PowerPoint プレゼンテーション

大面積Micro Pixel Chamberの開発 9

Introduction µ-pic と電場構造 ガス増幅 Simulation 信号波形の再現 まとめと今後 京都大学宇宙線研究室髙田淳史 2 次元ガスイメージング検出器プリント基板技術で製作ピクセル間隔 :4 μm 個々のピクセルでガス増幅大面積 : cm 2 and 3 3 cm 2 大きな増幅率 :max ~15 高い位置分解能 :RMS ~12 μm 均一な応答 :RMS ~5% ( cm

Thick-GEM 06S2026A 22 3

Thick-GEM 06S2026A 22 3 (MWPC-Multi Wire Proportional Chamber) MPGD(Micro Pattern Gas Detector) MPGD MPGD MPGD MPGD GEM(Gas Electron Multiplier) GEM GEM GEM Thick-GEM GEM Thick-GEM 10 4 Thick-GEM 1 Introduction

スライド 1

μpic を用いた電子飛跡検出型 コンプトンカメラの開発と応用 第 6 回 MPGD 研究会 Dec 11, 2009 神戸大学百年記念館六甲ホール 京大理 ISAS/JAXA 1) 株木重人 谷森達, 窪秀利, 身内賢太朗, Parker Joseph, 上野一樹, 黒澤俊介, 岩城智, 高橋慶在澤野達哉, 谷上幸次郎, 中村輝石, 東直樹 高田淳史 1) 目次 1. 緒言 2. 開発 1. μpic

J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay E15 dete

J-PARC E15 (TGEM-TPC) TGEM M1 ( ) J-PARC E15 TPC TGEM TGEM J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay

Ws shojia 2016x　mini

16 -Feb 2017 ILC 飛跡測定器における GEM 型ゲート装置の特性評価 Characteristic evaluation of Gating GEM in ILC track measuring instrument 平成 28 年度修士論文審査会 Master's thesis presentation 岩手大学大学院工学研究科電気電子 情報システム工学専攻 博士前期課程 2 年

スライド 1

2008 年度 P6 発表会 新型半導体検出器 MPPCによる放射線測定 2009 年 3 月 11 日福間 今野班 目次 福間 今野 実験の目的 MPPCとシンチレータ 原理と解説 測定での困難 測定結果と考察 まとめと課題 実験の目的 MPPC(Multi Pixel Photon Counter) 最近になって開発された新しい光検出器優れたフォトンカウンティング能力低電圧で動作コンパクト LaBr3

SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT

3 SPECT SJ SPECT(Single Photon Emission Computer Tomography ) SPECT FWHM 3 4mm [] MPPC SPECT MPPC LSO 6mm 67.5 photo electron 78% kev γ 4.6 photo electron SPECT 9ch MPPC array 3 3 9 3 3 9.mm(sigma) . SPECT..................................................................3............

CdTe γ 02cb059e :

CdTe γ 02cb059e : 2006 5 2 i 1 1 1.1............................................ 1 1.2............................................. 2 1.3............................................. 2 2 3 2.1....................................

PEA_24回実装学会a.ppt

85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由

GEMを使った 中性子画像検出器の開発

GEM を用いた検出器の開発 千葉研究室修士 2 年 杉山史憲 発表の流れ 研究目的 GEMを用いた中性子画像検出器の原理 基本特性 ビームテスト 今後の実験 研究目的 1. 中性子検出の必要性 2. 中性子捕獲 3. 現在の中性子検出器 中性子検出の必要性 中性子の特徴 - スピンが 1/2 - 電荷がゼロ X 線で見た構造 中性子で見た構造 構造解析 窒素 炭素 酸素 水素たんぱく質 ( ミオグロビン

VUV MPPC study

VUV MPPC の性能評価 2014/12/5 B02 班主催第 2 回若手研究者ミニ研究会 @ 名古屋大学 早大寄田研 ANKOK 実験 M2 鷲見貴生 暗黒物質 (WIMP) とその直接探索 暗黒物質存在の示唆 宇宙論的観測 ( 宇宙背景輻射 大規模構造 etc.) 天文学的観測 ( 銀河の回転曲線 重力レンズ etc.) 標準模型を超える理論 (SUSY, 超弦理論 etc.) 暗黒物質の存在はほとんど揺るぎない事実

NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L

19 P6 γ 2 3 27 NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter LaBr 3 (Ce) PMT 662keV 2.9% CsI(Tl) 7.1%

SMILE実験計画と2018年豪州気球実験SMILE-2+

日本天文学会 2018 年秋季年会 @ 兵庫県立大学 V336a SMILE 実験計画と 2018 年豪州気球実験 SMILE-2+ 水村好貴 ( 京都大学 ) 谷森達, 高田淳史, 竹村泰斗, 吉川慶, 中村優太, 小野坂健, 齋藤要, 阿部光, 窪秀利, 水本哲矢, 古村翔太郎, 岸本哲朗, 中増勇真, 谷口幹幸 ( 京都大学 ), 黒澤俊介 ( 東北大学 ), 身内賢太朗 ( 神戸大学 ),

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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

FPWS2018講義千代

千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 3つの究極の 宗教や神話 哲学や科学が行き着く人間にとって究極の問い 宇宙 世界 はどのように始まり どのように終わるのか 全てをつかさどる究極原理は何か 今日はこれを考えます 人類はどういう存在なのか Wikipediaより 4 /72 千代勝実(山形大学) 素粒子物理学入門@FPWS2018 電子レンジ 可視光では中が透け

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

目次 目次 1章 序論 研究の目的 MPGD MPGD の応用...6 2章 GEM(Gas Electron Multiplier) GEM とは 加工方法 GEM の増幅過程 光子と

平成 24 年度 卒業論文 Thick-GEMの温度依存性と ガス流量依存性の測定 信州大学 理学部物理科学科 高エネルギー物理学研究室 09S2030A 南山 平成25年３月 仁美 目次 目次 1章 序論...3 1.1 研究の目的...3 1.2 MPGD...4 1.3 MPGD の応用...6 2章 GEM(Gas Electron Multiplier)...7 2.1 GEM とは...7

LEPS

LEPS2 2016 2 17 LEPS2 SPring-8 γ 3 GeV γ 10 Mcps LEPS2 7 120 LEPS Λ(1405) LEPS2 LEPS2 Silicon Strip Detector (SSD) SSD 100 µm 512 ch 6 cm 3 x y 2 SSD 6 3072 ch APV25-s1 APVDAQ VME APV25-s1 SSD 128 ch

Microsoft PowerPoint - siryo7

. 化学反応と溶液 - 遷移状態理論と溶液論 -.. 遷移状態理論 と溶液論 7 年 5 月 5 日 衝突論と遷移状態理論の比較 + 生成物 原子どうしの反応 活性錯体 ( 遷移状態 ) は 3つの並進 つの回転の自由度をもつ (1つの振動モードは分解に相当 ) 3/ [ ( m m) T] 8 IT q q π + π tansqot 3 h h との並進分配関数 [ πmt] 3/ [ ] 3/

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P2 前期の実験発表資料 一光子干渉による干渉縞の測定 今川要, 高橋唯基, 谷真央, 辻川吉明, 冨永貴弘, 中川耕太郎, 中田拓海, 西田森彦 実験の目的 MPPC 回路 LED ドライバ 実験のセットアップ 本実験 解析 まとめ スライドの流れ 実験の目的 量子力学における 光の 粒子と波動の二重性 を検証したい 1 光子による干渉が起こることを確認する LED 光検出器 二重スリットによる光の干渉実験

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相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

Drift Chamber

Quench Gas Drift Chamber 23 25 1 2 5 2.1 Drift Chamber.............................................. 5 2.2.............................................. 6 2.2.1..............................................

muramatsu_ver1.key

229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow

CsI(Tl) 2005/03/

CsI(Tl) 2005/03/30 1 2 2 2 3 3 3.1............................................ 3 3.2................................... 4 3.3............................................ 5 4 6 4.1..............................................

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

<4D F736F F D F8E968BC68CB495EB81698D828F5790CF814595A18D874D454D53816A5F8CF68A4A94C55F C966B91E58A77816A5B315D89FC92F92E646F63>

(2)MEMS- 半導体横方向配線技術の研究開発 (2)-1.MEMS ー半導体横方向配線技術の研究開発 ( 東北大学 ) 1. 研究の概要 344 2. 成果の詳細 MEMS と LSI を高密度に一体化実装する新しい低温積層高密度一体化実装技術を開発することを目的として研究開発を行った 研究開発の内容は 1) セルフアセンブリー機能を利用してフレキシブル配線基板上に LSI チップや MEMS

気体を用いた荷電粒子検出器

2009/12/7 物理学コロキウム第 2 気体を用いた荷電粒子検出器 内容 : 1. 研究の目的 2. 気体を用いた荷電粒子検出器 3. 霧箱での α 線の観察 4. 今後の予定 5. まとめ 柴田 陣内研究室 寄林侑正 2009/12/7 1 1. 研究の目的 気体の電離作用を利用した荷電粒子検出器の原理を学ぶ 実際に霧箱とスパークチェンバーを作成する 放射線を観察し 荷電粒子と気体粒子の相互作用について学ぶ

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東北大学サイクロトロン ラジオアイソトープセンター測定器研究部内山愛子 2 電子の永久電気双極子能率 EDM : Permanent Electric Dipole Moment 電子のスピン方向に沿って生じる電気双極子能率 標準模型 (SM): クォークを介した高次の効果で電子 EDM ( d e ) が発現 d e SM < 10 38 ecm M. Pospelov and A. Ritz,

目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ

オルソポジトロニウムの寿命測定による QED の実験的検証 課題演習 A2 2016 年後期 大田力也鯉渕駿龍澤誠之 羽田野真友喜松尾一輝三野裕哉 目次 2 1. イントロダクション 2. 実験原理 3. データ取得 4. データ解析 5. 結果 考察 まとめ 第 1 章イントロダクション 実験の目的 4 ポジトロニウム ( 後述 ) の崩壊を観測 オルソポジトロニウム ( スピン 1 状態 ) の寿命を測定

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シンチレーションカメラ ( MeVγ カメラ散乱 γ 検出部 ) の製作 京都大学宇宙線研究室 M1 西村広展 1 散乱 γ 線カメラ 2 アンガーカメラ 3 ピクセルカメラ 1 散乱 γ 線カメラ 二次元位置分解能数 mm エネルギー分解能 9%(FWHM) @662keV Energy band 100keVから2MeV 吸収係数大 大面積 (30cm 30cm) 5 安価 低電力 大強度 シンチレーターの利用

T2K 実験 南野彰宏 ( 京都大学 ) 他 T2Kコラボレーション平成 25 年度宇宙線研究所共同利用成果発表会 2013 年 12 月 20 日 1

T2K 実験 南野彰宏 ( 京都大学 ) 他 T2Kコラボレーション平成 25 年度宇宙線研究所共同利用成果発表会 2013 年 12 月 20 日 1 T2K 実験 J- PARC でほぼ純粋な ν µμ ビームを生成 生成点直後の前置検出器と 295km 離れたスーパーカミオカンデでニュートリノを観測 ニュートリノ振動の精密測定 T2K 実験における振動モード 1. ν µμ ν e (ν e

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

年報通し校_年報通し校

大型放射光施設の現状と高度化 図6 摸擬信号によるPDアンプ系のレスポンス また XFELのコミッショニングプロセス初期において 自発光やアラインメントアンジュレータ光をPINフォトダ イオードで直接検出する場合は 103光子/パルスという 微弱な光を扱うことが要求される さらに施設が大きいた め 信号を長距離伝送しなくてはならない 上記測定を可能とするシステム構築のため 1 ６桁の 広ダイナミックレンジ電荷有感型アンプと波形整形による

d

ILC 崩壊点検出器の為の高精細 CCD 読み出し回路の研究 d s c b b higgs e 2012 東北大学加藤恵里子 1 2 崩壊点検出器 < 性能を決める要素 > 読み出し速度等デザインを決める重要事項 LHC 放射線耐性 (flavor tag) Belle2 Trigger rate (B の崩壊寿命差 σ Z

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

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理研の PPAC ( 動作原理と性能 ) 熊谷秀和理研 Big-RIPS For meeting at RIBF 008/3/17 1 話の内容 1.PPAC (Parallel Plate Avalanche Counter) の特徴と動作原理.Townsend 第一係数の測定 3. エネルギー損失の分布関数 計算値と実測データの比較 4.Delay Line 位置読出しPPACの特性 5.δ 線の影響除去方法

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

共同開発研究の中核として 研究開発を進めている 研究内容と成果 2 種類のシリコン結晶をひとつのウエハー内に持つという SOI 構造 ( 図 1) の特長を最大限に活かした 高い放射線検出効率を持った信号処理回路一体型の微細ピクセルセンサーを実現した ( 図 2 図 3) 開発した SOI ピクセル

報道関係者各位 平成 29 年 6 月 23 日 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構国立大学法人筑波大学 世界最高精度の放射線測定センサーを開発 本研究成果のポイント 1)SOI 技術を使って 超微細ピクセルの放射線センサーを開発 2) 世界で初めて 1μm 以下の位置測定器精度を達成 3) 素粒子 原子核実験 更には放射光実験での活躍が期待 概要 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

Microsoft PowerPoint - qchem3-11

8 年度冬学期 量子化学 Ⅲ 章量子化学の応用.6. 溶液反応 9 年 1 月 6 日 担当 : 常田貴夫准教授 溶液中の反応 溶液反応の特徴は 反応する分子の周囲に常に溶媒分子が存在していること 反応過程が遅い 反応自体の化学的効果が重要 遷移状態理論の熱力学表示が適用できる反応過程が速い 反応物が相互に接近したり 生成物が離れていく拡散過程が律速 溶媒効果は拡散現象 溶液中の反応では 分子は周囲の溶媒分子のケージ内で衝突を繰り返す可能性が高い

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

実験セットアップ 輸送ソレノイド36 出口 ミューオン停止標的 マグネシウム 大きさ 37mm 8mm 厚さ 2mm Bz = 2. T 双極磁場 By=+.4 T トリガーカウンター プラスチックシンチレーター 磁場に耐性のあるMPPCで読み出し 厚さ 3.5mm μビーム μ ミューオンX線 ビーム中負ミューオンの位置分布 シミュレーション 遮 Mg標的の位置 9 X線検出器 ゲルマニウム検出器

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

2009 年 11 月 16 日版 ( 久家 ) 遠地 P 波の変位波形の作成 遠地 P 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに P U () t = S()* t E()* t P() t で近似的に計算できる * は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録

遠地 波の変位波形の作成 遠地 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに U () t S() t E() t () t で近似的に計算できる は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録 参照 ) ここで St () は地震の断層運動によって決まる時間関数 1 E() t は地下構造によって生じる種々の波の到着を与える時間関数 ( ここでは 直達 波とともに 震源そばの地表での反射波や変換波を与える時間関数

自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2

神岡地下での中性子測定 南野 ( 京大 ) 第 3 回 B02 班若手ミニ研究会 2015 年 5 月 17 日 @ 神戸大 1 自己紹介 南野彰宏 大学院 : 東大宇宙線研神岡グループ 暗黒物質探索 (XMASS) ( ニュートリノ (SK K2K)) 研究員 助教 : 京大高エネ ニュートリノ (T2K SK Hyper- K AXEL) 2 はじめに 12 年前にやった実験なので ほとんど忘れてます

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

GJG160842_O.QXD

Microsoft PowerPoint - jps11s_karube_ver110422

CALET プロトタイプの ビーム実験結果と シミュレーションの比較 早大理工研, 神奈川大工 A, 横浜国大工 B, 苅部樹彦, 鳥居祥二, 笠原克昌, 小澤俊介, 清水雄輝, 赤池陽水, 相場俊英, 植山良貴, 奥野祥二 A, 田村忠久 A, 片寄祐作 B 目次 研究目的 実験概要 データ解析方法 解析の流れ 検出器の座標較正, シャワートリガーと混入粒子除去条件 陽電子に関する実験結果とシミュレーションとの比較

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt

LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

周波数特性解析

周波数特性解析 株式会社スマートエナジー研究所 Version 1.0.0, 2018-08-03 目次 1. アナログ / デジタルの周波数特性解析................................... 1 2. 一巡周波数特性 ( 電圧フィードバック )................................... 4 2.1. 部分周波数特性解析..........................................

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

1 SOI KEK _SSS14_XraySOI_v4.key

1 SOI tsuru@cr.scphys.kyoto-u.ac.jp KEK 20140110_SSS14_XraySOI_v4.key l. Ｘ線CCD - スタンダード検出器 [Vol. 59, Suzaku すざく XIS 2 広視野(~20-30mm )かつ精密撮像 (~30μm ) ファノ極限の精密分光 (ノイズ ~3e- rms) 読み出しが遅い(~sec) パルサーやBHの高速現象が観測できない

1 5 1.1................................ 5 1.2 MPGD.......................................... 6 1.2.1 GEM...................................... 6 1.2.2

19 GEM 2 2008/3/13 1 5 1.1................................ 5 1.2 MPGD.......................................... 6 1.2.1 GEM...................................... 6 1.2.2 MICROMEGAS................................

ｎｓｇ０２－１３／ｋｙ０４５０５９３０１６０００３３２１０

φ φ φ φ κ κ α α μ μ α α μ χ et al Neurosci. Res. Trpv J Physiol μ μ α α α β in vivo β β β β β β β β in vitro β γ μ δ μδ δ δ α θ α θ α In Biomechanics at Micro- and Nanoscale Levels, Volume I W W v W

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

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受信機 1. 直線受信機 2. スーパヘテロダイン受信機 受信機 1.AM 受信機 DSB 受信機 SSB 受信機 2.FM 受信機 高周波増幅器 アンテナで受信した希望周波数 f s を増幅する 周波数変換回路 混合器と局部発振器からなり 高周波増幅された信号を中間周波数に変換する 局部発振器 スーパヘテロダイン受信機の局部発信周波数は受信周波数より中間周波数だけ高く ( 低く ) 設定する 混合器

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

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プロセス制御工学 6.PID 制御 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University manabu@cheme.kyoto-u.ac.jp http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/

0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2

24 11 10 24 12 10 30 1 0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2 23% 29% 71% 67% 6% 4% n=1525 n=1137 6% +6% -4% -2% 21% 30% 5% 35% 6% 6% 11% 40% 37% 36 172 166 371 213 226 177 54 382 704 216

10 117 5 1 121841 4 15 12 7 27 12 6 31856 8 21 1983-2 - 321899 12 21656 2 45 9 2 131816 4 91812 11 20 1887 461971 11 3 2 161703 11 13 98 3 16201700-3 - 2 35 6 7 8 9 12 13 12 481973 12 2 571982 161703 11

49Z-12716-2.qxd (Page 1)

www.tektronix.co.jp µ 全 A = 1/4N * ( T 1-T 2 ), (i =1...N) ディスク ドライブ設計のための測定ソリューション アプリケーション ノート 図 6. リード チャンネルの電流を生成するために使用する任意波形ゼネレー タと電流プローブ リード ライト ヘッドの電流 ライト ヘッドの電流振幅は ヘッド リードを電流プ ローブでルーピングすることにより簡単に測定できま

図 2.Cat2 ケーブルの減衰特性 通常伝送線路の減衰特性は 1-1) 式のように 3つのパラメータで近似されます DC 抵抗表皮効果誘電損失 A + f*b + f*c 1-1) ところが仕様書の特性を見ると0~825MHz までは-5dB でフラット 5.1GHz までは直線的な減衰になってい

LTSPICE による HDMI コンプライアンステストシミュレーション シグナル工房 : www.signalkhobho.com 野田敦人 LTSPICE はリニアテクノロジー社のノード制限のないフリーの SPICE 解析ツールです これまで LTSPICE でサポートされている伝送線路モデルは無損失の TLINE か一定損失の LTLINE であるため 広帯域の周波数特性が必要なタイムドメインのアイパターンシミュレーションには使われてきませんでした

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

スライド 1

オームの法則 電気抵抗のある部位に 1A の電流が通り 1V の電圧が発生したときの電気抵抗を 1Ω( オーム ) と定義するので R (Ω) の抵抗に I (A) の電流が通ると 発生する電圧 E は E = I R ファラデーの法則 ( 電磁誘導 ) 電流の通る部位に磁界がある場合 磁束 φ が 1 秒間に変化する割合と 発生電圧 ( 誘導起電力 ) E の関係は E = dφ/dt ジュールの法則

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

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パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第三回サイリスタ位相制御回路逆変換動作 平成 年 月 日月曜日 限目 誘導負荷 位相制御単相全波整流回路 導通期間 ( 点弧角, 消弧角 β) ~β( 正の半波について ) ~ β( 負の半波について ) β> となる時に連続導通となる» この時, 正の半波の導通期間は~» ダイオードでは常に連続導通 連続導通と不連続導通の境界を求める オン状態の微分方程式

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半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ

株式会社xx御中

SAW 共振子による低位相雑音発振器 と次世代携帯電話への応用 電子情報通信学会春季総合大会於名城大学 アール エフ アーキテクチャ株式会社 森榮真一 2017 年 3 月 26 日 サマリー : 次世代携帯電話向けローカル発振器の提案と検証 次世代携帯電話通信においては 更なる高速 大容量化が期待されている 今後 携帯電回線高速化の実現のために 利用電波帯域は数十 GHz 帯への移行が予測される

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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

PFC回路とAC-DC変換回路の研究

第 2 回電気学会東京支部栃木 群馬支所合同研究発表会 2012/2/29 EG1112 PFC 回路と ACDC 変換器 村上和貴小堀康功邢林高虹 小野澤昌徳小林春夫高井伸和新津葵一 ( 群馬大学 ) Outline 研究背景と目的 PFCについて 従来 PFC 付 ACDC 変換器 新提案 PFC 付 ACDC 変換器 シミュレーションによる検討 まとめ Outline 研究背景と目的 PFCについて

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

SMILE-II+実験概要

髙田淳史 ( 京都大学 ) 谷森達, 水村好貴, 古村翔太郎, 岸本哲朗, 竹村泰斗, 吉川慶, 谷口幹幸, 中村優太, 小野坂健, 斎藤要, 窪秀利, 黒澤俊介 ( 東北大 ), 身内賢太朗 ( 神戸大 ), 澤野達也 ( 金沢大 ), 濱口健二 (GSFC) 元素合成 SNR : 放射性同位体銀河面 : 26 Al 電子陽電子対消滅線粒子加速ジェット (AGN) : シンクロトロン + 逆コンプトン強い重力場

新技術説明会　様式例

静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

形式 :PDU 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力

計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 密着取付可能 アプリケーション例 容積式流量計のパルス信号を単位パルスに変換 機械の回転による無接点信号を単位パルスに変換

荷電粒子飛跡検出器ドリフトチェンバーの構造と性能テスト

荷電粒子飛跡検出器ドリフトチェンバーの構造と性能テスト Shibata-lab. Shou Miyasaka - Contents - 1. MWPC(Multi Wire Proportional Chamber) および DC(Drift Chamber) とは何か 2. E906 実験の物理と spectrometer 3. Station 3 Drift Chamber の性能テスト 4.

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基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )

8.1 有機シンチレータ 有機物質中のシンチレーション機構 有機物質の蛍光過程 単一分子のエネルギー準位の励起によって生じる 分子の種類にのみよる ( 物理的状態には関係ない 気体でも固体でも 溶液の一部でも同様の蛍光が観測できる * 無機物質では規則的な格子結晶が過程の元になっているの

6 月 6 日発表範囲 P227~P232 発表者救仁郷 シンチレーションとは? シンチレーション 蛍光物質に放射線などの荷電粒子が当たると発光する現象 材料 有機の溶液 プラスチック 無機ヨウ化ナトリウム 硫化亜鉛 など 例えば以下のように用いる 電離性放射線 シンチレータ 蛍光 光電子増倍管 電子アンプなど シンチレーションの光によって電離性放射線を検出することは非常に古くから行われてきた放射線測定法で

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Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

電磁波解析入門セミナー 説明資料 All Rights Reserved, Copyright c Murata Software Co., Ltd. 1

電磁波解析入門セミナー 説明資料 1 もくじ 1. 電磁波解析の概要 2. 電磁波解析の機能 設定の紹介 2 もくじ 1. 電磁波解析の概要 Femtet の3つの電磁界ソルバ... 4 電磁波解析の3つの種類... 5 調和解析... 6 導波路解析... 7 共振解析... 8 2. 電磁波解析の機能 設定の紹介 3 Femtet の 3 つの電磁界ソルバ Femtet には 3 つの電磁界ソルバがあります

(Microsoft Word - \221\3461\225\224\214\343\224\274.doc)

(18 18) 近接撮像型 DOI-PET 装置の計算機シミュレーションによる検出器配置の検討 菅幹生 1) 山谷泰賀 2) 小林哲哉 1) 高橋悠 1) 1) 千葉大学 工学部 2) 放射線医学総合研究所 医学物理部 1. はじめに近年 食生活の欧米化や生活様式の変化に伴い 乳がんによる死亡率は急激に上昇している 乳がんは早期発見 早期治療による効果が非常に高いことから 初期段階での発見を目的とした乳がん検診が薦められている