旭化成エレクトロニクス株式会社

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1 旭化成エレクトロニクス株式会社 品質 環境ハンドブック

2 目次 はじめに 0.1 当社のご案内 当社の組織 当社の拠点 当社と旭化成グループについて 製品安全その他に関する重要な注意事項 社会的責任を果たすために 0-6 第 1 章品質マネジメントシステム 1.1 国際規格への適合状況 品質マネジメントシステム 当社の品質方針 マネジメントサイクル 製品実現の体系 監視 測定および改善の体系 記録の管理 資源の運用管理 1-20 第 2 章信頼性保証 2.1 信頼性保証の原理 定義 故障分布 加速試験のモデル 信頼性試験と認定 信頼性認定の計画 当社標準試験方法 信頼性認定 故障モードによる試験計画 潜在欠陥を除去する技術 2-14 第 3 章故障解析と解析技術 3.1 お客様からの返却品の解析フロー 解析装置と解析事例 故障原因特定と問題解決のツール 3-16 第 4 章環境関連物質の管理 4.1 化学物質の管理 環境負荷物質の管理 グリーン調達 4-6 第 5 章当社製品ご使用上の注意 5.1 実装上の注意 はんだ付けについて MSL および吸湿への対処 アンダーフィルについて 基板設計上の注意 回路設計上の注意 全般的注意事項 ディレーティングについて 絶対最大定格について ノイズ サージ電圧対策について ラッチアップ対策について 取り扱いの注意 静電気および静電破壊 梱包方法について 保管方法について 運搬方法について 評価時の注意 製品廃棄時の注意 5-19 第 6 章付図 付録 6.1 参考資料 紛争鉱物 地域との共生 各工場の国際規格適合状況 当社提供資料の解説 QC 工程図 信頼性試験結果 推定市場故障率 包装仕様 パッケージの熱抵抗 難燃性 FMEA (Failure Mode and Effects Analysis) ESD (Electrostatic Discharge) 推奨ランドパターン パッケージ断面図 パッケージ図 マーキング図 分析データ 成分表 不使用証明書 RoHS 指令適合証明書 REACH 規制対象物質不使用証明書 ハロゲン物質不使用証明書 参照規格 図表一覧 6-24

3 はじめに はじめに 0.1 当社のご案内 当社は 日本語社名を旭化成エレクトロニクス株式会社英語社名を Asahi Kasei Microdevices Corporation として登記しており 略称社名として AKM を世界各国に商標登録しています 旭化成エレクトロニクスは 当社独自の開発 設計 生産技術と高いマーケティング力によって お客様の生産工程 最終製品に必要不可欠な素材 機能を提供しています 今後も さらなる技術革新によって お客様にとって存在感のあるパートナーとしての地位を確かなものとして 業界トップレベルのポジションを確保していきます 当社は 携帯情報端末向けの電子コンパス TCXO 制御回路 音声帯域処理回路などに代表される先進のアナデジ LSI や 磁気 電流 赤外線センサーなどのセンシングデバイスを中心に展開しています 他社の追随を許さない先端技術を活かした製品群は グローバルに高い評価をいただいています 当社の組織 当社の組織図は 図 をご参照ください (2015 年 9 月 1 日現在 ) 当社の拠点 当社の国内 および国外拠点については 弊社ホームページに最新版が掲載してございます ご参照 ください ( 図 は 2015 年 9 月 1 日現在 ) 0-1

4 はじめに 旭化成エレクトロニクス株式会社企画管理部リスクマネジメント統括部研究開発センター品質保証センター営業本部営業統括部営業第一部営業第二部 AKMセミコンダクタ旭化成マイクロデバイスヨーロッパ旭化成マイクロデバイス韓国旭化成電子科技 ( 上海 ) 有限公司台湾旭化成科技股份有限公司ミックスドシグナル事業部センシング事業部生産センター FAB1 FAB2 FAB3 FAB5 FABFP AKMテクノロジ AKMテクノシステム 図 当社組織図 0-2

5 はじめに 図 当社国内拠点 図 当社海外拠点 0-3

6 はじめに 当社と旭化成グループについて 当社は 旭化成グループの一員として エレクトロニクス領域での事業活動を担っています 旭化成グループの事業領域 およびグループ理念については 弊社ホームページに最新版の掲載がございます ご参照ください ( 図 は 2015 年 9 月 01 日現在 ) 旭化成 ( 持株会社 ) ケミカル 繊維事業領域旭化成ケミカルズ旭化成せんい住宅 建材事業領域旭化成ホームズ旭化成建材エレクトロニクス事業領域旭化成エレクトロニクス ( 当社 ) 旭化成イーマテリアルズヘルスケア事業領域旭化成ファーマ旭化成メディカルゾール メディカル 図 旭化成グループの事業領域と グループ理念 0-4

7 はじめに 0.2 製品安全その他に関する重要な注意点 当社製品に関するカタログ データシートなどの資料には 製品安全その他に関する注意点として重 要注意事項を記載しています 下記に掲載した重要な注意事項は代表例ですので製品ごとに必ず内容をご確認ください 重要な注意事項 0. 本書に記載された弊社製品 ( 以下 本製品 といいます ) および 本製品の仕様につきましては 本製品改善のために予告なく変更することがあります 従いまして ご使用を検討の際には 本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当 あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください 1. 本書に記載された情報は 本製品の動作例 応用例を説明するものであり その使用に際して弊社および第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません お客様の機器設計において当該情報を使用される場合は お客様の責任において行って頂くとともに 当該情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害に対し 弊社はその責任を負うものではありません 2. 本製品は 医療機器 航空宇宙用機器 輸送機器 交通信号機器 燃焼機器 原子力制御用機器 各種安全装置など その装置 機器の故障や動作不良が 直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に使用されることを意図しておらず 保証もされていません そのため 別途弊社より書面で許諾された場合を除き これらの用途に本製品を使用しないでください 万が一 これらの用途に本製品を使用された場合 弊社は 当該使用から生ずる損害等の責任を一切負うものではありません 3. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 電子製品は一般に誤作動または故障する場合があります 本製品をご使用頂く場合は 本製品の誤作動や故障により 生命 身体 財産等が侵害されることのないよう お客様の責任において 本製品を搭載されるお客様の製品に必要な安全設計を行うことをお願いします 4. 本製品および本書記載の技術情報を 大量破壊兵器の開発等の目的 軍事利用の目的 あるいはその他軍事用途の目的で使用しないでください 本製品および本書記載の技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は 外国為替及び外国貿易法 その他の適用ある輸出関連法令を遵守し 必要な手続を行ってください 本製品および本書記載の技術情報を国内外の法令および規則により製造 使用 販売を禁止されている機器 システムに使用しないでください 5. 本製品の環境適合性等の詳細につきましては 製品個別に必ず弊社営業担当までお問合せください 本製品のご使用に際しては 特定の物質の含有 使用を規制する RoHS 指令等 適用される環境関連法令を十分調査のうえ かかる法令に適合するようにご使用ください お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して 弊社は一切の責任を負いかねます 6. お客様の転売等によりこの注意事項に反して本製品が使用され その使用から損害等が生じた場合はお客様にて当該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください 7. 本書の全部または一部を 弊社の事前の書面による承諾なしに 転載または複製することを禁じます 0-5

8 はじめに 0.3 社会的責任を果たすために 企業が活動を行うにあたり 企業の社会的責任 (CSR:Corporate Social Responsibility) を果たすことの重要性が年々高まっています 当社は 国内および海外の法規類 (4.1 化学物質の管理をご参照ください ) を順守するだけではなく 国連グローバルコンパクトや電子業界行動規範 (EICC Code of Conduct) といった国際的指針の理念を尊重しています 児童労働など 人権侵害への取り組みなどについて 詳細は当社発行の CSR レポート 環境 社会報 告書 をご参照ください また 米国金融改革法 ( ドッド = フランク ウォール街改革および消費者保護に関する法律 ) によって 規制される紛争鉱物については 紛争鉱物についてをご参照ください 当社はまた 周辺地域や環境との共生を目指した活動を推進しています これらの活動については 地域との共生をご参照ください 0-6

9 第 1 章品質マネジメントシステム 第 1 章 品質マネジメントシステム 1.1 国際規格への適合状況 当社は 品質マネジメントシステムの国際規格である ISO 9001 の認証を 1995 年 06 月に 自動車セクター規格である ISO/TS の認証を 2008 年 07 月に取得しています また 環境マネジメントシステムの国際規格である ISO の認証を地区ごとに取得しています ( 図 をご参照ください ) なお 取得状況および登録証の詳細は 6.2 各工場の国際規格適合状況をご参照ください 図 ISO 登録証 1-1

10 第 1 章品質マネジメントシステム 1.2 品質マネジメントシステム 当社の品質方針 当社の品質方針をご紹介いたします この品質方針において 品質と環境に配慮した活動に努める決意を明確にしています マネジメントサイクル 当社の QMS (Quality Management System: 品質マネジメントシステム ) では 全社レベルでマネジメントサイクルを 1 年周期で運用しています ( 図 をご参照ください ) QMS での品質目標は年度ごとの予算計画に準拠し 目標達成に向けた活動を実施し 目標管理を行います 品質目標の設定と達成状況は 年 2 回開催する事業計画マネジメントレビューの際にレビューします 年初に計画した内部監査で QMS の実施状況を確認して 年 1 回開催する QMS マネジメントレビューの際にレビューします なお 当社は第三者機関による ISO/TS の審査を年 1 回受けています 1-2

11 第 1 章品質マネジメントシステム 製品実現の体系 図 当社のマネジメントサイクル 製品ライフを通した管理体系 当社では 図 のようなフローで 製品の企画から生産 生産終了に至る各段階を管理しています 次の段階へ移行するときは 製品要求事項を満たすために審査を行い お客様の満足に繋がるように努 めています 製品企画段階 製品の暫定仕様を定義し 事業計画を策定する 事業計画の審査 開発計画段階 製品の詳細仕様を定義し 開発計画を策定する 開発計画のレビュー 開発実施段階 製品および製造工程を設計開発する 生産開始のための審査 生産段階 製品を生産する 生産終了の提案 生産終了段階 製品の生産を終了する 図 当社の製品実現体系 製品実現体系の詳細は図 のようになっていて 品質保証部門が各段階の審査 認定にかかわるこ とで 製品開発の妥当性を確認しています 1-3

12 第 1 章品質マネジメントシステム お客様営業部門品質保証部門設計部門 お客様のご要望市場調査 技術開発部門 製造部門 製品企画段階 製品品質計画 ( 要求仕様の検討 リスク分析など ) 開発提案審査 / 製品企画時 APQP 会議 製品開発計画 プロセス / アセンブリ開発計 開発計画段階 開発計画審査 / 開発着手時 APQP 会議 開発計画会議 製品設計 プロセス / アセンブリ開発 各種設計関連レビュー 特性確認可能なサンプル : 特性が要求仕様を満たしているかの確認を行ったサンプル特性保証可能なサンプル : 製品と同等の特性を保証したサンプル信頼性保証可能なサンプル : 製品と同等の信頼性を保証したサンプル 特性確認用サンプル作製 特性確認可能なサンプル 特性確認設計認定 特性保証用サンプル作製 特性保証可能なサンプル 特性保証製品認定 信頼性試験 開発実施段階 信頼性保証可能なサンプル プロセス信頼性認定 アセンブリ信頼性認 信頼性認定 量産移管前最終レビュー / 量産移管時 APQP 会議 品質保証認定 量産 初期流動管理 / 特別監視期間 安定度確認時 APQP 会議 生産段階 図 設計から量産に至る品質保証体系 ( 概要 ) 1-4

13 第 1 章品質マネジメントシステム 車載品質への取り組み 車載向けの製品の場合 その用途 使用環境を考慮し 安全確保への配慮を行って製品と製造工程を設計し ゼロディフェクトの製品を長期に渡って安定供給することを目指して品質管理と継続的改善を行います 車載向けの製品は ISO/TS に適合した管理下で開発 生産していて お客様からの追加のご要求 (AEC-Q100, Q101) にも柔軟に対応しています (1) APQP 活動 APQP (Advanced Product Quality Planning: 先行製品品質計画 ) とは 自動車産業分野で用いられる製品に要求される開発管理の手法で 不良品を作らないように製品の計画段階から行う活動です 製品開発時 品質保証部門は事業テーマごとのリスクの大きさに応じて 必要な APQP 活動のレベルを判定しています APQP 活動の対象となったテーマは APQP 活動テーマリストに登録し 生産開始段階まで品質保証部門がフォローします 生産の安定性が確認できた段階で APQP 活動を終了します APQP 活動の例については 図 をご参照ください ( 図 および図 と対応しています ) 製品企画段階 製品企画時 APQP 会議 開発計画段階 開発着手時 APQP 会議 開発実施段階 量産移管時 APQP 会議 生産段階 図 製品開発と APQP 活動 (2) ゼロディフェクトに向けて当社では ゼロディフェクト実現のため 統計的手法を用いた工程管理や品質管理活動 ( (3) 統計的工程管理をご参照ください ) 設備の保全 ( (2) 生産設備の管理をご参照ください ) 潜在欠陥を除去する検査手法 (2.3 潜在欠陥を除去する技術をご参照ください ) などを導入しています 1-5

14 第 1 章品質マネジメントシステム 変更の管理 品質や信頼性に影響を与える変更は 影響の評価や検証 妥当性確認が必要です 当社では JESD46D Customer Notification of Product/Process Changes by Solid-State Suppliers などを参考に変更管理のルールを定めています 仕様の変更 もしくは製品の信頼性に影響のある変更の場合には お客様の知見やご指示を反映させるためにお客様に連絡を行っています 当社の変更管理対象の例については表 を 変更管理の手順については 図 をご参照ください 表 変更管理対象の例変更区分変更の例製品仕様の変更仕様書の変更 電気的特性の変更 外形寸法の変更 ラベルや捺印の変更材料の変更リードフレームの材料を変更 (42 アロイから銅へ ) モールド樹脂の材料を変更 ( 臭素入りからハロゲンフリーへ ) 工程の変更製造工程を別工場へ移転ウエハ製造を委託しているファンダリを変更 1-6

15 第 1 章品質マネジメントシステム 主管部署関連部署品質保証部門営業部門お客様 変更事案発生 事前評価 検討 変更計画起案 主管部署に差し戻し もしくは計画中止 否 変更計画の 可否判断 可 変更に関する 要求事項 不要 起案段階での 通知判断 要 お客様に連絡 お客様の確認 内容を確認 確認結果を受領 検証計画を実施 妥当性確認 主管部署に差し戻し もしくは計画中止 否 変更適用の 可否判断 可 変更に関する 要求事項 不要 実施段階での 通知判断 要 お客様に連絡 お客様の確認 / 承認 内容を確認 確認結果を受領 変更を適用 初期流動管理 初期流動の結果を確認 図 変更管理の手順 ( 概要 ) 1-7

16 第 1 章品質マネジメントシステム 購買 (1) 一般当社の購買部門は 原材料やサービスなどを購入する場合 その品質や性能などを評価しています 購入先に対しても ISO 9001 や ISO/TS ISO の認証取得を推奨し お客様とのサプライチェーンを構築しています また 評価にあたっては環境への配慮や含有物質についても考慮し 必要に応じ非含有証明書や不使 用証明書などを入手し 確認しています 環境負荷物質への対応や グリーン調達に関しては第 4 章をご参照ください (2) 委託先の管理製造工程の一部を外部委託した場合 当社では委託先との間で取り交わした仕様に基づき その協力体制を確立し 継続的な評価 検証によって委託品質の維持 向上を推進しています その サプライチェーンマネジメントの視点から 管理に際して次の三点を考慮しています 1) 事故が起きてからの対応ではなく 事故の未然防止につながる活動の充実 2) 車載用途のお客様からの品質要求にも対応できる体制整備 ISO/TS への適合を到達目標とした外部委託先の品質 環境システムの開発 3) 世界各地の委託先に対するグローバルな管理体制の構築 当社が行っている委託先管理の活動については図 をご参照ください 委託先の審査登録 当社委託先管理部門 品質と環境に関する要求 仕様書とコントロールプランの 品質の監視 ( 収率 品質事故 ) 定期的なベンダー評価 品質事故の是正と再発防止 水平展開 ( 不具合事例展開 ) と未然防止 再発防止 未然防止および継続的改善の定期的な確認 委 託 先 図 委託先管理の活動 1-8

17 第 1 章品質マネジメントシステム 生産管理 (1) 生産管理システム当社では 生産管理を CIM (Computer Integrated Manufacturing) で運用し ロット単位のトレーサビリティを確保しています さらに 納期管理もこのシステムを利用することで 製品の品種ごとの加工スピードが考慮され お客様の納入要求に応じて細かく調整しています CIM は 自動倉庫 だけではなく 本社の生産管理部門ともオンラインで接続され 生産計画 流動管理 在庫管理 出荷を含めたトータルな納期管理にも大きく寄与しています これら CIM を中心とした生産管理を行うことで リーン生産 (*1) の実現を目指しています 当社の生産管理システムの概要については 図 をご参照ください (*1) リーン生産 (lean manufacturing もしくは lean product system): 製造工程での無駄を排除し 製品および製造 工程の全体でトータルコストを系統的に削減することを目的とした生産管理手法 お客様 営業拠点 営業部門 生産管理 受注管理システム販売 外注管理システム原価管理システム ウエハ投入 前工程後工程製品倉庫 製品出荷 生産拠点 設計管理システム品質管理システムテスト管理システム 図 統合的生産管理システム 1-9

18 第 1 章品質マネジメントシステム (2) 生産設備の管理生産設備の管理ポイントは 1 日常点検を行って正常な状態を維持すること 2 チョコ停 故障対応 計画保全を行った後は確認して正常な状態でリリースすること です 当社では 不要の設備停止を防ぎ 設備の稼働率向上を図るとともに製品品質を維持するため 計画保全を実施しています 計画保全の概念については図 をご参照ください 保全計画を策定 実施する際は TBM と CBM (*1) 両者の考え方を採用しています (*1) TBM と CBM TBM (Time Based Maintenance: 時間基準保全 ): 過去の実績などから一定の周期で予防保全を行う CBM (Condition Based Maintenance: 状態基準保全 ): 設備の状態を監視し 必要に応じて予知保全を行う 保全計画の作成 保全データの解析 故障原因分析 保全作業の実施 検査 診断 修理 整備 老朽化修理 更新 図 計画保全の基本概念 (3) 統計的工程管理安定した品質の製品を供給するために 当社では SPC (Statistical Process Control: 統計的工程管理 ) マニュアル (*1) に従って 統計的手法を取り入れた品質管理を行っています 管理図や工程能力指数 (Cp, Cpk) をモニターすることで工程の安定性を確認し 異常な傾向が検出された場合には適切な処置を行い 速やかに回復を図ります (*1) SPC マニュアル :AIAG (Automotive Industry Action Group: 米国自動車産業アクショングループ ) が発行してい る 統計的手法を用いた工程管理を行うための 具体的な基準などが示されたマニュアル ISO/TS で用い られるコアツールの一つ 1-10

19 第 1 章品質マネジメントシステム (4) 工程内検査と異常検出時の処置製品加工 組み立ての監視データになんらかの異常を検出した場合 あるいは 製品加工後の工程内検査で基準値から外れた製品を検出した場合 直ちに加工 組み立てを停止 異常報告書を発行し 不良品の流出を防止するとともに波及範囲を限定します 異常報告書が発行された場合 事実を確認 原因を究明 関係者と協議を実施して処置を決定し 記録として保管します 工程内検査の概略については 図 をご参照ください 受け入れ 各工程ウエハ加工 組み立てなど 各工程での検査 (*1) 合格 不合格 流動停止 事実確認 原因究明 次工程へ流動 検査工程へ 製造工程 関係者で協議して処置を決定必要な場合は 是正処置 水平展開 工程へのフィードバック (*1) 各工程での検査の例項目 : 外観 膜厚 線幅メッキ厚 ボールシェア強度 など方法 : 目視 膜厚系 SEM など頻度 : ロット / バッチごと 図 工程内検査と異常検出時の処置 (5) 製品の検査工程当社の検査工程では 電気的特性検査と外観検査を実施しています 電気的特性検査はウエハ状態での プローブ検査 組み立て後の 選別検査 および 最終検査 からなり 外観検査はウエハ状態での 外観検査 と組み立て後の 選別検査 および 最終検査 からなります 当社の製品検査工程に関しては 図 をご参照ください 1-11

20 第 1 章品質マネジメントシステム フィードバック 製造工程 (*1) プローブ検査 (*2) ウエハ外観検査 組み立て工程 フィードバック (*1) 選別検査 (*3) 最終検査 電気的特性 (*1) 選別検査 (*3) 最終検査 外観 梱包 出荷 (*1) 全数検査 : 主管は製造部門 (*2) 抜き取り検査 : 主管は製造部門 (*3) 抜き取り検査 : 主管は品質保証部門 図 当社の検査工程の例 計測器の管理 当社では 測定値の正当性の保証が必要な計測器について 国家標準 国際標準に対してトレーサビ リティが確保された計量標準で定期的に校正 および点検を行っています 当社の校正に関するトレー サビリティ体系については図 をご参照ください 1-12

21 第 1 章品質マネジメントシステム 国家標準 国際標準産業総合研究所等 公的検査機関日本電気計器検定所日本品質保証機構等 (*1) 一般校正機関 計測器メーカー 校正用計測器 工程用計測器 旭化成エレクトロニクス 図 計測器のトレーサビリティ体系図 また 当社では コアツールの MSA (Measuring Systems Analysis) マニュアル (*2) に従って計測器の 管理を行っています MSA を導入することにより 計測器単体の誤差だけではなく 計測システムとし てのばらつきを統計的に把握しています (*1) 車載製品にかかわる計測器は ISO/IEC に適合した校正機関を校正先として選定しています (*2) コアツールの MSA マニュアル :AIAG が発行している 統計的手法を使用して測定システムを分析するための 具体的な分析方法や基準が示されたマニュアル 監視 測定および改善の体系 お客様ご満足度の評価 当社では 品質方針に掲げましたように 世界中のお客様に信頼され かつ 常にお客様の立場に 立った 製品提供とパフォーマンスを実現し かつ維持向上させるため お客様の声を大切にしていま す 1-13

22 第 1 章品質マネジメントシステム お客様からの要求事項が記載されている納入仕様書 技術情報 品質データのご提示 昨今多様化する種々のご要求や品質契約類の取り交わし お客様からの不満足度情報であるクレーム情報 品質監査などのさまざまな場面で得られる お客様の声 を当社営業部門は定期的に集約し トップマネジメントに反映させるとともに 委託先を含めて関連部門と共有しています また TS 対象製品につきましては ISO/TS に則り 製品の品質とプロセスの効率を監視しています お客様ご満足度の評価フローについては 図 をご参照ください お客様 お客様によりご満足いただける製品を提供 スコアカード QDC の情報など 製品実現プロセス Do 当社営業部門 お客様満足度に関する品質目標に反映 Plan 経営会議マネジメントレビュー お客様満足評価シート 関連部門 ( 是正 改善 ) 品質保証部門 Act 管理者による評価会 Check 図 お客様ご満足度の評価フロー お客様での品質問題に対応する当社の体制 当社の製品について品質上の問題がある場合 当社営業担当が窓口となりますのでご連絡ください お客様のご要望に基づき原因究明と再発防止対策を実施したのち 品質保証部門が取りまとめ 営業担当を通じてお客様に報告いたします ご返却いただいた製品は 当社品質保証部門にて解析を行います 解析の手順や手法などについては 第 3 章をご参照ください 1-14

23 第 1 章品質マネジメントシステム 品質保証部門は解析結果に基づき 原因調査や再発防止対策についての検討を関連部門に指示します 関連部門は大別して設計部門 製造部門 外注管理部門 ( 外注委託先など ) がありますが 必要に応じて品質保証部門も含む これらの部門を横断する体制で取り組みます お客様からの不具合品情報は 当社営業部門がデータベースに登録します 品質保証部門は解析に際し 解析の各段階で得られた情報を随時このデータベースに追加していきます このように情報を蓄積することで 再発防止のための是正処置だけではなく 予防処置のための情報として活用しています 当社がお客様での品質問題に対応する体制については 図 をご参照ください お客様 営業担当 調査 解析 品質保証部門 原因究明 対策 設計開発部門生産部門外部委託先 水平展開 当社 品質保証部門 営業担当 原因分析分類別クレームデータベース お客様 図 お客様での品質問題に対応する当社の体制 是正処置 当社では お客様からいただいた苦情 不具合情報 製品 プロセスおよび品質マネジメントシステムで発見された不適合に対して 適切な是正処置を行っています 1-15

24 第 1 章品質マネジメントシステム これらの問題が発生した場合 問題解決のための部門横断的なチームを編成します このチームは問題の内容を明確にして 波及防止のため封じ込め処置を行います 封じ込め処置としては 波及範囲の製品出荷 流動停止や 製造設備の限定などがあります さらに さまざまな問題解決手法を用いて原因を特定します 原因を特定したのち なぜなぜ分析や 8D (Eight Disciplines Problem Solving) (*1) などの手法を用いて根本原因を突き止めます 明らかになった根本原因に対して恒久対策を実施 再発防止のため水平展開および QMS へのフィードバックを行います 最後に恒久的な対策や再発防止策の効果の確認を行い 是正処置を完了させます 是正処置フローの例については 図 をご参照ください (*1) 8D: 発生した問題に対する解決法を チーム編成から始まり 問題の明確化 暫定対策 ( 波及防止 ) 要因の分析 対策の検証 恒久対策の実施 再発防止 ( 水平展開 ) といった一連の手順にした手法 是正処置開始 是正処置計画起案 封じ込め処置 ( 波及ロットの流動停止など ) 根本原因特定 恒久対策実施 再発防止 ( 水平展開 システムへのフィードバックなど ) 恒久対策 再発防止の効果の確認 是正処置報告 原因部場 是正処置終了 品質保証部門 図 是正処置のフロー ( 例 : お客様からいただいた品質上の問題や 社内不良などの場合 ) 1-16

25 第 1 章品質マネジメントシステム 予防処置 当社では 経営や品質などに関するさまざまな情報を マネジメントレビューや管理責任者会議など で収集 分析を行っています また 日常の生産活動の中でも品質などに関する継続監視を行っていま す その中で 好ましくない兆候 潜在的な不具合が発見された場合は対策の検討を行い 顕在化するの を防ぐために予防処置を実施します その後 有効性を評価し必要に応じて関係部署へとフィードバッ クをします 組織の継続的改善 当社は ISO 9004 ( 品質マネジメントシステム-パフォーマンス改善の指針 ) の考え方を手引きとした管理プロセスにより 品質マネジメントシステムの有効性を継続的に改善しています 継続的改善は 品質マネジメントシステムから日々の生産活動に至るまで PDCA サイクルの考え方を導入して 日常的に取り組んでいます 当社の継続的改善の例として 品質目標管理によるパフォーマンスの継続的改善 (1.2.2 マネジメントサイクルをご参照ください ) 内部監査によるマネジメントシステムの継続的改善 小集団活動による現場における改善活動があります (1) 内部監査によるマネジメントシステムの継続的改善 品質マネジメントシステムが種々の要求事項に適合しているか あるいは効果的に実施 維持されているかを確認する必要があります 当社では定期的 あるいは必要に応じ内部監査を実施しています 内部監査は 頻度と対象となる項目とで分類されます 定期監査は年 1 回以上の頻度で実施しています 特別監査は 1 定期監査に対するフォローアップが必要になった時 2 品質マネジメントシステムに大きな変更がある時 3 重大クレームが発生した時 4 その他品質上の重大な問題が発生した時に 随時実施しています 監査員は定期的な研修を実施し 監査員としての力量の維持 向上に努めています 加えて 内部監査終了後に力量を評価し 必要に応じて指導を行います 内部監査のフローについては 図 をご参照ください 1-17

26 第 1 章品質マネジメントシステム 図 内部監査フロー図 ( 概略 ) (2) 小集団活動従業員の動機づけとレベルアップの一環として 小集団活動を実施しています 小集団活動は 1 年サイクルで継続されていて 職場の改善活動としても重要な役割を担っています また 優秀な活動をしたチームは QC サークル全国大会に参加し 2010 年度には 2 チームが 2011 年度には 4 チームが感動賞を受賞しました 図 は 当社内での小集団活動発表会の様子です 図 小集団活動発表会 1-18

27 第 1 章品質マネジメントシステム (3) 継続的改善の事例 (FAB2 クリーンルームの異物削減 ) ウエハ加工において 異物は製品の品質に悪影響を与える要因の一つです そのため 当社では異物の削減活動を実施して より清浄な環境下での加工を行うよう努めています FAB2 クリーンルームの製造エリアの清浄度は FED-STD-209D のクラス 1 / 0.1μm ( おおむね ISO のクラス 3 / 0.1μm) です ( 図 は FAB2 クリーンルーム作業エリアの様子です ) この環境を維持するために 空調機器の適切な管理のみならず 定期的な清掃活動などの 5S 活動も推進しています また クリーンルーム中の異物について 図 のような管理を行っています 図 クリーンルーム ( 左 : 中央通路右 : 作業エリア ) (*1) 異物測定 yes 合格したか no 通常運用続行 (*1) 対象となる異物 浮遊塵埃 製品異物 装置内異物 落下塵埃 (*2) 必要な処置の例 ウエハ廃棄 バッドマーク付与など 異常連絡報発行流動停止などの応急処置関係先へ連絡波及範囲の確認対象ロットに必要な処置 (*2) を行う 関連部署と協議し 原因調査 対策を決定 必要に応じお客様へ通知 異物対策を実施 図 異物管理のフロー 1-19

28 第 1 章品質マネジメントシステム 記録の管理 当社では 記録の保管期限を表 のように定めて トレーサビリティを確保しています なお 保 管期限についてお客様や法規による要求がある場合には別途定めます 表 記録の基本的な保管期限 記録の種別 * 一般の記録 * 製品 トレースおよび不具合発生時の原因分析に必要な記録 ( 設計および製造に関する記録 ) *ISO/TS16949 への適合を実証する記録 *ISO/TS16949 への適合を要求される製品の妥当性を保証する記録 保管期限作成 または出荷から 5 年以上および製品廃止から 1 年以上当該製品の廃止から 10 年以上作成 または出荷から 15 年以上および製品廃止から 5 年以上 資源の運用管理 当社では 資源 すなわち人的資源 インフラストラクチャー 作業環境の管理を行い 製品実現プ ロセスを支援しています 教育 訓練 製品の品質に影響を与える要員には 業務に必要な力量を有していることが求められます 当社では 要員が力量を身につけ あるいはそれを評価 確認するための手順を定め 要員の育成 確保を通じて事業計画の達成に寄与することを目指しています 当社の教育訓練は図 のように 要員の力量の把握から始まり 教育訓練の立案 実施 そして 教育訓練の効果の確認が要員の力量の評価へと結びつく PDCA サイクルを回すことで 要員の力量の継続的な向上 あるいは維持を図っています 1-20

29 第 1 章品質マネジメントシステム 顧客要求 環境の変化 業務に必要な力量 両者を比較し ギャップを明確にする Act 要員の力量の評価 ( 把握 ) 教育の効果の確認 教育訓練計画の立案 Plan Check 教育訓練の実施 Do 図 教育訓練フロー ( 概要 ) 緊急事態対応計画 当社では 環境安全関連 安定生産 製品品質に関して緊急事態対応計画を準備しています 当社が想定している緊急事態については 表 をご参照ください 表 想定される緊急事態 環境安全関連 安定生産 製品品質 緊急事態の区分産業事故の発生自然災害ユーティリティの停止労働者の不足主要設備の故障原材料購買先での事故 災害加工委託先での事故 災害輸送委託先での事故 災害市場回収が必要な事態緊急性のある品質クレーム 補足火災 爆発 化学物質の漏えいなど地震 台風 津波 竜巻電力供給の不足 給水の不足など - - プロジェクトを立ち上げる 緊急プロジェクト体制で対応する 1-21

30 第 1 章品質マネジメントシステム 従業員の安全確保従業員の安全確保は 生産活動のために重要な要素です 当社では労働安全衛生法などの法規を順守することはもちろん 全工場で OHSMS (Occupational Health and Safety Management System) を導入し 一層の安全確保に努めています また HHK ( ヒヤリ ハット キガカリ ) 活動などを展開して 作業現場に潜む危険個所を抽出 事故を未然に防いでいます 1-22

31 第 2 章信頼性保証 第 2 章 信頼性保証 2.1 信頼性保証の考え方 定義 信頼性 とは JIS Z 8115 によると アイテムが与えられた条件の下で 与えられた期間 要求機能を遂行できる能力 と定義されています 信頼性に関するキーワードとして 以下の 4 つがあげられます 1 信頼度 : アイテムが与えられた条件の下で 与えられた時間間隔に対して 要求事項を実行できる確率のことです 2 故障率 : 使用開始後の時刻 t まで正常な良品の内 次の単位時間あたりに発生する故障数の割合です 不良率とは時間の関数の違いで区別されます 3 ワイブル分布 : 寿命を表す分布関数で 故障の分布を表す指標として形状パラメータ :m 尺度パラメータ:η 位置パラメータ:γ が定義されています 故障の分布として 初期故障期間 稼動期故障期間 磨耗故障期間があり 形状パラメータ m では 初期故障 (m<1) 稼動期故障 (m=1) 磨耗故障 (m>1) と表されます 4 正規分布 : 正規分布は 誤差の分布を表すために考えられた分布関数で 基準的な統計量の分布として統計的手法の基本となっています また 各々に対して数値化 ( 定量化 ) するための関数が存在します (a) 信頼度関数 (Reliability Function) 信頼度関数 R(t) は時刻 t までに故障しない確率を表し 下記の式で定義されます n c( t) R( t) n: 全試料数 c(t): 時刻 t までに発生した故障数 n また 信頼度関数と対になる関数として不信頼度関数 (Unreliability Function) があります 不信頼度関数 F(t) は時刻 t までに故障する確率を表し 下記の式で定義されます c( t) F( t) n 二つの式からわかるとおり 信頼度関数 R(t) と不信頼度関数 F(t) の間には R(t)+F(t)=1 という関係が成り立ちます (b) 故障率関数 (Failure Rate Function) 故障率関数 λ(t) は時刻 t における単位時間当たりの故障率を表します 2-1

32 第 2 章信頼性保証 瞬間故障率とも呼ばれ 故障密度関数 f(t) と信頼度関数 R(t) により下記の式で定義されます ( t) f ( t) R( t) 故障密度関数 (Failure Density Function) f(t) は時刻 t における故障増加の割合を表し 下記の式で 定義されます f ( t) df t dt (c) ワイブル分布 (Weibull Distribution) ワイブル分布は故障率が時間と共に変化する場合に経験的に当てはまる寿命モデルで その信頼度関数は下記の式で表されます 尺度パラメータ η は信頼度関数 R(t) の値が exp(-1) となる時間で形状パラメータ m の値に依存せず一定の値になります R t t exp m m: 形状パラメータ η: 尺度パラメータ (d) 正規分布 (Normal Distribution) 正規分布は 平均値付近にデータが集まるような確率分布です また 誤差の度数分布をこの正規分布に従うと仮定して取り扱うことが多いです 正規分布の確率密度関数は 下記の式で定義されます f x 1 exp x μ: 平均値 σ: 標準偏差 故障分布 故障分布は初期故障 稼動期故障 磨耗故障の 3 領域に大別され 図 のようにバスタブカーブで瞬間故障率と実使用時間の関係を示すことができます またワイブル分布の形状パラメータ m にて故障分布を知ることが出来ます 初期故障 (m<1) 稼動期故障 (m=1) 磨耗故障 (m>1) 2-2

33 第 2 章信頼性保証 瞬間故障率 製品寿命 耐用期間 半導体製造工程内でのスクリーニング 初期故障期間 稼動期故障期間 摩耗故障期間 実使用時間 図 故障分布を表す故障率曲線 ( バスタブカーブ ) (1) 初期故障 ( 故障率低減型ワイブル分布 m<1) 設計 製造でのミス なじみ ばらつきなどにより発生する故障で 製造直後の故障率は高いが 時間の経過とともに潜在する欠陥が出尽くすことで故障率は下がっていきます この初期故障は電気的特性検査などの工程内検査でスクリーニングできます 初期故障となる欠陥を内在した製品は電気的特性検査にて異常値となる事が多く この場合は電気的特性検査結果の分布を解析することで検出できます 通常 初期故障不良率は ppm (Parts Per Million) という単位を用い デバイス 100 万個あたりの不良数に換算して考えます 例えば 製造したデバイス 1 万個の中に 1 つの不良品があった場合 その不良率は 100ppm となります (2) 稼動期故障 ( 故障率一定型ワイブル分布 m=1) 初期故障期間から磨耗故障期間に至るまでの期間で 初期故障の残留分が顕在化する領域と考えています 平均故障率は 平均故障期間の開始 ( 初期故障定義期間の終わり ) から耐用寿命にいたる間に発生する故障の割合のことを言います 平均故障率の程度を表すのに一般的に用いられる単位を FIT (Failure In Time) といい 10 9 総稼働時間 ( 稼働製品数 稼働時間 ) あたりの故障数を表します 故障数 1 FIT= ( ) 稼働製品数 稼働時間例えば 故障率が 100FIT であるということは 故障の発生する確率が 10 7 総稼働時間で 1 個の割合であるという意味で 個々の製品そのものの寿命が 10 7 時間であるという意味ではありません 言い換えれば 1000 時間当たり 100ppm の不良が発生することに相当します 2-3

34 第 2 章信頼性保証 (3) 磨耗故障 ( 故障率増加型ワイブル分布 m>1) この期間は製品の寿命が尽きる期間になります 摩耗や疲労 腐食や酸化などにより 最終的には全ての製品が故障に至るため故障率が増加していきます この期間の故障を摩耗故障と呼び 耐用期間内では発生させてはならない故障のため 設計の段階で摩耗故障が発生しないよう品質を作り込む必要があります そのため 製品寿命については 耐用年数 と耐用年数に至るまでの 累積故障率 が重要になります 従来 寿命を表す指標の一つに MTTF (Mean Time To Failure: 平均故障時間 ) が用いられることもありましたが これはあくまでも確率的に計算で求められた値であり 実態を示したものではありません そこで 製品に求められる寿命を明確にし それを耐用寿命として保証するための信頼性試験を行うことが重要になります 当社では JEITA EDR-4708 を参考に 製品の用途に応じて品質グレードと前提条件を明確にし 設定した耐用寿命に対して科学的根拠のある適正な信頼性試験を行うことを目標にしています 加速試験のモデル 加速試験とは JIS Z 8115 において 以下のように定義されています アイテムのストレスへの反応に対する観測時間の短縮 又は与えられた期間内の反応増大のため 基準条件の規定値を超えるストレス水準で行う試験備考 : 妥当性を保つため 加速試験は基本的なフォールトモード及び故障メカニズム又はそれらの相対的関係を変えることがあってはならない 言い換えれば 加速試験は使用環境のうち特定ストレスに注目し より厳しい条件で試験を行うことで故障現象を物理的 化学的に加速し 短期間で ( あるいは試験個数を削減して ) 実使用状態での故障率や寿命を推定する方法です ただし 製品レベルでは加速に限界があり 確認したい故障モードを再現できない場合がありますので TEG (Test Element Group) による素子レベルの高加速試験も実施するようにしています 加速試験のモデルとして主に以下の4つがあります (1) 温度加速モデル ( アレニウスモデル ) (2) 温度差加速モデル ( アイリングモデル ) (3) 湿度加速モデル (4) 電圧加速モデルここでは 上記 4 つのモデルについて説明します (1) 温度加速モデル ( アレニウスモデル ) 半導体デバイスの加速寿命モデルとして最も一般的に使用される化学反応モデルです 物の破壊や劣化は 原子 分子レベルの変化に起因するものですが これらの変化が進行し ある限界を超えると故障に至るというのが反応論モデルです 活性化エネルギーと反応の進行を表した模式図について 図 をご参照ください 2-4

35 第 2 章信頼性保証 エネルギー 原系 ( 正常状態 ) 活性化エネルギー :E a 反応生成系 ( 劣化状態 ) 図 アレニウスモデルでの反応と活性化エネルギー ( 模式図 ) 変化のメカニズムは拡散 酸化 転位 電界 腐食 合金成長によるボンディング劣化などがあります が これらに共通の加速要因となるのが温度です 温度による反応速度の依存性は アレニウスモデル として広く知られ 反応速度 K は下記の式で表されます Ea K exp k T Λ: 定数 E a : 活性化エネルギー k: ボルツマン定数 (= [ev/k]) T: 絶対温度 [K] ここで 反応速度 K はデバイスが故障に至るまでの時間 ( 寿命 ) の逆数と考えることができるので下記 の式のように寿命と温度の関係式に置き換えることが出来ます Ea L A exp k T L: 寿命 A: 定数 さらに 上記式の自然対数をとると E ln L k a 1 ln T となり 図 のように寿命と温度の関係の直線性を示すことができます 2-5

36 第 2 章信頼性保証 L 1 寿命 lnl L 2 1/T 2 1/T 1 温度 1/T [1/K] 図 アレニウスモデル この関係を用いて 異なる温度での寿命 (L 1 L 2 ) 予測を行い それらの比から温度加速係数を求める ことが可能です 通常 半導体デバイスの高温動作試験や高温保存試験にはアレニウスモデルが用いら れます (2) 温度差加速モデル ( アイリングモデル ) アレニウスモデルを発展させ 温度以外の影響 ( 電圧 湿度 機械的応力など ) も考慮したモデルです アイリングモデルの一般式は次の式で表され ストレスを加えて寿命を予測するのに使われます E K exp k T a S n Λ n: 定数 S: 温度以外のストレス因子 k: ボルツマン定数 (= [ev/k]) T: 絶対温度 [K] 上記の式で 温度以外のストレスに注目して アレニウスモデルの時と同様に反応速度 K を寿命 L の式にすると下記の式となります L A S n A: 定数ここで 上記式の常用対数をとると InL = - n lns + lna となり 図 のような寿命とストレスの関係の直線性を示すことが出来ます 2-6

37 第 2 章信頼性保証 L 1 寿命 lnl L 2 S 1 S 2 ストレス lns 図 アイリングモデル 温度以外のストレスによる加速係数 α は上記の式より 異なるストレス条件 S 1 S 2 とその時の寿命 L 1 L 2 の比から次式のように表されます ( 図 をご参照ください ) S S 2 1 n (3) 湿度加速モデル 湿度加速モデルは以下の二つのモデルが考えられていて 故障モードに応じて使い分ける必要がありま す (a) 絶対水蒸気圧モデルこのモデルはストレスを絶対水蒸気圧としたときのアイリングモデルで 次式で表すことが出来ます L A V n p V p : 絶対蒸気圧 (b) 相対湿度モデルこのモデルはストレスを相対湿度としたときのアイリングモデルで 次式で表すことが出来ます L A exp E k T n a RH exp RH: 相対湿度 絶対水蒸気圧モデルも相対湿度モデルも 加速係数はアイリングモデルのときと同様に異なるスト レス条件における寿命の比で表すことが出来ます 2-7

38 第 2 章信頼性保証 (4) 電圧加速モデル 電圧加速モデルは故障モードによって異なります また 同一の故障モードでもデバイスのプロセス ( 構造 ) によって異なります ここでは TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) のモデルを例に 紹介します (a) Eox モデル 一般に酸化膜厚が 5nm 以上の場合に適応されるモデルで 寿命 L は次の式で表されます Ea L A exp exp k T A: 定数 EOX E a : 活性化エネルギー k: ボルツマン定数 E γ Eox : 電界強度加速係数 ox E ox : ゲート酸化膜の電界強度 (b) V g モデル 一般に酸化膜厚が 2nm より厚く 5nm より薄い場合に適応されるモデルで 寿命 L は次の式で表さ れます Ea L A exp exp Vg Vg k T γ Vg : 電圧加速係数 V g : ゲート電圧 (c) Power-law モデル一般に酸化膜厚が 2nm 以下の場合に適応されるモデルで 寿命 L は次の式で表されます Ea L A exp V k T n g n: 電界強度加速係数 V g : ゲート電圧 2-8

39 第 2 章信頼性保証 2.2 信頼性試験と認定 信頼性認定の計画 当社では検証目的に応じて JEITA JEDEC AEC-Q100 などの業界規格を参考にした試験を実施しています また 新たに 2011 年 4 月に制定された JEITA EDR-4708 ( 半導体集積回路信頼性認定ガイドライン ) を参考に信頼性予測精度の向上と故障モード毎の不良検出力を向上させる目的で故障モードに応じた試験方式 ( 方式 2: 後述 ) を追加し 重点を置くよう進めています 尚 その他の試験規格にも柔軟に対応しています 認定フロー 1 開発計画段階での認定要件検討 用途と信頼性レベル お客様要求項目の確認 既存品との差異 ( 新規性 ) を確認し認定内容を決定 試験方式選択方式 1 当社標準試験条件での試験 : 製品レベルでの試験方式 2 故障モードでの試験 :TEG レベル及び製品レベルでの試験 2 開発着手段階での認定要件検討方式 1 当社標準試験条件での試験 : 試験条件 / 個数を規格から選定方式 2 故障モードでの試験 : 故障モードからワイブル分析し 試験条件 / 個数を算出 3 認定段階 計画および開発着手段階で決定した必要要件事項を満足していることを確認し認定実施 当社標準試験方式 当社では表 のような試験項目にて目的に応じた試験を実施しています 表 当社標準試験方式 分類試験項目試験目的主な検出可能な故障現象参考規格 高温動作試験 長時間の電気的ストレスおよび熱的ストレスに対する耐性の評価 電界による酸化膜の経時的破壊 金属膜配線のマイグレーション JEITA ED-4701/100 試験方法 101 AEC-Q100 B1 寿命試験 初期故障率評価試験 (ELFR) (*1) 低温動作試験 初期欠陥に対する短時間の電気的ストレスおよび熱的ストレスでの耐性の評価 長時間の電気的ストレスおよび熱的ストレスに対する耐性の評価 酸化膜の破壊 異物によるショート オープン ホットキャリア劣化 AEC-Q100 B2 - 高温保存試験長時間高温で保存した場合の耐性の評価高温腐食 JEITA ED-4701/200 試験方法 201 AEC-Q100 A6 2-9

40 第 2 章信頼性保証 分類試験項目試験目的主な検出可能な故障現象参考規格 高温高湿バイアス試験 高温高湿保存試験 温度サイクル試験 ( 気相 ) 熱衝撃試験 ( 液相 ) 加湿 + 実装ストレスシリーズ試験 書換 データ保持試験 高温高湿度雰囲気で使用した場合の耐性の評価 高温高湿度雰囲気で保存した場合の耐性の評価 高温および低温に対する耐性と温度変化に対する耐性の評価 温度の急激な変化に対する耐性の評価 基板実装ストレスを想定した温度変化に対する耐性の評価 最大書き込み / 消去回数および保持時間の評価条件は製品ごとに個別規定 金属膜配線の電界腐食 金属配線間イオンマイグレーション 水分によるリーク電流 金属配線間イオンマイグレーション 水分によるリーク電流ワイヤ断線 パッケージクラック チップクラックワイヤ断線 パッケージクラック チップクラック パッケージクラック パッケージ内部剥離 不揮発性メモリのデータ書換特性劣化 データ保持劣化 JEITA ED-4701/100 試験方法 102 AEC-Q100 A2 JEITA ED-4701/100 試験方法 103 AEC-Q100 A3 JEITA ED-4701/100 試験方法 105 AEC-Q100 A5 JEITA ED-4701/300-1 試験方法 307A JEITA ED-4701/100 試験方法 104 JEDEC J-STD-020D AEC-Q100 B3 強度試験 参考試験 はんだ付け性試験 (*2) はんだ耐熱性試験 静電気 (ESD) 耐量試験 人体モデル (HBM) ラッチアップ耐量試験 はんだ接合における端子のはんだ付け性の評価 はんだ付けの間の熱に対する耐性を評価 取り扱い中にデバイスが受ける人体モデルの静電気放電に対する耐性の評価 CMOS など寄生サイリスタ構造を持つデバイスに対するラッチアップの耐性を評価 端子へのはんだ未着 パッケージクラック パッケージ内部剥離 端子引張り試験はんだ実装後の接合強度評価端子部破壊 実装信頼性 プレッシャクッカ試験 低温保存試験 デバイス帯電モデル (CDM) 基板実装後の機械的ストレスおよび熱応力ストレスに対する耐性の評価 高温高湿度雰囲気で使用および保存した場合の耐性の加速評価 長時間の低温で保存した場合の耐性の評価 取り扱い中にデバイスが帯電して生じる静電気放電に対する耐性の評価 酸化膜破壊 拡散接合破壊 受感部破壊 過電流による配線溶断 接合破壊 はんだ接合部破壊 端子部破壊 金属配線の電界腐食 金属配線間イオンマイグレーション 水分によるリーク電流一般的な半導体デバイスでは低温放置で顕在化する故障モードはありません 酸化膜破壊 JEITA ED-4701/303 試験方法 303A JEITA ED-4701/300-3 試験方法 301B AEC-Q100 A1 JEDEC J-STD-020D JEITA ED-4701/300 試験方法 304 AEC-Q100 E2 JEITA ED-4701/300-2 試験方法 306A AEC-Q100 E4 JEITA ED-4701/300-3 試験方法 301B JEITA ED-4702B JEITA ET-7407A AEC-Q100 A3 JEITA ED-4701/200 試験方法 202 JEITA ED-4701/300-4 試験方法 305B AEC-Q100 E3 静電気 (ESD) 耐量試験 マシンモデル (MM) 取り扱い中にデバイスが受けるマシンモデルの静電気放電に対する耐性の評価 酸化膜破壊 受感部破壊 JEITA ED-4701/300 試験方法 304 参考 1 (*1) ELFR:Early Life Failure Rate ( 初期寿命不良率 ) (*2) はんだ耐熱性試験の条件はパッケージの耐熱性実力に応じて吸湿条件等を選定 2-10

41 第 2 章信頼性保証 故障モードによる試験計画 この試験方法は故障分布 ( 初期 稼動期 磨耗 ) の故障モードを想定し それぞれの活性化エネルギー などを基にワイブル分布および統計的手法にて試験項目 条件 時間および個数を算出のうえ実施して います 耐用期間の確認方法については図 ご参照ください TEG レベルでの信頼性試験 瞬間故障率 製品レベルでの信頼性試験 耐用期間 半導体製造工程内でのスクリーニング 初期故障 領域 稼動期故障領 摩耗故障領域 実使用時間 図 耐用期間の確認方法 故障の分布に応じた試験計画 初期故障 稼動期故障 磨耗故障 それぞれの故障の領域に応じて適切な試験計画を立案します 初期故障 初期故障は 本来当社工程内検査および製品検査工程で除去しつくされるべき故障との考えから 工程内の電気的特性検査の結果 ( プローブ検査 選別検査 ) も信頼性試験のデータとして扱い バーンインデータ EFRデータなども利用して累積故障率 ( 不良率 ) を推定 確認します また プロセスが新規開発の際は 工程内検査で分布外れ品 ( アウトライア ) のないプロセスに仕上がっていることを確認します 稼動期故障 稼働期故障には 初期故障の残留分が稼働期の初期に 徐々に減少しながらも故障に至るものが含まれています ( 外部要因による偶発的な故障を含みます ) 製品の耐用期間を超えると 最終的には摩耗故障の開始時期に至ります 初期故障の残留分に関しては初期故障と同じ試験計画を適用することができます 2-11

42 第 2 章信頼性保証 摩耗故障の開始時期のものに関しては摩耗故障としての試験計画を適用し 製品の耐用期間に対して摩耗故障の開始時期が十分余裕があることを保証する信頼性試験を実施して確認しています 磨耗故障 磨耗故障は半導体デバイスを構成する要素の耐用年数を超えた場合に発生する故障であり 各要素の故障モードごとに作製した TEG ( 素子レベル ) を用い 高加速な試験条件で耐用年数を確認します さらに 実使用条件の上限の低加速な試験条件で 上記の故障モードが製品レベルの故障モードと同じか確認します これは通常の製品の信頼性試験に相当しますが 対象とする故障モードに対して感度の高い製品 TEG を用いる場合もあります 信頼性認定 当社では計画および開発着手段階で決定した必要要件事項を満足した場合 以下の認定を実施します プロセス信頼性認定: ウエハ製造工程の信頼性認定 アセンブリ信頼性認定: パッケージアセンブリ工程の信頼性認定 個別製品信頼性認定: 個別製品の信頼性認定 ファミリー認定: 信頼性認定済みで量産中の実績が十分な先行品と対象品の差異を分析し 対象品が先行品のファミリー品と見なせる場合に適用可能な信頼性認定 差異分析のポイント ( 例 ) 品質目標 実使用環境 実使用状態 回路構成 レイアウトパターン 使用回路要素 適用しているデザインルールの厳しさ 製造工程フロー 工程管理手法及び装置 チップとパッケージとの相互関係 ( 電極材料 / 構造 最上層保護膜 チップサイズ タブサイズなど ) 信頼性認定のために実施される標準的な試験項目については 表 をご参照ください (LSI 製品の 例 抜き取り個数は LTPD (*1) 方式 信頼水準 90% 合格判定不良個数 0 個の場合です ) (*1) LTPD (Lot Tolerance Percent Difective): ある不良率のロットを信頼水準が β であるとき (1-β) の確率で不合格と させるよう OC 曲線を規定したものです 2-12

43 第 2 章信頼性保証 表 LSI 製品の標準的な信頼性試験項目と抜き取り個数 ( : 必須 : 内容に応じて適宜実施 ) 分類 寿命試験 環境試験 EFR はんだ耐熱 実装信頼性 試験項目 ウエハ製造プロセス アセンブリ 新規派生 / 変更新規派生 / 変更 高温動作 77 個 77 個 低温動作 32 個 32 個 高温高湿動作 45 個 45 個 45 個 45 個 高温保存 32 個 32 個 32 個 32 個 低温保存 32 個 32 個 32 個 32 個 高温高湿保存 77 個 77 個 77 個 77 個 プレッシャクッカ 32 個 32 個 32 個 32 個 温度サイクル 77 個 77 個 77 個 77 個 熱衝撃 32 個 32 個 リフロー前処理 + 高温動作 ( 高温書換 ) 767 個 3 ロット 前処理 + 個別項目 767 個 767 個 リフロー処理 前処理 前処理 温度サイクル 767 個 767 個 3 ロット 前処理 (SAT 実施 ) ノンリードタイプパッケージに適用 2-13

44 第 2 章信頼性保証 2.3 潜在欠陥を除去する技術 当社では 製品の信頼性レベルの向上と初期不良故障率の削減を目的にして 電気的特性検査を行う際 以下の技術にて潜在欠陥を除去しています 電気的ストレステスト PAT (Part Average Testing: 部品平均テストリミット ) :AEC-Q001 に準拠 SYL (Statistical Yield Limits: 統計的収率リミット ) および SBL (Statistical Bin Limits: 統計的 Bin リミット ) :AEC-Q002 に準拠 IDDQ (IDD Quiescent current: 静的電源電流 ) テスト (1) PAT PAT は 車載用デバイスの信頼性向上のため考案された統計的テスト手法で 現在 AEC-Q001 として AEC ( 自動車向け電子部品評議会 ) が規格化しています 通常設定されているテストリミット ( 合否判定値 ) だけでは アウトライア (*1) を排除することができません これらは軽微な欠陥を内在している可能性があり その後のストレス ( 実装時や市場でのストレスなど ) により故障の原因となる可能性を持っています そこで 通常のテストリミットの内側に 新たに PAT リミットを定めてアウトライアを排除します (*1) アウトライア : 使用の範囲であるものの 母集団の分布中心から大きく外れた値を持つ個体 PAT Limit Low PAT Limit Hi 図 PAT の概念図 PAT には 静的 PAT (Static PAT:SPAT) と 動的 PAT (Dynamic PAT:DPAT) があります i) 静的 PAT: 過去ロットのテストデータから SPAT リミット ( ロバスト平均 ±6 ロバスト σ) を算出し その後のロットに SPAT リミットを適用します ( 見直しまではリミット固定 ) ロット / ウエハ間のば らつきを考慮するので 収率への影響は少なくなります ( 図 をご参照ください ) 2-14

45 第 2 章信頼性保証 アウトライア 図 静的 PAT ii) 動的 PAT: ウエハごとにテストリミットを合格したデータから DPAT リミットを計算し テストリミット NG のチップと DPAT リミット NG のチップを排除します ( ウエハごとに PAT リミット変動 ) リミットは SPAT よりも厳しくなるので アウトライアの排除がより確実になります ( 図 参照をご参照ください ) アウトライア 図 動的 PAT 2-15

46 第 2 章信頼性保証 (2) SYL, SBL SYL と SBL は 統計的手法を用いて異常な収率 あるいは異常な不良率を示す不良項目 Bin があるウエハやロットを特定するための手法です このとき 収率に着目するのが SYL で 不良項目 Bin に着目するのが SBL です 判定の基準とするために 一定数のロットのテスト結果から収率および管理対象の不良項目の平均値と標準偏差 (σ) を算出し 3σ より悪い状況のウエハ あるいはロットについて処置を行います ( 基準は定期的に見直し ) (3) IDDQ テスト IDDQ テストは ディジタル回路ブロック内のショート系不良を電源電流測定によって感度良く検出することを目的とした手法です 従来のテスト手法では ディジタル回路内にショート系不良があっても 不具合発生個所によっては検出できない場合がありました IDDQ テストではディジタル回路を動作させ 回路を構成する CMOS が静止状態になった時点で電源電流を測定し 本来静止状態では流れない IDDQ ( 実際には ごくわずかなリーク電流が流れ得る ) が検出されたらショート系不良が発生していると判断します IDDQ テストのカバー範囲のイメージについては 図 をご参照ください 当社では 車載品やインフラ関連といった品質要求レベルが高い製品や 消費電流が特性のキーにな るような製品 ( 電池駆動アプリケーションなど ) に対して適用しています また その他の製品につい ても状況に応じ適用しています 仮定される故障の範囲 SIDD (*2) Digital Function (*1) IDDQ DIDD (*3) (*1) Digital Function: ディジタル部の機能試験 (*2) SIDD (Static V DD Power Supply Current): 静止時電源電流 (*3) DIDD (Dynamic V DD Power Supply Current): 動作時電源電流 図 IDDQ のイメージ 2-16

47 第 3 章故障解析と解析技術 第 3 章 故障解析と解析技術 故障解析とは 故障した製品を調査 解析し 異常の状態を明らかにすることです 故障解析は お客様の工程や市場で発生した不具合品だけでなく 当社の製造工程 検査工程 信頼性試験などで発生した故障についても行います いずれの場合も故障解析結果を故障の発生源 ( 設計 ウエハ製造 組み立て 検査など ) へフィードバックして故障の再発防止を行うことにより 各工程で作りこまれる品質 信頼性を高めることに役立てています 3.1 お客様からの返却品の解析フロー お客様返却品の解析フローは 図 をご参照ください 社内工程の不具合品も このフローに準じて関係部門と連携して解析を行っています お客様からの返却 受付 登録 一次判定 外観確認 リード修正 リボール テスター評価 (*1) (pass/fail 判定 ) X 線観察 SAT 観察 一次報告 Pass Pass/Fail? (*1) テスター評価 : LSI テスターやホール IC テスターによる評価 No ベンチ評価必 Fail Yes ベンチ評価 ( 電気的動作評価 ) 不再現として回答不再現品返却 OK ベンチ評価 ( 電気的動作評価 ) OK/NG? NG テスト検証 ( 再テスト評価 ) テスト内容調査 対策検討 チップ チップ / パッケージ? 中間報告 ( 適宜 ) 最終報告 チップの故障解析 パッケージ開封 ( デキャップ ) チップ観察 回路解析 ディジタル故障診断 エミッション /OBIRCH/SDL 解析 EB テスター / メカニカルプロービング ナノプロービング 物理解析 エッチバック解析 ( 各層剥離 ) FIB/SEM, STEM ( 断面解析 ) EDX 元素分析 パッケージの故障解析 パッケージ X 線 CT 観察 研磨 / 薬液 / レーザー開封 断面観察 ( 機械研磨 ミリング加工 ) 原因工程の特定 発生メカニズムの推定 流出防止 / 発生防止対策 効果の確認 図 お客様からの返却品の解析フロー 3-1

48 第 3 章故障解析と解析技術 3.2 解析装置と解析事例 故障解析ではさまざまな装置を使用しています 表 にその主な装置を示します 表中に示した 以外にも 電気的な評価を行うための各種計測器があります これらの解析装置を駆使し 故障原因の 解明を行っています 表 当社の故障解析装置 分類装置名用途装置写真解析事例 非破壊 X 線透過装置パッケージ内部の観察を行う ( ワイヤーボンディングの状態など ) P.3-3 P.3-3 超音波探傷装置 (SAT) パッケージ内部の観察を行う ( 剥離の状態など ) P.3-4 P.3-4 半破壊モールドオープナーモールド樹脂を溶かし 電気的に破壊せずに開封する - - レーザーオープナーレーザーを用いてパッケージ樹脂の除去 ( 開封 ) を行なう - - 回路解析エミッション顕微鏡チップで発生する微小発光を検出し 異常リーク箇所などを特定する P.3-5 P.3-5 EB テスター 電子ビームを用いて回路の電気的動作を解析する ( 非接触 ) ボルテージコントラスト像や動作波形を取得できる マニュアルプローバ針 ( プローブ ) を直接接触させ 回路の電気的動作を解析する - - OBIRCH 解析装置 レーザー照射時の電流変化を検出する ( レーザーによる局所加熱 ) ショート箇所特定に使用する P.3-6 P.3-6 P.3-8 P.3-8, 9 ロジックテスターディジタルテストパターンを用いて ディジタル機能評価を行なう - - 回路修正用 FIB 回路内の配線修正 プロービングパッド作成などを行なう P 裏面研磨機 ナノプローバー チップの裏面露出 研磨を行う ( エミッションや OBIRCH 解析の前処理 ) SEM 式プロービングシステム MOS の静特性測定 EBAC 法での配線解析を行う - P P.3-11 物理解析光学顕微鏡チップの光学観察 - P.3-12 RIE 装置 SiN 膜や SiO2 膜の除去を行う プラズマを使用したドライエッチング ドラフトチャンバーウェットエッチング処理を行うための局所排気装置 - - 走査型電子顕微鏡 (SEM) チップ表面形状の詳細観察を行なう P.3-12 P.3-13 FIB/SEM 装置 FIB で加工し SEM で観察する チップの断面観察を行う P.3-13 P.3-14 EDX 特性 X 線検出での元素分析を行なう - P.3-15 走査型透過電子顕微鏡 (STEM) (*1) 透過電子を用いてチップの断面観察を行なう - P.3-14 切断機パッケージ断面観察に使用する 大まかな切断加工を行う 研磨機 パッケージ断面観察に使用する 研磨加工を行う - - (*1) 当社グループ内関係会社にて所有 以下に 当社で使用している主な故障解析装置と 解析 / 観察事例について説明します 3-2

49 第 3 章故障解析と解析技術 (1) X 線透過装置 X 線透過装置は X 線による透過技術を用いて製品内部を非破壊で観察する装置で 主にワイヤーボンディングやインナーリードの形状などの観察に活用しています 本装置は マイクロフォーカス X 線管を採用したタイプであり 低倍から高倍までシャープな映像の観察が可能です CT 機能を備えた装置もあります X 線透過装置の装置写真と観察画像は 図 と図 をご参照ください CT 機能付き 図 X 線透過装置 金ワイヤー 金ワイヤー断線故障 リード部 図 X 線透過装置での観察事例 3-3

50 第 3 章故障解析と解析技術 (2) 超音波探傷装置 (SAT:Scanning Acoustic Tomography) 超音波探傷装置は 超音波を使用した観察装置です パッケージの表面から内部に向かって超音波パルスを送り その反射波を検出します この技術により パッケージ内部の欠陥 ( ボイド クラック 界面剥離など ) を観察できます 本装置は パッケージの耐湿 耐熱性の信頼性評価にも活用しています 超音波探傷装置の装置写真と観察画像は 図 と図 をご参照ください 図 超音波探傷装置 (SAT) タブの剥離あり 正常品 図 超音波探傷装置での観察事例 3-4

51 第 3 章故障解析と解析技術 (3) エミッション顕微鏡エミッション顕微鏡は チップからの微小発光を検出します 故障が存在すると チップ内部に異常電界ができることがあります この異常電界によって加速されたキャリア ( ホットキャリア ) は正孔 電子対 (hole-electron pair) を生成し この正孔 電子対が再結合すると発光現象が起こります この発光を検出することで 電流リークなどの異常を捉えることができます 本装置は 操作が非常に簡単であり また視覚的に現象をとらえることができます 故障解析では非常によく使われる技術です エミッション顕微鏡の装置写真と観察画像は 図 と図 をご参照ください 図 エミッション顕微鏡 2 箇所で異常発光確認 発光は異物による配線ショートによるもの ( 黄色矢印で示した箇所が発光箇所 ) 図 エミッション顕微鏡での観察事例 3-5

52 第 3 章故障解析と解析技術 (4) EB テスター (EB:Electron Beam) EB テスターの原理は SEM と同じで 電子ビーム照射時の 2 次電子を検出します 2 次電子検出量はチップ上の配線の電位に依存し この現象から配線の電位挙動を知ることができます 取得できる情報としては 配線電位像や動作波形となります 本技術は ディジタル回路の解析に使われます 非接触で電位測定ができるという利点の反面 ロジックテスターに同期した繰り返し波形しか測定できないという欠点も有ります EB テスターの装置写真と観察画像は 図 と図 ( 差像解析 ) 図 ( 波形解析 ) をご参照ください 図 EB テスター Pass 条件 Fail 条件差像 * あるアドレスでのボルテージコントラスト像を Pass/Fail 条件で取得 *Pass/Fail の差像を取ることで 論理が異なっている箇所を視覚的に捉える 図 差像解析事例 ( ボルテージコントラスト像を利用した解析 ) 3-6

53 第 3 章故障解析と解析技術 制御信号 Node A Pass 条件 Node B Node A Fail 条件 Node B 動作異常 * 任意の箇所での波形を 同じタイミングで観測することができる * 緑色網掛け部分の論理が Fail 条件では動作異常になっている 図 波形解析事例 (5) OBIRCH 解析装置 (OBIRCH:Optical Beam Induced Resistance Change) OBIRCH 解析とは レーザーを照射した箇所を局所的に加熱し この加熱による抵抗 / 電流変化を捉える解析です 非常に微小な電流変化を捉えることができます この原理を用いることで リーク箇所の特定が可能です また 本装置とロジックテスターとの組み合わせで ディジタルファンクションのマージナル故障の解析も行なうことができます これを SDL (Soft Defect Localization) と呼びます OBIRCH 解析装置の装置写真と観察画像は 図 と図 (OBIRCH 解析 ) 図 (SDL 解析事例 ) をご参照ください 3-7

54 第 3 章故障解析と解析技術 図 OBIRCH 解析装置 黄色矢印で示した箇所が OBIRCH 反応箇所 いずれの事例も MOS Gate 酸化膜リークでの事例 図 OBIRCH 解析装置での解析事例 ( 左 : 表面解析 右 : 裏面解析 ) 3-8

55 第 3 章故障解析と解析技術 黄色矢印で示した箇所が SDL 反応箇所 SDL 反応は レーザー加熱で Pass/Fail 状態が変わる箇所を示す 図 SDL 解析事例 (6) 回路修正用 FIB 装置 (FIB:Focused Ion Beam) FIB とは イオンビームを利用した局所的な加工装置で エッチング加工やデポジション加工を行えます 回路修正用 FIB では より加工精度を上げるため ガスアシストでの加工を使用しています この技術を用い 回路修正やプロービングパッドの作成を行います EB テスター解析やメカニカルプロービング解析の前処理として 不可欠な技術です 本装置は 設計開発段階での回路デバッグにも使用しています 回路修正用 FIB 装置の装置写真は 図 をご参照ください 3-9

56 第 3 章故障解析と解析技術 図 回路修正用 FIB 装置 (7) ナノプローバーナノプローバーは SEM 式プロービングシステムです SEM を使用しているため ナノレベルでのプロービングを実現しています 代表的な測定は 単体 MOS の静特性測定です 露出したコンタクトへ直接プロービングすることで チップ上の単体 MOS の静特性測定を行うことができます また ナノプローバーは吸収電流法による解析も行うことができ (EBAC:Electron Beam Absorbed Current 解析 ) EBAC 解析では配線のショート / オープンを見つけることができます ナノプローバーの装置写真と観察画像は 図 と図 (MOS 静特性測定 ) 図 (EBAC 解析 ) をご参照ください 図 ナノプローバー 3-10

57 第 3 章故障解析と解析技術 * コンタクト層まで研磨露出させ コンタクトを直接プロービングして MOS 静特性を測定する 図 MOS 静特性測定解析事例 ( 左 : プロービングの様子 右 : 測定結果 ) 断線箇所 *Via チェーン TEG での断線箇所の解析 * 断線箇所では EBAC 像のコントラスト差が大きくなる 図 EBAC 解析事例 3-11

58 第 3 章故障解析と解析技術 (8) 光学顕微鏡光学顕微鏡は 可視光および可視光近傍の波長域の光を利用する顕微鏡です 可視光を利用するため 色の情報が得られる反面 波長の関係から分解能に限界があります 光学顕微鏡での観察画像は 図 をご参照ください 焼損部位 *GaAs ホール素子での焼損事例 図 光学顕微鏡での観察事例 (9) 走査型電子顕微鏡 (SEM:Scanning Electron Microscopy) SEM は 電子ビームを照射した際に発生する二次電子や反射電子を検出します チップ表面の凹凸像 組成像など取得することができます 高倍率 高解像度での観察が可能です SEM の中には EDX (Energy Dispersive X-ray Spectrometer) を搭載しているものも有ります EDX は 特性 X 線検出を用いた元素分析装置です SEM の装置写真と観察画像は 図 と図 をご参照ください 図 SEM 装置 3-12

59 第 3 章故障解析と解析技術 図 SEM を用いた解析事例 (10) FIB/SEM Dual 装置 (FIB:Focused Ion Beam, SEM:Scanning Electron Microscopy) FIB/SEM Dual 装置は 1 つの試料室の中に FIB 鏡筒と SEM 鏡筒の 2 つが入った装置です FIB にての加工を行ない SEM にて観察を行なうことで チップの断面観察を迅速且つ的確に行なうことができます 本装置は主に SEM での断面観察に用いていますが 走査型透過電子顕微鏡 (STEM) 用の試料作製にも使用しています FIB/SEM Dual 装置の装置写真と観察画像は 図 と図 をご参照ください 図 FIB/SEM Dual 装置 3-13

60 第 3 章故障解析と解析技術 メタル配線断線故障 メタル配線 メタル配線 メタル配線 メタル配線 ショート 異物 Poly-Si ゲート * 左 : 配線のエッチング異常により 配線間にてショートが起きている * 右 :Poly-Si ゲート部の異物でメタル配線の形成が異常となり断線に至っている 図 FIB/SEM を用いた断面解析事例 (11) 走査型透過電子顕微鏡 (STEM:Scanning Transmission Electron Microscope) STEM は 試料に電子線を照射した際の透過電子を検出します 非常に高解像度での観察が可能ですが 観察のために試料の薄片化が必要です 観察としては 透過電子 (TE:Transmitted Electron) 像 高角度散乱暗視野 (HAADF:High-Angle Annular Dark-Field) 像がよく用いられます STEM には 分析装置として EDX, EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) が搭載されていて 高分解能且つ高感度での元素分析が可能です 走査型透過電子顕微鏡の観察画像は 図 ( 断面観察 ) および図 ( 元素分析 ) をご参照ください Poly-Si ゲート 図 STEM での断面観察事例 (Poly-Si ゲート部断面観察 ) 3-14

61 第 3 章故障解析と解析技術 STEM 像 O N Si Ti *MOS ドレイン部の元素分析結果 * 主要元素のマッピングを表示 図 STEM+EDX での元素分析事例 3-15

62 第 3 章故障解析と解析技術 3.3 故障原因特定と問題解決のツール 故障解析では 不具合品の異常の状態を明らかにします しかし それだけでは不十分であり 解析結果を基に 不具合症状との相関確認や発生原因の特定を行い 発生防止対策を講ずることが重要です 故障解析結果から発生防止対策実施までの 当社でのアクションについて図 3-3-1をご参照ください このアクションは 各セクションのエンジニア ( 回路設計 製造 テスト 品質管理などのエンジニア ) 間での協議によって進めます 問題解決の管理ツールとして 8D (8 Disciplines) プロセスなども用います < 信頼性検証 > ワイブル解析故障解析結果不具合症状との相関関係 回路シミュレーション ( 電気的動作シミュレーション ) プロセスシミュレーション ( 構造シミュレーション ) < 発生原因特定 > 原因発生工程の特定発生メカニズムの推定 TEG トレンド調査 プローブ検査データ調査 選別検査データ調査 発生防止対策立案工程品質改善 工程履歴調査 ( 他ロット比較 使用号機履歴調査など ) 工程内検査データ調査 FTA (Failure Tree Analysis) 効果の確認 図 問題解決のアクション 3-16

63 第 4 章環境関連物質の管理 第 4 章 環境関連物質の管理 4.1 化学物質の管理 環境に悪影響を与える物質を 生産活動で環境中に拡散させないのはもちろん 製品を通して環境中に拡散することも避けなければなりません 従って 当社は 法令による使用禁止化学物質 環境負荷物質 企業倫理として不適切な物質 及び 顧客要求管理物質 を明確にし 製品 包装材に含有しないように確実に管理しています また 情報伝達が必要な化学物質など の情報もサプライチェーンを通じて迅速に入手し 顧客などへ積極的な情報開示とコミュニケーションを行います 半導体デバイスはさまざまな物質を使用しています 環境負荷物質の使用を可能な限り避け 特性上やむを得ず使用する場合にはその存在を明示し 適切な管理に努めます 環境負荷物質の管理 化学物質に関する規制は 日本国内では化学物質審査規制法 ( 化審法 ) 化学物質排出管理促進法 ( 化管法 :PRTR 法 ) 労働安全衛生法 毒物および劇物取締法などが制定されていますが 欧州議会 理事会指令で欧州連合 (EU) 域内での使用制限 含有禁止などに関する指令 規則が国際的に広がっています EU での規制事項に適合しない製品を EU 加盟国内で販売することができません EU の RoHS や REACH といった厳しい規制は 欧州委員会で制定されます 製品だけではなく 生産にかかわる原材料や物流に関する資材についても 環境負荷となるような物質が含まれないことを求められます 当社では 化学物質管理の指針を定め 製品 ( サンプルも含む ) や包装材に環境負荷物質を含有させない管理を行っています また 環境負荷物質と基準値を定め 製品や包装材を構成する物質に関して以下の三つの区分に分け 明示しています 1) RoHS や化審法など国内外法規制対象物質 2) ハロゲンフリー製品に適用する基準 3) REACH の SVHC (*1) 候補物質これらの物質の規制のうち 1) および 2) は意図的な使用 (*2) を禁止しています また 3) については製品中に 0.1wt% 以上意図的に含有している物質が監視対象となります (*1) SVHC:Substance of Very High Concern ( 高懸念物質 ) (*2) 非意図的な使用 となるのは 製法上やむを得ない不純物の場合のみ 4-1

64 第 4 章環境関連物質の管理 このように 当社で設けている基準とは別に ご要望に応じてお客様や各国 地域 業界における規制 基準への対応についても検討いたします また 製品環境に関する各種問い合わせ ( 顧客指定様式 JAMP AIS JGPSSI JAMA/IMDS 成分表 不使用証明書など) についても対応いたしますので ご指定がありましたら当社営業担当までご連絡ください 国際的な規制としては現在 欧州連合 (EU) が制定したものが主流となっていて 以下のようなもの があります RoHS 指令 RoHS (Restriction of Hazardous Substances) 指令は 2006 年 7 月に施行された欧州議会 理事会指令で EU の電子 電気機器に含まれる有害物質の使用制限を規定しています カドミウム 鉛 水銀 六価クロム ポリ臭化ビフェニル類 (PBBs) ポリ臭化ジフェニルエーテル類 (PBDEs) の 6 物質について定められ その含有率が定められた規制値 ( それぞれの規制値については表 をご参照ください ) を超える製品は EU 加盟国内に供給 販売することができません ( 一部技術的に代替が困難な場合など適用除外あり ) 参考 : 改正 RoHS (RoHSⅡ) RoHS 指令は 2011 年 7 月 21 日に RoHS2.0 として改訂 発効されました この中で従来の 6 物質に対する規制に加え 新たに 4 物質に対して優先評価物質として扱うことが定められています また 制定時期は未定ですが これら 4 物質について禁止物質に追加することが検討されています 優先評価物質 ( 追加候補物質 ):1 HBCDD ( ヘキサブロモシクロドデカン ) 2 DEHP ( フタル酸ジ-2-エチルヘキシル ) 3 BBP ( フタル酸ブチルベンジル ) 4 DBP ( フタル酸ジブチル ) 表 RoHS 指令対象物質と規制値 物質名カドミウム鉛水銀六価クロムポリ臭化ビフェニル類 (PBBs) ポリ臭化ジフェニルエーテル類 (PBDEs) 規制値 100 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 4-2

65 第 4 章環境関連物質の管理 REACH 規則 REACH (Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals) 規則は 2007 年 6 月に発効された化学物質の使用に関する規則です EU 加盟国内で生産 あるいは EU 加盟国内に輸入する化学物質 ( あるいは製品に含まれる化学物質 ) が年間 1t 以上である場合 それらの化学物質を欧州化学物質庁に登録したうえで危険性の評価を行い その結果を公開することが求められます また 高懸念物質 (SVHC) として分類される化学物質については登録だけではなく欧州化学物質庁 (ECHA:European Chemicals Agency) の認可を受ける必要があります RoHS 指令と REACH 規制の内容を比較については 表 をご参照ください 表 RoHS 指令と REACH 規則の比較 RoHS 指令 REACH 規則 対象物質 6 物質 (2006 年 07 月 01 日現在 ) SVHC ( 高懸念物質 ) は 138 種類 (2012 年 09 月 03 日現在 ) 将来的に約 1,500 物質になると推定される 対象部位 均質材料 製品 規制値 1,000 ppm 以下 (Cd のみ 100 ppm 以下 ) 1,000 ppm 以下 含有確認 分析可能 分析確認困難 規制内容 含有禁止 情報伝達義務 (B to B)/ 情報開示義務 (B to C) 届け出義務 (EU 当局 :ECA) 罰則 違反した場合製品回収 罰金などの罰則が予測される ( 各国法 ) 経営リスク ブランドイメージダウン ブランドイメージダウン 対象業種 電気電子機器 全業種 その他 分析データの定期 1 年更新が業界に定着 IEC62321 規格に基づく分析方法 EDX などの簡易測定は不可 分析機関は ISO17025 の認証取得が必須 2020 年までに使用 製造での化学物質の悪影響の最小化 ELV 指令 ELV 指令 (End-of-Life Vehicles Directive) は 2000 年 10 月 21 日に発効された EU 域内で使用済み自動車の再使用や再資源化を推進するための指令です この指令の目的は a) 車両から廃棄物が発生することを防止する b) 使用済み自動車およびその部品の 再使用や再資源化を推進する c) 廃車解体 処理業者のように 車両のライフサイクルに関与する事業者の環境保護を促進する となっています 自動車の部品に有害な物質が使用されていると 再使用や再資源化などの妨げとなるため SOC (Substances Of environmental Concern: 環境負荷物質 ) と呼ばれる物質群を対象として使用を制限しています ELV 指令の対象物質と規制値については表 参照をご参照ください 4-3

66 第 4 章環境関連物質の管理 表 ELV 指令対象物質と規制値 物質名カドミウム鉛水銀六価クロム 規制値 100 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 1,000 ppm 以下 WEEE 指令 WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment) 指令は 2003 年 2 月に公布 施行された電気 電子製品の廃品に関する指令です EU 加盟国内で販売する電気 電子機器 (EEE:electrical and electronic equipment) について生産者に対して 以下の対応を求めています a) 廃棄物になった場合環境に悪影響を及ぼさないよう配慮する b) 回収 リサイクルについて責任を持つ EuP 指令 EuP (Energy-using Products) 指令は 2005 年に発効された エネルギー ( 電力や化石燃料など ) を使用する製品 ( たとえば冷蔵庫や洗濯機など ) について環境に配慮された製品設計 いわゆるエコデザインの実施を求める指令です この指令に適合した製品には CE マークが付与され EU 加盟国内では CE マークの無い製品を販売することができません EuP に適合し CE マークを取得するには 原材料の採取からエンドオブライフ ( 使用後の廃棄 ) まで すべてのライフサイクルについて重要な環境側面を特定し 環境負荷を低減しなければなりません 現在 EuP はその適用範囲をエネルギーに関連する製品 ( 窓や断熱材 節水弁など ) まで広げた ErP (Energy-related Products) 指令として拡大され 2010 年 11 月 20 日に発効されています ハロゲンフリー製品に適合する基準 特定の物質 ( 群 ) に対する規制や使用制限も 国際的に広まっています その中でもハロゲン物質や三酸化アンチモンおよび赤リンは半導体製品にもかかわりが深く 原材料の選定に際して留意が必要です ハロゲンフリーについては業界標準が広く定着しています ハロゲンフリー製品の管理に関する当社の基準については 表 をご参照ください 4-4

67 第 4 章環境関連物質の管理 表 ハロゲンフリー製品に適用する基準 対象物質 社内管理値 JPCA-ES01 などの基準 ( 参考 ) 臭素 塩素 およびその化合物 Br 0.09wt% (900ppm) 未満 Br 0.09wt% (900 ppm) 以下 Cl 0.09wt% (900ppm) 未満 Cl 0.09wt% (900ppm) 以下 Br+Cl 0.15wt% (1,500ppm) 未満 Br+Cl 0.15wt% (1,500ppm) 以下 アンチモンおよびその化合物 Sb として 0.1wt% (1,000 ppm) 未満 - 赤リン P として 0.1wt% (1,000 ppm) 未満 - ハロゲン物質のうち臭素と塩素 ( およびその化合物 ) は生体蓄積性が高く 燃焼によりダイオキシンが発生する可能性があるなど 環境への悪影響が懸念されます そこで 日本電子回路工業会 (JPCA-ES01: ハロゲンフリー銅張積層板試験方法 ) 国際電気標準会議 (IEC :Reinforced base materials, clad and unclad-non-halogenated epoxide woven E-glass reinforced laminated sheets of defined flammability (vertical burning test), copper-clad) 米国電子回路協会 (IPC-4101:Specification for Base Materials for Rigid and Multilayer Printed Boards) といった機関 団体がそれぞれハロゲンフリーについて定義をし 試験方法を定めています ( すべて共通の定義となっています ) 当社でもこれらの定義に準拠して基準を定めています アンチモンは古くから毒性が知られていて 例えば難燃助剤として用いられる三酸化アンチモンは毒性が小さいものの劇物に指定されるなど 化合物の中にも危険性を有するものがみられます これらアンチモンおよびその化合物は 環境負荷物質 ( 禁止物質 ) ではありませんが PRTR (Pollutant Release and Transfer Register) 法で第一種指定化学物質に指定されていて 材料中に 0.1wt% 以上含有する場合には MSDS (Material Safety Data Sheet: 製品安全データシート ) への記載が義務付けられています よって 従来難燃助剤として用いられていた三酸化アンチモンですが ハロゲンフリー製品には臭化エポキシ樹脂 ( 難燃剤 ) とあわせて使用を制限しています また 赤リンは難燃剤として用いられていますが 長期間放置すると空気中の水分や酸素と反応 化学変化を起こし電子機器中の配線が腐食断線に至ることや トラッキング現象を起こし発火に至る可能性があるため 成形用樹脂には赤リンを含有しないこととしています 4-5

68 第 4 章環境関連物質の管理 グリーン調達 環境負荷の少ない製品をお届けするためには 当社単独の取り組みだけではなく サプライチェーン全体での取り組みが不可欠です そこで 当社では必要な資源の調達 購入に際しては より環境負荷物質の少ない原材料や資材を優先的に調達 購入するグリーン調達に取り組んでいます 原材料や資材について危険性や有害性 法規制について調査 確認を行いますが 当社が直接購入するものだけではなく 外部委託先についても同様の配慮を求めています また 購入先に対しては必要に応じ調査を行うなど 厳重な管理を行い 法規制の順守ならびに環境保全に努めています RoHS REACH などで対象となる化学物質については サプライチェーンを通じて電気 電子業界の情報伝達ツールである JIG (Joint Industry Guide) 業界横断的な情報伝達ツールである MSDSplus/AIS の最新版を用いて管理しています JAMP (Joint article management promotion consortium: アーティクルマネジメント推進協議会 ) は 業界横断的に化学物質情報伝達を行うため 2006 年 09 月に日本で設立され その情報伝達ツールとして 物質 調剤については MSDS を補完する目的で MSDSplus が 成型品 ( アーティクル ) については AIS (article information sheet) が使用されています これらはサプライチェーン上の情報交換プラットフォームとして 欧州化学品庁 (ECHA) にも高く評価され 紹介されています 当社は JAMP 設立当初からの会員で MSDSplus/AIS の伝達を より効率的に よりタイムリーに行うよう開発された仕組みである JAMP ツールの IT システム基盤 JAMP-GP (Global Portal) にもいち早く取り組んでいます なお 当社のグリーン調達の詳細については 当社 WEB ページの該当記事をご参照ください 4-6

69 第 5 章当社製品ご使用上の注意 第 5 章 当社製品ご使用上の注意 5.1 実装上の注意 半導体デバイス製品の品質 信頼性を損なわないために 実装方法にもご注意くださるようお願いいたします 実装時 製品ははんだ付けのために加熱されます 加熱によって直接チップを破壊しないことはもちろん パッケージへのダメージも避ける必要があります パッケージの破壊には 直接の加熱のみならず アンダーフィルによる応力や 吸湿した水分が水蒸気化することによる急激な膨張なども原因となります また 適切な放熱がされないと これも特性の劣化 あるいは破壊に至る原因となりえます こういった事態を避けるために 以下の各項に示す内容についてご注意ください はんだ付けについて 半導体デバイスは 一般に高温状態に長時間放置することは好ましくありません 一方 実装時の加熱が不足するとはんだ付け性が悪くなります よって はんだ付けはその方法にかかわらず適切な温度と時間で行われる必要があります また はんだ付け時のフラックスに酸性やアルカリ性の強いものを使用すると リードが腐食に至ることや 特性に悪影響を及ぼすことがあります 以下に示す はんだ付けについての注意事項 推奨条件についてご注意ください 表面実装パッケージの実装方法について (1) 一般的注意事項近年の表面実装に用いられる半導体デバイスパッケージは 実装密度を上げるために小型 薄型構造になっていて 従来に比べて強度が低くなっています 表面実装パッケージの製品については 以下に示す注意事項をご参考に はんだ付け実装条件を設定されるようお願いいたします a) はんだ付け方法当社では リフロー法を表面実装パッケージのはんだ付け方法として推奨いたします 溶融したはんだ中を通過させてはんだ付けを行うフローソルダリング法は はんだブリッジが発生しやすく パッケージに加わる熱衝撃も大きいため推奨していません フローソルダリング法の採用が必要な場合は 営業担当にご連絡ください 5-1

70 第 5 章当社製品ご使用上の注意 b) 加熱時のパッケージ温度と応力組み立て時の熱ストレスにより発生する応力に加えて プラスチックパッケージに用いる樹脂は高温で熱膨張係数が増加し 曲げ弾性率および曲げ強度が低下するためパッケージ内に内部応力が発生します また 赤外線リフロー法を用いる場合 赤外線の被照射面とそれ以外の面で温度差が生じ これも応力の発生原因となります 特に 急激な昇温をすると これらの応力はより顕著になります パッケージ内に応力が発生するとクラックが生じる可能性がありますので 当社の推奨温度プロファイルに従って実装を行ってください c) パッケージの吸湿の影響半導体デバイスのプラスチックパッケージに用いられる樹脂は 湿度が高い場所に保管された場合 吸湿は避けられません 当社の防湿梱包をしている製品の場合 はんだ付け実装時に吸湿された水分が急激に水蒸気化 膨張することで 樹脂と内部のチップ / リードフレームとの界面を剥離させ 最悪の場合パッケージクラックを生じることがあります 吸湿を防止するためには ドライボックスでの保管や防湿梱包を解いてからはんだ付けを行うまでの時間管理が有効です いったん吸湿した水分を除くために はんだ付け実装前にベークを行うことを推奨します パッケージの吸湿の影響と対処に関しては 項もご確認ください 挿入実装パッケージの実装方法について (1) 一般的注意事項バルク梱包をしている DIP あるいは SIP といった挿入実装パッケージは防湿梱包をしていません したがって 実装の際はパッケージ本体に過大な熱が加わらないよう はんだ付け方法にご注意ください 表面実装パッケージと混載する際には JEITA EDR-4701C 半導体デバイスの取扱ガイド などを参考にしてご検討ください (2) 推奨ディップ条件ディップ法 もしくはフロー法ではんだ付けを行う際の推奨条件は 当社の製品群によって異なります (a) LSI 製品 ( 主としてパワーデバイス系製品です ) 当社の LSI 製品の推奨条件は以下の通りです 槽温度 :260 ±5 ディップ時間 :10 秒 ±1 秒 (b) センサー製品当社のセンサー製品の推奨条件は 図 をご参照ください このグラフは槽温度とディップ時間の関係を表していて 例えば槽温度が 300 の場合ディップ時間は 5 秒以内 槽温度が 260 の場合ディップ時間は 15 秒以内に収めてください 5-2

71 第 5 章当社製品ご使用上の注意 槽温度 [ ] 秒以下 秒以下 ディップ時間 [ 秒 ] 図 挿入実装パッケージの推奨ディップ条件 はんだごてによる実装方法について (1) 一般的注意事項半導体デバイスのはんだ耐熱性試験の一般的規格では はんだ加熱時に端子部分の温度が 秒間 あるいは 秒間までとなることが前提条件となっています したがって はんだ付け作業の際 この条件を越えないようご配慮ください はんだ付け温度が高く時間が長いと デバイスの温度が過剰に上昇し劣化あるいは破壊の原因となる場合があります なお はんだごてに関してはアース付きの三線式はんだごてを使用する あるいは二次電圧をトランスで降下させ こて先をアースしたものがよく また こて先にリークがないものが良いといえます また こて先を当てるのは リード部のみとしてください (2) 推奨手はんだ条件 はんだごてではんだ付けを行う手はんだの場合は 以下の条件でお願いいたします 推奨手はんだ条件 :350 3 秒 (1 回 リードごと ) また QFN や BGA など ノンリードタイプ はんだボール搭載タイプのパッケージについて 手は んだは推奨していません はんだごてでのリペアなどで特別なご要望のある場合は 当社営業担当ま でお問い合わせください フラックスの種類と洗浄方法について (1) フラックスについてはんだ付け時に使用するフラックスは ロジン系フラックス (RMA:Mildly Activated Rosin base 弱活性ロジンフラックス ) を推奨します ハロゲン系フラックスは ハロゲン 特に塩素がパッケージに 5-3

72 第 5 章当社製品ご使用上の注意 残留しやすく 信頼性に悪影響を与えますのでご使用は避けてください また フラックスは環境 安全に十分配慮されたものをご選定ください (2) 洗浄について実装基板の洗浄では フラックスが残っているとロジン系であってもリードの腐食など信頼性に影響する可能性がありますので 十分な除去をお願いします これは 無洗浄フラックス ( 低残渣フラックス ) であっても同様で 高い信頼性が要求される用途では除去が必要な場合があります 無洗浄の場合は お客様において十分なご評価をお願いいたします 部品実装後の基板清浄度が表 の基準を満たすように 洗浄剤 洗浄方法をご選定ください 表 部品実装後の基板清浄度 (JEITA EDR-4701C より ) 項目 基準 残留塩素量 1 μg/cm 3 以下 抽出溶剤の抵抗値 Ω cm 以下 インク式印字の場合 長時間洗浄液に含浸しているとマークが消える可能性があります 特に超音波洗浄を行う場合にはご注意ください 洗浄剤は 準水系や炭化水素系など一般的なものや アルコール系のご使用を推奨いたします また 環境 安全に十分配慮されたものをご選定ください 中空タイプのパッケージは 超音波洗浄を避けてください 内部の接続ワイヤが共振を起こして断線する可能性があります その他のパッケージで超音波洗浄を採用される場合は 共振が起こらないよう適切な条件で実施してください また デバイスやプリント基板が振動源に接触しないよう ご注意ください MSL (Moisture Sensitivity Levels) および吸湿への対処 樹脂封止された製品は通常の保管状態では常に吸湿をしています 吸湿した製品がリフロー炉などで加熱されると リード部だけではなく樹脂封止された本体も加熱され 樹脂内に含浸した水分が膨張して内部の剥離やパッケージクラックなどを発生させる可能性があります 製品の MSL に応じた取り扱いをすることで これらの不具合を避けることができます MSL (Moisture Sensitivity Levels) MSL とは リフローはんだ付けを行ったとき 吸湿により部品がどれだけ損傷を受けやすいのかを示 す評価です 5-4

73 第 5 章当社製品ご使用上の注意 当社では 一般的な規格を参考にリフロー耐熱試験を実施して MSL (Moisture Sensitivity Levels) を確 認しています 例えば JEDEC J-STD-020 のレベル 3 相当の結果が得られた製品は防湿梱包開封後 30 以下 60%RH 以下の環境で 168 時間 (1 週間 ) までならベーキング ( 加熱乾燥処理 ) なしでリフローはんだ付けを行うことができます このように 製品の防湿梱包を開封 あるいは脱湿処理をした後 実装するまでに許される時間のことをフロアライフといい JEDEC J-STD-020 では MSL に応じてその期間と保管条件が規定されています 吸湿後の処置 防湿梱包開封後 保管期間を過ぎた場合や高湿度の場所に置かれて吸湿してしまった場合 ベーキン グが必要です 当社では JEDEC J-STD-033C (Handling, Packing, Shipping and Use of Moisture/Reflow Sensitive Surface Mount Devices) を参考に 以下の条件での脱湿処理 処理後の保管を推奨いたします (1) トレイ梱包品当社が採用しているトレイは耐熱品ですので 以下の条件でのベーキングが可能です 脱湿処理条件 :125 にて 24 時間ベーキングただし トレイを結束したままベーキングを行うと トレイが変形する可能性がありますので ベーク時には結束を外してください (2) テーピング梱包品 チューブ梱包品エンボステープやリール プラスチック製チューブには耐熱性がないので (1) の条件ではベーキングを行えません (1) の条件でベーキングを行う際には 製品をエンボステープやチューブから取り出して実施してください 梱包状態のままベーキングを行う場合は 以下の条件で実施してください 脱湿処理条件 :40 5%RH 以下にて 13 日間ベーキングもしくは乾燥剤を封入した防湿袋や防湿庫 ( デシケーター ) で 13 日間保管なお この条件は当社製品で中心となっている薄型パッケージ品 ( パッケージ厚 1.4mm 以下 ) の場合です パッケージ厚が 1.4mm を超える製品の場合は条件が異なります ( 製品のパッケージ厚については データシートをご参照ください ) 5-5

74 第 5 章当社製品ご使用上の注意 (3) フロアライフリセットとポーズ吸湿時間が 12 時間以下の場合 次の条件にて防湿庫 ( デシケーター ) で保管することで フロアライフをリセット ( 経過を解消 ) あるいはポーズ ( 経過の一時中断 ) することが可能です リセット条件 : 常温 10%RH 以下にて吸湿時間の 5 倍の時間保管ポーズ条件 : フロアライフ時間内で常温 10%RH 以下にて保存 (4) 処理後の保管脱湿処理後は 次の条件で保管を行ってください 保管条件 :5~30 70%RH 以下にて 7 日以内保管期間が過ぎる前に実装するようお願いいたします アンダーフィルについて 当社では アンダーフィルの使用は推奨していません BGA や WL-CSP などのパッケージにてアンダーフィルをご使用になる場合は お客様にて十分なご評価をお願いいたします 塗布量に過不足 不均一があるとパッケージへのストレスが発生し クラックに至る可能性があるので 適正な管理を行ってください フィレットが四辺ともシリコンと樹脂の界面以上になるよう塗布するなど 応力の影響を分散させる工夫も必要です また 材質や塗布状態により実装後の温度サイクル耐久性が劣化することがありますのでご注意ください 基板設計上の注意 製品の性能を十分に発揮するためには 電子機器の回路設計 (5.2 節をご参照ください ) と同様に部品 のレイアウトや配線パターンなど 基板の設計にも注意する必要があります 熱抵抗 一般に 半導体の接合部 ( ジャンクション ) は高温環境下で長時間使用すると信頼性が低下して 寿命 も短くなります 半導体素子は動作時に発熱しますので その発熱で接合部温度が著しい高温にならな いよう 回路および基板の設計を行う必要があります 5-6

75 第 5 章当社製品ご使用上の注意 接合部温度の指針となる熱抵抗は 熱の伝わりにくさを表すパラメータで 単位時間 発熱量あたりの温度上昇値を意味します 熱抵抗が小さいほど放熱が容易になり 消費電力が大きくなって ( = 発熱量が増えて ) も性能を維持できます デバイスを基板に実装した場合の熱抵抗と放熱経路の模式図は 図 をご参照ください 当社が θ jc と表現しているのは 熱特性の規格で Ψ JT として扱われる リードなどを通じて実装基板へ向けた放熱経路を考慮したパラメータ ( 熱パラメータ ) です また チャネル温度についても接合部温度と表現しています θ ja T a T c θ jc T j a: 裏面タブ露出なし T c θ ja T a θ jc T j 露出したタブがヒートスプレッダとして機能 b: 裏面タブ露出あり T a : 雰囲気温度 ( ) T j : 接合部温度 ( ) T c : ケース表面温度 ( ) θ ja : 接合部 - 雰囲気間の熱抵抗 ( /W) θ jc : 接合部 - パッケージ表面間の熱抵抗 ( /W) θ ca : パッケージ表面 - 雰囲気間の熱抵抗 ( /W) 図 熱抵抗の模式図 図 で示したように デバイスを実装した場合の放熱はリードやパッケージ裏面を通じた基板側への経路が支配的になります また 高放熱機構 ( 水冷ジャケットなど ) を備えている場合はパッケージ上面から放熱機構へ向かう経路が支配的になります 基板上のプリントパターンや放熱機構を適切に設計 実装することで 熱抵抗を低く抑えることが可能になります 5-7

76 第 5 章当社製品ご使用上の注意 接合部と 周辺雰囲気との熱抵抗 θ ja パッケージ表面との熱抵抗 θ jc は以下の式で表されます ja T j T P d a T T j jc P, d c P d : 消費電力 (W) この式から 熱抵抗と雰囲気温度 デバイスの消費電力がわかれば 接合部温度を推定できます T j T a P d T T P ja j c d jc, 熱抵抗 (θ ja, θ jc ) は お客様で使用される環境によって変化する場合があります デバイス周辺の空気の流量 ( デバイスが使用される筐体の容積も関係します ) や基板上の配線密度 ( 残銅率 ) が熱抵抗に影響を与える主な要素となり 空気の流量が増える あるいは配線密度が増えれば熱抵抗は軽減されます 接合部温度 (Tj) が製品の最大定格を超えないよう お客様のご使用条件を定めるとともに 適切な熱設計を行ってください 基板応力および磁性体の近接 ( センサー製品の場合 ) 当社のセンサー製品のうち ホール効果を利用したデバイスでは 特に次のような点にご注意のうえ基板の設計を行ってください 基板実装後デバイスに応力が加わり曲がりが生じると 磁気特性が変化する可能性があります 実装および基板を製品に組み込む際には過大な曲がりが生じないようご注意ください 設計上意図しない磁性体が素子近傍に存在する場合 出力が影響を受ける可能性がありますので レイアウトを決定する際には配慮してください ランドパターン マウントパッドの最適寸法は 基板材料 はんだペースト材料 はんだ付け方法 装置精度などによ って変わります 実際の設計にあたりましては 製品のデータシートをご参照のうえ 検討願います 不明な点がございましたら当社営業担当にお問い合わせください 5.2 回路設計上の注意 半導体デバイスの機能と電気的特性およびその保証範囲はデータシートに明記しています お客様には 当社データシートに規定された仕様値を満たすように回路を設計していただくことはもとより ディレーティング (5.2.2 項をご参照ください ) を適用していただき 回路設計上の余裕をもたせていただくようなご配慮をお願いします 信頼性設計の観点で設計時に考慮していただきたい要点は 外来のノイズ / サージ電圧 リアクタンス負荷によるオーバーシュート対策 CMOS 製品のラッチアップ対策などがあります 5-8

77 第 5 章当社製品ご使用上の注意 全般的注意事項 システムが所定の信頼性を達成するため 周辺部の影響も考慮して次の点に留意してください (1) 半導体デバイス近傍が高温にならないように設定してください (2) 電源電圧 入力電圧 消費電力などは定格値内とし ディレーティングを考慮してご使用ください (3) 入力 出力 電源端子などにノイズによる過電圧が印加されたり 誘起されたりしないようにしてください (4) 高電界中にプラスチックモールドの半導体デバイスを置くと プラスチック材料 パッシベーション膜の分極が起こり 誤動作を起こす可能性がありますので 高電界の環境下でご使用になる場合にはシールドしてご使用ください (5) 静電気などが使用中に発生しないようにしてください (6) 外来サージなどを避けるため 入出力部分に保護回路などを設けてください (7) 電源のオン オフ時などの場合 電圧印加が不均衡とならないようにしてください 例えば 回路の接地端子がフローティング状態で入力 電源端子などに電圧が印加されると過大なストレスが加わります (8) 複数の電源を用いる製品に関しましては 当社データシートなどで記載の電源シーケンスによって立ち上げ 立ち下げを行ってください なお シーケンス等 ご不明な点は当社技術担当者までお問合せください ディレーティングについて ディレーティングとは JIS Z 8115 によると アイテムのストレス比の低減 信頼性を改善するために 計画的にストレスを定格値から軽減する行為 と定義されています すなわち 素子の故障率を少なくするため定格に対し十分な余裕のある条件で使用することです 最大定格に対してどの程度のディレーティングをするかということは 信頼性設計の上で重要な問題です システム設計の段階で考慮していただきたいディレーティング項目は 半導体デバイスの種類により少しずつ異なり 電圧 電流 電力 負荷などの電気的ストレスのディレーティング 温度 湿度などの環境条件 あるいは振動 衝撃などの機械的ストレスのディレーティングなどがあります 信頼性設計上考慮すべきディレーティング設計で考慮することについては 表 をご参照ください これらのディレーティング基準について装置の設計段階で考慮されることが信頼性設計の上で望ましく ディレーティングを実施することが困難な場合については 最大定格のより大きなデバイスを選択するなどの別の手段が必要になりますので 当社営業担当を通じてあらかじめご相談いただくようお願いします 5-9

78 第 5 章当社製品ご使用上の注意 表 ディレーティング設計で考慮すること ディレーティング要素 ディレーティング基準 温度 接合部温度 推奨動作条件による 周囲温度 (*1) T opr min~t opr max 湿度 相対湿度 結露しない範囲 その他 結露が懸念される場合はプリント基板をコーティングする 電圧 耐圧 推奨動作条件による 過電圧 静電破壊 過電圧印加防止策をする 電流 入出力端子 ファンアウト 負荷インピーダンスに配慮する (*1) T opr: 動作温度 絶対最大定格についての注意 絶対最大定格は JIS C 7032 によると 瞬時たりとも超過してはならない限界値で どの二つの項目も同時に達してはならない限界値 と定義されています 絶対最大定格値を一時的にも超えることがありますと 劣化または破壊する可能性があり その寿命を縮める恐れもあります したがって 半導体デバイスを用いる電子回路の設計にあたっては 使用中いかなる外部条件の変動においても そのデバイスに規定された絶対最大定格を超えることがないようご配慮をお願いします 当社の製品のデータシートには絶対最大定格が規定されています したがって 実際に当社の製品を使用する場合には データシートに記載された範囲内で設計してください ノイズ サージ電圧対策について サージ電圧や 静電気 ノイズなどの問題は半導体デバイス全般に共通する問題であり 発生要因を 除くための対策や軽減させる対策が必要であります (1) ノイズ源での対策ノイズ発生源を処理することが可能な場合は最も効果的な対策となります これには 1 入力抵抗に対して並列にダイオード 抵抗 またはコンデンサを入れてサージ電圧を軽減する方法 2 AC ( 交流 ) 電源ラインを通ってくるノイズに対しては フィルタを発生源側の電源ラインに入れる方法などがあります 強電界を発生する装置にシールドを施すなど 発生源側の対策を実施すると 妨害を受ける側のシステム全体については対策が不要となります その他 発生源を離すなどの処置も考えられます 5-10

79 第 5 章当社製品ご使用上の注意 (2) 接地ラインによる対策回路システムの接地ラインは専用のものを設け 他の電源ラインなどとの接地系とは完全に分離することによって 接地系に流れる電源による回路システムの干渉を除きます また 回路システムとシャーシとの接点は一点のみとし 回路システム系とシャーシとの間に閉ループを形成しないようにします (3) シールドによる対策 外来雑音の影響を減少させるために 信号線 システム全体などをシールドするのが一般的な対策で す ラッチアップ対策について (LSI / CMOS 製品の場合 ) ラッチアップは CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor: 相補型金属酸化膜半導体 ) LSI に特有な現象で CMOS 構造上避けられない寄生バイポーラトランジスタによるサイリスタが動作して 過大電流が流れる現象です ラッチアップ発生防止のため次の点にご注意ください (1) CMOS LSI の動作中は絶対最大定格を超えないようにシステムを設計してください 特に入力端子に は絶対最大定格を超えた電圧が加わると 入力保護回路のダイオードに順方向電流が流れ 寄生サイ リスタへのトリガー電流となってラッチアップが起こり素子破壊することがあります (2) CMOS LSI を逆差ししないでください CMOS LSI では逆差しの状態で電源電圧が印加されると LSI 内部の pn 接合が順方向となり破壊します (3) 未使用の端子がある場合 出力端子は開放のままにし 入力端子はシステムの論理に合わせて電源端 子またはグランド端子に接続してください ラッチアップ現象は通常の絶対最大定格内動作では発生しません 絶対最大定格を超えないようにす るため 次の方法を参考にしてご検討ください 1 入力 出力端子に直列に保護抵抗を入れる 入力電流を 200mA 以下に抑えるような抵抗を接続するのが望ましい 2 電源に直列に電流制限抵抗を入れる 3 電源端子 ~グランド端子間にノイズ吸収コンデンサを入れる 4 電源投入時に電源電圧より先に入力信号が加わらないようにする もし 入力信号が先になる場合は入力に直列に電流制限抵抗をつける 5 入力端子 出力端子にチップ内の入力保護ダイオード 出力寄生ダイオードと同じ方向のスイッチングダイオードを入れる 5-11

80 第 5 章当社製品ご使用上の注意 5.3 取り扱いの注意 当社の半導体デバイスは高い品質と信頼性を持っていますが お客様における取り扱い 実装あるいは使用条件などによってはデバイスの破壊につながる要因 ( 静電破壊 機械的破壊 吸湿など ) が数多く存在します 以下の諸点に注意してデバイスを取り扱うよう お願いします なお 半導体デバイスの取り扱いに関しては JEITA EDR-4701C 半導体デバイスの取扱いガイド にも指針が記載されていますので 参考にしてください 静電気および静電破壊 ESD (Electro Static Discharge: 静電気放電 ) 破壊は 通常動作時に発生する EOS (Electrical Overstress) 破壊とは異なり 実装前であっても発生する可能性があります そのため 半導体デバイスの梱包や保 管 運搬中であっても注意が必要です (1) 静電気の発生原因二つの絶縁体が接触したとき その間で電子のやり取りが行われます その時 電子を受け取ったほうはマイナスに 与えたほうはプラスに帯電して 静電気を帯びることになります また 帯電した物体が導電体に近づくと 静電誘導が起こり導電体の表面にプラスとマイナスの電荷が現れます これも静電気を帯びた状態です 静電気の発生メカニズムについては 図 をご参照ください 接触すると電荷が移動 (a) 絶縁体同士の場合 離れても帯電したまま 導電体 導電体 導電体に帯電物が接近 (b) 導電体に帯電物が接近した場合 導電体が静電誘導により帯電 図 静電気の発生 5-12

81 第 5 章当社製品ご使用上の注意 (2) 静電破壊の原因半導体デバイスの静電破壊は 静電気の放電電流がデバイス内に流れることにより発生します 放電は 電位の異なる導体が互いに接触したときに発生します 静電破壊にはいくつかのモデル ( 形態 ) がありますが ここでは CDM (Charged Device Model: デバイス帯電モデル ) による静電破壊の一例を説明します 図 をご参照ください + V dd IN + OUT すべての端子がフロート状態でデバイスが帯電 GND V dd IN + + GND OUT いずれかの端子が導電体に接触して放電が発生 ( 例 : 出力側が導電体に接触 ) + 導電体に接触 放電 こちら側の電荷は配線から接触した導電体に向かい容易に放電される こちら側の電荷は配線に集まってもゲートに阻まれて放電に時間がかかる 電圧 IN 側と OUT 側に電位差が生じるそれがゲート耐圧を超えるとゲート酸化膜破壊が発生 放電を遅くすることで電位差を小さくできる = 静電破壊を防止できる V IN V OUT 時間 図 CDM による静電破壊の例 5-13

82 第 5 章当社製品ご使用上の注意 (3) 静電気対策静電気対策の基本は 静電気を発生させないこと 発生した電荷をゆっくりと逃がすことにあります そのためには 作業環境 保管環境 作業者 設備 ( 治工具を含む ) そして運搬方法について注意する必要があります 静電気対策の例については 表 をご参照ください 表 静電気対策 ( 例 ) 対象 内容 作業環境 湿度 加湿器を使用して 45~70%RH を保つ 除電 適切な除電装置を使用して 100V 以下に抑える 床 導電床 ( 導電シート ) を敷設する 座席 導電性のカバーを被せる 絶縁物 誘電体 帯電した絶縁体や誘電体により静電誘導の恐れがあるのでデバイスには近接させない 保管環境 実装後の基板 コネクタを短絡バーなどで短絡させる 容器 ラック 導電性のものを使用する 収納ケース 当社指定のものを使用する 保管棚 導電シートなどを貼り 金属部を露出させない 作業者 リストストラップ 人体側に 1MΩ 程度の抵抗を入れる ( 感電防止と放電速度の抑制 ) 靴 作業着 導電靴や帯電防止服を着用する 設備 治工具 設備 接地を行う 搬送部 デバイス端子に接触する可能性のある部分は導電性材料を貼る はんだごて こて先を 1MΩ 程度の抵抗で接地する 運搬方法 コンテナ 導電性コンテナを使用する 台車 表面に導電性シートを敷く 導電性ゴムなどで台車全体を接地する 梱包方法について (1) 収納ケース ( トレイ リール チューブ ) 当社が使用している収納ケースは 運搬状態 周辺環境にかかわらず初期品質を保持できるように配慮した材料や構造を採用しています 従って デバイスをご使用になるまで当社指定の収納ケースから取り出さないようにしてください 5-14

83 第 5 章当社製品ご使用上の注意 止むを得ず取り出す場合には 必ず当社指定の収納ケースに戻すようにしてください 推奨していない収納ケースを用いると 端子 ( リード ランド バンプおよびボール ) の破損 汚損などによる実装不良が懸念されます そのような場合には 当社営業担当にお問い合わせください デバイスを収納ケースから取り出すときは 静電気とリード曲がりにご注意ください (2) 包装 ( 結束バンド 梱包袋 化粧箱 段ボールなど ) 収納ケースの梱包は 当社指定の梱包材料をご使用ください 当社指定のもの以外のご使用は推奨いたしませんので その必要がある場合は当社営業担当にお問い合わせください 特に 防湿梱包品の場合はデバイスをご使用になるまで開封せずに保管してください 当社では 運搬状況にかかわらず製品の信頼性を維持できるよう 梱包材料や梱包方法を選定しています また 段ボール箱などには外装表示をしていますので 取り扱いの際には従ってください 外装表示については図 をご参照ください a) 取扱注意 b) 静電気注意 c) 箱の方向 d) 壊れ物注意 e) 手かぎ禁止 f) 水ぬれ注意 図 外装表示 5-15

84 第 5 章当社製品ご使用上の注意 保管方法について (1) 保管場所の環境 a) 半導体デバイスを保管する場所の温度および湿度は 以下の環境を推奨いたします LSI 製品の場合温度 :5~30 湿度 :70%RH 以下 センサー製品の場合温度 :5~35 湿度 :40~85%RH 加湿器により加湿する必要がある場合は純水や煮沸水を使用してください 水道水を使用すると含まれている塩素によりデバイスの端子が錆びることがあります b) 腐食性ガスが発生する場所や ほこりの多いところは避けてください c) 急激な温度変化のある場所ではデバイスが結露する可能性があります 従って このような環境を避けて できるだけ温度変化の少ない場所に保管してください また 直射日光や強い光が当たる環境も避けてください (2) 保管状態 a) 収納ケースや化粧箱 段ボールなどを積み重ねるときは 収納しているデバイスに荷重がかからないよう注意してください 重量物を乗せることは避けてください b) 半導体デバイスの外部端子は未加工の状態で保管してください リード曲げ加工を行った状態で保管すると 屈曲部に錆が発生してはんだ付け不良の原因となる場合があります c) 半導体デバイスの近傍には 有機ゴム素材を用いた物品を置かないようにしてください 有機ゴム素材から放出される硫黄が端子を腐食させる恐れがあります ( 特に銀は硫黄と反応しやすいことが知られています ) 結束具や 滑り止め マットなどに用いられている素材には特にご注意ください (3) 長期保管半導体デバイスを長期保管した場合 開封した場合はもちろん 未開封の場合でも端子のはんだ付け性が悪くなったり 錆が発生したり あるいは電気的特性が不良になる恐れがあります 長期保管した当社製品をご使用になる前には 十分ご確認ください 運搬方法についてパッケージは薄型化 小型化が進んでいて 運搬中の衝撃などでリード曲がりやリード浮きが発生する可能性があります そこで 運搬に際しては次のような注意をお願いいたします a) 運搬中は外装表示に従い 正しい向きに置いてください 逆にする あるいは立てかけると不自然な力が加わり 破損する恐れがあります b) 梱包状態であっても 投げたり落としたりするとデバイスが破損する恐れがあります 5-16

85 第 5 章当社製品ご使用上の注意 c) 水に濡らさないようにする必要があります 降雨 降雪時には運搬中に濡らさないようご注意くだ さい d) 機械的振動や衝撃を 極力少なくしてください 評価時の注意 お客様での電気的な特性評価や実装検査を行う際 半導体デバイスの評価をするときは 静電気 ノイズ サージ電圧などについて十分注意してください 運搬 保管時には端子間を同電位にしておくことにより破壊を避けることができます 一方 デバイスの測定時や組み込み時には全端子が開放され 周囲に各端子が独立して接触する可能性が高くなります このため静電気 または電気設備からの漏電のある場合にはデバイス破壊の可能性があります 計測機器 ( カーブトレーサ シンクロスコープ パルス発生器 直流安定化電源など ) の端子 およびシャーシに交流電源などからの漏電がないよう十分管理してください 評価時は特に 1 テスターからのサージ電圧が印加されないようにする 2 テスターにはクランプ回路を入れる 3 電流源の駆動時における接触不良起因の異常電圧印加が起こらないようにする などの配慮をしてください また テスト時に 端子の誤接続 逆差し 端子間ショートなどが起きないようにしてください 基板の動作チェックを行う場合は動作チェック前に はんだブリッジ 異物ブリッジなどがないことを十分確認の上 電源を ON にしてください なおデバイスの種類によって注意点も異なりますので 不明な点は当社営業担当者にご相談ください 製品廃棄時の注意 半導体デバイス およびその梱包材料には さまざまな素材が用いられていますので 廃棄の際には 十分ご注意ください (1) 半導体デバイスの処分方法 半導体デバイスにはさまざまな物質が含まれていますので 産業廃棄物として適切な処理を行っ てください (2) 梱包材料の処分方法半導体デバイスの梱包には トレイやチューブ テーピングをはじめ 段ボールやビニール 結束具などがあります これらに用いられる材料は紙やプラスチックなどで 該当する法令 条例などに従って 分別のうえ焼却処分 埋設処理あるいは再資源化を行ってください 5-17

86 第 6 章付図 付録 第 6 章 付録 付図 6.1 参考資料 紛争鉱物 製品そのものや梱包材などに環境負荷物質の使用を避けるのは当然のことですが それらの原材料の調達についても配慮することが企業の社会的責任 (CSR) の一つとして求められ その一つの例として紛争鉱物 (Conflict Minerals) があげられます 紛争鉱物とは 錫 金 タンタル タングステンの四種類の鉱物のうち 特にコンゴ民主共和国およびその周辺九か国 ( アンゴラ ウガンダ コンゴ共和国 ザンビア 南スーダン タンザニア共和国 ブルンジ ルワンダ 中央アフリカ共和国 ) 由来のものをいい コンゴ民主共和国の反政府勢力の資金源とみなされています これらの鉱山で女性 児童を含んだ強制労働が行われるなど 人権侵害の温床となっていて 国連による制裁の対象となりました このような状況下で産出 流通されている原材料を使用することは その人権侵害を許容していると見なされ 欧米では紛争鉱物を使用していることを理由に企業が激しい抗議を受ける事態にも発生しています 2010 年 07 月 21 日に成立した米国金融規制改革法では紛争鉱物を製品に使用する企業が米証券取引委員会に対して報告義務を課せられ また 欧米の電子部品業界では EICC (Electronics Industry Code of Conduct: 電子業界行動規範 ) に基づいて 2012 年 01 月以降紛争鉱物を原則として米国内で購入しないことを決定するなど 今後は紛争鉱物の不使用が強く求められることが予想されます 現在 それらに対応して EICC 発行のテンプレートを利用しての調査が顕在化しています 特に EICC には有力なグローバル企業が多数加盟しているため 今後はこれらの企業にかかわるサプライチェーン絡みでテンプレートでの再調査が増えるものと推定されます 当社では これら業界の動きに連動して 製品に使用している対象物質について商流調査を実施し 紛争鉱物には該当しないことを確認しています 個別の製品につきましては お客様のご要望により EICC 発行のテンプレートの提出を行っていますので 営業担当にご連絡ください 6-1

87 第 6 章付図 付録 地域との共生 当社では社会との共生を目指すとともに 従業員の環境意識啓発を図っています (1) 植林活動当社では 各地で行われている植林活動に積極的に参加し 環境保全に協力しています (2) 清掃活動各工場では それぞれ工場周辺の道路や公園といった公共の場所の清掃を定期的に行っています 2001 年から クリーン作戦 として継続している FAB2 は 2010 年 06 月 07 日には環境省から 地域環境美化功績者表彰 を受けました ( 図 は表彰状です ) 図 地域環境美化功労者表彰状 6-2

88 第 6 章付図 付録 6.2 各工場の国際規格適合状況 当社各工場の国際規格適合状況については 表 をご参照ください 表 各工場の国際規格適合状況 FAB1 FAB2 FAB3 FAB5 FABFP ISO 9001 登録証番号 JQA-0899 有効期限 2017 年 07 月 14 日 ISO/TS 登録証番号 JQA-AU JQA-AU JQA-AU (IATF: ) (IATF: ) (IATF: ) - - 有効期限 2017 年 07 月 10 日 ISO 登録証番号 JQA-EM0561 JQA-EM0302 JQA-EM6851 JQA-EM0561 有効期限 2017 年 10 月 21 日 2016 年 12 月 24 日 2016 年 11 月 01 日 2017 年 10 月 21 日 6-3

89 第 6 章付図 付録 6.3 当社提供資料の解説 当社では お客様の要望により製品の品質 および環境にかかわる資料を随時提供しています 当社 がお客様に提供する資料について 各項の例をご参照ください QC 工程図 QC 工程図は 製造プロセスの各段階において 管理する項目や方法などについて表にまとめたもので す QC 工程図の例は 図 をご参照ください 工程フロー図 ( 記号は JIS Z 8206 に準拠 ) 工程で使用される原材料 製品名 工程名各工程で管理される項目管理のための手段管理を行う頻度 工程は ウエハ工程 パッケージ ( アセンブリ ) 工程 検査工程に分けています 各工程を受け持つ工場 図 QC 工程図 ( 例 ) 6-4

90 第 6 章付図 付録 信頼性試験結果 製品の信頼性試験結果の例は 図 をご参照ください ( 記載されている試験項目が 高温 / 低温動 作試験 高温保存試験 リフロー耐熱試験などの例です ) ウエハプロセスとパッケージタイプ 製品名 試験条件 サンプル数 試験項目 試験結果経過時間 ( サイクル ) 不良個数 図 信頼性データ ( 例 ) 6-5

91 第 6 章付図 付録 推定市場故障率 故障率の推定にはアレニウスモデル ( 第 2 章 項参照 ) を使用しています 製品の推定故障率の資 料には 算出の根拠と 信頼水準 60% における算出結果を記載しています 推定市場故障率に関する資 料については 図 をご参照ください 製品名 故障率算出の根拠 故障率算出の条件 推定故障率 図 推定市場故障率 ( 例 ) 6-6

92 第 6 章付図 付録 包装仕様 完成した製品をお客様にお届けする際の包装仕様については エンボステープ トレイ チューブといった容器への収納方法 それらの容器を梱包袋 そして外装箱に梱包する梱包方法について定め 記載しています 包装仕様に関する資料については 図 をご参照ください ( エンボステープを使用した製品の一例です ) パッケージ名 梱包仕様 ( エンボステーピングを使用する場合 JIS C に準拠しています ) 図 テーピング仕様 ( 例 ; 一部抜粋 ) 6-7

93 第 6 章付図 付録 パッケージの熱抵抗 製品の熱抵抗については 第 5 章 をご参照ください 図 に一例を示します 製品名 シミュレーションの条件 シミュレーションによる熱抵抗値 図 熱抵抗値についての資料 ( 例 ) 難燃性 製品の難燃性については パッケージの材質 発火する材質かどうか UL 規格に基づく難燃グレード を資料に記載しています 難燃性に関する資料については 図 をご参照ください 製品の材質難燃グレード 製品名 図 パッケージの難燃性 ( 例 ) 6-8

94 第 6 章付図 付録 FMEA (Failure Mode and Effects Analysis) FMEA (Failure Mode and Effects Analysis) の 当社の一例について 図 をご参照ください 製品名 機能 機能ごとに分析を実施 図 FMEA ( 例 ; 一部抜粋 ) 6-9

95 第 6 章付図 付録 ESD (Electrostatic Discharge) 製品の ESD (Electrostatic Discharge: 静電気放電 ) 耐性の様式については図 をご参照ください 製品名 ウエハプロセスパッケージタイプ 試験条件 個数 試験結果 図 ESD データ ( 例 ) 6-10

96 第 6 章付図 付録 推奨ランドパターン ランドパターンについては 第 5 章 をご参照ください 図 に当社が推奨するランドパタ ーンに関する資料の一例を示します 製品名 推奨ランドパターン 図 推奨ランドパターン ( 例 ) 6-11

97 第 6 章付図 付録 パッケージ断面図 製品内部の模式図を示すのがパッケージ断面図です パッケージ断面図については 図 をご参 照ください なお 断面図は模式的に内部構造を示したものですので 実際の寸法とは合致しません 製品名 ウエハプロセスパッケージタイプ パッケージ断面図 ( 模式図 ) パッケージ構成材料 / 仕様 図 パッケージ断面図 ( 例 ) 6-12

98 第 6 章付図 付録 パッケージ図 マーキング図 製品のパッケージおよびマーキングについて示すのが パッケージ図およびマーキング図です パッ ケージ図およびマーキング図については 図 をご参照ください 製品名 パッケージ図 マーキング図 図 パッケージ図およびマーキング図 ( 例 ) 6-13

99 第 6 章付図 付録 分析データ 製品を構成する物質について環境負荷物質が含まれていないか 分析機関にて成分分析を実施した結 果を記載したのが分析データ表です 分析データについては 図 をご参照ください 2 枚目以降 : 検査機関の分析結果報告書 ( 例 :SGS) 製品名 報告する部位 図 分析データ ( 例 ; 一部抜粋 ) 6-14

100 第 6 章付図 付録 成分表 製品を構成する物質について 一覧表形式で提供するのが成分表です 成分表については 図 をご参照ください 例示した成分表はパッケージ全体のものですが モールド樹脂 リードフレームと いった部位ごとの成分表も提供可能です 製品名 製品重量 部位および使用目的 含有物質 部位ごとの含有量および含有量 図 成分表 ( 例 ) 6-15

101 第 6 章付図 付録 不使用証明書 特定の環境負荷物質について 当社の製品にそれらが使用されていないことを証明する書類が不使用 証明書です 図 に不使用証明書の例を示します 対象となる物質 ( 群 ) 製品名 図 不使用証明書 ( 例 ) 6-16

102 第 6 章付図 付録 RoHS 指令適合証明書 製品中に RoHS 指令対象物質が含まれていないことを示す証明書の例は 図 をご参照ください 製品名 RoHS 規制物質と閾値 分析結果の報告書について 図 RoHS 指令適合証明書 ( 例 ) 6-17

103 第 6 章付図 付録 REACH 規制対象物質不使用証明書 REACH 規則に適合 すなわち SVHC ( 高懸念物質 ) が製品に使用されていないことを示す証明書の例 は 図 をご参照ください 2 枚目移行 SVHC 対象リスト 製品名 図 SVHC 不使用証明書 ( 例 ; 一部抜粋 ) 6-18

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