ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS to V SS V to +100V DET,, WAD, PG, 2EC to V SS V to +100V CLS to V SS V to +6V Maximum Current on CLS (100m
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- ぜんま あると
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1 ; Rev 0; 12/09 概 要 EVALUATION KIT AVAILABLE パワーMOSFET 内 蔵 IEEE 802.3af/at 準 拠 は Power over Ethernet (PoE) システムにおけるIEEE 802.3af/at 規 格 に 準 拠 する 受 電 機 器 (PD) 用 の 完 全 なインタフェース を 提 供 します は 検 出 シグネチャ 分 類 シ グネチャ および 突 入 電 流 制 御 を 備 えた 内 蔵 アイソレー ションパワースイッチをPDに 提 供 します 突 入 期 間 の 間 は アイソレ ーションパワー MOSFETが 完 全 にエンハンスされたときに720mA 880mAのより 高 い 電 流 制 限 に 切 り 替 える 前 に 電 流 を 180mA 以 下 に 制 限 します このデバイスは 幅 の 広 いヒス テリシスと 長 いデグリッチ 時 間 付 きの 入 力 UVLOを 備 えて おり ツイストペアケーブルの 抵 抗 によるドロップを 補 償 し パワーオン/オフ 状 態 時 のグリッチフリー 遷 移 を 保 証 します は 入 力 において 最 大 100Vに 耐 えることができます は IEEE 802.3at 規 格 に 規 定 さ れた2イベント 分 類 方 式 に 対 応 し タイプ2 電 源 機 器 (PSE)に よるプローブ 時 に 示 す 信 号 を 提 供 します このデバイスは ACアダプタの 電 源 接 続 の 存 在 を 検 出 して PoE 電 源 から ACアダプタへのスムーズな 切 替 えを 可 能 にします はパワーグッド(PG) 信 号 2 段 階 の 電 流 制 限 およびフォールドバック 過 熱 温 度 保 護 および di/dt 制 限 も 提 供 します は 省 スペースの3mm x 3mm の10ピンTDFNパワーパッケージで 提 供 されます これらの デバイスは の 拡 張 温 度 範 囲 で 動 作 します 特 長 S IEEE 802.3af/at 準 拠 S 2イベント 分 類 S ACアダプタインタフェースを 簡 素 化 S PoEクラス0 5 S 入 力 の 絶 対 最 大 定 格 :100V S 突 入 電 流 制 限 :180mA (max) S 通 常 動 作 時 の 電 流 制 限 :720mA 880mA S 電 流 制 限 機 能 およびフォールドバック S レガシーUVLO (36V 時 ) (MAX5969A) S IEEE 802.3af/at 準 拠 40VのUVLO (MAX5969B) S 過 熱 温 度 保 護 S 放 熱 特 性 を 高 めた3mm x 3mmの10ピンTDFN 型 番 PART TEMP RANGE PIN-_ PACKAGE +は 鉛 (Pb)フリー/RoHS 準 拠 のパッケージを 表 します *EP = エクスポーズドパッド UVLO_ THRESHOLD _ (V) MAX5969AETB+ -40NC to +85NC 10 TDFN-EP* 35.4 MAX5969BETB+ -40NC to +85NC 10 TDFN-EP* 38.6 アプリケーション IEEE 802.3af/at 受 電 機 器 ピン 配 置 IP 電 話 ワイヤレスアクセスノード IPセキュリティカメラ TOP VIEW WiMAX 基 地 局 CLS DET 2 9 2EC IEEEはInstitute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. の 登 録 サービスマークです WiMAXはWiMAX Forumの 商 標 です N.C. I.C. V SS 3 4 MAX5969A MAX5969B 8 7 PG WAD 5 EP* 6 TDFN (3mm 3mm) *EP = EXPOSED PAD. CONNECT TO V SS. Maxim Integrated Products 1 本 データシートは 日 本 語 翻 訳 であり 相 違 及 び 誤 りのある 可 能 性 があります 設 計 の 際 は 英 語 版 データシートを 参 照 してください 価 格 納 期 発 注 情 報 についてはMaxim Direct ( )にお 問 い 合 わせいただくか Maximのウェブサイト (japan.maxim-ic.com)をご 覧 ください
2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS to V SS V to +100V DET,, WAD, PG, 2EC to V SS V to +100V CLS to V SS V to +6V Maximum Current on CLS (100ms maximum)...100ma Continuous Power Dissipation (T A = +70NC) (Note 1) 10-Pin TDFN (derate 24.4mW/NC above +70NC) Multilayer Board mW Package Thermal Resistance (Note 2) BJA...4NC/W BJC...9NC/W Operating Temperature Range NC to +85NC Maximum Junction Temperature NC Storage Temperature Range NC to +150NC Soldering Temperature (reflow) NC Note 1: Maximum power dissipation is obtained using JEDEC JESD51-5 and JESD51-7 specifications. Note 2: Package thermal resistances were obtained using the method described in JEDEC specification JESD51-7, using a fourlayer board. For detailed information on package thermal considerations, refer to japan.maxim-ic.com/thermal-tutorial. Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V IN = ( - V SS ) = 48V, R DET = 24.9kω, R CLS = 619ω., WAD, PG, and 2EC unconnected, all voltages are referenced to V SS, unless otherwise noted. T A = T J = -40NC to +85NC, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25NC.) (Note 3) PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS DETECTION MODE Input Offset Current I OFFSET V IN = 1.4V to 10.1V (Note 4) 10 FA Effective Differential Input Resistance CLASSIFICATION MODE Classification Disable Threshold dr V IN = 1.4V up to 10.1V with 1V step, = = WAD = PG = 2EC (Note 5) ki V TH,CLS V IN rising (Note 6) V Classification Current I CLASS Classification Stability Time 0.2 ms Class 0, R CLS = 619I V, = Class 2, R CLS = 66.5I = WAD = Class 3, R CLS = 43.7I ma V IN = 12.5V to Class 1, R CLS = 117I PG = 2EC Class 4, R CLS = 30.9I Class 5, R CLS = 21.3I TYPE 2 (802.3at) CLASSIFICATION MODE Mark Event Threshold V THM V IN falling V Hysteresis on Mark Event Threshold 0.84 V V IN falling to enter mark event, 5.2V P V IN Mark Event Current I MARK P 10.1V ma Reset Event Threshold V THR V IN falling V POWER MODE V IN Supply Voltage Range 60 V V IN Supply Current I Q Measured at ma 2
3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (V IN = ( - V SS ) = 48V, R DET = 24.9kω, R CLS = 619ω., WAD, PG, and 2EC unconnected, all voltages are referenced to V SS, unless otherwise noted. T A = T J = -40NC to +85NC, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25NC.) (Note 3) PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS V IN Turn-On Voltage V ON V IN rising MAX5969A MAX5969B V IN Turn-Off Voltage V OFF V IN falling 30 V V IN Turn-On/-Off Hysteresis (Note 7) MAX5969A 4.2 V HYST_UVLO MAX5969B 7.3 V IN Deglitch Time t OFF_DLY V IN falling from 40V to 20V (Note 8) Fs Inrush to Operating Mode Delay Isolation Power MOSFET On-Resistance t DELAY R ON_ISO t DELAY = minimum PG current pulse width after entering into power mode ms T J = +25NC I = 600mA T J = +85NC I T J = +125NC 0.8 Leakage Current I _LKG V = 12.5V to 30V 10 FA CURRENT LIMIT During initial turn-on period, Inrush Current Limit I INRUSH V = 1.5V ma Current Limit During Normal Operation I LIM After inrush completed, V = 1V ma Foldback Threshold V (Note 9) V LOGIC V WAD rising, V IN = 14V to 48V (referenced WAD Detection Threshold V WAD-REF to ) WAD Detection Threshold V WAD falling, V = 0V, V SS Hysteresis unconnected V WAD Input Current I WAD-LKG V WAD = 10V (referenced to ) 3.5 FA 2EC Sink Current V 2EC = 3.5V (referenced to ), V SS unconnected ma 2EC Off-Leakage Current V 2EC = 48V 1 FA PG Sink Current V = 1.5V, V PG = 0.8V, during inrush period FA PG Off-Leakage Current V PG = 48V 1 FA THERMAL SHUTDOWN Thermal-Shutdown Threshold T SD T J rising +140 NC Thermal-Shutdown Hysteresis T J falling 28 NC V V 3
4 パワーMOSFET 内 蔵 IEEE 802.3af/at 準 拠 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (V IN = ( - V SS ) = 48V, R DET = 24.9kω, R CLS = 619ω., WAD, PG, and 2EC unconnected, all voltages are referenced to V SS, unless otherwise noted. T A = T J = -40NC to +85NC, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25NC.) (Note 3) Note 3: All devices are 100% production tested at T A = +25NC. Limits over temperature are guaranteed by design. Note 4: The input offset current is illustrated in Figure 1. Note 5: Effective differential input resistance is defined as the differential resistance between and V SS. See Figure 1. Note 6: Classification current is turned off whenever the device is in power mode. Note 7: UVLO hysteresis is guaranteed by design, not production tested. Note 8: A 20V glitch on input voltage that takes below V ON shorter than or equal to t OFF_DLY does not cause the MAX5969A/ MAX5969B to exit power-on mode. Note 9: In power mode, current-limit foldback is used to reduce the power dissipation in the isolation MOSFET during an overload condition across and. I IN dr i = (V INi V INi ) 1V = (I INi I INi ) (I INi I INi ) I OFFSET = I INi - V INi dr i I INi + 1 I INi dr i I OFFSET V INi 1V V INi + 1 V IN 図 1. 実 効 差 動 入 力 抵 抗 /オフセット 電 流 4
5 IIN (ma) IIN (ma) 標 準 動 作 特 性 パワーMOSFET 内 蔵 IEEE 802.3af/at 準 拠 (V IN = ( - V SS ) = 54V, R DET = 24.9kω, R CLS = 619ω., WAD, PG, and 2EC unconnected; all voltages are referenced to V SS. ) INPUT CURRENT (DETECTION) vs. INPUT VOLTAGE I IN = I VDD + I DET R DET = 24.9kI = 2EC = PG = WAD = -40 C P T A P +85NC V IN (V) INPUT CURRENT (CLASSIFICATION) vs. INPUT VOLTAGE CLASS 5 CLASS 4 CLASS 3 CLASS 2 CLASS 1 10 CLASS V IN (V) MAX5969A toc01 MAX5969A toc04 RSIGNATURE (ki) SIGNATURE RESISTANCE vs. INPUT VOLTAGE I IN = I VDD + I DET R DET = 24.9kI = 2EC = PG = WAD = T A = +25NC T A = -40NC T A = +85NC V IN (V) CLASSIFICATION SETTLING TIME MAX5969A toc05 100µs/div R CLS = 30.9I MAX5969A toc02 V IN 10V/div I IN 0A 200mA/div V CLS 1V/div 0V INPUT OFFSET CURRENT (µa) I2EC (ma) T A = -40NC T A = +25NC INPUT OFFSET CURRENT vs. INPUT VOLTAGE T A = +85NC V IN (V) 2EC SINK CURRENT vs. 2EC VOLTAGE T A = -40NC T A = +85NC 0.4 V SS UNCONNECTED V 2EC REFERENCED TO V WAD = 14V V 2EC (V) T A = +25NC MAX5969A toc03 MAX5969A toc06 IPG (µa) PG SINK CURRENT vs. PG VOLTAGE T A = -40NC T A = +25NC T A = +85NC MAX5969A toc07 INRUSH CURRENT LIMIT (ma) INRUSH CURRENT LIMIT vs. VOLTAGE MAX5969A toc08 CURRENT LIMIT (ma) NORMAL OPERATION CURRENT LIMIT vs. VOLTAGE MAX5969A toc V PG (V) V (V) V (V) 5
6 標 準 動 作 特 性 ( 続 き) (V IN = ( - V SS ) = 54V, R DET = 24.9kω, R CLS = 619ω., WAD, PG, and 2EC unconnected; all voltages are referenced to V SS. ) INRUSH CONTROL WAVEFORM WITH TYPE 2 CLASSIFICATION USING TYPICAL APPLICATION CIRCUIT 2EC PULLED UP TO WITH 10kI 200µs/div MAX5969A toc10 V 2EC 50V/div 0V 0V I 100mA/div 0A 0V V 50V/div 50V/div ENTERING POWER MODE WITH TYPE 2 CLASSIFICATION MAX5969A toc11 USING TYPICAL APPLICATION CIRCUIT 2EC PULLED UP TO WITH 10kI 20ms/div V PG 0V 10V/div 0V 0V 0A 0V V 2EC 40V/div V 50V/div I 200mA/div 50V/div 6
7 端 子 説 明 端 子 名 称 機 能 1 プラス 電 源 入 力 とV SS の 間 に68nF (min)のバイパスコンデンサを 接 続 してください 2 DET 検 出 抵 抗 入 力 DETと の 間 にシグネチャ 抵 抗 (R DET = 24.9kΩ)を 接 続 してください 3 N.C. 接 続 なし 内 部 で 接 続 されていません 4 I.C. 内 部 で 接 続 されています 未 接 続 のままにしてください 5 V SS マイナス 電 源 入 力 V SS は 内 蔵 アイソレーションnチャネルパワーMOSFETのソースに 接 続 されています 6 7 WAD 8 PG 9 2EC アイソレーションMOSFETのドレイン は 内 蔵 アイソレーションnチャネルパワーMOSFETのドレイン と 接 続 されています 標 準 アプリケーション 回 路 に 示 すように ダウンストリーム 側 のDC-DCコンバータ のグランドにを 接 続 してください ACアダプタの 検 出 入 力 ACアダプタの 検 出 は - V SS がマークイベントスレッショルドを 超 えた 時 点 で イネーブルになります WADと 間 の 電 圧 が9Vを 上 回 ったときに 検 出 が 行 われます ACアダプタが 存 在 する 場 合 は アイソレーションnチャネルパワーMOSFETはオフになり 2ECの 電 流 シンクがオンに なります ACアダプタなどの 補 助 電 源 を 使 用 しないときには WADを 直 接 に 接 続 してください オープンドレインのパワーグッドインジケータ 出 力 PGは230µAをシンクしてダウンストリームのDC-DC コンバータをディセーブルすると 同 時 に ホットスワップスイッチが 完 全 にオンになるまでホットスワップ MOSFETスイッチをオンにします PGの 電 流 シンクは 検 出 分 類 および 定 常 状 態 の 電 力 モードの 間 はディセーブルになります アクティブローの2イベント 分 類 検 出 またはACアダプタ 検 出 の 出 力 タイプ2のPSEまたはACアダプタが 検 出 されると 1.5mAの 電 流 シンクが2ECでイネーブルになります タイプ2のPSEが 電 力 を 供 給 する ときには アイソレーションMOSFETが 完 全 にオンになってから2ECの 電 流 シンクがイネーブルになり V IN がUVLOスレッショルドを 下 回 るまでローにラッチされます 2ECは 通 常 9Vを 上 回 るACアダプタ 電 源 がWADとの 間 に 印 加 された 場 合 にもアサートされます WADによってアサートされた 場 合 2ECはラッチされません 10 CLS EP 分 類 抵 抗 入 力 CLSとV SS 間 の 抵 抗 (R CLS )を 接 続 して 希 望 の 分 類 電 流 を 設 定 してください Electrical Characteristics ( 電 気 的 特 性 ) の 表 にある 分 類 電 流 の 仕 様 を 参 照 して 特 定 のPD 分 類 に 対 応 する 抵 抗 値 を 見 つけてください エクスポーズドパッド V SS との 電 気 的 接 続 にEPを 使 用 しないでください EPは 抵 抗 経 路 を 通 じて 内 部 で V SS に 接 続 されているため 外 部 でV SS に 接 続 する 必 要 があります 電 力 消 費 を 最 適 化 するために エクスポーズドパッドを 広 い 銅 の 電 源 プレーンにはんだ 付 けしてください 7
8 簡 略 ブロックダイアグラム 22.8V/22V 5V 5V REGULATOR 1.23V 11.6V/4V 46µA DET 11.6V/10.8V 5V D SET CLR Q Q D SET CLR Q Q EN CLASSIFICATION PSE 2 V ON/V OFF 1.23V 1.5mA 230µA CLS 2EC PG THERMAL SHUTDOWN 95ms WAPD WAD 4V 15V HSON R S Q 9V V SS I SWITCH ISOLATION SWITCH V ON/V OFF = 38.6V/31V FOR MAX5969B V ON/V OFF = 35.4V/31V FOR MAX5969A K x I SWITCH I REF 1/K S I0 I1 MUX 135mA 760mA MAX5969A MAX5969B 8
9 標 準 動 作 回 路 RJ-45 AND BRIDGE RECTIFIER SMAJ58A R DET 24.9kI 68nF R CLS DET CLS MAX5969A MAX5969B 2EC PG WAD 24V/48V BATTERY 2-EVENT CLASSIFICATION DETECTION IN+ ENABLE DC-DC CONVERTER -54V V SS IN- 9
10 詳 細 動 作 モード は 入 力 電 圧 (V IN = - V SS ) に 応 じて 4 種 類 のモードで 動 作 します すなわち PD 検 出 PD 分 類 マークイベント およびPD 電 力 です このデバ イスは 入 力 電 圧 が1.4V 10.1Vのとき PD 検 出 モード に 移 行 します 入 力 電 圧 が12.6V 20Vのとき PD 分 類 モードに 移 行 します また 入 力 電 圧 がいったんV ON を 超 えると デバイスはPD 電 力 モードに 移 行 します 検 出 モード(1.4V V IN 10.1V) 検 出 モードでは PSEは1.4V 10.1Vの 範 囲 ( 最 小 1Vス テップ)の2つの 電 圧 をV IN 上 に 印 加 し 2つのポイントで 電 流 測 定 を 記 録 します 次 にPSEは V/ Iを 計 算 して 24.9kΩ のシグネチャ 抵 抗 の 存 在 を 確 認 します 正 しくシグネチャ を 検 出 することができるようにするため とDETの 間 にシグネチャ 抵 抗 (R DET )を 接 続 してください 検 出 モード では はDETをローにプルダ ウンします 入 力 電 圧 が12.5Vを 超 えると DETはハイ インピーダンスになります 検 出 モードでは MAX5969A/ MAX5969Bの 内 部 回 路 の 大 半 はオフになり オフセット 電 流 は10µA 以 下 です PDに 印 加 した 電 圧 が 反 転 した 場 合 入 力 端 子 に 保 護 ダイ オードを 取 り 付 けての 内 部 が 損 傷 しないようにしてください( 標 準 アプリケーション 回 路 を 参 照 ) PSEはスロープ 手 法 ( V/ I)を 使 用 してシグネチャ 抵 抗 を 計 算 するため 保 護 ダイオードによって 生 じるDC オフセットは 減 算 されて 検 出 プロセスには 影 響 しません 分 類 モード(12.6V V IN 20V) 分 類 モードでは PSEは PDに 必 要 な 電 力 消 費 に 基 づい てPDを 分 類 します これによってPSEは 効 率 的 に 配 電 を 管 理 することができます 表 1に 示 すように クラス0 5 が 定 義 されています(IEEE 802.3af/at 規 格 では クラス0 4と 特 殊 要 件 に 対 するクラス5だけが 定 義 されています) CLSとV SS の 間 に 接 続 した 外 部 抵 抗 (R CLS )によって 分 類 電 流 を 設 定 しています PSEは PD 入 力 端 に 電 圧 を 印 加 して PSEから 供 給 される 電 流 を 計 測 することによって PDのクラスを 決 定 します PSEが12.6V 20Vの 間 の 電 圧 を 印 加 した 場 合 MAX5969A/ MAX5969Bは 表 1に 示 す 値 を 備 えた 電 流 特 性 を 示 します PSEは 分 類 電 流 情 報 を 使 用 してPDの 電 力 要 件 を 分 類 します 分 類 電 流 に は R CLS が 消 費 する 電 流 やMAX5969A/ MAX5969Bの 電 源 電 流 が 含 まれるため PDが 消 費 する 電 流 の 合 計 はIEEE 802.3af/at 規 格 の 値 の 範 囲 内 です デバ イスが 電 力 モードのときは 必 ず 分 類 電 流 はオフになり ます 2イベント 分 類 と 検 出 2イベント 分 類 の 間 タイプ2のPSEは 分 類 のために2 回 PDをプローブで 測 定 します 最 初 の 分 類 イベントでは PSE は12.6V 20Vの 間 の 入 力 電 圧 を 示 し MAX5969A/ MAX5969Bはプログラム 設 定 された 負 荷 I CLASS を 示 し ます 次 にPSEは マークイベントスレッショルドの10.1V 以 下 にプローブ 電 圧 を 下 げ は マーク 電 流 (I MARK )を 示 します このシーケンスがもう 一 度 繰 り 返 されます 表 1. 分 類 電 流 の 設 定 CLASS Maximum Power Used by PD (W) R CLS (I) V IN * (V) *V IN は の 入 力 とV SS 間 を 測 定 したものです CLASS CURRENT SEEN AT V IN (ma) IEEE 802.3af/at PSE CLASSIFICATION CURRENT SPECIFICATION (ma) MIN MAX MIN MAX to to to to to to to to to to > to
11 がタイプ2のPSEによって 電 力 を 供 給 されると 内 蔵 アイソレーションnチャネルMOSFET が 完 全 にオンになってから 2イベントの 識 別 出 力 2ECが ローにアサートされます がV THR 以 下 になってタイプ 2のPSE 検 出 フラグのラッチ 出 力 をリセットしない 限 り がUVLOスレッショルド(V OFF ) 以 下 になると2EC 電 流 シンクはオフになり UVLOスレッショルド(V ON )を 超 える とオンになります 一 方 外 部 ACアダプタからに 電 力 を 供 給 するときには 2EC 出 力 はACアダプタ 検 出 出 力 としての 役 割 も 果 たします 詳 細 については ACアダ プタの 検 出 と 動 作 の 項 を 参 照 してください 電 力 モード(ウェイクモード) V IN が 低 電 圧 ロックアウトスレッショルド(V ON )を 超 えると は 電 力 モ ードに 移 行 します V IN がV ON を 超 えると は 内 蔵 n チャネルアイソレーションMOSFETをオンにしてV SS を に 接 続 し 突 入 電 流 制 限 が 内 部 で135mA (typ)に 設 定 さ れます の 電 圧 がV SS に 近 いときに アイソレーション MOSFETは 完 全 にオンになり 突 入 電 流 は 突 入 制 限 以 下 に 減 少 します アイソレーションMOSFETが 完 全 にオンに なると は 電 流 制 限 を800mA に 変 更 します パワーMOSFETが 完 全 にオンになり 突 入 時 にダウンストリームのDC-DCコンバータをディセーブル にしている 限 り オープンドレインパワーグッド 出 力 (PG)は 少 なくともt DELAY の 間 ローのままです 低 電 圧 ロックアウト は 最 大 60Vの 電 源 電 圧 で 動 作 し 35.4V/38.6VのターンオンUVLOスレッショルド (V ON )と31VのターンオフUVLOスレッショルド(V OFF )を 備 えています 入 力 電 圧 がV ON を 上 回 ると MAX5969A/ MAX5969Bは 電 力 モードに 移 行 し 内 部 MOSFETがオン になります t OFF_DLY 以 上 の 間 入 力 電 圧 がV OFF を 下 回 ると MOSFETはオフになります パワーグッド 出 力 オープンドレインパワーグッド 出 力 (PG)を 使 用 すると nチャ ネルアイソレーションMOSFETが 完 全 にオンになるまでダ ウンストリームのDC-DCコンバータをディセーブルするこ とができるようになります t DELAY の 間 内 蔵 アイソレー ションMOSFETが 完 全 にオンになるまで PGはV SS に 対 してローにプルダウンされます PGは サーマルシャット ダウンから 抜 け 出 すときにもローにプルダウンされます サーマルシャットダウン 保 護 は 過 剰 に 加 熱 しないように 熱 保 護 を 備 えています ジャンクション 温 度 が+140 のサーマ ルシャットダウンスレッショルドを 超 えた 場 合 MAX5969A/ MAX5969Bは 内 蔵 パワーMOSFETと2ECの 電 流 シンクを オフにします ジャンクション 温 度 が+112 以 下 に 低 下 すると デバイスは 突 入 モードに 移 行 し 次 に 電 力 モード に 戻 ります 突 入 モードによって 内 蔵 パワーMOSFETが オンになると ダウンストリームのDC-DCコンバータが オフになることが 保 証 されます ACアダプタの 検 出 と 動 作 は ACアダプタなどの 補 助 電 源 を 使 用 してPDに 電 力 を 供 給 するアプリケーション 用 にAC アダプタの 検 出 機 能 を 備 えています 入 力 電 圧 ( - V SS ) がマークイベントスレッショルドを 超 えると MAX5969A/ MAX5969BはACアダプタの 検 出 をイネーブルにします ACアダプタは WADとの 間 に 接 続 します WADと の 間 の 電 圧 が9Vを 超 えると はACアダプタを 検 出 します ACアダプタが 検 出 されると 内 蔵 nチャネルアイソレーションmosfetはオフになり 2ECの 電 流 シンクはオンになります また V IN が 分 類 範 囲 にある 場 合 分 類 電 流 はディセーブルになります 11
12 アプリケーション 情 報 12Vアダプタを 用 いた 動 作 レイアウト 手 順 高 効 率 と 低 EMIを 達 成 するためには 慎 重 なPCBレイアウ トが 必 須 となります 最 適 な 性 能 を 得 るため 以 下 のレイ アウトのガイドラインに 従 ってください 1) のできる 限 り 近 くに 入 力 コン デンサ 分 類 抵 抗 およびトランジェント 電 圧 抑 制 回 路 を 実 装 してください 2) や 外 付 けのダイオードなどの 電 力 消 費 デバイスには 広 いSMT 部 品 パッドを 使 用 し てください 3) 大 電 流 経 路 については 短 くて 幅 の 広 いトレースを 使 用 してください 4) MAX5969の 評 価 キットのレイアウトをリファレンスと して 使 用 してください 2-EVENT CLASSIFICATION (ASSERTED ON) RJ-45 AND BRIDGE RECTIFIER R DET 24.9kI 2EC PG ENABLE IN+ SMAJ58A 68nF R CLS DET CLS MAX5969A MAX5969B WAD 12V BATTERY DC-DC CONVERTER -54V V SS IN- THIS CIRCUIT ACHIEVES PROPER 2EC LOGIC WHEN BATTERY IS < 12.5V 図 2. 12VのACアダプタ 使 用 時 の 標 準 構 成 12
13 標 準 アプリケーション 回 路 V AC 68nF V AC SMAJ58A -54V 24.9kI DET CLS 43.7I V SS MAX5969A MAX5969B 2EC PG WAD 24/48V BATTERY ISOLATED 2-EVENT CLASSIFICATION OUTPUT PG 33kI 249I 1.37MI PG UVLO/EN UFLG FB 51.5kI MAX µF IN V CC NDRV 4.7µF 0.1µF 0.1µF V CC 22.1I 22µF ISOLATED +5.3V/2A ISOLATED 10kI COMP CS CS RT CS 649I 619I 8.2nF 4.99kI 1kI 0.1µF V CC 18.1kI 4.99kI 330pF 0.75I 1kI 100pF 8.06kI 33nF 8.06kI 1kI 2.2nF 2.49kI ISOLATED 13
14 チップ 情 報 PROCESS: BiCMOS パッケージ 最 新 のパッケージ 図 面 情 報 およびランドパターンはjapan. maxim-ic.com/packagesを 参 照 してください なお パッ ケージコードに 含 まれる + # または - はRoHS 対 応 状 況 を 表 したものでしかありません パッケージ 図 面 は パッケージそのものに 関 するものでRoHS 対 応 状 況 とは 関 係 がなく 図 面 によってパッケージコードが 異 なることが ある 点 を 注 意 してください パッケージタイプ パッケージコード ドキュメントNo. 10 TDFN-EP T 東 京 都 新 宿 区 西 早 稲 田 (ホリゾン1ビル) TEL. (03) FAX. (03) Ma ximは 完 全 にMa xim 製 品 に 組 込 まれた 回 路 以 外 の 回 路 の 使 用 について 一 切 責 任 を 負 いかねます 回 路 特 許 ライセンスは 明 言 されていません Ma ximは 随 時 予 告 なく 回 路 及 び 仕 様 を 変 更 する 権 利 を 留 保 します 14 Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA Maxim Integrated Products Maxim is a registered trademark of Maxim Integrated Products, Inc.
MAX4886 DS.J
19-0807; Rev 0; 4/07 EVALUATION KIT AVAILABLE μ PART TEMP RANGE PIN- PACKAGE PKG CODE ETO+ -40 C to +85 C 42 TQFN-EP* T42359OM-1 * EYE DIAGRAM ( = 3.3V, f = 2.6GHz 600mV P-P PRBS SIGNAL+) * PRBS = PSUEDORANDOM
More informationMAX985-994 DS.J
9-9; Rev ; 7/97 µ MAX98 Push/Pull MAX986 Open-Drain MAX989 Push/Pull MAX990 Open-Drain MAX99 Push/Pull MAX99 Open-Drain 8 SO/ SOT- 8 SO/ SOT- 8 SO/µMAX 8 SO/µMAX SO SO µ µ µ PART MAX98EUK-T MAX98ESA MAX986EUK-T
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