25 LSB/ C -40 C 0 C 45 ppm/ C 0 C +85 C 0.09 LSB/ C 0 C +85 C (V REF ) E NREF ( Hz) 290 µv p-p = 0xFFFh, G = 1 e NREF 1.2 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 (1 khz) e NREF (10 khz) 1.0 µv/ Hz = 0xFFFh, G = 1 1/f f CORNER 400 Hz to =10 mv ( 40 mv) 1LSB PM 66 SR 0.55 V/µs I SC 17 ma t SETTLING 4.5 µs 1/4 3/4 1/2 LSB DAC <10 nv-s 45 nv-s 1 LSB ( ) <10 nv-s <10 nv-s 2: Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 5

6 AC (SPI ) :, = 2.7V 5.5V, T A = C. +25 C Min Typ Max ( ) ( ) V IH 0.7 V V IL 0.2 V V HYS 0.05 I LEAKAGE -1 1 μa SHDN = LDAC = CS = SDI = SCK = AV SS ( ) C IN, 10 pf = 5.0V, T A = +25 C, C OUT f CLK = 1 MHz ( ) F CLK 20 MHz T A = +25 C ( ) t HI 15 ns t LO 15 ns CLK CS t CSSR 40 ns CLK CS ( ) t SU 15 ns t HD 10 ns SCK CS t CHS 15 ns CS t CSH 15 ns LDAC t LD 100 ns LDAC t LS 40 ns CS SCK t IDLE 40 ns t CSH CS t IDLE t CSSR Mode 1,1 SCK Mode 0,0 t HI t LO t CHS SI t SU t HD MSB in LSB in LDAC t LS t LD DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

7 :, =+2.7V +5.5V, AV SS = GND. Min Typ Max T A C T A C T A C, 8 PDIP θ JA 85 C/W, 8-Lead SOIC θ JA 163 C/W, 8-Lead MSOP θ JA 206 C/W 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 7

8 典型的な特性グラフ 2.0 注: 以下の本項のグラフや表は 有限のサンプルの統計値に基づいており 情報提供のためだけのものです ここに記述された性能特性は未テストか非保証です いくつかのグラフや表では 仕様の動作範囲を超 えています 例えば供給電源範囲外 従って保証範囲外です 注 : 特に示されていない限り, TA = +25 C, VDD = 5V, AVSS = 0V, VREF = 2.048V, Gain = 2, RL = 5 kω, CL = 100 pf INL (LSB) DNL (LSB) Ambient Temperature 125C Code (Decimal) 図 2-1: コードと DNL 図 2-4: Absolute INL (LSB) 0.1 DNL (LSB) Code (Decimal) コードと周囲温度に対する INL Code (Decimal) 図 2-2: 125C C 25C コードと周囲温度に対する DNL Ambient Temperature (ºC) 図 2-5: 周囲温度に対する絶対 INL INL (LSB) Absolute DNL (LSB) DS21953A_JP-page Code (Decimal) Ambient Temperature (ºC) 図 2-3: 周囲温度に対する絶対 DNL 1024 図 2-6: コード対 INL 2006 Microchip Technology Inc.

9 :, T A = +25 C, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, Gain = 2, R L = 5 kω, C L = 100 pf. Full Scale (V) Ambient Temperature ( C) : 4V VDD: 3V VDD: 2.7V Output Noise Voltage Density (µv/ Hz) 1.E E E E E E+0 1 1E E E+3 1k 1E+4 10k 1E+5 100k Frequency (Hz) Full Scale (V) : 5.5V : 5V Ambient Temperature ( C) Output Noise Voltage (mv) 1.E E E E ni (in V P-P ) E ni (in V RMS ) Maximum Measurement Time = 10s 1.E E E+3 1k 1E+4 10k 1E+5 100k 1E+6 1M Bandwidth (Hz) 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 9

10 :, T A = +25 C, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, Gain = 2, R L = 5 kω, C L = 100 pf. I DD (µa) Ambient Temperature ( C) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V I DD (µa) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V Occurrence I DD (µa) >320 Occurrence I DD (µa) Occurrence Occurrence I DD (µa) > I DD (µa) DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

11 , T A = +25 C, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, Gain = 2, R L = 5 kω, C L = 100 pf. I SHDN (µa) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V Gain Error (%) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V 4 5.5V 4 I SHDN_SW (µa) V 4.0V 3.0V 2.7V V IN Hi Threshold (V) V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V Ambient Temperature (ºC) Ambient Temperature (ºC) Offset Error (%) V V 4.0V 3.0V V Ambient Temperature (ºC) V IN Low Threshold (V) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 11

12 :, T A = +25 C, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, Gain = 2, R L = 5 kω, C L = 100 pf. V IN _ SPI Hysteresis (V) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V I OUT_HI_SHORTED (ma) Ambient Temperature (ºC) 5.5V 5.0V 4.0V 3.0V 2.7V _HI Limit ( -Y)(V) Ambient Temperature (ºC) 4.0V 3.0V 2.7V (V) V REF = 4.096V Output Shorted to Output Shorted to V SS I OUT (ma) _LOW Limit (Y-AV SS )(V) V V V 3.0V V Ambient Temperature (ºC) DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

13 :, T A = +25 C, = 5V, AV SS = 0V, V REF = 2.048V, Gain = 2, R L = 5 kω, C L = 100 pf. SCK LDAC LDAC Time (1 µs/div) Time (1 µs/div) SCK SCK LDAC LDAC Time (1 µs/div) Time (1 µs/div) SCK LDAC Ripple Rejection (db) Time (1 µs/div) Frequency (Hz) 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 13

14 3.0 MCP4821 No. MCP4822 No. 1 1 (2.7V 5.5V) 2 2 CS 3 3 SCK 4 4 SDI 5 5 LDAC DAC 6 SHDN 6 B DAC B 7 7 AV SS 8 8 A DAC A 3.1 ( ) AV SS 2.7V 5.5V 3.2 (CS) CS 3.3 (SCK) SCK SPI 3.4 (SDI) SDI SPI SHDN DAC A B DAC DAC AV SS AV SS LDAC (DAC ) DAC CS DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

15 4.0 MCP482X DAC SPI MCP482X 2.7V 5.5V INL < 0 G(1x 2x) D N n (n = 12) 2.048V G D = N 2 n INL < 0 1LSB LSB LSB MCP482X 1x 2.048V/4096 MCP482X 2x 4.096V/ INL INL 0x000 0xFFF INL INL DNL DNL DNL 1LSB DAC > 1 LSB < 1 LSB DAC V REF 1 LSB 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 15

16 DAC CMOS V/V (GA = 1) 2 V/V (GA = 0) G = V 4095/ V G = / V 2.048V V REF 0.000V 4.096V CMOS AV SS MCP482X 2.048V (POR) DAC SHDN = 0 ( ) DACLDAC POR ( V POR = 2.0V) DAC > V POR 0.1 µf (µs) 5V V POR T A = +25 C V POR (V) V POR (SHDN) MCP4821 ( 500 kω) AV SS SHDN SD = 1 DAC (4.5 µs) 10 µs DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

17 MCP482X SPI Mode 0,0 Mode 1,1 SDI SCK MCP482X CS DAC DAC A DAC B Mode 0,0 Mode 1,1 5.2 CS SDI SCK CS DAC MCP482X LDAC DAC A DAC B LDAC DAC DAC DAC X MCP482X CS CS : W-x W-x W-x W-0 W-x W-x W-x W-x A/B GA SHDN D11 D10 D9 D8 bit 15 bit 8 bit 15 A/B: DAC A DAC B 1 = DAC B 0 = DAC A bit 14 bit 13 GA: bit 12 bit 11-0 : W-x W-x W-x W-x W-x W-x W-x W-x D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 bit 7 bit 0 1 = 1x ( = V REF * D/4096) 0 = 2x ( = 2 * V REF * D/4096) SHDN: 1 = 0 = D11:D0: DAC D R = W = U =, 0 -n = POR 1 = 0 = x = 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 17

18 CS SCK (Mode 1,1) (Mode 0,0) 12 SDI A/B GA SHDN D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 LDAC DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

19 6.0 MCP482X DAC MCP482X : ( ) 6.1 MCP482X DAC PICmicro MCU dspic DSC (MCU) SPI (CS SCK SDI) LDAC DAC LDAC CS 6.2 DAC 0.1 µf ( ) (4 mm ) A AV SS 6.3 ( µv/ Hz) X 1/f (f CORNER ) 400 Hz (mv RMS mv P-P ) X LPF 1 khz LPF E NREF 100 µv RMS MCP482X DNL(G = 1 ).001µF 4.7 µf 0.1 µf A 1µF B MCP482X AV SS A 1µF B SDI 6.4 MCP482X AV SS 0.1 µf 0.1 µf SDI CS 1 SDO SCK LDAC CS 0 PICmicro Microcontroller AV SS AC MCP482X (SNR) MCP482X 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 19

20 6.5 MCP482X 2.7V 5.5V (R-R) DAC MCP482XDAC 4096 G = V REF 500 µv G = V REF 1mV AV SS 0.8V 200 µv 0.8V V REF 0.82V (MCP492X ) DAC V REF SNR V REF DAC MCP482X ±0.75 (max.) DNL R SENSE V CC + MCP482X R 1 V TRIP SPI 3 R uf V CC = G D 2 12 R 2 V trip = R 1 + R 2 G = (1x 2x) D = DAC (0 4096) DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

21 DAC DAC LSB V REF 2V REF AV SS MCP482X ±0.75 (max.) DNL V CC+ R SENSE V CC+ MCP482X R 3 R 1 V TRIP SPI 3 R µf V CC- V CC- = G D 2 12 G = (1x 2x) D = DAC (0 4096) R R 2 R 3 23 = R 2 + R 3 ( V V CC+ R 2 ) + ( V CC- R 3 ) 23 = R 2 + R 3 R 1 R 23 V O V R 23 + V 23 R 1 trip = R 2 + R 23 V Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 21

22 6.6 MCP482X (OP ) DAC R 1 R 2 R 3 R 4 DAC R4 AV SS R 4 R 2 SPI 3 MCP482X = G D V R 4 IN+ = R 3 + R 4 R V O = V IN V R DD R 1 R 3 R 1 R 4 R 1 V IN + V CC + V CC 0.1 µf V O G = (1x 2x) D = DAC (0 4096) 4. R 3 R 4 DAC V DAC ±2.05V 1mV 1. : +2.05V (-2.05V) = 4.1V. 2. : 4.1V/1 mv = = (R 2 /R 1 ) (4.096V) (R 1 +R 2 ) V REF V REF 4.096V(G=2)DAC -2.05V : R = 2.05V ( V) = ( R 3 + R 4 ) V R 4 = 20 kω R 3 = 10 kω R R 1 = V R R 1 = R 1 = 20 kω R 2 = 10 kω 0.5 DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

23 6.7 DAC MCP482X DAC R 3 R 4 R 5 R 2 R 1 A MCP482X V DAC DD A ( ) V CC + V CC + V O R 5 MCP482X B R 3 SPI 3 DAC B ( ) R µf V CC V CC B = ( 2.048V G B ) D B A = ( 2.048V G A ) D A V B R 4 + V CC- R 3 IN+ = R 3 + R 4 AV SS = GND G = (1x 2x) R 2 V O = V IN V R OUTA R 1 R 1 D = DAC (0 4096) R 4 R 5 DAC V V CC+ R 4 + V CC- R 5 R 45 = R 4 R R 4 + R 45 = R 4 + R 5 V B R 45 + V 45 R 3 IN+ = V R 3 + R O = V IN R V R OUTA 1 R 1 R Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 23

24 6.8 DAC DAC DAC DAC 1mV 1µV 0V 4.1V 1. : 4.1V/1 µv = 4.1e = 4.2e06 22 DNL = ±0.75 LSB MCP482X 2. DAC B B 1 mv 1µV A 1000 DAC B DNL 3. R 2 100Ω R kω 4. V CC + MCP482X DAC A ( ) A R 1 >> R 2 R 1 V O SPI 3 MCP482X B DAC B ( ) R µf V CC A D A D = 2.048V G A B B = 2.048V G B G = (1x 2x) D = DAC (0 4096) V A R 2 + B R 1 O = R 1 + R 2 DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

25 6.9 DAC R SENSE DAC DAC MCP482X V CC + Load I L SPI 3 V CC I b = 2.048V G D 2 12 R sense I = ---- I L b β I L β = β R sense G = (1x 2x) D = DAC (0 4096) 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 25

26 PICtail MCP482X MCP482X DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

27 MSOP : XXXXXX YWWNNN 4821E Lead PDIP (300 mil) : XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW MCP4821 E/P e3 ^ Lead SOIC (150 mil) : XXXXXXXX XXXXYYWW NNN MCP4821E SN^^ e : XX...X Y ( ) YY ( ) WW ( 01 ) NNN e3 (Sn) JEDEC * JEDEC ( e3) Note: 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 27

28 8-Lead Plastic Micro Small Outline Package (MS) (MSOP) E E1 p B n 1 2 D α c φ A A1 A2 β (F) L Units INCHES MILLIMETERS* Dimension Limits MIN NOM MAX MIN NOM Number of Pins n 8 8 Pitch p.026 BSC 0.65 BSC Overall Height A Molded Package Thickness A Standoff A Overall Width E.193 TYP BSC Molded Package Width E1.118 BSC 3.00 BSC Overall Length D.118 BSC 3.00 BSC Foot Length L Footprint (Reference) F.037 REF 0.95 REF Foot Angle φ Lead Thickness c Lead Width B Mold Draft Angle Top Mold Draft Angle Bottom α β *Controlling Parameter Notes: Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed.010" (0.254mm) per side. JEDEC Equivalent: MO-187 Drawing No. C MAX DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

29 8-Lead Plastic Dual In-line (P) 300 mil (PDIP) E1 2 D n 1 α E A A2 c A1 L β eb B1 B p * MIN NOM MAX MIN NOM MAX n 8 8 p A A A E E D L c B B eb α β * Notes: D E1.010 (0.254mm) JEDEC Equivalent: MS-001 Drawing No. C Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 29

30 8-Lead Plastic Small Outline (SN) Narrow, 150 mil (SOIC) E E1 p 2 D B n 1 45 h α c A A2 φ β L A1 * MIN NOM MAX MIN NOM MAX n 8 8 p A A A E E D h L φ c B α β * Notes: D E1.010 (0.254mm). JEDEC Equivalent: MS-012 Drawing No. C DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

31 MCP4821/4822 A ( ) 2006 Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 31

32 MCP4821/4822 NOTES: DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

33 MCP4821/4822. PART NO. X /XX : MCP4821: 12-Bit DAC with SPI Interface MCP4821T: 12-Bit DAC with SPI Interface (Tape and Reel) (SOIC, MSOP) MCP4822: 12-Bit DAC with SPI Interface MCP4822T: 12-Bit DAC with SPI Interface (Tape and Reel) (SOIC, MSOP) : E = -40 C to +125 C : MS = Plastic MSOP, 8-lead P = Plastic DIP (300 mil Body), 8-lead SN = Plastic SOIC, (150 mil Body), 8-lead : a) MCP4821T-E/SN:, 8LD SOIC package. b) MCP4821T-E/MS: 8LD MSOP package. c) MCP4821-E/SN:, 8LD SOIC package. d) MCP4821-E/MS:, 8LD MSOP package. e) MCP4821-E/P:, 8LD PDIP package. a) MCP4822T-E/SN:, 8LD SOIC package. b) MCP4822-E/P:, 8LD PDIP package. c) MCP4822-E/SN:, 8LD SOIC package Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 33

34 MCP4821/4822 NOTES: DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

35 Microchip Technology Inc. Microchip Technology Inc. Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic SmartShunt AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB PICMASTER SEEVAL SmartSensor The Embedded Control Solutions Company Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In- Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor MPASM MPLIB MPLINK MPSIM PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal Powerlnfo PowerMate PowerTool rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock SQTP OS/TS PICmicro 8-bit MCUs KEELOQ EEPROMs 2000 ISO Microchip Technology Inc. DS21953A_JP-page 35

36 AMERICAS Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: Technical Support: Web Address: Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: Boston Westborough, MA Tel: Fax: Chicago Itasca, IL Tel: Fax: Dallas Addison, TX Tel: Fax: Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: ASIA/PACIFIC Australia - Sydney Tel: Fax: China - Beijing Tel: Fax: China - Chengdu Tel: Fax: China - Fuzhou Tel: Fax: China - Hong Kong SAR Tel: Fax: China - Qingdao Tel: Fax: China - Shanghai Tel: Fax: China - Shenyang Tel: Fax: China - Shenzhen Tel: Fax: China - Shunde Tel: Fax: China - Wuhan Tel: Fax: China - Xian Tel: Fax: ASIA/PACIFIC India - Bangalore Tel: Fax: India - New Delhi Tel: Fax: India - Pune Tel: Fax: Japan - Yokohama Tel: Fax: Korea - Gumi Tel: Fax: Korea - Seoul Tel: Fax: or Malaysia - Penang Tel: Fax: Philippines - Manila Tel: Fax: Singapore Tel: Fax: Taiwan - Hsin Chu Tel: Fax: Taiwan - Kaohsiung Tel: Fax: Taiwan - Taipei Tel: Fax: Thailand - Bangkok Tel: Fax: EUROPE Austria - Wels Tel: Fax: Denmark - Copenhagen Tel: Fax: France - Paris Tel: Fax: Germany - Munich Tel: Fax: Italy - Milan Tel: Fax: Netherlands - Drunen Tel: Fax: Spain - Madrid Tel: Fax: UK - Wokingham Tel: Fax: DS21953A_JP-page Microchip Technology Inc.

21942b_Japanese.book

21942b_Japanese.book : SC70-5 : -40 C +125 C : ±4 C (max.), 0 C +70 C (ADC) : - : 1 mv/ C (typ.) - : 19.5 mv/ C (typ.) : - : V DD = 2.3V 5.5V - : V DD = 3.1V 5.5V : 6 µa (typ.) 10 kω V DD V DD MCLR V SS PICmicro MCU ANI /01

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