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まいかえいさか
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1 分析測定標準料金表 2012 年 7 月版菱電化成株式会社分析センター 0

2 料金について 1. 掲載しました価格は原則として 1 試料当たりの標準を示しますなお消費税は含まれておりません 2. 次のような場合には料金を割引致します 1 試料数が多い場合 2 長期間契約に基づく場合 3. 次のような場合にはご相談の上割増料金を申し受けることがあります 1 妨害物質等により規定の方法で分析できない場合 2 分析結果に対する詳細な考察を必要とする場合 3 特に急を要する場合 4 試料を引き取りに伺う場合備考 1. 分析をご依頼の節は分析申込書にご記入の上 FAX 等にてご連絡下さい 2. 試料は原則としてご持参あるいはご送付いただきます 3. ご報告納期は標準的な機器分析の場合試料受け取り後 2 週間以内です 1

3 目次 Ⅰ. 元素分析プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 3 マイクロ波誘導質量分析(MIP-MS) 4 プラズマ質量分析 (ICP-MS) 4 原子吸光分析(AAS) 4 蛍光 X 線分析 (XRF) 5 有機元素分析 5 重量分析 5 容量分析 5 Ⅱ. クロマトグラフ分析イオンクロマトグラフ分析 (IC) 6 ガスクロマトグラフ分析 (GC) 7 ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC) 7 高速液体クロマトグラフ分析(HPLC) 8 Ⅲ. 化合物構造解析赤外分光分析(FT-IR) 9 紫外可視分光分析(UV VIS) 10 ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 10 ガスクロマトグラフ質量分析 (GC/MS) 11 熱分解ガスクロマトグラフ質量分析(Py-GC/MS) 12 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) 12 PCB 分析 (GC/ECD 法 ) 12 水分測定( カールフィッシャー法 ) 12 X 線回折 (XD) 13 昇温脱離ガス分析 (TDS) 13 Ⅳ. 表面分析局所分析電子線マイクロアナライザ (EPMA) 14 オージェ電子分光分析(AES) 16 二次イオン質量分析(SIMS) 17 X 線光電子分光分析 (XPS) 18 Ⅴ. 形態観察走査電子顕微鏡 (SEM) 19 透過電子顕微鏡 (TEM) 20 集束イオンビーム加工 (FIB) 22 光学顕微鏡 (OM) 22 写真撮影 22 ミクロトーム 22 分析申込書 24 2

4 プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 試料前処理酸溶解( 可溶性試料 ) 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5,000 酸溶解( 難溶性試料 ) 1 試料目 20,000 2 試料目以降 7,000 ろ過洗浄 5,000 アルカリ融解 15,000 振とう抽出 5,000 灰化 5,000 切断 5,000 粉砕 5,000 加圧酸分解 20,000 有機物湿式分解 20,000 マイクロ波溶解 20,000 テフロン密封容器酸抽出 12,000 濃度調製 3,000 定性分析水溶液 1ppm 以上指定成分 20 元素まで /1 試料 15,000 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 10,000 半定量分析 20 元素まで /1 試料 20,000 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 15,000 定量分析 1 元素 /1 試料 8,000 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 5,000 26~50 元素目まで 3, 元素目より 2,000 定量分析 ( 特殊溶媒測定 ) ( 有機溶媒測定ふっ酸溶媒測定 ) 1 元素 /1 試料 10,000 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 7,000 26~50 元素目まで 5, 元素目より 4,000 定量分析 ( 窒素パ - ジ :S P) 1 元素 /1 試料 10,000 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 7,000 26~50 元素目まで 5, 元素目より 4,000 3

5 プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 水素化物法 (As,Se,Ge,Sb) 1 元素 /1 試料 15,000 追加 1 試料 / 同一元素 12,000 マイクロ波誘導質量分析 (MIP-MS) 試料前処理クリーンルーム環境分析ガス捕集器具準備 1 箇所目 20,000 2 箇所目以降 10,000 薬液中不純物分析濃縮 10,000 Siウェハ表面微量金属分析 (6インチ 8インチ ) 1 試料目 20,000 2 試料目以降 10,000 ウェハ表面微量金属分析 ( 化合物半導体基板不定形基板 ) 定性分析 20 元素まで /1 試料 30,000 半定量分析 20 元素まで /1 試料 45,000 定量分析 1 元素 /1 試料 20,000 追加 1 元素 / 同一試料または 10,000 同一系列試料ごとにプラズマ質量分析 (ICP-MS) 定量分析 1 元素 /1 試料 30,000 追加 1 元素 / 同一試料または 15,000 同一系列試料ごとにその他特殊元素原子吸光分析 (AAS) フレームレス法 1 元素 /1 試料 15,000 追加 1 試料 / 同一元素 12,000 還元気化法 (Hg) 1 元素 /1 試料 15,000 追加 1 試料 / 同一元素 12,000 4

6 蛍光 X 線分析 1(XRF- 波長分散型 ) 試料前処理錠剤法 5,000 切断 5,000 粉砕 5,000 定性分析 ( 原子番号 9 以上の元素 ) 指定成分 1 元素 /1 試料 10,000 追加指定成分 1 元素 / 同一試料ごとに 5,000 未知試料 40,000 半定量分析 (FP 法 ) *1 50,000 定量分析 1 元素 /1 試料蛍光 X 線分析 2(XRF-エネルギー分散型 ) *2 スクリーニング分析 (RoHS 指令物質 ) (Cd,Pb,Cr,Hg,Br) 1 試料目 20,000 2 試料目以降 10,000 有機元素分析 C,H,Nの定量分析 3 成分 /1 試料 (n=2) *3 20,000 重量分析強熱残渣 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5,000 乾燥減量 1 試料目 8,000 2 試料目以降 4,000 蒸発残留物 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5,000 その他容量分析中和滴定 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5,000 その他 *1 FP 法 :Fundamental Parameter Method *2 RoHS:Restriction of Hazardous Substances *3 (n=2):2 点測定を標準とする 5

7 イオンクロマトグラフ分析 (IC) 試料前処理溶液濃度調製( 希釈 ) 3,000 水抽出( 超音波抽出 ) 5,000 振とう抽出 5,000 テフロン密封容器抽出 12, 000 遠心分離 3,000 ろ過 5,000 試料燃焼処理 10, 000 酸素フラスコ燃焼 1 試料目 10,000 2 試料目以降 8,000 その他( 発生ガス捕集など ) 定量分析 ( 標準無機陰イオン ) (F -,Cl -,NO 2 -,Br -,NO 3 -,PO 4 3-,SO 4 2- ) 7 成分まで /1 試料 25,000 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 10,000 定量分析 ( 標準無機陰イオン < 濃縮法 >) (F -,Cl -,NO 2 -,Br -,NO 3 -,PO 4 3-,SO 4 2- ) 7 成分まで /1 試料 40,000 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 20,000 定量分析 ( 標準無機陽イオン ) (1 価 :Li +,Na +,K +,NH 4 + ) 4 成分まで /1 試料 25,000 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 10,000 (2 価 :Ca 2+,Mg 2+ ) 1 価陽イオンと同一試料追加 2 成分まで 10,000 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 5,000 定量分析 ( 標準有機酸イオン ) (HCOO -,CH 3 COO -,C 2 H 5 COO - ) 3 成分まで /1 試料 25,000 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 10,000 その他特殊イオン 6

8 分析測定項目単価 ( 単位 : 円 ) ガスクロマトグラフ分析 (GC) サンプリング ( ガス捕集 ) 5,000 条件検討り試料前処理濃縮( ロータリーエバポレータ ) 10,000 溶媒抽出 5,000 ソックスレー抽出 15,000 定性分析 ( 無機ガスのみ ) 指定 1 成分 /1 試料 10,000 追加 1 試料 / 同一条件 8,000 追加 1 成分 / 同一試料 4,000 定量分析 (TCD,FID) *1 指定 1 成分 /1 試料 30,000 追加 1 成分 / 同一試料 8,000 追加 1 試料 10,000 ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC SEC *2 ) 試料前処理溶解試験 5,000 溶液濃度調製( 希釈 ) 5,000 溶解 5,000 抽出 5,000 濾過 5,000 測定 ( 成分数ポリスチレン基準の相対分子量 ) 1 試料 /1 条件 (THF *3 ) 30,000 追加 1 試料ごとに 20,000 1 試料 /1 条件 (DMF *3 CHCl 3 ) 50,000 追加 1 試料ごとに 25,000 1 試料 /1 条件 (HFIP *3 ) 80,000 追加 1 試料ごとに 40,000 データ処理 ( クロマト微分曲線の 10,000 多重表示 ) *1 TCD:Thermal Conductivity Detector FID:Flame Ionization Detector *2 SEC:Size Exclusion Chromatography *3 THF:Tetrahydrofuran DMF:Dimethylformamide HFIP:Hexafluoroisopropanol 7

9 分析測定項目単価 ( 単位 : 円 ) 高速液体クロマトグラフ分析 (HPLC) 試料前処理溶液調製 5,000 条件検討定性分析定量分析り 1 成分 /1 試料目 15,000 追加 1 成分 /1 試料目 8,000 1 成分 /1 試料目 40,000 追加 1 成分 /1 試料目 12,000 1 成分 /2 試料目 15,000 追加 1 成分 /2 試料目 6,000 8

10 赤外分光分析 (FT-IR) 試料前処理 KBr 錠剤成型通常成型 5,000 希釈濃度調製の追加 5,000 KRS 板塗布 3,000 振とう抽出超音波抽出 5,000 ソックスレー抽出 1 試料目 15,000 2 試料目以降 10,000 乾留( 試験管 ) 3,000 濃縮( ヒーターなどによる ) 5,000 濃縮( ロータリーエバポレータ ) 10,000 カラムクロマト分離 ( シリカゲルによる ) 粉砕切断 5,000 削り取り 5,000 バイルシュタイン試験 3,000 測定 1( フーリェ変換型装置 ) 透過法反射法 10,000 *1 ATR( 全反射吸収 ) 法 15,000 *2 RAS( 高感度反射 ) 法 15,000 測定 2( 顕微 FT-IR 法 ) 試料採取 3,000 20μmφ 以上採取 5,000 マイクロサンプリング (20μmφ 以下 ) 12,000 顕微透過法顕微反射法 20,000 マイクロATR 法 20,000 顕微 ATR 法 30,000 顕微 RAS 法 30,000 データ処理差スペクトル 10,000 スペクトル拡大多重表示による解析 5,000 データ解析ピーク面積比( 強度比 ) 計算 10,000 同定解析スペクトル解析( 未知物質の DB 検索 ) 20,000 スペクトル詳細解析 ( 微細構造解析 ) *1 ATR:Attenuated Total Reflection *2 RAS:Reflection Absorption Spectrometry 9

11 紫外可視分光分析(UV VIS) 透過率測定スペクトル測定 (200~900nm) 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5, 000 積分球反射率測定スペクトル測定 (240~800nm) 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5, 000 その他ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 試料前処理ケース搬送 5, 000 測定定性分析 1 試料目 25,000 2 試料目以降 15, 成分まで /1試料 20, 成分まで /1 試料 60,000 追加 1 成分ごとに 10,000 半定量分析 10 成分まで /1試料 20, 成分まで /1 試料 25, 成分まで /1試料 30, 000 追加 25 成分ごとに 5,000 定量分析指定 1 成分 /1 試料 30,000 10

12 ガスクロマトグラフ質量分析 (GC/MS) 試料前処理濃縮( ロータリーエバポレータ ) 10,000 溶媒抽出 5,000 ソックスレー抽出 15,000 固相マイクロ抽出 10,000 定性分析 5 成分まで /1 試料 50, 成分まで /1 試料 70,000 半定量分析 ( ヘキサデカンまたはトルエン換算 ) 5 成分まで /1 試料 15, 成分まで /1 試料 20,000 加熱脱着ガス分析 1( スタティックヘッドスペース法 ) 試料前処理ヘッドスペースバイアル挿入加熱 15,000 定性分析 5 成分まで /1 試料 50, 成分まで /1 試料 70,000 半定量分析 ( ヘキサデカンまたはトルエン換算 ) 5 成分まで /1 試料 15, 成分まで /1 試料 20,000 加熱脱着ガス分析 2( ダイナミックヘッドスペース法 ) 定性分析 5 成分まで /1 試料 70, 成分まで /1 試料 90,000 半定量分析 ( ヘキサデカンまたはトルエン換算 ) 5 成分まで /1 試料 15, 成分まで /1 試料 20,000 11

13 熱分解ガスクロマトグラフ質量分析 (Py-GC/MS) 試料前処理試料調製 5,000 測定 ( 定性分析 ) シングルショットパイロライザ 5 成分まで /1試料 100, 成分まで /1 試料 115, 成分まで /1 試料 120,000 ダブルショットパイロライザ 5 成分まで /1試料 150, 成分まで /1 試料 165, 成分まで /1 試料 170, 000 飛行時間型二次イオン質量分析 (TOF-SIMS) 試料前処理破断等によるサンプリング 5,000 測定二次イオン質量スペクトル ( 正負イオン ) 1 試料目 120,000 2 試料目以降 90,000 ( 正負イオンいずれか ) 1 試料目 70,000 2 試料目以降 50,000 同一試料内追加測定 20,000 * 複雑な形状の試料絶縁物試料り PCB 分析 (GC/ECD 法 ) サンプリング採取 5,000 器具加工 5,000 定量分析分析一式 22,000 水分測定 ( カールフィッシャー法 ) 測定 1 試料目 10,000 2試料目以降 5,

14 X線回折 (XD) 試料前処理粉砕 3,000 回折図形のみ 1 試料目 12,000 2試料目以降 10, 000 回折図形 + 解析既知物質の結晶性配向性 1 試料目 25,000 2試料目以降 15, 000 結晶子径評価 1試料目 30, 試料目以降 20,000 複雑な未知物質の同定 1試料目 35, 試料目以降 25,000 その他昇温脱離ガス分析 (TDS) 指定質量数分析 (n=2) 1~200amuの指定質量数:8 個までステージ温度 :80 ~ 1000 但し標準測定条件 ( 昇温レート1 /sec) 以外での測定は 2試料目まで 40, 試料目以降 30,000 n 数追加ごとに 15, 000 追加指定質量 30,000 定性分析 (n=2) 出力指定質量数 5個 40, 000 出力質量数追加 ( 質量数 5 個ごと ) 5,000 定量分析 (H 2 のみ ) 解析 13

15 電子線マイクロアナライザ (EPMA)( 波長分散型 ) 試料前処理試料調製 3,000 切断 5,000 包埋研磨( 一式 ) 一般試料 20,000 硬質材料 30,000 大型試料微細パターン試料研磨一般試料 13,000 硬質材料 15,000 大型試料微細パターン試料樹脂包埋一般試料 13,000 大型試料 15,000 蒸着 1試料目 5, 試料目以降 3,000 定性分析 1( 全元素 ) 2 試料目まで 15,000 3試料目以降 12, 000 定性分析 2( 精密測定 ) 1 元素 /1 測定点 2 箇所目まで 10, 箇所目以降 8,000 表面形状像 ( 二次電子像 ) 2 試料目まで 5,000 3 試料目以降 4,000 組成像 ( 反射電子像 ) 2 試料目まで 7,000 3 試料目以降 5,600 特性 X 線像 1 元素 / 1測定 2 試料目まで 12,000 3試料目以降 9, 600 同一視野追加 1 元素 2 試料目まで 8,000 3試料目以降 7, 200 定量分析 (ZAF 法 ) * 5 元素まで /1 測定 (n=5) 40, 測定目より 1 測定につき 30, 000 追加 1 元素 / 同一測定点 10,000 *ZAF 法 :Z( 原子番号 ) Absorption( 吸収 ) Fluorescence( 蛍光励起 ) の各補正係数を求めて定量を実施 14

16 電子線マイクロアナライザ (EPMA)( 波長分散型 ) 線分析 1( ステージスキャン ) 2元素/ 1測定点 2 試料目まで 15, 000 3試料目以降 12, 000 追加 1 元素 / 同一測定点 2試料目まで 6, 試料目以降 4,800 線分析 2( ビームスキャン ) 2 元素 /1 測定点 2試料目まで 15, 試料目以降 12,000 追加 1元素 / 同一測定点 2 試料目まで 6,000 3 試料目以降 4,800 面分析 ( カラーマッピング ) 5元素/ 1測定,X 軸 /Y軸 =250 点 /250 点 2 試料目まで 60, 000 3試料目以降 48, 000 追加 1 元素 / 同一測定 2 試料目まで 12,000 3試料目以降 9, 600 特殊な表示条件設定 * P&B 測定 5 元素 /1 測定点 (n=5) 2 試料目まで 20, 000 3試料目以降 16, 000 追加 1 元素 / 同一測定点 2試料目まで 8, 試料目以降 6,400 *P&B:Peak&Background ( バックグラウンドを差し引いたピーク強度測定 ) 15

17 オージェ電子分光分析 (AES) 試料前処理試料調製 3,000 切断 5,000 洗浄 3,000 導電処理 5,000 表面形状像 5,000 定性分析 13,000 同一視野追加 1 測定点 10,000 同一試料イオンエッチング後 10,000 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 30 分まで 40,000 追加 1 元素 10, 分まで 60,000 追加 1 元素 15, 分以下 60 分以上線分析面分析 4 元素まで 40,000 追加 1 元素 10, 元素まで 40,000 追加 1元素 10, 000 半定量分析 16

18 二次イオン質量分析 (SIMS) 試料前処理試料調製 3,000 切断 5,000 洗浄 3,000 質量スペクトル測定 ( 定性分析 ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 70,000 高質量分解能スペクトル 20,000 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 15 分まで (Si 換算 2000A :O2+) 70,000 追加 1元素 7, 分まで 100,000 追加 1 元素 10, 分以上高質量分解能測定 (1 元素当たり ) 20,000 線分析同時測定可能な 4 元素長さ 1mm までの 80,000 1 測定定量分析画像処理解析 RAE 分析二次イオン像デプスプロファイル断面プロファイル絶縁物分析 20,000 17

19 X線光電子分光分析 (XPS) 試料前処理試料調製 3,000 切断 5,000 洗浄 3,000 定性分析ワイドスキャン 20,000 精密測定 ( ナロースキャン ) ワイドスキャン測定後 1 元素 8,000 イオンエッチング後 1 元素 10,000 試料傾斜測定 12,000 化学結合状態分析ピーク分離深さ方向分析 (Si 換算 1000A まで ) 4元素/ 1試料 70, 000 追加 1 元素 15,000 ワイドスキャンモード 100,000 18

20 走査電子顕微鏡 (SEM) 試料前処理試料調製 3,000 切断 5,000 包埋研磨( 一式 ) 一般試料 20,000 硬質材料 30,000 大型試料微細パターン試料研磨一般試料 13,000 硬質材料 15,000 大型試料微細パターン試料樹脂包埋一般試料 13,000 大型試料 15,000 蒸着 1試料目 5,000 2 試料目以降 3,000 測定 1( 通常観察 ) 倍率 2 10 まで 7,000 倍率 ~ ,000 1視野増すごとに 5,000 測定 2( 高分解能観察 ) 倍率まで 15,000 倍率以上 20,000 1視野増すごとに 10,000 組成像 ( 反射電子像 ) 7,000 定性分析 (EDX) * 7,500 同一視野追加 1 測定点 5,000 線分析 (EDX) 2 元素 /1 測定点 20,000 追加 1 元素 / 同一測定点 8, 000 面分析 ( 特性 X 線像 (EDX)) 1 元素 /1 測定 12,000 同一視野追加 1 元素 8,000 *EDX:Energy Dispersive X-ray Spectrometer 19

21 透過電子顕微鏡 (TEM) 試料前処理分散法標準 30,000 検討を要するものレプリカ法 30,000 イオンエッチング法バルク試料 100,000 薄膜平面試料 120,000 薄膜断面試料単層膜標準 100,000 検討を要するもの多層膜半導体セラミックス系 150,000 金属層を含むもの 180,000 検討を要するものデバイス構造半導体デバイス 180,000 金属層を含むもの 210,000 検討を要するもの化学研磨法研磨条件が確立されているもの 50,000 検討を要するもの電解研磨法研磨条件が確立されているもの 50,000 検討を要するもの超薄切片法 20

22 透過電子顕微鏡 (TEM)( つづき ) 観察明視野法標準 35,000 追加 1 視野につき 10,000 暗視野法標準 35,000 特殊観察 ( 弱ビーム法等 ) 60,000 追加 1視野につき 10,000 電子線回折反射法 25,000 透過法制限視野回折 20,000 極微電子線回折 40,000 追加 1 視野につき 10,000 極微電子線回折 ( 特定微小領域 ) 45,000 追加 1視野につき 35,000 格子像観察 2 波格子像 40,000 多波格子像 80,000 追加 1視野につき 35, 000 分析点分析 ( 定性分析 ) 30, 000 追加 1 測定点 15,000 線分析(4元素まで) 30,000 追加 1 元素 10,000 面分析(3元素まで) 40, 000 追加 1元素 10,

23 集束イオンビーム加工 (FIB) イオンビーム加工断面観察用試料作製(SIM 像観察含む ) 3hr 以内 60,000 3hr 以上透過電子顕微鏡用試料作製 120, 000 ダイシング用前処理含む 150,000 再加工可能ピックアップ用 180,000 ダイシングピックアップ 30,000 30,000 観察 (SIM 像 ) * 1 視野 10,000 追加 1 視野 8,000 光学顕微鏡 (OM) 試料前処理切断 5,000 包埋研磨 20,000 エッチング ( 化学的 ) 1 試料目 10,000 2 試料目以降 5,000 観察 1 視野 5,000 追加 1 視野 3,000 写真撮影接写 1 視野 5,000 追加 1 視野 3,000 ミクロトーム断面観察用試料作製初期検討が必要なもの 30,000 同一条件 2 試料目以降 15,000 透過電子顕微鏡観察用試料作製初期検討が必要なもの 130,000 *SIM:Scanning Ion Microscope 22

24 23

25 菱電化成株式会社分析センター宛兵庫県尼崎市塚口本町三菱電機株式会社先端技術総合技術研究所内 TEL: FAX: 分析申込書貴社名所属所在地 TEL 御名前 FAX 題目申込日御希望納期試料数 : 個試料返却 : 要不要添付資料 : 有無 1. 分析目的内容 ( 明らかにしたい項目問題となっている項目等 ) 2. 分析項目 ( 元素分離分析組成構造解析表面局所分析形態観察等 ) 3. その他 ( ご要望等 ) 4. 試料内容 ( 名称主成分等 ) 5. 前処理条件等 6. 試料取扱い上の留意点 ( 安全性保管方法その他 ) 24

Ⅰ

分析測定標準料金表 ( 平成 20 年 1 月 ) 菱電化成株式会社料金について 1. 掲載しました価格は原則として 1 試料当たりの標準を示しますなお消費税は含まれておりません 2. 次のような場合には料金を割引致します 1 試料数が多い場合 2 長期間契約に基づく場合 3. 次のような場合にはご相談の上割増料金を申し受けることがあります 1 妨害物質等により規定の方法で分析できない場合