R3150N シリーズ 車載用途向け

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1 車載用途向け入力最大 36V ボルテージディテクタ 概要 R315N シリーズ AEC-Q1 Grade 2 準拠 R315Nは CMOSプロセス技術を用いた入力最大 36V ( 最大電源電圧の絶対最大定格 :5V) のボルテージディテクタです 高精度 低消費電流であるためバッテリーの電圧監視に最適です 端子検出タイプ (R315NxxxA/B) とSENSE 端子検出タイプ (R315NxxxE/F) をシステム構成に応じて選ぶことができます 検出電圧 解除電圧は別々に設定可能で 精度は検出電圧 解除電圧ともに 1.5% (25 C) です ( ヒステリシス幅は5% ~ 2% の範囲 ) また 検出電圧遅延時間と解除遅延時間 ( パワーオンリセット時間 ) を設定する端子を備えています 出力形態はNchオープンドレイン出力で 検出時 "L" 出力タイプと "H" 出力タイプがあります パッケージは小型のSOT-23-6を採用しています 特長 動作電圧範囲 ( 最大定格 ) R315NxxxA/B: 1.4V ~ 36.V (5.V) R315NxxxE/F: 3.6V ~ 6.V (7.V) 動作温度範囲 4 ~ 15 C 消費電流 R315NxxxA/B: Typ. 3.8µA R315NxxxE/F: Typ. 3.5µA 検出電圧範囲 5.V ~ 1.V(.1V 単位 ) 検出電圧精度 1.5%(25 C) 2.%( 4 C ~ 15 C) 解除電圧範囲 * 1 5.3V ~ 11.V(.1V 単位 ) 解除電圧精度 1.5%(25 C) 2.%( 4 C ~ 15 C) 検出遅延時間精度 35%~ 4%( 4 C ~ 15 C) 解除遅延時間精度 35%~ 4%( 4 C ~ 15 C) 出力形態 Nchオープンドレイン パッケージ SOT-23-6 検出遅延時間と解除遅延時間 ( パワーオンリセット時間 ) は 外付けコンデンサによってそれぞれ設定可能 1 解除電圧と検出電圧との差 ( ヒステリシス幅 ) は 5% ~ 2% の範囲で設定可能 アプリケーション カーオーディオ カーナビゲーションシステム ETC システムなどのカーアクセサリのバッテリー監視 1

2 ブロック図 R315NxxxA CR R315NxxxB CR DOUT DOUT Delay Circuit Delay Circuit Vref Vref CD CD R315NxxxE R315NxxxF SENSE CR SENSE CR DOUT DOUT Delay Circuit Delay Circuit Vref Vref CD CD 2

3 セレクションガイド R315N は 検出電圧 解除電圧 バージョンを用途によって選択指定することができます 製品名パッケージ 1 リール個数鉛フリーハロゲンフリー R315Nxxx -TR-#E SOT ,pcs xxx: 設定検出電圧 (-VSET) は 5.V ~ 1.V 設定解除電圧 (+VSET) は 5.3V ~ 11.V まで.1V 単位で指定ができ 開発コード 1 より順次設定します : バージョンを下記から選択 (A) 検出タイプ ( 検出時 :"L") (B) 検出タイプ ( 検出時 :"H") (E)SENSE 検出タイプ ( 検出時 :"L") (F)SENSE 検出タイプ ( 検出時 :"H") #: 品質レベルの指定 動作温度範囲 スペック保証温度範囲 スクリーニング J 4 C ~ 15 C 4 C ~ 15 C 低温 高温 端子説明 SOT (mark side) 端子番号 端子名 機能 1 CD 解除遅延時間 () 設定端子 2 CR 検出遅延時間 () 設定端子 3 NC ノーコネクション (R315NxxxA/B) SENSE 電圧検出端子 (R315NxxxE/F) 4 電源端子 5 グラウンド端子 6 DOUT VD 出力端子 (Nch オープンドレイン ) 3

4 絶対最大定格 記号項目定格単位 電源電圧 (R315NxxxA/B).3 ~ 5. V 電源電圧 (R315NxxxE/F) -.3 ~ 7. V VSENSE SENSE 端子電圧 (R315NxxxE/F) -.3 ~ 5. V VDOUT DOUT 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V VCD CD 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V VCR CR 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V IOUT DOUT 端子出力電流 2 ma PD 許容損失 (SOT-23-6) *1 標準実装条件 525 mw Tj ジャンクション温度 4 ~ 15 C Tstg 保存周囲温度 -55 ~ 15 C *1 パッケージ情報 に詳しく記述していますのでご参照ください 絶対最大定格絶対最大定格に記載された値を超えた条件下に置くことはデバイスに永久的な破壊をもたらすことがあるばかりか デバイス及びそれを使用している機器の信頼性及び安全性に悪影響をもたらします 絶対最大定格値でデバイスが機能動作をすることは保証していません 推奨動作条件 記号項目動作範囲単位 動作電圧 (R315NxxxA/B) 1.4 ~ 36. V 動作電圧 (R315NxxxE/F) 3.6 ~ 6. V VSENSE SENSE 入力電圧 (R315NxxxE/F) ~ 36 V Ta 動作周囲温度 4 ~ 15 C 推奨動作条件 半導体が使用される応用電子機器は 半導体がその推奨動作条件の範囲で動作するように設計する必要があります ノイズ サージといえどもその範囲を超えると半導体の正常な動作は期待できなくなります 推奨動作条件を越えた場合には デバイス特性や信頼性に影響を与えますので 越えないように注意ください 4

5 電気的特性 条件に記載なき場合 CD 1pF CR 1pF プルアップ抵抗 1k プルアップ電圧 5V です R315NxxxA/B ( 4 C Ta 15 C) 記号 項目 条件 Min. Typ. Max. 単位 L *1 最小動作電圧 1.4 V ISS = -VSET -.1V 消費電流 µa = +VSET +1.V VDET 検出電圧 Ta=25 C C Ta 15 C V +VDET 解除電圧 Ta=25 C C Ta 15 C V 検出遅延時間 *2 CR=1pF, 4 C Ta 15 C ms 解除遅延時間 *3 CD=1pF, 4 C Ta 15 C ms IOUT RCD RCR 出力電流 (Nch ドライバ出力端子 ) CD 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 CR 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 R315NxxxA R315NxxxB *1) 出力電圧 (VDOUT) が不定とならないための最小の電源電圧 =4.5V, VDS=.5V =13.V, VDS=.5V.5 2. ma =13.V, VCD=.5V kω =4.5V, VCR=.5V kω *2) を -VSET +1.V -VSET -1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 *3) を +VSET -1.V +VSET +1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 5

6 条件に記載なき場合 CD 1pF CR 1pF プルアップ抵抗 1k プルアップ電圧 5V です R315NxxxE/F ( 4 C Ta 15 C) 記号 項目 条件 Min. Typ. Max. 単位 L *1 最小動作電圧 3.6 V ISS 消費電流 *2 =5.V, VSENSE= -VSET -.1V µa =5.V, VSENSE= +VSET +1.V RSENSE センス抵抗 MΩ -VDET 検出電圧 Ta 25 C C Ta 15 C V +VDET 解除電圧 Ta 25 C C Ta 15 C 検出遅延時間 *3 CR=1pF, 4 C Ta 15 C ms 解除遅延時間 *4 CD=1pF, 4 C Ta 15 C ms IOUT RCD RCR 出力電流 (Nch ドライバ出力端子 ) CD 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 CR 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 R315NxxxE R315NxxxF *1) 出力電圧 (VDOUT) が不定とならないための最小の電源電圧 *2) センス抵抗を流れる電流は含まない =5.V, VDS=.5V VSENSE= -VSET.1V =5.V, VDS=.5V VSENSE= +VSET 1.V.5 2. ma =4.5V, VSENSE=13V, VCD=.5V kω =4.5V, VSENSE=4.5V, VCR=.5V kω *3) VSENSE を -VSET +1.V -VSET -1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 *4) VSENSE を +VSET -1.V +VSET +1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 V 6

7 製品別電気的特性表 R315NxxxA -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1A R315N2A R315N3A R315N4A R315N5A R315N6A R315N7A R315N18A R315NxxxB -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1B R315N2B R315N3B R315N4B R315N5B R315N6B R315N7B R315N8B R315N11B R315N12B R315N14B R315N15B R315N16B R315N17B

8 R315NxxxE -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1E R315N2E R315N3E R315N4E R315N5E R315N6E R315N7E R315N13E R315NxxxF -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1F R315N2F R315N3F R315N4F R315N5F R315N6F R315N7F R315N8F R315N11F R315N12F R315N15F R315N16F R315N17F

9 基本回路例 VR or DC/DC CD R315NxxxA/B CR DOUT Microprocessor CD CR R315xxxxA/B 基本回路例 VR or DC/DC 5V CD SENSE R315NxxxE/F CR DOUT Microprocessor CD CR R315xxxxE/F 基本回路例 9

10 使用上の注意点 V DD 端子に抵抗を接続する場合について本製品の入力に抵抗を挿入する場合は [IC の消費電流 ] x [ 抵抗値 ] の分だけ入力電圧が低下します また 検出 *1 状態から解除状態に切り替わるときに流れる貫通電流によって [ 貫通電流 ] x [ 抵抗値 ] の分だけ入力端子の電圧が低下し この入力端子の電圧低下が解除電圧と検出電圧の差より大きいと 本製品は再び検出状態になります 入力の抵抗値が大きく 入力端子電圧の立ち上がりが解除電圧付近で緩やかな場合には この動作を繰り返して出力が発振することがあります 本製品の入力に抵抗 R1 を挿入する場合 ( 図 A / 図 B 参照 ) は 1kΩ 以下を目安とし.1uF 以上の入力コンデンサ CIN を入力端子 / 間に接続してください その上で 実際の使用条件で温度特性を含めた評価を行い 貫通電流が問題ないことを確認してください R1 R1 CIN *2 Voltage Detector OUT pin R2 CIN *2 Voltage Detector OUT pin 図 A 図 B *1 CMOS 出力タイプでは 出力端子を充電する電流を含む *2 コンデンサのバイアス依存性に注意してください 1

11 電源電圧の変動禁止領域について (V DD 検出バージョンのみ ) R315N 禁止領域 ( 図 C) において 電源電圧を急激に変動させた場合 ( 図 D) 検出電圧以上の電圧で誤検出してしまうことがありますのでご注意ください また 禁止領域 ( 図 C) において VDET を超えて変動させた場合 ( 図 E) 正常な検出遅延時間がつかないことがありますのでご注意ください 35 Input Voltage peak Vp-p (V) 3 25 Prohibited Area Input Voltage Falling Time tf (µs) 図 C. 禁止領域 tf tf +VDET +VDET Vp-p Vp-p -VDET -VDET 3.6V 図 D. 図 E 11

12 タイミングチャート R315NxxxA/B( 端子検出タイプ ) +VDET -VDET L Pull-up Voltage VDOUT Undefined R315NxxxA +VDET -VDET Pull-up Voltage VDOUT R315NxxxB 12

13 R315NxxxE/F(SENSE 端子検出タイプ ) L +VDET VSENSE -VDET Pull-up Voltage VDOUT Undefined Undefined R315NxxxE +VDET VSENSE -VDET Pull-up Voltage VDOUT R315NxxxF 13

14 動作説明 R315NxxxA( 端子検出タイプ ) Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子を外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET 電源電圧 () 最小動作電圧 L プルアップ電圧 出力電圧 (VDOUT) A 検出遅延時間 ヒステリシス幅 不定出力 B 解除遅延時間 動作状態説明図 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H 不定 H L Tr.1 OFF ON 不定 ON OFF 出力 Tr. (Nch) OFF ON 不定 ON OFF Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb 動作状態の説明 1. 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 2. 入力電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref (Rb Rc) / (Ra Rb Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 3. 電源電圧が最小動作電圧以下の状態では出力電圧は不定となります 4. 出力は "L" 電圧を出力します 5. 入力電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref Rb / (Ra Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 14

15 R315NxxxB( 端子検出タイプ ) Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子を外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET 電源電圧 () 最小動作電圧 L A ヒステリシス幅 B 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H H H L Tr.1 OFF ON ON ON OFF 出力 Tr. (Nch) ON OFF OFF OFF ON プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb 動作状態説明図 動作状態の説明 1. 出力は "L" 電圧を出力します 2. 入力電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref (Rb Rc) / (Ra Rb Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 3. 電源電圧が最小動作電圧以下の状態ではプルアップ電圧が出力されます 4. 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 5. 入力電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref Rb / (Ra Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 15

16 R315xxxE(SENSE 端子検出タイプ ) SENSE Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子は 外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET A SENSE 端子電圧 (VSENSE) ヒステリシス幅 B 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H L プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 Tr.1 OFF ON OFF 出力 Tr. (Nch) OFF ON OFF Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb VSENSE VSENSE 動作状態説明図 動作状態の説明 1. SENSE 端子電圧が検出電圧より大きいと 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 2. SENSE 端子電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref VSENSE (Rb+Rc) / (Ra+Rb+Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 電源電圧が最小動作電圧より高い場合には 出力は "L" 電圧を保持します 3. SENSE 端子電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref VSENSE Rb / (Ra+Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 16

17 R315xxxF(SENSE 端子検出タイプ ) 動作説明図 SENSE Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子は 外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET A ヒステリシス幅 B SENSE 端子電圧 (VSENSE) 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅰ プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 コンパレータ出力 L H L Tr.1 OFF ON OFF 出力 Tr. (Nch) ON OFF ON Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb VSENSE VSENSE 動作状態説明図 動作状態の説明 1. SENSE 端子電圧が検出電圧より大きいと 出力は "L" 電圧を出力します 2. SENSE 端子電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref VSENSE (Rb+Rc) / (Ra+Rb+Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧は " プルアップ電圧と等しくなります 電源電圧が最小動作電圧より高い場合には 出力電圧はプルアップ電圧を保持します 3. SENSE 端子電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref VSENSE Rb / (Ra+Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 17

18 検出遅延時間 () 検出遅延時間 () は 以下の条件で規定します 出力端子 (DOUT) を抵抗 1k で5Vにプルアップし / VSENSEを -VSET +1.Vから -VSET 1.V のパルス電圧を印加した時点から出力電圧が2.5Vに達するまでの時間です -VSET 1.V -VSET 1.V / VSENSE -VSET / VSENSE -VSET -VSET 1.V -VSET 1.V 5.V 5.V VDOU T 2.5V VDOUT 2.5V R315NxxxA/E R315NxxxB/F 検出遅延時間 () は 概ね次式で計算できます (s) CR 1 7 R315NxxxA/Bでは 検出後の 電圧が3.6V 以下の条件は遅延時間を設定している回路に充分な電圧ではないので 正常な検出遅延時間は得られません 電圧の低下に伴い遅延時間も短くなります 18

19 検出遅延動作 +VDET +VDET -VDET -VDET / V SENSE / V SENSE VTCR VTCR VCR VCR VDOUT VDOUT R315NxxxA/E R315NxxxB/F / SENSE 端子に解除電圧 (+VDET) 以上が印加された状態から検出電圧 (-VDET) よりも低い電圧が印加されると 外付けコンデンサへの充電が始まり CR 端子電圧 (VCR) が増加していきます CR 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧 (VTCR) に達するまで出力電圧は解除時出力が保持され CR 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧より高くなると 出力電圧が解除時出力から検出時出力に反転します また 出力電圧が解除時出力から検出時出力に反転すると 外付けコンデンサへ充電された電荷の放電が開始されます 19

20 解除遅延時間 () 解除遅延時間 () は 以下の条件で規定します 出力端子 (DOUT) を抵抗 1k で5Vにプルアップし /VSENSEに +VSET 1.Vから +VSET 1.V のパルス電圧を印加した時点から出力電圧が2.5Vに達するまでの時間です +VSET 1.V +VSET 1.V / VSEN SE +VSET / VSEN SE VSET +VSET 1.V +VSET 1.V 5.V 5.V VDOUT 2.5V VDOUT 2.5V R315NxxxA/E R315NxxxB/F 解除遅延時間 () は 概ね下の式で計算できます (s) CD 1 7 2

21 解除遅延動作 V DD / V SENSE +V DET -V DET V CD V TCD V DOUT V DD / V SENSE +V DET -V DET V CD V TC D V DOUT R315NxxxA/E R315NxxxB/F / SENSE 端子に検出電圧 (-VDET) 以下が印加された状態から解除電圧 (+VDET) よりも高い電圧が印加されると 外付けコンデンサへの充電が始まり CD 端子電圧 (VCD) が増加していきます CD 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧 (VTCD) に達するまで出力電圧は検出時出力が保持され CD 端子電圧が解除遅延端子しきい値電圧より高くなると 出力電圧が検出時出力から解除時出力に反転します また 出力電圧が検出時出力から解除時出力に反転すると 外付けコンデンサへ充電された電荷の放電が開始されます 21

22 電源投入順 電源立ち下げ R315NxxxE/Fシリーズ (SENSE 端子検出タイプ ) は 端子に電源供給されている状態でSENSE 端子の電圧を監視するICです 電源投入順は 端子 SENSE 端子どちらを先に立ち上げてもかまいませんがSENSE 端子を先に立ち上げた状態で 端子を最小動作電圧以下から立ち上げる場合は 端子は1V/ms 以下の傾きで立ち上げてください また 端子を立ち下げる際はSENSE 端子を先に立ち下げ 検出遅延時間 () 後に 端子を立ち下げてください 端子 SENSE 端子電圧のグリッチによる検出動作 解除状態で 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に検出電圧 (-VDET) 以下のパルスを入れた時に解除状態を保持できるパルスの振幅量 / パルス幅を示したグラフです Pulse Width (µs) R315NxxxA/B VDET=5.V 16 -VDET=1.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width (µs) R315NxxxE/F VDET=5.V 16 -VDET=1.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width / VSENSE VDET Overdrive Voltage / VSENSE 入力波形図 このグラフは 解除状態を保持できる最大のパルス条件を示しており グラフのパルスよりも振幅量や幅の大きいパルスが 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に入った場合は リセット信号が出力されてしまう場合がありますのでご注意ください 22

23 端子 SENSE 端子電圧のグリッチによる解除動作 検出状態で 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に解除電圧 (+VDET) 以上のパルスを入れた時に検出状態を保持できるパルスの振幅量 / パルス幅を示したグラフです Pulse Width (µs) R315NxxxA/B VDET=5.3V 16 +VDET=11.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width (µs) R315NxxxE/F VDET=5.3V 16 +VDET=11.V Over Drive Voltage (mv) VDET / VSENSE Pulse Width Overdrive Voltage / VSENSE 入力波形図 このグラフは 検出状態を保持できる最大のパルス条件を示しており グラフのパルスよりも振幅量や幅の大きいパルスが 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に入った場合は 解除信号が出力されてしまう場合がありますのでご注意ください 23

24 パッケージ情報 許容損失 (SOT-23-6) SOT-23-6 パッケージの許容損失について特性例を示します なお 許容損失は実装条件に左右されますので 本特性例は下記測定条件での参考データとなります 測定条件 標準実装基板 測定状態 基板実装状態 ( 風速 m/s) 基板材質 ガラスエポキシ樹脂 ( 両面基板 ) 基板サイズ 4 mm x 4 mm x 1.6 mm 配線率 表面 : 約 5% 裏面: 約 5% スルーホール 直径.5 mm x 44 個 測定結果 (Ta = 25 C, Tjmax = 15 C) 標準実装条件 単体宙吊り 許容損失 525 mw 31 mw 熱抵抗値 ja = (15-25 C) /.525 W = 238 C/W 4 C/W 許容損失 PD(mW) 標準実装状態 単体宙吊り 周囲温度 ( ) 15 周囲温度対許容損失 測定用基板レイアウト IC 実装位置 ( 単位 :mm) 24

25 パッケージ外形図 (SOT-23-6) 2.9±.2 1.9±.2 (.95) (.95) ± ±.3 to.1.2min Unit : mm マーキング仕様 (SOT-23-6) : 製品名 ( 略号 ) 別紙 マーク略号一覧表 参照 : 当社ロット No. 英数字によるシリアル No

26 マーク略号一覧表 (SOT-23-6) R315NxxxA R315NxxxB 製品名 設定電圧設定電圧製品名 検出解除検出解除 R315N1A P F R315N1B P A R315N2A P G R315N2B P N R315N3A P H R315N3B P P R315N4A P J R315N4B P Q R315N5A P K R315N5B P R R315N6A P L R315N6B P S R315N7A P M R315N7B P T R315N18A Z U R315N8B Z E R315N11B Z G R315N12B Z J R315N14B Z M R315N15B Z N R315N16B Z Q R315N17B Z S R315NxxxE R315NxxxF 製品名 設定電圧設定電圧製品名 検出解除検出解除 R315N1E P U R315N1F P B R315N2E P V R315N2F Z B R315N3E P W R315N3F Z C R315N4E P X R315N4F Z D R315N5E P Y R315N5F P C R315N6E P Z R315N6F P D R315N7E Z A R315N7F P E R315N13E Z L R315N8F Z F R315N11F Z H R315N12F Z K R315N15F Z P R315N16F Z R R315N17F Z T

27 特性例 以下の特性例は参考値であり それぞれの値を保証するものではありません 消費電流対入力電圧特性例 R315NxxxA/B (-VDET =5.V, VDET =5.3V) R315NxxxA/B (-VDET =6.4V, VDET =7.3V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxA/B (-VDET=1.V, VDET=11.V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxE/F (VSENSE=-VDET.1V) R315NxxxE/F (VSENSE=+VDET.1V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) 27

28 2) 検出電圧対周囲温度特性例 Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B (-VDET=5.V) R315NxxxE/F (-VDET=5.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B (-VDET=6.4V) R315NxxxE/F (-VDET=6.4V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B(-VDET=1.V) R315NxxxE/F(-VDET=1.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) 28

29 3) 解除電圧対周囲温度特性例 Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=5.3V) R315NxxxE/F (+VDET=5.3V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=7.3V) R315NxxxE/F (+VDET=7.3V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=11.V) R315NxxxE/F (+VDET=11.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) 29

30 4) 検出電圧対入力電圧特性例 Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxE/F (-VDET=5.V) Topt=25 C Ta=25 C 5.3 Topt=15 C Ta=15 C 5.2 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxE/F (-VDET=1.V) Topt=25 C Ta=25 C 1.3 Topt=15 C Ta=15 C 1.2 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) 5) 解除電圧対入力電圧特性例 Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxE/F (+VDET=5.3V) Topt=25 C Ta=25 C 5.33 Topt=15 C Ta=15 C 5.32 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxE/F (+VDET=11.V) Topt=25 C Ta=25 C 11.3 Topt=-4 C Ta=15 C Topt=15 C Ta= -4 C Input Voltage (V) 6) 出力電圧対入力電圧特性例 (Ta 25 C, DOUT は 5V1k でプルアップ ) R315NxxxA (-VDET=5.V, +VDET=5.3V) R315NxxxB (-VDET=5.V, +VDET=5.3V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) Input Voltage (V) Input Voltage (V) 3

31 R315NxxxA (-VDET=1.V, +VDET=11.V) R315NxxxB (-VDET=1.V, +VDET=11.V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) 7) 出力電圧対 SENSE 端子電圧特性例 (Ta 25 C, 5.V, DOUT は 5V1k でプルアップ ) R315NxxxE (-VDET=5.V, VDET 5.3V) R315NxxxF (-VDET=5.V, VDET 5.3V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) R315NxxxE (-VDET=1.V, VDET 11.V) R315NxxxF (-VDET=1.V, VDET 11.V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) 31

32 8)Nch ドライバ出力電流対入力電圧特性例 R315NxxxA (+VDET=5.3V, VDOUT=.5V) R315NxxxB (+VDET=5.3V, VDOUT=.5V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) 2. Topt=-4 C Ta= Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) Topt=-4 C Ta= -.4 Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxE (VSENSE=-VDET 1.V, VDOUT=.5V) R315NxxxF (VSENSE=+VDET 1.V, VDOUT=.5V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) Topt=-4 C Ta= -.4 Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) 9)Nch ドライバ出力電流対 VDS 特性例 Nch Driver Output Current IOUT (ma) =6.V =4.5V 4. =3.6V 2. =3.V =2.5V VDS (V) 32

33 1) 検出遅延時間対周囲温度特性例 Detect Delay Time (ms) R315NxxxA/B R315NxxxE/F =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detect Delay Time (ms) ) 解除遅延時間対周囲温度特性例 Release Delay Time (ms) R315NxxxA/B R315NxxxE/F Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Release Delay Time (ms) =5.V ) 検出遅延時間対入力電圧特性例 13) 解除遅延時間対入力電圧特性例 R315NxxxE/F R315NxxxE/F Detect Delay Time (ms) Topt=-4 C Ta= - Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) Release Delay Time (ms) Topt=-4 C Ta= - Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) 33

34 14) 検出 / 解除遅延時間対 CD 端子 CR 端子外付け容量特性例 (Ta=25 C) Release Delay Time (ms) Detect Delay Time (ms) R315NxxxA/B External Capacitance CCD / CCR (nf) Release Delay Time (ms) Detect Delay Time (ms) R315NxxxE/F External Capacitance CCD / CCR (nf) 34

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