MSM B l n n l l l l l l l l n

l n U L L U L U L U

MSM5118165D/DSL l n n l l l l l l l l l n l n U L L U L U L U l n L U n L U l n l l l L U l l m m m m m m m l l l l m l µ UL UL UL UL UL l n RC V IH V IH RP CRP CSH CRP RCD RSH RAD ASR RAH ASC CAH RAL

MSM51V18165F

OKI 2008 10 1 OKI OKI OKI 2008 10 1 OKI 193-8550 550-1 http://www.okisemi.com/jp/ OKI MSM51V18165F FJDD51V18165F-03 2005 6 3 1,048,576-Word 16-Bit DYNAMIC RAM : EDO MSM51V18165F CMOS 1,048,576 16 4 2 CMOS

MSM514400E/EL

1 1,08,576-Word x -BiYNAMIC RAM : 2001 1 CMOS 1,08,576 2 CMOS 26/20 SOJ 26/20 TSOP L!"1,08,576!"5V 10%!" : TTL!" : TTL!" : 1,02 16ms 1,02 128ms L-!"!"CAS RAS RAS!"!" : 26/20 300mil SOJ (SOJ26/20-P-300-1.27)

MSM51V18165F

1 電子デバイス MSM51V1165F 1,04,576-Word 16-Bit DYNAMIC RAM : EDO 機能付き高速ページモード 2000 10 MSM51V1165F CMOS 1,04,576 16 4 2 CMOS 42 SOJ 50/44 TSOP 1,04,576 16 3.3V 0.3V LVTTL LVTTL 1024 /16ms EDO!"# $"# $"# 42 400mil

3 ( 9 ) ( 13 ) ( ) 4 ( ) (3379 ) ( ) 2 ( ) 5 33 ( 3 ) ( ) 6 10 () 7 ( 4 ) ( ) ( ) 8 3() 2 ( ) 9 81

1 ( 1 8 ) 2 ( 9 23 ) 3 ( 24 32 ) 4 ( 33 35 ) 1 9 3 28 3 () 1 (25201 ) 421 5 ()45 (25338 )(2540 )(1230 ) (89 ) () 2 () 3 ( ) 2 ( 1 ) 3 ( 2 ) 4 3 ( 9 ) ( 13 ) ( ) 4 ( 43100 ) (3379 ) ( ) 2 ( ) 5 33 ( 3 )

90 120.0 80 70 72.8 75.1 76.7 78.6 80.1 80.1 79.6 78.5 76.8 74.8 72.4 69.5 95.6% 66.4 100.0 60 80.0 50 40 60.0 30 48.3% 38.0% 40.0 20 10 10.4% 20.0 0 S60 H2 H7 H12 H17 H22 H27 H32 H37 H42 H47 H52 H57 0.0

R1RW0408D シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

R1RP0416D シリーズ

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表01

R1LV0416Dシリーズ　データシート

Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C

R1LV1616H-I シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

R1RW0416DI シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

h1_h4.ai

01 02 03 04 05 PS RC RC CSR CSR CSR 10 11 14 15 400 350 300 250 200 150 100 50 0 2011/12 2012/02 2012/04 2012/06 2012/08 2012/10 2012/12 2013/02 2013/04 2013/06 2013/08 2013/10 2013/12 2014/02 2014/04

1. 52

51 1. 52 5 2. 1 2 54 4 55 5 1 56 2 57 . 1 1 58 2 1 59 2 4 60 61 62 6 64 4. 65 66 67 5 1 2 4 68 1 69 2 70 1 2 71 72 1 2 7 1 2 74 75 1 76 2 77 1 2 78 4 79 5 80 6. 1 81 2 82 8 84 85 86 87 7. 88 89 8. column

扉　序文　目次DVD用　.indd

すぐできる冬の省エネ・節電ガイド

”Žfi¶‰s‚ÒŒh”~”ŒŠá‘WŁ\”ƒ

1 2 2 36 8 1212 15 16 20 22 24 26 28 8 14 21 1 31 32 32 3335 37 39 43 45 48 49 5051 54 56 58 6264 6669 43 50 58 2 73 74 7779 8183 85 88 91 93 9698 100 102103 74 85 93 106 106 108 110 112 3 115 116 116

取扱説明書 [d-01H]

d-01h 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 1 2 19 3 1 2 4 3 20 4 21 1 2 3 4 22 1 2 1 2 1 23 1 1 2 24 25 26 1 1 1 2 27 1 2 3 28 29 1 2 1 2 3 30 1 2 3 4 5 1 2 3 31 1 2 3 4 32 33 34 1 35 1 36 37

R1LV0816ASB データシート

R1LV0816ASB 5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0292-0100 Rev.1.00 2009.11.30 概 要 R1LV0816ASB は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス 技 術 を 用 いた 524,288 語 16 ビット 構 成 を 持 ち 単 一 電 源 で 動 作 する 非 同 期

A B A E

10533-68-3955 10533-68-3955 10533-68-3804 RP A-6 10533-68-3804 10533-69-9615 10533-57-2161 B-2 10533-68-2274 10533-68-2221 10533-67-6282 A-6 10533-57-2161 E-3 10533-68-5161 10533-68-3553 D-2 D-2 10533-69-5258

文字化力強化合宿150918 No.1用

文字化力強化合宿 160623

2

Untitled

R1LV0816ABG -5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0295-0100 Rev.1.00 2009.12.14 R1LV0816ABG 0.15µm CMOS 524,288 16 RAM TFT R1LV0816ABG R1LV0816ABG 7.5mm 8.5mm BGA (f-bga [0.75mm, 48 ])

Netcommunity SYSTEM X7000　IPコードレス電話機　取扱説明書

4 5 6 7 8 9 . 4 DS 0 4 5 4 4 4 5 5 6 7 8 9 0 4 5 6 7 8 9 4 5 6 4 0 4 4 4 4 5 6 7 8 9 40 4 4 4 4 44 45 4 6 7 5 46 47 4 5 6 48 49 50 5 4 5 4 5 6 5 5 6 4 54 4 5 6 7 55 5 6 4 56 4 5 6 57 4 5 6 7 58 4

.A. D.S

1999-1- .A. D.S 1996 2001 1999-2- -3- 1 p.16 17 18 19 2-4- 1-5- 1~2 1~2 2 5 1 34 2 10 3 2.6 2.85 3.05 2.9 2.9 3.16 4 7 9 9 17 9 25 10 3 10 8 10 17 10 18 10 22 11 29-6- 1 p.1-7- p.5-8- p.9 10 12 13-9- 2

RMLV0816BGBG Datasheet

8Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (512k word 16bit) R10DS0229JJ0200 Rev.2.00 概 要 RMLV0816BGBG は 524,288 ワード 16 ビット 構 成 の 8M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMLV0816BGBG

HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ　データシート

HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max)

A

2

HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ　データシート

HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)

2 3

() () () 200,000 160,000 120,000 80,000 40,000 3.3 144,688 43,867 3.1 162,624 52,254 170,934 171,246 172,183 3 2.8 2.6 57,805 61,108 65,035 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 2 7 12 17 22 10.1 12.7 17 22.3 73.4

R1LP5256E Series Datashet

256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) R10DS0070JJ0100 Rev.1.00 概要 R1LP5256E シリーズは シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 32,768 語 8 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです

RMWV3216A Series Datasheet

32Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (2M word 16bit) R10DS0259JJ0100 Rev.1.00 概 要 RMWV3216A シリーズは 2,097,152 ワード 16 ビット 構 成 の 32M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMWV3216A

80

5 80 q w 5 81 q w e r t 82 q w e 5 r 83 q w e r 84 85 5 q w e r t y u i 86 q w we q w 5 e 87 r t y q q w 88 e r 5 t 89 q w e 90 r t q w e r 5 91 q w e r 92 t y u q 5 w 93 e q w e 94 5 95 96 q w e r t 5

110527BR機能カ?イト?_110527BR機能カ?イト?

2 2 2 2 2 2

A B C E ( ) F

WE7281_help

白山の自然誌21　白山の禅定道

平成１６年度　市政年報

Micro-D 小型高密度角型コネクタ

Micro- 1 2 0.64 1.27 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1.09 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 3 4 J J

RMLV0416E Series Datasheet

4Mbit 低消費電力 SRAM (256-kword 16-bit) R10DS0205JJ0100 Rev.1.00 概要 は 262,144 ワード 16 ビット構成の 4M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技術を採用し 高密度 高性能 低消費電力を実現しております したがって RMLV0416E シリーズは バッテリバックアップシステムに最適です パッケージの種類は

宿泊産業活性化のための実証実験

121 32 10 12 12 19 2 15 59 40 33 34 35 36 37 38 3637 20 39 12 19 OFF 2008/12/19 2008/12/25 3 1 1 72,000 2008/12/19 2008/12/26 2 1 1 36,000 2008/12/28 2009/1/5 2 1 1 24,000 2009/1/6 2009/1/16 3 1 1 25,200

P00（表紙）

PJZ012A081_A

901 902 2 40 5 786 30 2 2 100 10100200 903 904 2 3 2 12 905 6765 30 3 61016 1 10162532 253240 2 2 1 2 100 24 45 545 1 2 2 510 1515 1010 50 300 0 10 2942 560 2 1 1 2 24 15 2565 2 10 2942 560 3 3 56 03 18

1037 1038 2 40 5 876 30 2 2 100 10100200 1039 1040 2 3 2 12 1041 6765 30 1 1 2 2 1 2 100 24 45 545 1 2 2 510 1515 1010 50 300 0 10 2942 560 2 1 3 2 10 2942 560 3 61016 1 10162532 253240 1 2 24 15 2565

2 CSR -

20312-1819 2 CSR - 3 1 2 3 ( ) 4 - A 5 B C 5. 6 7 8 9 8. - 9. - 58 9 8 25 16, 7 5 2,500 ( ) 0751,920 07125,2000815,700 10 11 10. - - 12 13 - - 14 13. - - 15 1 61 171228 1843 16F 1 80 25 55 ( 3-21-5 http://akan-nt.or.jp

日清製粉2013_H1_H4.indd

滋賀CSR経営モデル

MSM56V16160F

1 電子デバイス MSM56V16160F 2-Bank 524,288-Word 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 2001 2 2001 1 MSM56V16160F CMOS 2 524,288 16 RAM 3.3V LVTTL 4 CMOS 1 2 524,288 16 3.3V 0.3V LVTTL LVTTL 4096 /64ms Latency 1 2 3

R1LV3216R データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

R1WV6416R データシート

64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) 概要 RJJ03C0287-0100 Rev.1.00 2009.05.07 は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 4,194,304 語 16 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに新規 TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです

untitled

186 17 100160250 1 10.1 55 2 18.5 6.9 100 38 17 3.2 17 8.4 45 3.9 53 1.6 22 7.3 100 2.3 31 3.4 47 OR OR 3 1.20.76 63.4 2.16 4 38,937101,118 17 17 17 5 1,765 1,424 854 794 108 839 628 173 389 339 57 6 18613

untitled

1. 3 14 2. 1 12 9 7.1 3. 5 10 17 8 5500 4. 6 11 5. 1 12 101977 1 21 45.31982.9.4 79.71996 / 1997 89.21983 41.01902 6. 7 5 10 2004 30 16.8 37.5 3.3 2004 10.0 7.5 37.0 2004 8. 2 7 9. 6 11 46 37 25 55 10.

untitled

2014-11.key

2014-11 1 2 3 4 5 7 8 9 10 11 12 PC 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 45 46 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68

5-1_a-kanaoka_JPNICSecSemi_Phish_Tech_20050929_3.PDF

「東京こどもネット・ケータイヘルプデスク（こたエール）」平成22年度相談実績の概要

734, 35% 62, 11% 84, 16% 530, 26% 235, 11% PC) 396, 73% 579, 28% ) (21 ) 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 200 150 100 22 182 200 150 100 22 50 54 PC 49 52 PC 50 41 14 17 1 1 4 16 3 6 14 180 250 200 150 235

6 30 2005 10 1 65 2,682 00 21.9 481 1 2,776 21.0 15 1,740 00 5.8 107 13.6 40 2025 24.2-0 - -1 - -2 - -3 - -4 - -5 - -6 - -7 - -8- -9 - - 10 - -11 - - 12 - - 13-10 11 59 4 59 3 10 17 - 14 - - 15 - - 16

MO 2 E 2 POM -248/16 ev. 1.3_2 L D WP V GND 2* D IN LOD / W D OU OMP LOD 3 Min. yp. Max. V IN Y V IH V = V V = V V IL V = V 2 V =

ev. 1.3_2 MO 2 E 2 POM -248/16 8-Pin DIP ( DP8-DP8-E) 8-Pin OP ( FJ8-DFJ8-E) :µ Max. (V =5.5 V) :.8 m Max. (V =5.5 V, f=4khz).4 m Max. (V =4.5 V, f=1khz) :2.5 5.5 V :1.8 5.5 V 16 (-248, -2416) GN 1 2 8-Pin

R1EV5801MBシリーズ　データシート

1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)

R1RP0416DIシリーズデータシート

Wide Temperature Version 4M High Speed SRAM (256-kword 16-bit) データシート RJJ03C0097-0201 Rev.2.01 概要 R1RP0416DI シリーズは 256k ワード 16 ビット構成の 4M ビット高速スタティック RAM です CMOS(6 トランジスタメモリセル ) プロセス技術を採用し, 高密度, 高性能, 低消費電力を実現しました

431 a s a s a s d a s a 10 d s 11 f a 12 g s 13 a 14 a 15

431 a s a s a s d a sa 10ds 11fa 12gs 13a 14a 15 a s d f g h a s d 10f 11g a 12h s 13j a 14k s 15 432 433 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 434 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 435

( ) PIN A0~A14 NAME TC59LM814CFT TC59LM806CFT BA0, BA1 0~7 ( 8) 0~15 ( 16) CS FN PD, ( 8) U/L ( 16) V DD V SS V D V SSQ V REF NC 1, NC VD VD 5 N

MOS CMOS 256M FCRAM1 4,194,304 4 16 8,388,608 4 8 TC59LM814/06CFT CMOS 268,435,456 (FCRAM TM ) 2 TC59LM814CFT 4,194,304 4 16 TC59LM806CFT 8,388,608 4 8 400M / FCRAM TM DDR SDRAM TC59LM814/06CFT t CK t

life_6.pdf

1 1 1 1 1 1 1

Microsoft Word - 10_TKT_report02.docx

28 10:00-12:00 15:00-17:00 IC 29 30 2010 31 32 33 34 2 16 1/3 PTA 10 1/3 60 70 2 19:00 21:00 60 4 35 1986 6 150 1 10 1000 1 10 50 60 1 only 21 2 51 40 60 2 1 ex. 36 73 44 6 2011 80 13 5 8 60 30 80 1 54

RNA51xxシリーズ　データシート

RNxx CMOS system RESET IC R0DS0090JJ000 Rev..00 0.0.0 RNxx. V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0 V, ±% CMOS, (0.7 μ),, ( MΩ) (RNxx) CMOS (RNBxx). V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0

1 2

( ) ( ) ( ) 1 2 59 2 21 24 275 43 3 26 486 103 27 28 98 105 104 99 1 48 25 29 72 14 33 11-10 3 11 8 14,663 4 8 1 6.0 8 1 0.7 11-6 27 19 22 71 5 12 22 12 1,356 6 4,397 3 4 11 8 9 5 10 27 17 6 12 22 9

NJU3555 NJU

1/16 LCD NJU6573 NJU6573 16 100 LCD 16 100 1/16 1600 LCD NJU6573 LCD CMOS 16 100 1/5 2MHz Max. CR, 16 V DD = 2.4V3.6V P-Sub LQFP144 20.0mm x 20.0mm t=1.7mm(max) 0.50mm pitch - 1 - NJU3555 NJU6573-2 - NJU3555

JRA 24 JRA JRA 3 () KRC 410, 6 37 JRA 591, 8 36

1985.31986.3 1 2 3 4 5 85. 3.30 5. 5 6. 9 7.13 9.23 11. 4 86. 3.22 16 17 8 17 18 3 () 24 3 () 25 3 () 3 () 40 9 3 31 TRP 378, SR SR 339, 7 01 335, 7 20 327, 7 20 388, 7 39 287, 349, 6 19 401, 7 05 337,

(LCC-48P-M03) 2

DS05 20846 4 (LCC-48P-M03) 2 A 15 A 14 A 13 A 12 A 11 A 10 A 9 A 8 A 19 N.C. WE RESET N.C. N.C. RY/BY A 18 A 17 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

コンクリート劣化評価報告書（案）

25 -H14 () 13 15 3 16 6 H13,14 H15 () () H15 () H13 H13,14 () H13,14 () () () () H13,14 H15 () () H15 H13 () () H14,15 () H14 () H15 () () H13,14 () () H15 () () H15 () H13,14 () () H15 () () H15 H13,14

AN6591FJM

IC AN6591FJM PHS, PLL IC AN6591FJMPHSIF PLL IC QFN (Quad flat non-leaded PKG) (0.63) 34 44 R0.30 6.20±0.10 (6.00) 33 23 1 11 (0.63) 22 12 3-C 0.50 (6.00) 6.20±0.10 0.20±0.10 0.80 max Unit : mm, PLL,, APC

Microsoft Word - Łñ“’‘‚.doc

5 4 3 2 1 19921996 1 0 19921996 19972001 20022006 20072001 20122016 20172021 20222026 20272031 20322036 20372041 20422046 20472051 20000 8000 4000 4000 2000 10 10 20 30 40 50 60 70 20 30 40 50 60 70 ,

™…{,

16:30-17:40 1-36 1-37 1-38 1-39 1-40 1-41 1-42 33 10:00-11:10 1-43 1-44 1-45 1-46 1-47 1-48 1-49 12:00-12:50 LS4 34 16:30-17:40 1-50 1-51 1-52 1-53 1-54 1-55 1-56 35 16:30-17:40 1-57 1-58 1-59 1-60 1-61

untitled

1 2 3 4 5 a A b A A DO DH df 90 90 190 190 850 850 1180 a 0.15 0.0008df 0.08 0.76 1180 b 0.25 0.0009df 0.08 1.14 6 B RS-CR1RS-CR3 RS-CV1 RS-CV2 RS-CV3 1 2 3 L H B RS-CR1 RS15 50 16.4 20 RS-CR2 RS25 50

CSRレポート2930

CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 15 8 14 34 39 5 85 CSR REPORT 2009 CSR REPORT 2009 CSR REPORT

CSR Report

公共建築物構造設計の用途係数基準

16soukatsu_p1_40.ai

2 2016 DATA. 01 3 DATA. 02 4 DATA. 03 5 DATA. 04 6 DATA. 05 7 DATA. 06 8 DATA. 07 9 DATA. 08 DATA. 09 DATA. 10 DATA. 11 DATA. 12 DATA. 13 DATA. 14 10 11 12 13 COLUMN 1416 17 18 19 DATA. 15 20 DATA. 16

R1EV58256BxxN Series/R1EV58256BxxR Series Datasheet

R1EV58256BxxN シリーズ R1EV58256BxxR シリーズ 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (R1EV58256BxxR) データシート R10DS0208JJ0200 Rev.2.00 概要 R1EV58256BxxN シリーズと R1EV58256BxxR シリーズは,32768 ワード 8 ビット

<93F195D9837083938374838C8362836732303135303330362E706466>

2 index 3 4 Column 5 1 2 6 3 5 4 6 7 8 1 9 2 10 Column 11 2 12 13 2 14 Column 15 3 http://tokyo-frontier.com/ 16 4 17 5 18 6 Column 19 20 21 22 23 1872 1900 1940 1950 1975 1998 24 2001 2008 2011 2014 25