R3150N シリーズ 車載用途向け
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- きみのしん あんさい
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1 車載用途向け入力最大 36V ボルテージディテクタ 概要 R315N シリーズ AEC-Q1 Grade 2 準拠 R315Nは CMOSプロセス技術を用いた入力最大 36V ( 最大電源電圧の絶対最大定格 :5V) のボルテージディテクタです 高精度 低消費電流であるためバッテリーの電圧監視に最適です 端子検出タイプ (R315NxxxA/B) とSENSE 端子検出タイプ (R315NxxxE/F) をシステム構成に応じて選ぶことができます 検出電圧 解除電圧は別々に設定可能で 精度は検出電圧 解除電圧ともに 1.5% (25 C) です ( ヒステリシス幅は5% ~ 2% の範囲 ) また 検出電圧遅延時間と解除遅延時間 ( パワーオンリセット時間 ) を設定する端子を備えています 出力形態はNchオープンドレイン出力で 検出時 "L" 出力タイプと "H" 出力タイプがあります パッケージは小型のSOT-23-6を採用しています 特長 動作電圧範囲 ( 最大定格 ) R315NxxxA/B: 1.4V ~ 36.V (5.V) R315NxxxE/F: 3.6V ~ 6.V (7.V) 動作温度範囲 4 ~ 15 C 消費電流 R315NxxxA/B: Typ. 3.8µA R315NxxxE/F: Typ. 3.5µA 検出電圧範囲 5.V ~ 1.V(.1V 単位 ) 検出電圧精度 1.5%(25 C) 2.%( 4 C ~ 15 C) 解除電圧範囲 * 1 5.3V ~ 11.V(.1V 単位 ) 解除電圧精度 1.5%(25 C) 2.%( 4 C ~ 15 C) 検出遅延時間精度 35%~ 4%( 4 C ~ 15 C) 解除遅延時間精度 35%~ 4%( 4 C ~ 15 C) 出力形態 Nchオープンドレイン パッケージ SOT-23-6 検出遅延時間と解除遅延時間 ( パワーオンリセット時間 ) は 外付けコンデンサによってそれぞれ設定可能 1 解除電圧と検出電圧との差 ( ヒステリシス幅 ) は 5% ~ 2% の範囲で設定可能 アプリケーション カーオーディオ カーナビゲーションシステム ETC システムなどのカーアクセサリのバッテリー監視 1
2 ブロック図 R315NxxxA CR R315NxxxB CR DOUT DOUT Delay Circuit Delay Circuit Vref Vref CD CD R315NxxxE R315NxxxF SENSE CR SENSE CR DOUT DOUT Delay Circuit Delay Circuit Vref Vref CD CD 2
3 セレクションガイド R315N は 検出電圧 解除電圧 バージョンを用途によって選択指定することができます 製品名パッケージ 1 リール個数鉛フリーハロゲンフリー R315Nxxx -TR-#E SOT ,pcs xxx: 設定検出電圧 (-VSET) は 5.V ~ 1.V 設定解除電圧 (+VSET) は 5.3V ~ 11.V まで.1V 単位で指定ができ 開発コード 1 より順次設定します : バージョンを下記から選択 (A) 検出タイプ ( 検出時 :"L") (B) 検出タイプ ( 検出時 :"H") (E)SENSE 検出タイプ ( 検出時 :"L") (F)SENSE 検出タイプ ( 検出時 :"H") #: 品質レベルの指定 動作温度範囲 スペック保証温度範囲 スクリーニング J 4 C ~ 15 C 4 C ~ 15 C 低温 高温 端子説明 SOT (mark side) 端子番号 端子名 機能 1 CD 解除遅延時間 () 設定端子 2 CR 検出遅延時間 () 設定端子 3 NC ノーコネクション (R315NxxxA/B) SENSE 電圧検出端子 (R315NxxxE/F) 4 電源端子 5 グラウンド端子 6 DOUT VD 出力端子 (Nch オープンドレイン ) 3
4 絶対最大定格 記号項目定格単位 電源電圧 (R315NxxxA/B).3 ~ 5. V 電源電圧 (R315NxxxE/F) -.3 ~ 7. V VSENSE SENSE 端子電圧 (R315NxxxE/F) -.3 ~ 5. V VDOUT DOUT 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V VCD CD 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V VCR CR 端子出力電圧 -.3 ~ 7. V IOUT DOUT 端子出力電流 2 ma PD 許容損失 (SOT-23-6) *1 標準実装条件 525 mw Tj ジャンクション温度 4 ~ 15 C Tstg 保存周囲温度 -55 ~ 15 C *1 パッケージ情報 に詳しく記述していますのでご参照ください 絶対最大定格絶対最大定格に記載された値を超えた条件下に置くことはデバイスに永久的な破壊をもたらすことがあるばかりか デバイス及びそれを使用している機器の信頼性及び安全性に悪影響をもたらします 絶対最大定格値でデバイスが機能動作をすることは保証していません 推奨動作条件 記号項目動作範囲単位 動作電圧 (R315NxxxA/B) 1.4 ~ 36. V 動作電圧 (R315NxxxE/F) 3.6 ~ 6. V VSENSE SENSE 入力電圧 (R315NxxxE/F) ~ 36 V Ta 動作周囲温度 4 ~ 15 C 推奨動作条件 半導体が使用される応用電子機器は 半導体がその推奨動作条件の範囲で動作するように設計する必要があります ノイズ サージといえどもその範囲を超えると半導体の正常な動作は期待できなくなります 推奨動作条件を越えた場合には デバイス特性や信頼性に影響を与えますので 越えないように注意ください 4
5 電気的特性 条件に記載なき場合 CD 1pF CR 1pF プルアップ抵抗 1k プルアップ電圧 5V です R315NxxxA/B ( 4 C Ta 15 C) 記号 項目 条件 Min. Typ. Max. 単位 L *1 最小動作電圧 1.4 V ISS = -VSET -.1V 消費電流 µa = +VSET +1.V VDET 検出電圧 Ta=25 C C Ta 15 C V +VDET 解除電圧 Ta=25 C C Ta 15 C V 検出遅延時間 *2 CR=1pF, 4 C Ta 15 C ms 解除遅延時間 *3 CD=1pF, 4 C Ta 15 C ms IOUT RCD RCR 出力電流 (Nch ドライバ出力端子 ) CD 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 CR 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 R315NxxxA R315NxxxB *1) 出力電圧 (VDOUT) が不定とならないための最小の電源電圧 =4.5V, VDS=.5V =13.V, VDS=.5V.5 2. ma =13.V, VCD=.5V kω =4.5V, VCR=.5V kω *2) を -VSET +1.V -VSET -1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 *3) を +VSET -1.V +VSET +1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 5
6 条件に記載なき場合 CD 1pF CR 1pF プルアップ抵抗 1k プルアップ電圧 5V です R315NxxxE/F ( 4 C Ta 15 C) 記号 項目 条件 Min. Typ. Max. 単位 L *1 最小動作電圧 3.6 V ISS 消費電流 *2 =5.V, VSENSE= -VSET -.1V µa =5.V, VSENSE= +VSET +1.V RSENSE センス抵抗 MΩ -VDET 検出電圧 Ta 25 C C Ta 15 C V +VDET 解除電圧 Ta 25 C C Ta 15 C 検出遅延時間 *3 CR=1pF, 4 C Ta 15 C ms 解除遅延時間 *4 CD=1pF, 4 C Ta 15 C ms IOUT RCD RCR 出力電流 (Nch ドライバ出力端子 ) CD 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 CR 端子ディスチャージ Tr. オン抵抗 R315NxxxE R315NxxxF *1) 出力電圧 (VDOUT) が不定とならないための最小の電源電圧 *2) センス抵抗を流れる電流は含まない =5.V, VDS=.5V VSENSE= -VSET.1V =5.V, VDS=.5V VSENSE= +VSET 1.V.5 2. ma =4.5V, VSENSE=13V, VCD=.5V kω =4.5V, VSENSE=4.5V, VCR=.5V kω *3) VSENSE を -VSET +1.V -VSET -1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 *4) VSENSE を +VSET -1.V +VSET +1.V と変化させた時 出力電圧 (VDOUT) が 2.5V に達するまでの時間 V 6
7 製品別電気的特性表 R315NxxxA -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1A R315N2A R315N3A R315N4A R315N5A R315N6A R315N7A R315N18A R315NxxxB -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1B R315N2B R315N3B R315N4B R315N5B R315N6B R315N7B R315N8B R315N11B R315N12B R315N14B R315N15B R315N16B R315N17B
8 R315NxxxE -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1E R315N2E R315N3E R315N4E R315N5E R315N6E R315N7E R315N13E R315NxxxF -VDET [V] -VDET [V] +VDET [V] +VDET [V] 製品名 (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) (Ta = 25 C) ( 4 C Ta 15 C) Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. R315N1F R315N2F R315N3F R315N4F R315N5F R315N6F R315N7F R315N8F R315N11F R315N12F R315N15F R315N16F R315N17F
9 基本回路例 VR or DC/DC CD R315NxxxA/B CR DOUT Microprocessor CD CR R315xxxxA/B 基本回路例 VR or DC/DC 5V CD SENSE R315NxxxE/F CR DOUT Microprocessor CD CR R315xxxxE/F 基本回路例 9
10 使用上の注意点 V DD 端子に抵抗を接続する場合について本製品の入力に抵抗を挿入する場合は [IC の消費電流 ] x [ 抵抗値 ] の分だけ入力電圧が低下します また 検出 *1 状態から解除状態に切り替わるときに流れる貫通電流によって [ 貫通電流 ] x [ 抵抗値 ] の分だけ入力端子の電圧が低下し この入力端子の電圧低下が解除電圧と検出電圧の差より大きいと 本製品は再び検出状態になります 入力の抵抗値が大きく 入力端子電圧の立ち上がりが解除電圧付近で緩やかな場合には この動作を繰り返して出力が発振することがあります 本製品の入力に抵抗 R1 を挿入する場合 ( 図 A / 図 B 参照 ) は 1kΩ 以下を目安とし.1uF 以上の入力コンデンサ CIN を入力端子 / 間に接続してください その上で 実際の使用条件で温度特性を含めた評価を行い 貫通電流が問題ないことを確認してください R1 R1 CIN *2 Voltage Detector OUT pin R2 CIN *2 Voltage Detector OUT pin 図 A 図 B *1 CMOS 出力タイプでは 出力端子を充電する電流を含む *2 コンデンサのバイアス依存性に注意してください 1
11 電源電圧の変動禁止領域について (V DD 検出バージョンのみ ) R315N 禁止領域 ( 図 C) において 電源電圧を急激に変動させた場合 ( 図 D) 検出電圧以上の電圧で誤検出してしまうことがありますのでご注意ください また 禁止領域 ( 図 C) において VDET を超えて変動させた場合 ( 図 E) 正常な検出遅延時間がつかないことがありますのでご注意ください 35 Input Voltage peak Vp-p (V) 3 25 Prohibited Area Input Voltage Falling Time tf (µs) 図 C. 禁止領域 tf tf +VDET +VDET Vp-p Vp-p -VDET -VDET 3.6V 図 D. 図 E 11
12 タイミングチャート R315NxxxA/B( 端子検出タイプ ) +VDET -VDET L Pull-up Voltage VDOUT Undefined R315NxxxA +VDET -VDET Pull-up Voltage VDOUT R315NxxxB 12
13 R315NxxxE/F(SENSE 端子検出タイプ ) L +VDET VSENSE -VDET Pull-up Voltage VDOUT Undefined Undefined R315NxxxE +VDET VSENSE -VDET Pull-up Voltage VDOUT R315NxxxF 13
14 動作説明 R315NxxxA( 端子検出タイプ ) Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子を外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET 電源電圧 () 最小動作電圧 L プルアップ電圧 出力電圧 (VDOUT) A 検出遅延時間 ヒステリシス幅 不定出力 B 解除遅延時間 動作状態説明図 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H 不定 H L Tr.1 OFF ON 不定 ON OFF 出力 Tr. (Nch) OFF ON 不定 ON OFF Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb 動作状態の説明 1. 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 2. 入力電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref (Rb Rc) / (Ra Rb Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 3. 電源電圧が最小動作電圧以下の状態では出力電圧は不定となります 4. 出力は "L" 電圧を出力します 5. 入力電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref Rb / (Ra Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 14
15 R315NxxxB( 端子検出タイプ ) Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子を外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET 電源電圧 () 最小動作電圧 L A ヒステリシス幅 B 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H H H L Tr.1 OFF ON ON ON OFF 出力 Tr. (Nch) ON OFF OFF OFF ON プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb 動作状態説明図 動作状態の説明 1. 出力は "L" 電圧を出力します 2. 入力電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref (Rb Rc) / (Ra Rb Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 3. 電源電圧が最小動作電圧以下の状態ではプルアップ電圧が出力されます 4. 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 5. 入力電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref Rb / (Ra Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 15
16 R315xxxE(SENSE 端子検出タイプ ) SENSE Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子は 外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET A SENSE 端子電圧 (VSENSE) ヒステリシス幅 B 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅰ コンパレータ出力 L H L プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 Tr.1 OFF ON OFF 出力 Tr. (Nch) OFF ON OFF Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb VSENSE VSENSE 動作状態説明図 動作状態の説明 1. SENSE 端子電圧が検出電圧より大きいと 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 2. SENSE 端子電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref VSENSE (Rb+Rc) / (Ra+Rb+Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 電源電圧が最小動作電圧より高い場合には 出力は "L" 電圧を保持します 3. SENSE 端子電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref VSENSE Rb / (Ra+Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 16
17 R315xxxF(SENSE 端子検出タイプ ) 動作説明図 SENSE Ra Comparator Delay Circuit DOUT )DOUT 端子は 外部電圧にプルアップして下さい Rb Vref Rc Tr.1 Nch CD CR 外付けコンデンサ接続時のブロック図 解除電圧 +VDET 検出電圧 -VDET A ヒステリシス幅 B SENSE 端子電圧 (VSENSE) 動作状態 コンパレータ (-) 端子入力電圧 Ⅰ Ⅱ Ⅰ プルアップ電圧検出遅延時間 出力電圧 (VDOUT) 解除遅延時間 コンパレータ出力 L H L Tr.1 OFF ON OFF 出力 Tr. (Nch) ON OFF ON Ⅰ Ⅱ Rb+Rc Ra+Rb+Rc Rb Ra+Rb VSENSE VSENSE 動作状態説明図 動作状態の説明 1. SENSE 端子電圧が検出電圧より大きいと 出力は "L" 電圧を出力します 2. SENSE 端子電圧が検出電圧 (A 点 ) まで下がると Vref VSENSE (Rb+Rc) / (Ra+Rb+Rc) となりコンパレータの出力が反転し 出力電圧は " プルアップ電圧と等しくなります 電源電圧が最小動作電圧より高い場合には 出力電圧はプルアップ電圧を保持します 3. SENSE 端子電圧が解除電圧 (B 点 ) より高くなると Vref VSENSE Rb / (Ra+Rb) となりコンパレータの出力が反転し 出力は "L" 電圧を出力します 解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります 17
18 検出遅延時間 () 検出遅延時間 () は 以下の条件で規定します 出力端子 (DOUT) を抵抗 1k で5Vにプルアップし / VSENSEを -VSET +1.Vから -VSET 1.V のパルス電圧を印加した時点から出力電圧が2.5Vに達するまでの時間です -VSET 1.V -VSET 1.V / VSENSE -VSET / VSENSE -VSET -VSET 1.V -VSET 1.V 5.V 5.V VDOU T 2.5V VDOUT 2.5V R315NxxxA/E R315NxxxB/F 検出遅延時間 () は 概ね次式で計算できます (s) CR 1 7 R315NxxxA/Bでは 検出後の 電圧が3.6V 以下の条件は遅延時間を設定している回路に充分な電圧ではないので 正常な検出遅延時間は得られません 電圧の低下に伴い遅延時間も短くなります 18
19 検出遅延動作 +VDET +VDET -VDET -VDET / V SENSE / V SENSE VTCR VTCR VCR VCR VDOUT VDOUT R315NxxxA/E R315NxxxB/F / SENSE 端子に解除電圧 (+VDET) 以上が印加された状態から検出電圧 (-VDET) よりも低い電圧が印加されると 外付けコンデンサへの充電が始まり CR 端子電圧 (VCR) が増加していきます CR 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧 (VTCR) に達するまで出力電圧は解除時出力が保持され CR 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧より高くなると 出力電圧が解除時出力から検出時出力に反転します また 出力電圧が解除時出力から検出時出力に反転すると 外付けコンデンサへ充電された電荷の放電が開始されます 19
20 解除遅延時間 () 解除遅延時間 () は 以下の条件で規定します 出力端子 (DOUT) を抵抗 1k で5Vにプルアップし /VSENSEに +VSET 1.Vから +VSET 1.V のパルス電圧を印加した時点から出力電圧が2.5Vに達するまでの時間です +VSET 1.V +VSET 1.V / VSEN SE +VSET / VSEN SE VSET +VSET 1.V +VSET 1.V 5.V 5.V VDOUT 2.5V VDOUT 2.5V R315NxxxA/E R315NxxxB/F 解除遅延時間 () は 概ね下の式で計算できます (s) CD 1 7 2
21 解除遅延動作 V DD / V SENSE +V DET -V DET V CD V TCD V DOUT V DD / V SENSE +V DET -V DET V CD V TC D V DOUT R315NxxxA/E R315NxxxB/F / SENSE 端子に検出電圧 (-VDET) 以下が印加された状態から解除電圧 (+VDET) よりも高い電圧が印加されると 外付けコンデンサへの充電が始まり CD 端子電圧 (VCD) が増加していきます CD 端子電圧が検出遅延端子しきい値電圧 (VTCD) に達するまで出力電圧は検出時出力が保持され CD 端子電圧が解除遅延端子しきい値電圧より高くなると 出力電圧が検出時出力から解除時出力に反転します また 出力電圧が検出時出力から解除時出力に反転すると 外付けコンデンサへ充電された電荷の放電が開始されます 21
22 電源投入順 電源立ち下げ R315NxxxE/Fシリーズ (SENSE 端子検出タイプ ) は 端子に電源供給されている状態でSENSE 端子の電圧を監視するICです 電源投入順は 端子 SENSE 端子どちらを先に立ち上げてもかまいませんがSENSE 端子を先に立ち上げた状態で 端子を最小動作電圧以下から立ち上げる場合は 端子は1V/ms 以下の傾きで立ち上げてください また 端子を立ち下げる際はSENSE 端子を先に立ち下げ 検出遅延時間 () 後に 端子を立ち下げてください 端子 SENSE 端子電圧のグリッチによる検出動作 解除状態で 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に検出電圧 (-VDET) 以下のパルスを入れた時に解除状態を保持できるパルスの振幅量 / パルス幅を示したグラフです Pulse Width (µs) R315NxxxA/B VDET=5.V 16 -VDET=1.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width (µs) R315NxxxE/F VDET=5.V 16 -VDET=1.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width / VSENSE VDET Overdrive Voltage / VSENSE 入力波形図 このグラフは 解除状態を保持できる最大のパルス条件を示しており グラフのパルスよりも振幅量や幅の大きいパルスが 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に入った場合は リセット信号が出力されてしまう場合がありますのでご注意ください 22
23 端子 SENSE 端子電圧のグリッチによる解除動作 検出状態で 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に解除電圧 (+VDET) 以上のパルスを入れた時に検出状態を保持できるパルスの振幅量 / パルス幅を示したグラフです Pulse Width (µs) R315NxxxA/B VDET=5.3V 16 +VDET=11.V Over Drive Voltage (mv) Pulse Width (µs) R315NxxxE/F VDET=5.3V 16 +VDET=11.V Over Drive Voltage (mv) VDET / VSENSE Pulse Width Overdrive Voltage / VSENSE 入力波形図 このグラフは 検出状態を保持できる最大のパルス条件を示しており グラフのパルスよりも振幅量や幅の大きいパルスが 端子 (R315NxxxA/B) または SENSE 端子 (R315NxxxE/F) に入った場合は 解除信号が出力されてしまう場合がありますのでご注意ください 23
24 パッケージ情報 許容損失 (SOT-23-6) SOT-23-6 パッケージの許容損失について特性例を示します なお 許容損失は実装条件に左右されますので 本特性例は下記測定条件での参考データとなります 測定条件 標準実装基板 測定状態 基板実装状態 ( 風速 m/s) 基板材質 ガラスエポキシ樹脂 ( 両面基板 ) 基板サイズ 4 mm x 4 mm x 1.6 mm 配線率 表面 : 約 5% 裏面: 約 5% スルーホール 直径.5 mm x 44 個 測定結果 (Ta = 25 C, Tjmax = 15 C) 標準実装条件 単体宙吊り 許容損失 525 mw 31 mw 熱抵抗値 ja = (15-25 C) /.525 W = 238 C/W 4 C/W 許容損失 PD(mW) 標準実装状態 単体宙吊り 周囲温度 ( ) 15 周囲温度対許容損失 測定用基板レイアウト IC 実装位置 ( 単位 :mm) 24
25 パッケージ外形図 (SOT-23-6) 2.9±.2 1.9±.2 (.95) (.95) ± ±.3 to.1.2min Unit : mm マーキング仕様 (SOT-23-6) : 製品名 ( 略号 ) 別紙 マーク略号一覧表 参照 : 当社ロット No. 英数字によるシリアル No
26 マーク略号一覧表 (SOT-23-6) R315NxxxA R315NxxxB 製品名 設定電圧設定電圧製品名 検出解除検出解除 R315N1A P F R315N1B P A R315N2A P G R315N2B P N R315N3A P H R315N3B P P R315N4A P J R315N4B P Q R315N5A P K R315N5B P R R315N6A P L R315N6B P S R315N7A P M R315N7B P T R315N18A Z U R315N8B Z E R315N11B Z G R315N12B Z J R315N14B Z M R315N15B Z N R315N16B Z Q R315N17B Z S R315NxxxE R315NxxxF 製品名 設定電圧設定電圧製品名 検出解除検出解除 R315N1E P U R315N1F P B R315N2E P V R315N2F Z B R315N3E P W R315N3F Z C R315N4E P X R315N4F Z D R315N5E P Y R315N5F P C R315N6E P Z R315N6F P D R315N7E Z A R315N7F P E R315N13E Z L R315N8F Z F R315N11F Z H R315N12F Z K R315N15F Z P R315N16F Z R R315N17F Z T
27 特性例 以下の特性例は参考値であり それぞれの値を保証するものではありません 消費電流対入力電圧特性例 R315NxxxA/B (-VDET =5.V, VDET =5.3V) R315NxxxA/B (-VDET =6.4V, VDET =7.3V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxA/B (-VDET=1.V, VDET=11.V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxE/F (VSENSE=-VDET.1V) R315NxxxE/F (VSENSE=+VDET.1V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Supply Current ISS (µa) 1 9 Topt=15 C Ta=15 C 8 Topt=25 C Ta=25 C 7 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) 27
28 2) 検出電圧対周囲温度特性例 Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B (-VDET=5.V) R315NxxxE/F (-VDET=5.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B (-VDET=6.4V) R315NxxxE/F (-VDET=6.4V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxA/B(-VDET=1.V) R315NxxxE/F(-VDET=1.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage -VDET (V) 28
29 3) 解除電圧対周囲温度特性例 Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=5.3V) R315NxxxE/F (+VDET=5.3V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=7.3V) R315NxxxE/F (+VDET=7.3V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxA/B (+VDET=11.V) R315NxxxE/F (+VDET=11.V) =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detector Threshold Voltage +VDET (V) 29
30 4) 検出電圧対入力電圧特性例 Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxE/F (-VDET=5.V) Topt=25 C Ta=25 C 5.3 Topt=15 C Ta=15 C 5.2 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Detector Threshold Voltage -VDET (V) R315NxxxE/F (-VDET=1.V) Topt=25 C Ta=25 C 1.3 Topt=15 C Ta=15 C 1.2 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) 5) 解除電圧対入力電圧特性例 Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxE/F (+VDET=5.3V) Topt=25 C Ta=25 C 5.33 Topt=15 C Ta=15 C 5.32 Topt=-4 C Ta= Input Voltage (V) Detector Threshold Voltage +VDET (V) R315NxxxE/F (+VDET=11.V) Topt=25 C Ta=25 C 11.3 Topt=-4 C Ta=15 C Topt=15 C Ta= -4 C Input Voltage (V) 6) 出力電圧対入力電圧特性例 (Ta 25 C, DOUT は 5V1k でプルアップ ) R315NxxxA (-VDET=5.V, +VDET=5.3V) R315NxxxB (-VDET=5.V, +VDET=5.3V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) Input Voltage (V) Input Voltage (V) 3
31 R315NxxxA (-VDET=1.V, +VDET=11.V) R315NxxxB (-VDET=1.V, +VDET=11.V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) 7) 出力電圧対 SENSE 端子電圧特性例 (Ta 25 C, 5.V, DOUT は 5V1k でプルアップ ) R315NxxxE (-VDET=5.V, VDET 5.3V) R315NxxxF (-VDET=5.V, VDET 5.3V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) R315NxxxE (-VDET=1.V, VDET 11.V) R315NxxxF (-VDET=1.V, VDET 11.V) 6 6 Output Voltage VDOUT (V) Output Voltage VDOUT (V) SENSE Voltage VSENSE (V) SENSE Voltage VSENSE (V) 31
32 8)Nch ドライバ出力電流対入力電圧特性例 R315NxxxA (+VDET=5.3V, VDOUT=.5V) R315NxxxB (+VDET=5.3V, VDOUT=.5V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) 2. Topt=-4 C Ta= Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) Topt=-4 C Ta= -.4 Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) R315NxxxE (VSENSE=-VDET 1.V, VDOUT=.5V) R315NxxxF (VSENSE=+VDET 1.V, VDOUT=.5V) Nch Driver Output Current IOUT (ma) Topt=-4 C Ta= -.4 Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) 9)Nch ドライバ出力電流対 VDS 特性例 Nch Driver Output Current IOUT (ma) =6.V =4.5V 4. =3.6V 2. =3.V =2.5V VDS (V) 32
33 1) 検出遅延時間対周囲温度特性例 Detect Delay Time (ms) R315NxxxA/B R315NxxxE/F =5.V Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Detect Delay Time (ms) ) 解除遅延時間対周囲温度特性例 Release Delay Time (ms) R315NxxxA/B R315NxxxE/F Temperature Topt ( C) Temperature Topt ( C) Release Delay Time (ms) =5.V ) 検出遅延時間対入力電圧特性例 13) 解除遅延時間対入力電圧特性例 R315NxxxE/F R315NxxxE/F Detect Delay Time (ms) Topt=-4 C Ta= - Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) Release Delay Time (ms) Topt=-4 C Ta= - Topt=25 C Ta= Topt=15 C Ta= Input Voltage (V) 33
34 14) 検出 / 解除遅延時間対 CD 端子 CR 端子外付け容量特性例 (Ta=25 C) Release Delay Time (ms) Detect Delay Time (ms) R315NxxxA/B External Capacitance CCD / CCR (nf) Release Delay Time (ms) Detect Delay Time (ms) R315NxxxE/F External Capacitance CCD / CCR (nf) 34
35 Halogen Free FAX FAX
R3151N シリーズ
車 載 用 途 向 け 36V 耐 圧 ボルテージディテクタ 概 要 R3151N シリーズ AEC-Q1 Grade 2 準 拠 R3151Nは CMOSプロセス 技 術 を 用 いた36V 耐 圧 ( 最 大 電 源 電 圧 の 絶 対 最 大 定 格 :5V) ボルテージディテク タです 高 精 度 低 消 費 電 流 であるためバッテリーの 電 圧 監 視 に 最 適 です 端 子 検 出
R3150N シリーズ
シリーズ 入 力 最 大 36V ボルテージディテクタ 概 要 R3150Nは CMOSプロセス 技 術 を 用 いた 入 力 最 大 36V ( 最 大 電 源 電 圧 の 絶 対 最 大 定 格 :50V) のボルテージ ディテクタです 高 精 度 低 消 費 電 流 であるためバッテリーの 電 圧 監 視 に 最 適 です 端 子 検 出 タイプ (R3150NxxxA/B) とSENSE 端
R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2
NO.JA-71-6112 CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON1612-6 6 TYP..8µA (=1.5V).7V 1.V ().9V 6.V.1V ±2.% TYP. ±1ppm/ C Nch CMOS 2 6 TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します
出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F
低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F
2STB240AA(AM-2S-H-006)_01
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ
回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフィルター ラインアンプ等に最適です 外形 特徴 動作電源電圧 Vopr= ~ ±V 低雑音 9.nV/ Hz typ. @f=khz 入力オフセット電圧
等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o
小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
2STB240PP(AM-2S-G-005)_02
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
NJU7291 概要 ウォッチドッグタイマ内蔵システムリセット IC NJU7291 は 電源電圧の瞬断や低下などの異常を瞬時に検出して リセット信号を発生する電源電圧監視用 IC です ウォッチドッグタイマが内蔵されており 各種マイコンシステムに フェイル セーフ機能を持たせることができます 特徴
概要 ウォッチドッグタイマ内蔵システムリセット I は 電源電圧の瞬断や低下などの異常を瞬時に検出して リセット信号を発生する電源電圧監視用 I です ウォッチドッグタイマが内蔵されており 各種マイコンシステムに フェイル セーフ機能を持たせることができます 特徴 電源電圧 : =.5~7 リセット検出電圧 : L :.0% 外付け抵抗により検出電圧の調整が可能 出力遅延ホールド時間 WD タイマリセット時間設定比
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
NJW V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 NJW4320 は 24Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD
2V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 は 2Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD) 回路を内蔵し 安全性を高めています 回転数コントロールは 外部からの PWM 入力信号に対応しています 外形 V 特長 電源電圧範囲
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
NJM2591 音声通信用ミキサ付き 100MHz 入力 450kHzFM IF 検波 IC 概要 外形 NJM259 1は 1.8 V~9.0 Vで動作する低消費電流タイプの音声通信機器用 FM IF 検波 IC で IF 周波数を 450kHz ( 標準 ) としています 発振器 ミキサ IF
音声通信用ミキサ付き MHz 入力 45kHzFM IF 検波 IC 概要 外形 NJM59 は.8 V~9. Vで動作する低消費電流タイプの音声通信機器用 FM IF 検波 IC で IF 周波数を 45kHz ( 標準 ) としています 発振器 ミキサ IF リミッタアンプ クワドラチャ検波 フィルタアンプに加えノイズ検波回路とノイズコンパレータを内蔵しています V 特徴 低電圧動作.8V~9.V
TPC8107
TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電
3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵
S1F77330 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1
シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1 本資料のご使用につきましては 次の点にご留意願います 本資料の内容については 予告無く変更することがあります 1. 本資料の一部 または全部を弊社に無断で転載 または 複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします 2. 本資料に掲載される応用回路 プログラム 使用方法等はあくまでも参考情報であり これらに起因する第三者の知的財産権およびその他の権利侵害あるいは損害の発生に対し
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc
AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)
精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単
TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長
ブロック図 真理値表 入力出力 OUTn (t = n) CLOCK LATCH ENABLE SERIAL-IN OUT 0 OUT 7 OUT 15 SERIAL OUT H L D n D n D n 7 D n 15 D n 15 L L D n No Change D n 15 ( 注 )
東芝 Bi CMOS 集積回路シリコンモノリシック TB62706BN,TB62706BF TB62706BN/BF 16 ビット定電流 LED ドライバ TB62706BN TB62706BF は 16 ビットの電流値を可変可能な定電流回路と これをオン オフ制御する 16 ビットシフトレジスタ ラッチおよびゲート回路から構成された定電流 LED ドライバです ( アノードコモン ) Bi CMOS
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
形式 :PDU 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力
計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 密着取付可能 アプリケーション例 容積式流量計のパルス信号を単位パルスに変換 機械の回転による無接点信号を単位パルスに変換
形式 :WYPD 絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着
絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着取付可能 アプリケーション例 フィールド側のパルス信号を直流的に絶縁してノイズ対策を行う パルス出力の種類を変換 ( 例
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路
TC74HC4511AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4511AP,TC74HC4511AF BCD-to-7 Segment Latch/Decoder/Driver TC74HC4511A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS ラッチ付き 7 セグメント デコーダ ドライバです 標準 CMOS の 4511B と同一ピン接続 同一ファンクションですが 高速ラッチ
Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M
Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル 413180100 19.4 システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M21/M22/M23/M24/M25 テクニカルマニュアル 413556900 21.4 システムリセットコントローラ
NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい
低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
TC74HC245,640AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
三端子レギュレータについて 1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路は チップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時 出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温で
1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路は チップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時 出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温では ON しない程度にバイアスされており 温度上昇による V BE の減少により高温時に Q 4 が ON し Q 6 のベース電流を抜き去り
HA17555シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例 プリント基板設計における推奨パターン及び注意点 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M12343 Rev.1.0 Dec
第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例. 5-2 2. プリント基板設計における推奨パターン及び注意点.. 5-5 5-1 1. 応用回路例 この章では 推奨配線とレイアウトについて説明しています プリント基板設計時におけるヒントと注意事項については 以下の応用回路例をご参照下さい 図.5-1 と図.5-2 には それぞれ 2 種類の電流検出方法での応用回路例を示しており
S-89130/89140シリーズ オペアンプ
S-8913/891 シリーズ www.ablic.com www.ablicinc.com ミニアナログシリーズ CMOS オペアンプ ABLIC Inc., 11 ミニアナログシリーズは汎用アナログ回路を小型パッケージに搭載した IC です S-8913/891 シリーズは CMOS 型オペアンプで 位相補償回路を内蔵し 低電圧動作 低消費電流の特長を持っています C ~ 15C と広い温度範囲でご使用いただけます
