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さあしゃはぎにわ
7 years ago
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1 Title ダイヤモンドのエピタキシャル成長とその半導体デバイスに関する研究 ( Dissertation_ 全文 ) Author(s) 藤森, 直治 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date URL Right Type Thesis or Dissertation Textversion author Kyoto University

( 京都大学 ) Issue Date 1995-03-23 URL http://dx.doi.org/10.

4 ~ 長面観察および電子線 rnj 折による評価 - - 一一 60

5 l 噌は窒素を含むのに対して日型は~; 誌をほとんど含んでいない ~ 在京 b;~ ~ 結合の吸収が起こらず見た目には無色透明である

6 !r~の半導体特性の版肉となっている ~ 温度条併でダイヤモンドを合成しているンドてその粒径は数 μm から lmm 粍度である近年超 r~:j ~ ~

7 ix 峨ガスレーザのレンズて~,に使 i l~ は熱伝導本を a ダイヤモンドに近い熱伝導 ~とするには宅素を

9 ~l ダイヤモンドが作製できることを心した向 7) 8 ドーピングが p 型半導体 ~~.(~ 述度 n の指野は高周波の i:'~

10 .C でも観察され (..~ ~. 晶でもデバイスが利 ~l に純結品を置き炭ふ?J,~! と岨結品のIlU に溢度 J 去を付けるん 7J.はダイヤモンドの間体レーザの先 ~を報 :りしているり耐熱 fl が優れることと合わせて発熱 ~4': b 型ダイヤモンドは p 剤 I~ 導体であり Jf~と J えども穿系の含まれていない天然の ( ~ ctal ~が生成するとしている

11 ~l 半導体の形成は単結 till p 明ダイヤモンドに対してはほとんどのく't:~が φm<φ Co11jns~ 与は T

12 ,~ 2.~ ~)ダイヤモドの光伝導を常 ~U と抜体窒 )t~ 温度で測定し液体 ~

13 l'1~ 1 で述べたように起,~.~ í,~に実用化されたともあり必 ~Inlで半導体としては利川できない ~:はダイヤモンド以外の jん仮 1-_ にダイヤ的な手法凶発を 1~ むこととなった

16 ~1 相からのダイヤモント形成のメカニスムの解明を気相払!~の肝

17 れたーん起 r:'~ Jl 合成により杓製された B ドープの 111Ui 品は ~ 素やが4 媒 A~ 等をドーピ

18 ~Cl. ~e 官 Dlamond た悠々な共 il 量的な評価技術について測定条件や測定慌 ~について述べる第 8 市 :では本研究の ~!í ~~を示す S.~. V.~.

19 ~..~ pp 1. ~. 見は ~J 'i~ 峻 ( HF:H~OJ 孟 1 ~l> 阪としては jill 1;~' に研阪が行われていたが - ~ ー

20 反応ガスは ~ass - ~T その.t,~

21 ~ し 4 ~ ~

23 ~ 観察

24 O~ /cm2 程度ダイヤモンド紘子で基板をこする ~

26 ~~- ー ~ ~

28 ~o ~l

31 ~ エピタキシャル成長は ~1. 紡品基肱 l に形成しさえすれば良質な Ijl 結品肢が判明した結品性の低下の原因は J!: 板面と H 位の異なる結品が 2 次的に J I ~ ~ishimura, ~lshimura ~.li j

32 ~ 像

33 ) 面は[~] 折スポットが大きく内阿部ではリング状のパターぷ~ このように成長の~ 初期から

35 ム l!ji 観察および屯子線匝折による,i~f. 価

36 ~I メタン濃度の増加とよ~に基

38 マン光強度 ~ メタン濃度 1~6% では ~ ~

40 ~r. の氾人深さは 2μm 以下と推定されるう X 線ルミネッセンスで X 線 t~ の ig 流偵の変化によるピーク仇貯れるが屯流 {I~ が増加すると 2. A ぺアーは再結合の紘串が低く高励起 ~:ì:

41 ここで E. ~ E d ~ 3. の発光の方が ~くに離れた o A ペアーの再結合による発光と~ えられる n の論文では lí~

42 ~.; が H ~~ 以外のダイヤモン n 型の光伝導が ~I ~ じることを報告しており 5

43 ~で作製したエピ膜のカソー

44 k と成っていると~えられ結品粒内の水 R~ 合有量は大きい可能性があることから少 ~(かもしれないが結品内に水紫が含有されていると考えたプj 人 j~ の J b は 50ppmf~JJ(の窒京を合布しているその他のィ純物.ït;,#としては水ふの~イj を考慮しなくてはならないエピ t~ 純に粒界付近での歪もしくは不純物偏折が低エネルギー側のカソードル 950cm ~ ' 付近の C か

45 エピ股の結果を~ ~{ 骨子によって歪が緩和され 1~1 ~ ~

46 ~!j 品訟による

47 これ等の t~ 粘! 品に比べてかけはなれて結品性が恋くはないと (11~ 三 {11100] ~ - -~

51 たエピタキシャル成長膜のみ (fil SE~l 像を対 5 C および P/C = loo~

55 O~ [CH~] '-'~O() 門 ~ ~ 品企 66^ ~6. 6 ~ ~^.

56 V~こ

57 置換.N~ 原チとして格子に組み込まれると発生する w をダイヤモ n 型 \I~:. 導体ダイヤモン ~Ri 以外の V 族元ぷではドー

58 [~ ~ 炉 ~

60 z に対する浪度を ().48ppm に "~1 定した 6 の b~

61 ~ 語

62 j~ 叡へメタン濃瓜 1

63 側 ~ ~. -~Q ~ 喧 ~ -'"""'V o~_ ø~ ~ 甲 0 000

64 tlmo mø ~ O. 飽和領域遷移 ~fl 凪

66 ~ ~ oo~o Cb

67 ~ 3 と rl~ 条件で

69 ~l であるとの計測もされたが再現性がなかった ~l ダイヤモンドはエピタキシ ~が形成できることが判第 3 回ニューダイヤモンドシンポジウム講演予稿,~, *J;~. ~まにも述べたように基仮温度 4

70 2 というきわめて大きい M~ となる

71 Mo~ 極の接触特性

73 ~-; トキー附 Jl,~ 高さ O~A/k2m2 ~.::t Jl~ ~1îさは式

75 ~ 託制

76 ~-20

77 í~ 加熱による 1'''; 空蒸 1í'てー 0,

78 10~ 10~

79 ~a t. v 特性をンJ~ すが本研究の範聞では\\'と A ~urphy C.~. ~.

80 ~~までの研究の鮎果 I 屯祢をゲートとする ~1 ( ~ ~ タングステン m~1こ"

82 ~;. ~lj のダイヤモン必 ~がある ~~のパン

87 このド f~ ~から B ドープ府へlI't 接 ig 械を流すことができると

89 りヘテロ接介デバイス超格子デバイスに~るまで数多くのデバイスが実

91 ~jr ~ishibayashi. ~aoj ~ishibayasi ~ishibayasi ~aoji ~aterials. ~akahata. ~lshlbaya shl

A 寸 ~

A 寸 ~ 学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree 資源タイプ Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 近世期における宮廷記録とその周辺 - 御湯殿上日記を中