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1 Cypress ( )

2 DATA SHEET DS a ASSP ( DC/DC ) 2ch DC/DC IC MB3882 MB3882 (PWM ) 2ch DC/DC IC,,,, 5 V, TV, PC CPU 5.5 V 18 V 2.5 V V 1 (0 C 85 C) 10 khz 500 khz Nch MOS FET SSOP, 24 (FPT-24P-M03) Copyright FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved

3 (TOP VIEW) CT : 1 24 : VREF RT : 2 23 : VCC SGND : 3 22 : CSCP CS1 : 4 21 : CS2 INE1 : 5 20 : INE2 FB1 : 6 19 : FB2 INC1 : 7 18 : INC2 OUT1-1 : 8 17 : OUT1-2 VS1 : 9 16 : VS2 CB1 : : CB2 OUT2-1 : : OUT2-2 PGND : : VB (FPT-24P-M03) 2

4 I/O 1 CT 2 RT 3 SGND 4 CS1 CH1 ( ) 5 INE1 I CH1 6 FB1 O CH1 7 INC1 I CH1 8 OUT1-1 O CH1 ( FET ) 9 VS1 CH1 FET 10 CB1 CH1 CB1 VS1 11 OUT2-1 O CH1 ( FET ) 12 PGND 13 VB O 14 OUT2-2 O CH2 ( FET ) 15 CB2 CH2 CB2 VS2 16 VS2 CH2 FET 17 OUT1-2 O CH2 ( FET ) 18 INC2 I CH2 19 FB2 O CH2 20 INE2 I CH2 21 CS2 CH2 ( ) 22 CSCP 23 VCC, 24 VREF O 3

5 MB3882 VCC 23 5 V Reg. 13 VB FB1 INE1 CS1 INC µa 1.25 V Error Amp.1 OVP Comp.1 PWM Comp.1-1 PWM Comp.2-1 < CH1 > Drive CB1 8 OUT1-1 9 VS V VCC Latch1 R SQ Drive OUT2-1 FB2 19 INE2 20 CS2 21 INC µa 1.25 V Error Amp.2 OVP Comp.2 PWM Comp.1-2 PWM Comp.2-2 < CH2 > Drive CB2 17 OUT VS2 VCC 1.47 V Latch2 R SQ Drive OUT PGND SCP Comp. 1.9 V 1 µa 2.1 V 1.3 V CSCP 22 bias bias VCC S R Ref Latch UVLO OSC (2.5 V) Power CT RT VREF SGND 4

6 VCC 20 V VCB CB 25 V IO 120 ma IOP Duty 5 (t 1 / fosc Duty) 800 ma PD Ta 25 C 740 mw Tstg C 10 cm (,, ),, VCC V VCB CB 23 V IOR VREF 1 0 ma IOB VB 1 0 ma VIN INE 0 VCC 1.8 V VINC INC 0 VCC V IO ma IOP Duty 5 (t 1 / fosc Duty) ma fosc khz RT kω CT pf CB µf CREF VREF µf CVB VB µf CS µf CSCP µf Ta C,,,,,,, 5

7 1. Ref 2. VB 3. VCC UVLO 4. CS 5. SCP 6. OSC 7. Error Amp. 8. PWM PWM Comp. (VCC 12 V, VB 0 ma, VREF 0 ma, Ta 25 C) VREF 24 Ta 25 C V VREF/ VREF 24 Ta 0 C 85 C 0.5 Line 24 VCC 5.5 V 18 V 1 10 mv Load 24 VREF 0 ma 1 ma 3 10 mv Ios 24 VREF 2 V ma VB V VTH 23 VCC V VH V VRST V ICS 4, µa VTH V ICSCP µa tscp 22 CSCP 0.01 µf ms fosc 1 RT 10 kω, CT 470 pf khz fosc/ fosc VTH1 5, 20 VTH2 5, 20 1 Ta 0 C 85 C 1 FB 1.6 V, Ta 25 C FB 1.6 V, Ta 0 C 85 C V V IB 5, 20 INE 0 V na AV 6, 19 DC db BW 6, 19 AV 0 db 800 khz VFBH 6, V VFBL 6, V ISOURCE 6, 19 FB 1.6 V µa ISINK 6, 19 FB 1.6 V ma VTL 6, 19 0 VTH 6, 19 Dtr V V 6

8 9. DTC 10. Drive 11. OVP ( ) ( ) ( ) ( ) (VCC 12 V, VB 0 ma, VREF 0 ma, Ta 25 C) Dtr 8, 17 RT 10 kω, CT 470 pf ISOURCE1 8, 17 Duty 5 (t 1 / fosc Duty) ISINK1 8, 17 Duty 5 (t 1 / fosc Duty) VOH1 8, 17 VOL1 8, 17 ISOURCE2 ISINK2 OUT1 100 ma, CB 17 V, VS 12 V OUT1 100 ma, CB 17 V, VS 12 V 11, 14 Duty 5 (t 1 / fosc Duty) 11, 14 Duty 5 (t 1 / fosc Duty) 700 ma 900 ma CB 2.5 CB 0.9 V VS 0.9 VS 1.4 V 750 ma 900 ma VOH2 11, 14 OUT2 100 ma V VOL2 11, 14 OUT2 100 ma V VD 10, 15 VB 10 ma V td1 td2 8, 11, 17, 14 RT 10 kω, CT 470 pf OUT1 OUT2 OPEN, VS 0 V OUT2 OUT1 RT 10 kω, CT 470 pf OUT1 OUT2 OPEN, VS 0 V OUT1 OUT ns ns VTH 7, 18 INC V IB 7, 18 INC 0 V na 12. ICC ma 7

9 ICC (ma) Ta = 25 C Ta = 25 C VREF = 0 ma 4 VREF (V) VCC (V) VCC (V) VCC = 12 V VREF = 0 ma VREF ( ) Ta ( C) VCT (V) Ta = 25 C VCC = 12 V CTL = 5 V k 10 k 100 k 1 M fosc (Hz) VCT (V) VCC = 12 V RT = 10 kω CT = 470 pf Ta ( C) 8

10 fosc (Hz) 10 M 1 M 100 k 10 k Ta = 25 C VCC = 12 V CTL = 5 V RT = 10 kω 1 k CT (pf) fosc (Hz) 10 M 1 M 100 k 10 k 1 k Ta = 25 C VCC = 12 V CTL = 5 V CTL = 150 pf CTL = 470 pf CTL = pf k 10 k 100 k RT (Ω) fosc (khz) Ta = 25 C RT = 10 kω CT = 470 pf VCC (V) fosc (khz) VCC = 12 V RT = 10 kω CT = 470 pf Ta ( C), 40 Ta = 25 C 180 VCC = 12 V AV (db) AV φ φ (deg) 4.7 kω IN 10 µf 4.7 kω 2.4 kω (20) 5 4 (21) 240 kω 1.5 V 1.25 V 6 (19) OUT Error Amp.1 (Error Amp.2) 1 k 10 k 100 k 1 M 10 M f (Hz) 9

11 PD (mw) Ta ( C) 10

12 1. DC/DC (1), (23 ) (2.5 V ), IC, VREF (24 ) 1 ma (2) CT (1 ), RT (2 ), 1.3 V 1.9 V, IC PWM, CT (3) (Error Amp.), DC/DC, PWM, 0 VCC 1.8 V,,,,, CS1 (4 ), CS2 (21 ) DC/DC (4) PWM (PWM Comp.) (5),, Nch MOS FET, (700 ma Max. Duty 5 ) FET 2. CS1 (4 ), CS2 (21 ) ON/OFF / CS CS1 CS2 CH1 CH2 GND GND OFF OFF GND Hi-Z OFF ON Hi-Z GND ON OFF Hi-Z Hi-Z ON ON 11

13 3. (1) (SCP),,, CSCP (22 ) Cscp 0.68 V FET 100, ( ) (2) VCC (UVLO), IC,, VCC,, 100, CSCP (22 ) L VCC (3) (OVP) (OVP Comp.) DC/DC,, FET 12

14 MB3882, (SCP Comp.), DC/DC, H Q1, CSCP (22 ) (VSTB 50 mv),, L, Q1, CSCP Cscp 1 µa tscp (s) 0.68 Cscp (µf) Cscp (VTH 0.68 V), FET ( 100 ), CSCP (VI 50 mv) ( FB µa 10 µa 5 INE1 4 CS V Error Amp.1 8 OUT1-1 CS1 Q2 11 OUT2-1 FB INE2 21 CS V Error Amp.2 17 OUT1-2 CS2 Q3 14 OUT2-2 SCP Comp. CSCP 22 1 µa bias 2.1 V CSCP Q1 Q4 S R Latch UVLO 13

15 CSCP, CSCP (22 ) GND 3 GND CSCP 22 CSCP 14

16 IC, 1 CS1 (4 ), 2 CS2 (21 ) (CS1, CS2), IC (VCC UVLO ) Q2, Q3 CS1, CS2 (CS1, CS2) 10 µa Error Amp (FB1, FB2) (1.25 V, CS ) (INE), (CS 1.25 V) FB INE CS CS, DC/DC CS CS, ( 100 ) ts (s) Cs (µf) 2.3 V CS 1.25 V Error Amp. INE 0 V t ts VREF 10 µa 10 µa (FB2) FB1 (INE2) INE (CS2) 4 CS V Error Amp. CS1 (CS2) Q2 (Q3) UVLO 15

17 CS, CS1 (4 ), CS2 (22 ) 4 CS1 CS2 21 CT (1 ) (CT), RT (2 ) (RT) fosc (khz) CT (pf) RT (kω) VO R1 R2 FB1 INE1 CS V Error Amp V VO = (R1 R2) R2 CH1, 2 16

18 (OVP Comp.1, 2) INC1 (7 ), INC2 (18 ) DC/DC, DC/DC DC/DC, (OVP Comp.1, 2) H,, VOVP (V) 1.47 (R3 R4) /R4, VCC (1.7 V ) VO VCC R3 R4 (INC2) INC OVP Comp. R S Q 1.47 V 17

19 IC FET IC IC IB ( ) FET Q1, Q2 (Ciss1, Ciss2, Crss1, Crss2) Qg1, Qg2 1 IB (A) I1 I2 Ibias1 T1 T Qg1 T Ibias2 T2 T IB IC 11 ma Pc Pc (W) VCC 2 VCC IB VB IB Qg2 T (Ibias1 Ibias2 2 ma) Vin VCC 23 5 V IB VB 13 CVB I1 CB1 10 Q1 A L1 VO1 Drive Crss1 OUT1-1 Crss2 Ciss1 Q2 Drive 2-1 I2 VS1 9 OUT PGND 12 Ciss2 T VOUT1-1 VOUT2-1 I1 T1 Ibias1 2 ma I2 T2 Ibias2 2 ma t, 18

20 (Qg ) Pc (W) Qg1 = Qg2 = 70 nc Qg1 = Qg2 = 50 nc Qg1 = Qg2 = 30 nc Qg1 = Qg2 = 20 nc Qg1 = Qg2 = 10 nc Ta = 25 C fosc = 200 khz SW1 = OFF SW2 = OFF Vin (V) (fosc ) Pc (W) 1.00 Ta = 25 C 0.90 Qg1 = Qg2 = 20 nc 0.80 SW1 = OFF 0.70 SW2 = OFF fosc = 500 khz fosc = 300 khz fosc = 200 khz fosc = 100 khz fosc = 10 khz Vin (V) 19

21 MB3882 Vin C14 C µf 22 µf ON/OFF A SW1 C µf R9 2 kω R2 10 kω R kω R kω FB1 R1 2.7 kω INE1 CS1 C2 R21 10 kω 0.1 µf INC1 ON/OFF B SW2 C µf R11 2 kω R6 10 kω R kω R kω FB2 R5 2.7 kω INE2 CS2 C4 R23 10 kω 0.1 µf INC2 CSCP C µf C17 VCC 0.1 µf 23 5 V Reg µa <CH1> Error Amp V OVP Comp.1 PWM Comp.1-1 PWM Comp.2-1 Drive V VCC Latch1 R SQ Drive µa 1.25 V Error Amp.2 OVP Comp.2 PWM Comp.1-2 PWM Comp.2-2 <CH2> Drive V VCC Latch2 R SQ Drive µa SCP Comp. 2.1 V bias 1.9 V 1.3 V bias VCC S R Latch UVLO OSC Ref (2.5 V) Power 1 CT C pf 2 RT R13 10 kω 24 VREF C µf 3 SGND VB D3 CB1 OUT1-1 VS1 OUT2-1 CB2 OUT1-2 VS2 OUT2-2 PGND C5 4.7 µf D4 C10 22 µf C19 22 µf C6 0.1 µf Q1 C7 0.1 µf C9 0.1 µf Q3 C µf Q2 Q4 D1 D2 A L1 2.7 µh C µf B L2 2.7 µh C µf Vo1 (2 V) C8 68 µf 3 Vo2 (2 V) C11 68 µf 3 20

22 COMPONENT ITEM SPECIFICATION VENDOR PARTS No. Q1 Q4 FET VDS 30 V IR IRF7811 D1, D2 D3, D4 Diode Diode IR International Rectifier Corp. ROHM TDK TDK VF=0.35V(Max.), IF=1A VF=0.30V(Max.), IF=10mA ROHM ROHM L1, L2 Coil 2.7 µh 12 A, 4.5 mω TDK C1 C2 C3 C4 C5 C6, C7 C8 C9 C10 C11 C12 C13 C14 C15 C16 C18 C19 C20, C21 R1 R2 R5 R6 R9 R10 R11 R12 R13 R20 R21 R22 R23 Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Electrolytic Condenser Ceramics Condenser OS Condenser Electrolytic Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser OS Condenser Ceramics Condenser OS Condenser Ceramics Condenser Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor µf 0.1 µf µf 0.1 µf 4.7 µf 0.1 µf 68 µf 0.1 µf 22 µf 68 µf 0.01 µf 470 pf 0.1 µf 22 µf 0.1 µf 22 µf 2.2 µf 2.7 kω 10 kω 2.7 kω 10 kω 2 kω 3.3 kω 2 kω 3.3 kω 10 kω 6.2 kω 10 kω 6.2 kω 10 kω 6.3 V 25 V 6.3 V 25 V 25 V 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W 1/4 W RB051L-40 RB495D RLF12545T -2R7N8R7 21

23 (CH1) Ta 25 C 2 V SW1 OFF SW2 ON η ( ) Vin = 6 V Vin = 8.5 V Vin = 10 V IL (A) 22

24 ,,,,,,,,, 250 kω 1 MΩ 0.3 V, LSI MB3882PFV SSOP, 24 (FPT-24P-M03) 23

25 SSOP, 24 (FPT-24P-M03) ) * 7.75±0.10(.305±.004) (Mounting height) 0.10(.004) INDEX * 5.60± ±0.20 (.220±.004) (.299±.008) 6.60(.260) NOM 0.65±0.12(.0256±.0047) "A" Details of "A" part 0.10±0.10(.004±.004) (STAND OFF) 7.15(.281)REF ±0.20 (.020±.008) C 2000 FUJITSU LIMITED F24018S-2C-3 mm (inches) 24

26 MEMO 25

27 MEMO 26

28 MEMO 27

29 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 東京都新宿区西新宿 新宿第一生命ビル お問い合わせ先富士通エレクトロニクス株式会社 東京都新宿区西新宿 新宿第一生命ビル 電子デバイス製品に関するお問い合わせは, こちらまで, 受付時間 : 平日 9 時 ~ 17 時 ( 土 日 祝日, 年末年始を除きます ) 携帯電話 PHS からもお問い合わせができます 電話番号はお間違えのないよう, お確かめのうえおかけください 本資料の記載内容は, 予告なしに変更することがありますので, ご用命の際は営業部門にご確認ください 本資料に記載された動作概要や応用回路例は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません 従いまして, これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください これらの使用に起因する損害などについては, 当社はその責任を負いません 本資料に記載された動作概要 回路図を含む技術情報は, 当社もしくは第三者の特許権, 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施権の許諾を意味するものではありません また, これらの使用について, 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うものではありません したがって, これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について, 当社はその責任を負いません 本資料に記載された製品は, 通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計 製造されています 極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合, 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命 身体に対する重大な危険性を伴う用途 ( 原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御をいう ), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途 ( 海底中継器, 宇宙衛星をいう ) に使用されるよう設計 製造されたものではありません したがって, これらの用途にご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に営業部門までご相談ください ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 責任を負いかねますのでご了承ください 半導体デバイスはある確率で故障が発生します 当社半導体デバイスが故障しても, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよう, お客様は, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です 編集 販売戦略部

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