れた結晶やデバイスは X 線回折測定 フォトルミネッセンス (PL) 測定 光起電力測定 電圧電流 (I-V) 測定 電流注入における発光特性等により評価する 一方 超格子中の量子準位の理論計算やデバイスシュミレーターを用いたダイオード特性の理論解析を行い 実験と比較検討する
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- るるみ いなおか
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1 Ⅱ-Ⅵ族ナノ構造 野村 一郎 １ 研究目的 ナノ及びサブナノメートルに制御された InP 基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体超格子の新物 性発現及びそのデバイス応用に向けた基礎検討を行う ZnCdSe/BeZnTe タイプⅡ超格 子は周期や層厚を変えることで可視全域から近赤外までの広い範囲において波長を制 御でき 様々な光デバイス材料として期待される 例えば 赤 緑 青の三原色で発 光する LED や半導体レーザ また演色性に優れた白色光源への応用が考えられる 更 に 当該超格子は伝導帯に 1.8eV 程の大きなバンド不連続があることから これをサ ブバンド間遷移に利用したデバイスへの展開も期待される 例えば 遷移波長を光通 信波長帯に調整することで超高速光変調や検出といった高性能通信デバイスへの可能 性が開ける また カスケードレーザやサブバンド間遷移を用いたテラヘルツ帯デバ イスへの応用も考えられる ここでは ZnCdSe/BeZnTe 超格子の光学特性等 基礎物 性を調べ デバイス応用に向けた検討を行う また 当該超格子の伝導帯バンド不連 続を評価し 超格子の設計 理論解析 デバイス応用のための基礎データを明らかに にする 一方 デバイス化に向けた基礎検討も行う 具体的には 電極抵抗の低減や 透明導電膜の形成 またデバイスシュミレーターを用いた構造設計を行い 高性能化 高効率化のための技術開発を行う 他にも BeZnTe/ZnSeTe 超格子疑似混晶による組 成制御性等 超格子を用いた材料限界の打破に向けた検討を進める ２ 研究方法 InP 基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体材料やその超格子 またそれらを用いたデバイスを作製し 評価すると共に理論解析による検討を行う 作製には分子線エピタキシー MBE 法 を用いる Ⅲ-Ⅴ族用とⅡ-Ⅵ族用の別々の成長室を有するダブルチャンバーMBE 装置 を用いて(0)InP 基板上にⅡ-Ⅵ族結晶をエピタキシャル成長させる 結晶の高品質化 のために 先ず InP 基板表面の酸化膜除去及び InP InGaAs バッファー層成長をⅢ-Ⅴ 族成長室で行い その後Ⅱ-Ⅵ族成長室で超格子やデバイス構造の成長を行う 得ら
2 れた結晶やデバイスは X 線回折測定 フォトルミネッセンス (PL) 測定 光起電力測定 電圧電流 (I-V) 測定 電流注入における発光特性等により評価する 一方 超格子中の量子準位の理論計算やデバイスシュミレーターを用いたダイオード特性の理論解析を行い 実験と比較検討する
3 ３ 研究成果 ①ZnCdSe/BeZnTe 超格子の特性評価 ZnCdSe/BeZnTe 超格子のエネルギーバンド Ec 下端 Ec は ZnCdSe より約 1.8eV 高く BeZnTe の価電子帯上端 Ev も ZnCdSe よ り 0.76eV 高くなっている 尚 図中に示 遷移エネルギー イプⅡ構造となっており BeZnTe の伝導帯 1.82eV ZnCdSe BeZnTe 図を図 1 に示す 図の様に当該超格子はタ 伝導帯サブバンド準位 Ec 1.3eV Ev Ev されているエネルギー値は文献値やこれま 0.76eV 価電子帯サブバンド準位 で我々が得た実験値より推測したものであ るが 確定したものではない これらの値 の妥当性は今後調べていく必要があり 後 図1 ZnCdSe/BeZnTe 超格子のエネルギー バンド図 ある 当該超格子の特長の一つは バンド間遷移 エネルギーの最小値が ZnCdSe の Ec から BeZnTe の Ev 間の 1.3eV であり これは超 格子を構成している ZnCdSe 及び BeZnTe の 禁制帯幅 Eg よりも低エネルギーとなっ ていることである 即ち 当該超格子では Transition wavelength (nm) の②で述べるように本研究課題の 1 つでも ZnCdSe Eg=2.06eV や BeZnTe BeZnTe は ML 800 7ML 700 5ML 600 3ML 500 ZnCdSe 1ML Layer thickness of BeZnTe (ML) 間接遷移型で Eg=2.77eV 図 1 では 点 直 接遷移 での Eg=3.12eV で示してある の 図2 ZnCdSe/BeZnTe 超格子の遷移波長の Eg よりも低エネルギー 長波長側 の発光 各層厚依存性 計算値 や光吸収が得られる可能性があり その分広い波長域に対応できる 図 2 は ZnCdSe/BeZnTe 超格子の遷移波長の計算値である これより ZnCdSe 及び BeZnTe の層厚 を 1 分子層 ML 1ML は約 0.29nm から ML に変えることで遷移波長を 430nm から 800nm に制御でき 青から赤の可視光全域に加え近赤外光においても発光吸収が得られる ことが示された
4 実際に ZnCdSe/BeZnTe 超格子を作製し 発 ZnCdSe/BeZnTe SL 1ML/5ML 2ML/5ML 3ML/5ML 6ML/5ML 光特性を調べた 図 3 に室温での PL スペク Intensity (a.u.) トルを示した BeZnTe 層を 5ML に固定し ZnCdSe 層を 1ML から 6ML に変えることで 509nm から 740nm の広い範囲で発光が観測 された 次に これら発光ピーク波長を遷 移波長の理論値と比較した 図 4 に PL ピー ク波長と遷移波長 理論値 の ZnCdSe 層厚 500 依存性を示した 図より PL ピーク値が理 論値より 70nm 程度長波側にあることが分 かった この原因について検討した結果 図 Wavelength (nm) ZnCdSe/BeZnTe 超格子の室温での PL スペクトル 超格子の各界面に挿入している ZnTe の影響 である可能性が示された 当該超格子では 750 各 層 の 界 面 に お い て ZnCdSe 中 の Se と と BeSe の格子不整合度 -12% のため大 きな結晶歪が生じ 結晶欠陥の発生及び結 晶性劣化の原因になってしまう そこでこ の問題を解決するために超格子の各界面に 700 Wavelength (nm) BeZnTe 中の Be が結合し BeSe が形成される PL peak (Exp.) Theory without ZnTe Theory with ZnTe in ZnCdSe Theory with ZnTe in BeZnTe ML 相当の ZnTe を挿入し Be と Se の結 Layer thickness of ZnCdSe (ML) 合を抑制している このとき 各界面での ZnTe は 1ML 以下であるので層として存在せ ず ZnCdSe 層や BeZnTe 層に取り込まれて 図 4 いると考えられる しかし 図 4 での理論 ピーク波長と遷移波長 理論値 の 値ではこの ZnTe の影響を考慮していないた ZnCdSe 層厚依存性 ZnCdSe/BeZnTe 超格子における PL め実験値とのずれが生じたものと推察される そこで ZnTe が ZnCdSe または BeZnTe に 取り込まれたと仮定して再度理論値を求めた 結果を図 4 に示した これより ZnCdSe 層厚が 1 2ML の場合は ZnTe が ZnCdSe 層に取り込まれた場合に計算値と実験値がよく一 致し ZnCdSe が比較的厚い 6ML の場合は ZnTe が BeZnTe 層に取り込まれたと考える方が 妥当であることが示された この様に PL ピークと理論値の違いは界面に挿入された
5 ZnTe の影響によるものと考えられ またそ の影響は ZnCdSe の層厚によって異なるこ 上述のように ZnCdSe/BeZnTe 超格子では 各層の厚さを変えることで可視から近赤外 域で波長を制御できることが示された そ Intensity (a.u.) とが分かった ZnCdSe/BeZnTe SL 1ML/5ML 5ML/5ML 2ML/5ML こでこの特長を利用した多色発光について 検討した ここでは 層厚を変えた 3 種類 450 の超格子を 1 つの基板上に積層した試料を 作製した 超格子の各層厚は下から順に ZnCdSe(5ML)/BeZnTe(5ML) 2ML/5ML Wavelength (nm) 図 5 3 種類の ZnCdSe/BeZnTe 超格子を積 層した試料からの室温 PL スペクトル 0nm とした 図 5 に試料からの室温 PL スペクトルを示した 試料上部の超格子か ら順に 506nm 530nm 631nm の 3 つの発 光ピークが観測され 青 緑 赤の三原色 発光が確認された このように 白色 LED 等の多色発光 LED に向けた基礎的な成果が 得られた 次に ZnCdSe/BeZnTe 超格子におけるサブ Intersubband transition wavelength ( m) 1ML/5ML とし 各々の超格子の全層厚は 3.5 ZnCdSe ML 9ML 8ML 7ML 6ML 5ML バンド間遷移について理論解析を行った Layer thickness of BeZnTe (ML) 図 1 に示したエネルギーバンド図の伝導帯 ポテンシャルにおける第 1 量子準位と第 2 量子準位間のサブバンド間遷移波長を計算 し た 図 6 に BeZnTe 層 を 1 16ML 図 6 ZnCdSe/BeZnTe 超格子における伝 導帯サブバンド間遷移波長の BeZnTe 層 厚依存性 計算値 ZnCdSe 層を 5 ML に変えた場合の遷移波長の計算値を示した 図より 1.1 から 3.1μ m においてサブバンド間遷移が得られることが示された また ZnCdSe を 7ML BeZnTe を 4 6ML とすることで遷移波長を光通信波長帯の 1.5μm に制御できることが分かった
6 以上の様に ZnCdSe/BeZnTe 超格子は可視か ら赤外の広い波長域に対応する優れた特長 を有することが示された 2ZnCdSe/BeZnTe ヘテロ接合における伝導帯 バンド不連続の評価 伝導帯や価電子におけるバンド不連続等の エネルギーバンドパラメータの解明は ZnCdSe/BeZnTe 超格子の理論解析 設計 デ バイス応用において重要である これまで の知見や文献値より求めたパラメータは図 1 に示されているが 十分に確かめられてい ない そこで n-i-n ダイオード素子を用いて ZnCdSe/BeZnTe ヘテロ接合における伝導帯バ ンド不連続を評価した 作製した素子構造 を図 7 に示した 素子は 200nm 厚のノンド ープ BeZnTe 層を 300nm 厚 n 形 ZnCdSe 層で 挟んだ n-i-n 構造とした 素子の両面に Au 電極を施し 50μm 350μm にチップ化した 後 室温において I-V 特性を測定した I-V 特性において ZnCdSe と BeZnTe との間のバ ンド不連続により生じたヘテロ障壁による図 8 n-i-n 素子の I-V 特性 ( 実験値 ) とショットキー特性が確認された ここで その理論値 得られた I-V 特性とその理論値を比較することでバンド不連続を見積もった 図 8 には I-V 特性の実験値と理論値を示した 理論値においては バンド不連続 ( Ec) を 1.5 から 2.4eV まで変えたものを示した これより 測定値は Ec =1.9eV の場合の理論値とよく一 致していることからバンド不連続は 1.9eV であると見積もられた この値は 以前の予測 値である 1.82eV と比べ若干大きいことが分かった このように より正確なバンド不連 続値が明らかになることで 超格子の設計や理論解析の精度の向上が期待される 3p 側電極抵抗の検討 n-zncdse un-beznte n-zncdse n-zncdse buf n-ingaas buf n-inp buf n-inp sub 300nm 200nm 300nm 図 7 ZnCdSe/BeZnTe n-i-n 素子の構造
7 電極抵抗 特に p 側電極抵抗の低減はデバイスの低抵抗化 高性能化において重要な要因である ここでは InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体デバイスにおける p 側電極抵抗低減について検討した 金属と接触するコンタクト層として p 形 ZnTe 及び p 形 ZnSeTe を取り上げ 金属材料として Au Pd/Au Pd/Pt/Au について検討した 素子は InP 基板上に n 形 ZnCdSe 層 (250nm) p 形 BeZnTe 層 (700nm) 及びコンタクト層 (30nm) を積層した構造とした 電極の形成には電子ビーム蒸着法及び抵抗加熱蒸着法を用いた 電極抵抗の評価には 円電極による c-tml(circular transmission line model) 法を用いて 電極とコンタクト層との接触抵抗を測定した c-tml 法により間隔の異なる電極間の抵抗を測定し その抵抗値の変化の割合から接触抵抗を算出した その結果 ZnTe コンタクト層と Pd/Pt/Au 電極の組み合わせにおいて最も低い Ωcm 2 の接触抵抗が得られ 上記電極材料とコンタクト層の組み合わせにおいて最適であることが分かった 一方 ZnSeTe と Pd/Pt/Au の組み合わせでは Ωcm 2 の比較的高い抵抗となった そこで 上記電極材料とコタクト層による違いについて検討した ZnSeTe と ZnTe を比較すると ZnTe は InP に対し +4.0% の格子不整合となるが ZnSeTe は InP と格子整合し高品質な結晶が得易い 一方 ZnSeTe の p キャリア濃度は約 cm -3 程度であり ZnTe の cm -3 よりも低い 更に ZnSeTe 中の Se と電極材料の一部である Pd が反応し易いことが知られており この反応生成物が抵抗や絶縁体として働いている可能性がある このことは ZnSeTe コンタクト層において Au 電極と Pd/Pt/Au 電極の接触抵抗を比べた場合に Pd/Pt/Au の方 (9.0-3 Ω cm 2 ) が Au(3.5-4 Ωcm 2 ) より大幅に増加していることとも関連している 以上より ZnTe と比べ ZnSeTe と Pd/Pt/Au の場合に高抵抗化する原因は ZnSeTe の低いキャリア濃度及び Se と Pd の反応生成物であると考えられる 4 透明導電膜の検討
8 InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体デバイスにおける透明導電膜の検討を行った ここでは透明導電 膜材料として酸化インジウムスズ (ITO) を 取り上げ ITO を成膜する下地層のコンタク ト層として p 形 ZnTe 及び p 形 ZnSeTe につ いて調べた ITO とコンタクと層との間の電 気特性を評価するため p-n 接合ダイオード を作製し p 形コンタクト層上に ITO 層を成 膜した素子の I-V 特性を測定した ダイオー ドは n 形 InP 基板上に n 形 ZnCdSe 層 (270nm) p 形 BeZnTe 層 (650nm) 及び p 形コンタクト層 (30nm) の構造とし MBE 法により成長を行った 成長後に コンタ クト層上に ITO(60nm) をスパッタ法によ り成膜した ここでは スパッタ源にコニ カル型を使用した これは スパッタ中の プラズマやイオンの成膜面への影響を抑制 し コンタクト層の劣化を防ぐ効果がある と考えられている ITO 成膜時の基板温度は 1 及び 130 とした 一方 比較のため に ITO の代わりに Au 電極を施した素子も作 製した 素子の室温における I-V 特性を図 9 に示した これより ZnTe コンタクト層の 方が ZnSeTe の場合よりも立ち上がり電圧が 低く 良好な電気特性が得られた また ZnTe コンタクト層を用いて ITO 成膜温度を 130 とした場合に最も立ち上がり電圧が低 く 比較のための ZnTe コンタク層と Au 電 極の場合とほぼ同様な特性を示した これ より ITO を用いても Au 電極と遜色のない 電気特性が得られることが分かった 一方 Current density (A/cm 2 ) Voltage (V) 図 9 ITO を成膜した p-n ダイオードの I-V 特性 図 ZnCdSe/BeZnTe 超格子と ITO を用 いた太陽電池の構造 ITO/ZnTe 130 o C ITO/ZnTe 1 o C ITO/ZnSeTe 130 o C ITO/ZnSeTe 1 o C Au/ZnTe ITO n-znte or p-znsete p-beznte ZnCdSe/BeZnTe SL (7ML/7ML) ZnCdSe/BeZnTe SL (7ML/5ML) ZnCdSe/BeZnTe SL (7ML/3ML) n-zncdse n-zncdse buf n-ingaas buf n-inp buf n-inp sub Au 333nm 333nm 333nm
9 上記スパッタ法と同条件で石英ガラス上に 5.0 ZnTe contact ZnSeTe contact 2 Current density (ma/cm ) 成膜した ITO 膜を評価したところ nm 波長域における光透過特性は 80 95%であり 抵抗率も 3.3 Ωcm であっ -4 たことから良質な透明導電膜が得られてい ることが示された 次に ZnCdSe/BeZnTe 超格子と ITO を用いた 太陽電池の試作を行った 素子構造を図 に示した 光吸収層には①で述べた Voltage (V) 1.0 ZnCdSe/BeZnTe 超格子を用い n 形 ZnCdSe 及び p 形 BeZnTe で挟んだ構造とした コン 図 11 タクト層は p 形 ZnTe または p 形 ZnSeTe と 照射下での I-V 特性 試作した太陽電池の疑似太陽光 し その上に ITO をスパッタ成膜した そ の後 5mm 角の素子に切り出し ITO 面側に 1.5AM の疑似太陽光を照射しながら発電特 性を評価した 図 11 に光照射時の I-V 特性を示した これより ZnSeTe コンタクトより ZnTe コンタクトを用いた方が開放電圧及び短絡電流が大きく 発電効率も高いことが分 かった これは先の実験で示されたように ITO に対し ZnTe コンタクトの方が良好な電気 特性が得られることに起因していると考えられる ZnTe コンタクトの場合の発電特性は 短絡電流が 4.7mA/cm2 ITO clad SL p-clad 開放電圧が 0.9V 曲 線因子が 0.35 発電 ITO clad ZnTe p-contact 効率が 1.5%であった MgSe/BeZnTe SL p-clad 続いて ITO をクラッ BeZnTe/ZnSeTe SL active MgSe/BeZnTe SL barrier MgSe/ZnCdSe graded SL ZnTe p-contact ZnTe/BeZnTe SL BeZnTe MgSe/BeZnTe SL barrier BeZnTe/ZnSeTe SL active MgSe/BeZnTe SL barrier MgSe/ZnCdSe graded SL MgSe/ZnCdSe SL n-clad MgSe/ZnCdSe SL n-clad ド層に用いた半導体 レーザの構造を提案 E した ITO は可視光を (a) SL p-clad (c) Optical field distributions (b) ITO clad 含む広い波長域で吸 収が少なく導電率も 図 12 (a) 超格子 p クラッドを用いた従来のレーザ構造 (b) 高いことから透明導 ITO クラッドを用いたレーザ構造 (c) 各レーザ構造における光 電磁界分布の理論値
10 電膜として広く応用されているが それらの特長に加え屈折率が低い (2.0 程度 ) ことから 半導体レーザのクラッド層としても理想的な材料であることに着目した ITO をクラッド層に用いることで低抵抗化や光閉じ込めの向上等により素子特性を大幅に改善でき また従来にない新しい半導体レーザへの展開も期待される これまで InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体を用いたレーザ及び LED では 活性層に BeZnTe/ZnSeTe 超格子 n クラッド層に MgSe/ZnCdSe 超格子 p クラッド層に MgSe/BeZnTe 超格子を用いていた しかし p クラッド層材料である MgSe/BeZnTe 超格子は抵抗率や屈折率が高く クラッド層としての性能が十分でないことが問題であった そこで この超格子の代わりに ITO を用いる構造を提案した 図 12 に従来構造と ITO を用いた構造 及びそれらの構造における光電磁界分布の理論値を示した これより ITO を用いることで電磁界の活性層への閉じ込めが増加し p 側クラッド層 ( 即ち ITO 層 ) への電磁界の染み出しが大幅に低減されることが分かった これは光閉じ込めに必要なクラッド層厚の薄膜化にも繋がり 素子抵抗の低減にも効果的である 具体的には超格子 p クラッドでは光閉じ込めのために 600nm 以上の層厚が必要であるのに対し ITO を用いると 40nm 程度で良いことが分かった このことは従来の超格子 p クラッド層が厚さ 1/ 以下の薄膜 ITO で代替でき ITO が低抵抗であることから素子抵抗が大幅に低減されることを示している また 活性層への光閉じ込め係数は 超格子 p クラッドの場合は 15% であるのに対し ITO を用いると 27% に増加し これはしきい値電流の低減等レーザ特性の向上に効果がある 一方 ITO は n 形伝導性であり そのままでは p クラッドに代替できない そこで 当該レーザ構造では ITO の下に p-beznte 等の p 形層を設け 活性層への正孔注入を行う 即ち p 形層の価電子帯と ITO の間での電子のトンネル効果により p 形層に正孔が生成され 活性層に注入される構造になっている このことを確かめるため ITO を用いた LED 構造を作製した BeZnTe/ZnSeTe 超格子活性層を MgSe/BeZnTe 超格子バリア層で挟み n クラッド層に MgSe/ZnCdSe 超格子を用いた構造とした また 正孔注入層に p-beznte コンタクト層に p-znte を用いた 電流注入により評価したところピーク波長 582nm の黄色発光が得られた これより ITO を p 側クラッド層に用いた構造でも活性層に正孔が注入されることが実験的に示され ITO クラッド層を用いた InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体レーザの可能性が示された 5デバイス構造の検討
11 InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体によるレーザ及び LED 構造の最適化に向けてデバイスシュミレーターを用いた理論解析を行った 素子の基本構造は BeZnTe/ZnSeTe 超格子活性層を MgSe/BeZnTe 超格子バリア層で挟み n クラッド層に MgSe/ZnCdSe 超格子 p クラッド層に MgZnSeTe 混晶を用いたものとした この構造においてシュミレーターによる理論解析の結果を図 13 に示した 図 13(a) には印加電圧 4.25V におけるエネルギーバンド図 また (b) にはその時の各層における電子及び正孔電流のプロファイルを示した 図 13(b) より n クラッドから注入された電子は活性層に到達する前に再結合により 1/0 以下に減少してしまうことが分かった 一方 正孔は p クラッドから注入された後 活性層を通り越し n クラッドまでほぼそのまま到達してしまっている このことは 活性層に電子や正孔が殆ど注入されず 素子特性の大幅な低減に繋がることを示している これは図 13(a) に示されているように n 側バリア層の伝導帯に大きなヘテロ障壁があり その障壁のために電子の注入が妨げられているからだと考えられる 即ち 電子はこの障壁を超えられずに活性層に到達せず 一方 正孔は活性層に注入される電子が少ないため再結合しないでそのまま n クラッド層まで到達し その近傍で堰き止められた電子と再結合してしまうと言う現象が示されている 以上より この問題の主因は n 側バリア層であり 解決法の 1 としてそのバリア層を除去することが考えられる そこで n 側バリア層がない構造を提案し 再度解析を行った
12 n 側バリア層のない場合の印加電圧 2.28V に (a) 14(b)より 電子と正孔の両方とも活性層で 急激に減少しており 活性層で効率よく再 結合することが示された これは 障壁が なくなったため電子の活性層への注入が促 Energy level (ev) おける解析結果を図 14(a) (b)に示した 図 進され それに付随して正孔の注入効率も 改善されたことによる また n 側バリア層 を除去することで印加電圧の大幅な低減も 見込まれる 具体的には 当該構造におい て同程度の電流密度 700A/cm2 を注入す るための印加電圧は n 側バリア層がある場 合は 4.25V に対し ない場合は 2.28V であっ た これは n 側バリア層がある場合には (b) であるのに対し n 側バリア層がない場合は 通常のダイオードと同様に 必要な印加電 圧は活性層へのキャリア注入に必要な拡散 電位程度となるためである このような印 加電圧の低減も消費電力や発熱の低減につ 2 クラッドに到達するために高い電圧が必要 Current density(a/cm ) 電流が流れるために正孔が活性層を超えて n 2 Electron Hole p-clad p-barrier active n-barrier n-graded 一方 バリア層は活性層への光閉じ込めに 5 n-clad ながり 素子特性の向上に効果的である おいて重要であり バリア層の除去は光閉 じ込めの低下を招く恐れがある そこで n 図 13 側バリア層がある場合とない場合で電磁波 素子構造の理論解析結果 (a) 印加電圧 解析を行い 光閉じ込め係数を算出した 4.25V におけるエネルギーバンド図 (b) 結果は n 側バリア層がある場合の光閉じ込 その時の各層における電子及び正孔電 め係数が 25.8%で ない場合は 23.3%であっ 流のプロファイル n 側バリア層がある場合の発光 た このように バリア層を除去することで光閉じ込めの若干の低下はあるものの大きな
13 差は見られなかった 従って 当該構造で (a) は n 側バリア層の除去は光閉じ込めに大き く影響しないことが分かった 実際に n 側バリア層がある場合とない場合 の素子を作製し 特性の比較を行った そ の結果 n 側バリア層を除去することで 5V 以上の電圧の低減が確認された また 電 流注入において n 側バリア層がある素子で は何も発光が得られなかったのに対し n 側 バリア層が無い場合はピーク波長が 603nm の橙色発光が観測された これらは 先の 2 があると活性層にキャリアが注入されず (b) Current density (A/cm ) 理論解析で予測された現象 n 側バリア層 また電流注入のための印加電圧が高い と 整合し 実験においても n 側バリア層を除 去する効果が示されたと言える 以上の様 に 理論解析から素子構造における問題点 が明らかになり n 側バリア層を除去する ことが素子特性の向上に大きく寄与するこ Electron Hole p-clad p-barrier active ⑥BeZnTe/ZnSeTe 超格子疑似混晶の検討 n-graded n-clad とが理論と実験により示された InP 基板上の BeZnSeTe 四元混晶は 基板に 格子整合させたまま直接遷移型の禁制帯幅 図 14 を 2.1 から 2.7eV の間で制御でき 橙色か 素子構造の理論解析結果 (a) 印加電圧 ら青の広い可視光域に対応する光デバイス 2.28V におけるエネルギーバンド図 (b) 材料として期待されている また BeSe 及 n 側バリア層が無い場合の発光 その時の各層における電子及び正孔電 流のプロファイル び BeTe を含むことから結晶の格子強度が増し Ⅱ-Ⅵ族半導体デバイスで問題となってい る短い素子寿命の改善に効果的であると考えられる これまで我々は BeZnSeTe を活性 層に用いた LED を作製し 黄色や緑色発光の観測や 5000 時間以上の長寿命動作を達成し
14 4ML/2ML 600 1ML/20ML BeZnSeTe BeZnTe/ZnSeTe 超格子疑似混晶の 室温 PL スペクトル Wavelength (nm) 図 15 PL peak Theoretical transition wavelength 1ML/9ML Wavelength (nm) Intensity (a.u.) BeZnTe/ZnSeTe 4ML/3ML BeZnTe layer thickness ratio 図 16 BeZnTe/ZnSeTe 超格子疑似混晶に おける発光ピーク波長及び遷移波長の理 論値と超格子中の BeZnTe 層厚比の関係 た また 黄色/緑色の光励起によるレーザ発振に成功した 一方 BeZnSeTe は四元混晶 であるため格子定数や禁制帯幅を調節するための組成制御やその再現性を得ることが困難 であり 作製上の問題となっている そこで BeZnTe/ZnSeTe 超格子により BeZnSeTe 疑似 混晶を得る手法を提案した 当該超格子は BeZnTe 層及び ZnSeTe 層を各々InP 基板に格 子整合させて超格子全体の格子整合を保ちつつ 各層厚を変えることで遷移波長 禁制帯 幅 等の物性を容易に制御できると言った特長を有している また当該超格子は 各層が 数分子層程度の薄膜であり 巨視的には構成元素が同一の BeZnSeTe 混晶と見なせ 物性 も似た特徴を示すと考えられる ここでは BeZnTe/ZnSeTe 超格子を作製し発光特性を調 べることで 発光波長と各層厚の関係や制御性について評価し また BeZnSeTe との比較 検討を行った 更に BeZnTe/ZnSeTe 超格子を活性層に用いた LED を作製し 特性を評価 した 各層厚の異なる BeZnTe/ZnSeTe 超格子 BeZnTe/ZnSeTe=4ML/2ML 4ML/3ML 1ML/9ML 1Ml/20ML)を InP 基板上に作製し PL 測定を行った 超格子の全層厚は 600nm とした 図 15 に室温での PL スペクトルを示した 各層厚を変えることでピーク波長が 480nm 青色 から 589nm 橙色 の広い範囲で発光が得られた また 比較のために示した BeZnSeTe 混晶の発光スペクトルと比べ倍以上の発光強度が得られ 良好な発光特性が示された 次 に 発光ピーク波長と遷移波長の理論値との比較を行った 図 16 に発光ピーク波長及び
15 遷移波長の理論値と超格子中の BeZnTe 層厚比の関係を示した 発光ピークと理論値が良く一致しており 波長制御性にも優れていることが分かった 続いて BeZnTe/ZnSeTe 超格子を活性層に用いた LED を作製した 構造は 30nm 厚の BeZnTe/ZnSeTe(1ML/9ML) 超格子活性層を MgSe/BeZnTe 超格子バリア層で挟み n クラッド層には Cl ドープ MgSe/ZnCdSe 超格子 p クラッド層には N ドープ MgSe/BeZnTe 超格子を用いたものとした 結晶成長で得られた素子ウェハに Au 電極を施し 室温におけるパルス電流駆動により発光特性を調べたところ ピーク波長 584nm の黄色発光が観測された このように組成制御が困難な BeZnSeTe 混晶を BeZnTe/ZnSeTe 超格子による疑似混晶とすることで組成や物性の制御性が向上し また混晶と比べ遜色のない優れた特性が得られることが示された
16 研究発表リスト 雑誌論文 c1. S. Takamatsu, I. Nomura, T. Shiraishi, and K. Kishino: Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE, J. Cryst. Growth, Vol. 425, 2015, pp c2. T. Shiraishi, I. Nomura, K. Murakami, S. Takamatsu, T. Kobayashi, and K. Kishino: "Formation of indium tin oxide (ITO) transparent electrodes by magnetron sputtering for II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates," phys. stat. soli. (c), Vol. 11, No. 7-8, 2014, pp c3. S. Takamatsu, I. Nomura, T. Kobayashi, K. Murakami, T. Shiraishi and K. Kshino: "Investigation of p-contact layers for BeZnSeTe/MgZnCdSe optical devices on InP substrates," phys. stat. soli. (c), Vol. 11, No. 7-8, 2014, pp c4. K. Murakami, I. Nomura, T. Kobayashi, T. Shiraishi, S. Takamatsu and K. Kishino: "Widerange visible luminescence of ZnCdSe/BeZnTe type-ii superlattices grown on InP substrates," phys. stat. soli. (c), Vol. 11, No. 7-8, 2014, pp c5. T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino, Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light emitting devices, J. Cryst. Growth, Vol. 378, 2013, pp c6. I. Nomura, Y. Sawafuji, and K. Kishino, Photopumped lasing characteristics in green-toyellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, 2011, pp 図書 なし 学会発表 c7. K. Fukushima, T. Shiraishi, R. Kobayashi, K. Kishino, and I. Nomura: Application of indium tin oxide to the p-cladding layers of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates, 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015), September 13-18, 2015, Paris, France, MoP-51, pp c8. R. Kobayashi, S. Takamatsu, K. Fukushima, K. Kishino, and I. Nomura: Investigation of yellow/green II VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates, 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015), September 13-18, 2015, Paris, France, MoP-56, pp c9. 福島浩二 野村一郎 白石智裕 高松眞吾 小林亮平 岸野克巳 InP 基板上Ⅱ-Ⅵ 族半導体レーザのための酸化インジウムスズ p クラッド層の検討 第 62 回応用物 理学会春季学術講演会 13p-A 年 3 月 c. 小林亮平 野村一郎 高松眞吾 白石智裕 福島浩二 岸野克巳 InP 基板上Ⅱ-Ⅵ
17 族半導体レーザに向けた p クラッド層材料の検討, 第 62 回応用物理学会春季学術講演会,13p-A17-7,2015 年 3 月. c11. T. Shiraishi, I. Nomura, S. Takamatsu, and K. Kishino: Proposal of applying indium tin oxide to p-cladding layers of green/yellow II-VI compound semiconductor laser diode structures, th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014), Decemberr 14-19, 2014, Kaohsiung, Taiwan, Mo-P13, p c12. 高松眞吾, 野村一郎, 白石智裕, 岸野克巳, InP 基板上 II-VI 族半導体光デバイスの p 側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討, 第 3 回結晶工学未来塾 (2014) 工学における研究者倫理 - 研究者倫理の理解から論文発表まで -, 2014 年 11 月. c13. S. Takamatsu, I. Nomura, T. Shiraishi, and K. Kishino: Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014), September 7-12, 2014, Flagstaff, Arizona, USA, P9, pp c14. 高松眞吾, 野村一郎, 岸野克巳, InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体光デバイスのための低抵抗 p 側電極の検討, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会,18a-D2-6,2014 年 3 月. c15. 白石智裕, 野村一郎, 村上佳介, 小林俊輝, 高松眞吾, 岸野克巳, InP 基板上 Ⅱ-Ⅵ 族半導体光デバイスに向けた酸化インジウムスズ透明導電膜の作製と評価, 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会,16a-B4-9,2013 年 9 月. c16. S. Takamatsu, I. Nomura, T. Kobayashi, K. Murakami, T. Shiraishi, and K. Kishino: Examination of p-contact layers for BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI devices on InP substrates, 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P41, p c17. T. Shiraishi, I. Nomura, K. Murakami, S. Takamatsu, T. Kobayashi, and K. Kishino: Formation of indium tin oxide (ITO) transparent electrodes by magnetron sputtering for II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates, 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P6, p. 85. c18. K. Murakami, I. Nomura, T. Kobayashi, T. Shiraishi, S. Takamatsu, and K. Kishino: Widerange visible luminescence of ZnCdSe/BeZnTe type-ii superlattices grown on InP substrates, 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, Tu-P27, p. 51. c19. 高松眞吾, 野村一郎, 小林俊輝, 岸野克巳, InP 基板上 BeZnSeTe 系 Ⅱ-Ⅵ 族半導体光デバイスにおける ZnSeTe p 側コンタクト層の効果, 第 60 回応用物理学会春季学術講演会,27p-G19-3,2013 年 3 月. c20. T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino: Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light-emitting devices, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), September 23-28, 2012, Nara, Japan, ThB-3-3, p c21. 小林俊輝, 村上佳介, 野村一郎, 白石智裕, 高松眞吾, 岸野克巳, InP 基板上 BeZnTe/ZnSeTe 超格子擬似混晶における発光波長制御, 第 73 回応用物理学会学術講演会,14p-H8-3,2012 年 9 月. c22. 村上佳介, 小林俊輝, 野村一郎, 白石智裕, 高松眞吾, 岸野克巳, InP 基板上 ZnCdSe/BeZnTe タイプ Ⅱ 超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価, 第 73 回応用物理学会学術講演会,14p-H8-4,2012 年 9 月
18 c23. I. Nomura and K. Kishino: "Development of II-VI compound semiconductors on InP substrates for green and yellow lasers, The 1st Annual World Congress of Advanced Materials Conference (WCAM-2012), June 6-8, 2012, Beijing, China, Symposium 6, Session 6-3 Semiconductors, p c24. 小林俊輝, 野村一郎, 村石一生, 村上圭祐, 岸野克巳, InP 基板上 BeZnTe/ZnSeTe 超格子擬似混晶の作製と評価, 第 59 回応用物理学関係連合講演会,18a-F11-5,2012 年 3 月.
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿
第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び
Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学
207 年 2 月 8 日 ( 月 ) 限 8:45~0:5 I05 第 回半導体工学天野浩項目 8 章半導体の光学的性質 /24 光る半導体 ( 直接遷移型 ) と光らない半導体 ( 間接遷移型 ) * 原理的に良く光る半導体 :GaAs GaN IP ZSe など * 原理的に殆ど光らない半導体 ( 不純物を入れると少し光る ):Si Ge GaP SiCなど結晶構造とバンド構造 E E 伝導帯
PowerPoint プレゼンテーション
研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?
Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx
パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)
diode_revise
2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_
2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関
Microsoft PowerPoint - 21.齋修正.pptx
薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO
ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により
この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2
<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F913791BE977A E646F63>
1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
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半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域
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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative
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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する
背景光触媒材料として利用される二酸化チタン (TiO2) には, ルチル型とアナターゼ型がある このうちアナターゼ型はルチル型より触媒活性が高いことが知られているが, その違いを生み出す要因は不明だった 光触媒活性は, 光吸収により形成されたキャリアが結晶表面に到達して分子と相互作用する過程と, キ
二酸化チタンの光触媒活性を決める因子を発見 - 高効率光触媒開発に新たな指針 - 要点 二酸化チタン結晶表面での光励起キャリアのダイナミクスをリアルタイムで観測することに成功し, 光触媒活性を決める因子を発見 未解明であったアナターゼ型とルチル型二酸化チタンの触媒活性の違いが, 光励起キャリアの結晶表面に固有な寿命に起因することを証明 光触媒活性を簡便に制御する方法を提案 概要 東京大学物性研究所の松田巌准教授と山本達助教,
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教
hetero
ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機
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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで
予定 （川口担当分）
予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
スライド 1
2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射
<4D F736F F D2091AA92E895FB964082C982C282A282C45F >
相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります
e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1
Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5
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平成 26 年 2 月 26 日 東京工業大学広報センター長 大谷 清 半導体中を秒速 8 万 m で動きまわる電子を撮影 - 見える化 により多様な半導体材料の評価に威力 - 要点 半導体材料中の 20 nm スケールの領域に流れる電子を 200 フェムト秒間隔で測定 電子が半導体中を秒速約 8 万 m で動きまわる様子の動画撮影に成功 半導体の新しいナノ構造の開拓や未来の新材料開発に貢献 概要
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年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm
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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター
学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or
<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>
技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering
スライド 1
1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この
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. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生
報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右
3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します 情報機構 sample
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します http://www.johokiko.co.jp/ebook/bc140202.php 情報機構 sample はじめに リチウムイオン電池は エネルギー密度や出力密度が大きいことなどから ノートパソコンや携帯電話などの電源として あるいは HV や EV などの自動車用動力源として用いられるようになってきている
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半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
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MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図
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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
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. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h
平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動き
平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動きやすい物質を 透明アモルファス酸化物半導体で実現 これらを電子注入層と輸送層に用い 逆積みで順積みよりも優れた特性の有機
1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し
2014 年 8 月 1 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東京大学 太陽電池の接合界面に相競合状態を持たせ光電変換効率を向上 - 多重キャリア生成により光電流が増幅 強相関太陽電池の実現へ前進 - 本研究成果のポイント 光照射で相転移を起こす強相関電子系酸化物と半導体を接合した太陽電池を作製 金属と絶縁体の相競合状態をヘテロ接合界面のごく近くで誘起することに成功 界面での相競合状態を磁場を使うことで観測可能に
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å
MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]
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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
α α α α α α
α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある
京都大学博士 ( 工学 ) 氏名宮口克一 論文題目 塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用した断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( 論文内容の要旨 ) 本論文は, 塩害を受けたコンクリート構造物の対策として一般的な対策のひとつである, 断面修復工法を検討の対象とし, その耐久性をより
塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用し Titleた断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 宮口, 克一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-01-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18 Right Type Thesis
<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>
1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ
酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード
Microsoft Word - IPhO2007実験問題Green問題.doc
実験問題 半導体薄膜のエネルギーバンドギャップの決定 I. はじめに半導体は導体と絶縁体の中間の電気的性質をもつものとして特徴づけられる 半導体の電気的性質を理解するために, よく知られている 光電効果 から始めよう 光電効果は量子的電子現象である 光電子 ( 光を吸収して飛び出した電子 ) は照射光 ( 光子 ) から十分なエネルギーを吸収することにより, 物質から放出される 金属から光照射によって電子
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
エネルギー ついて説明します 2. 研究手法 成果上で述べたような熱輻射パワーの高速変化を実現するためには 物体から熱輻射が生じる過程をミクロな視点から考える必要があります 一般に 物体の温度を上昇させると 物体内の電子の動きが活発になり 光 ( 電磁波 ) を放出するようになります こうして電子か
平成 26 年 7 月 2 3 日 物体からの熱輻射を超高速に制御することに世界で初めて成功 概要京都大学大学院工学研究科電子工学専攻野田進教授 ( 兼 光 電子理工学教育研究センター長 ) 同専攻浅野卓准教授および同専攻井上卓也博士課程学生等は 物体からの熱輻射 1 を超高速に制御することに 世界で初めて成功しました 一般に 物体を加熱すると 物体と光の相互作用に基づいた熱輻射と呼ばれる現象が生じ
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 小川 電気電子工学科 真人 10/06/'10 半導体電子工学 II 1 他講義との関連 ( 積み重ねが大事 積み残すと後が大変 ) 2008 2009 2010 2011 10/06/'10 半導体電子工学 II 2 量子物理工学 Ⅰ 10/06/'10 半導体電子工学 II 3 IC の素子を小さくする利点 このくらいのだったらなぁ 素子の微細化が必要 (C)
プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (
プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (
スピン自由度を用いた次世代半導体デバイス実現へ大きな進展 ~ 強磁性半導体において大きなスピン分裂をもつ電子のエネルギー状態を初めて観測 ~ 1. 発表者 : レデゥックアイン ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 附属総合研究機構助教 ) ファムナムハイ ( 東京工業大学工学院電気電子系准教授 ) 田中雅明 ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授 スピントロニクス学術連携研究教育センターセンター長
半導体工学の試験範囲
練習問題 1. 半導体の基礎的性質問 1 n 形半導体について 以下の問いに答えよ (1) エネルギーバンド図を描け 必ず 価電子帯 ( E ) フェルミ準位( E ) 伝導帯( E ) を示す こと () 電子密度 ( n ) を 伝導帯の有効状態密度 ( ) を用いた式で表せ (3) シリコン半導体を n 形にする元素を挙げ その理由を述べよ F 問 型半導体について 以下の問いに答えよ (1)
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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している
1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(
2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................
第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン
6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門
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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt
集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量
Microsoft Word - JHS2022のLED製品分類のポジションペーパー(第3版) Yanagi.doc
2022 年版関税分類品目表 (HS2022) に於ける LED 照明製品の分類に対する一般社団法人日本照明工業会 (JLMA) のポジション ペーパー第 3 版 平成 28 年 7 15 まえがき 2012 年版関税分類品目表 (HS2012) に於ける LED 照明製品の分類 HS2012 において 従来 (LED ではない ) 照明製品に対する照明製品の HS コード分類は以下の項のように定義されている
博士論文 ( 論文題目 ) 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池の エネルギー変換特性 平成 29 年 7 月 神戸大学大学院工学研究科 ( 氏名 ) 加田智之
Kobe University Repository : Thesis 学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree 公開日 Date of Publication 資源タイプ Resource Type 報告番号 Report Number 権利 Rights JaLCDOI URL 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池のエネルギー変換特性
研究成果報告書(基金分)
様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ
局在とランダムレーザーの関係を明らかにした また 太陽電池材料として注目を集めている有機無機ハイブリッドペロブスカイト構造に関しても 光励起キャリアが励起子を形成することを明らかにした 10. 課題となった点 研究プロジェクトにより課題となった点は以下のとおりである (a) GaN ナノコラム光デバ
9. 優れた成果があがった点 研究プロジェクトにより特に優れた成果があがった点は以下のとおりである (a)gan ナノコラム光デバイス : ナノコラムで波長 633nm の赤色 LED を実現し InGaN 系赤色 LED 高性能化の道筋を拓き ナノコラム規則配列によって二次元分布光帰還機能を発現させ 光励起緑色域レーザ発振を得て 面発光型ナノコラムレーザの基礎技術を確立し 高い放射ビーム指向性を有するナノコラム
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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
記者発表資料
平成 26 年 9 月 5 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学多元物質科学研究所 青色光励起により強い赤色発光を示す新規シリケート系酸化物蛍光体の開発 < 概要 > 国立大学法人東北大学 多元物質科学研究所 ( 所長 : 河村純一 ) の垣花眞人教授の研究グループは 青色光励起により強い赤色発光を示すシリケート系酸化物蛍光体 ( 注 1) を開発しました 本研究では これまで緑色蛍光体として知られてきた
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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
研究成果報告書
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs
研究成果報告書(基金分)
(DMS) 1 3 DMS 2 4 DMS II-VI CdTe ZnTe 2 4 DMS 2 4 DMS II-VI 2 3d 4 3d (MBE) II-VI ZnTe CdTe 3d Mn, Cr, Fe 2 4 DMS MBE X (XRD)X (XAFS) II (SQUID) (a) 4 DMS (Cd,Mn,Cr)Te 4 DMS II-VI CdTe 2 Mn, Cr (Cd,Mn,Cr)Te
Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx
アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C
新技術説明会 様式例
静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い
1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和
1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製
Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt
0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod
低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
エレクトロニクス 低転位 G a N 基板上の低抵抗 高耐圧 G a N ダイオード 住 吉 和 英 * 岡 田 政 也 上 野 昌 紀 木 山 誠 中 村 孝 夫 Low On-Resistance and High Breakdown Voltage GaN SBD on Low Dislocation Density GaN Substrates by Kazuhide Sumiyoshi,
マスコミへの訃報送信における注意事項
原子層レベルの厚さの超伝導体における量子状態を解明 乱れのない 2 次元超伝導体の本質理解とナノエレクトロニクス開発の礎 1. 発表者 : 斎藤優 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 1 年 ) 笠原裕一 ( 京都大学大学院理学研究科物理学 宇宙物理学専攻准教授 ) 叶劍挺 (Groningen 大学 Zernike 先端物質科学研究所准教授 ) 岩佐義宏 ( 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター
PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:
PRESS RELEASE (2015/10/23) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-2092 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp 室温巨大磁気キャパシタンス効果の観測にはじめて成功 研究成果のポイント
New Color Chemosensors for Monosaccharides Based on Azo Dyes
New olor hemoenor for Monocchride ed on zo Dye 著者 : Nicol Diere nd Joeph R. Lkowicz 雑誌 : rg.lett. 1, 3 (4), 3891-3893 紹介者 : 堀田隼 1 年 1 月 7 日 ボロン酸の性質 1 ci-ジオールと環状エステルを形成する 環状エステルを形成すると ボロン酸の酸性度が高まる btrct