…_…C…I†[…h-C.ec9

Size: px
Start display at page:

Download "…_…C…I†[…h-C.ec9"

Transcription

1 Single Fa s t Re cove ry Diode D3FK60 外観図 OULINE Package:F Unit:mm 600V.A カソードマーク Cat hodemark 特長 小型 SMD 高耐圧 低 VF Fe ature Small SMD High Voltage Low VF 3FK 品名略号 ロット記号 ( 例 ) ypeno. Datecode 7.6 外形図については新電元 Web サイトをご参照下さい 捺印表示については捺印仕様をご確認下さい For details of the outline dimens ions, refer to our web s ite. As for the marking, refer to the specification "Marking, erminal Connection". 定格表 RAINGS 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings( 指定のない場合 l=5 ) 項目記号品名条件条件 ypeno. D3FK60 規格値単位 Item Symbol Conditions Conditions Ratings Unit 保存温度 Storageemperature 接合部温度 OperationJunctionemperature stg -55~50 j 50 せん頭逆電圧 ReverseVoltage M Maximum Hz 正弦波, 抵抗負荷, プリント基板実装 a=5 50Hzsinewave,Resistanceload,glass-epoxysubstratea=5 C substrate = C. 出力電流 Average Rectified Forward Current 50Hz 正弦波, 抵抗負荷, アルミナ基板実装 a=5 50Hz sine wave, Resistance load, alumina substrate a = 5 C.5 AverageRectifiedForwardCurent Io 50Hzsinewave,Resistanceload,aluminasubstratea=5 C.5 50Hz 正弦波, 抵抗負荷,l=93 50Hzsinewave,Resistanceload,l=93 C = C. せん頭サージ順電流 50Hz 正弦波, 非繰り返し サイクルせん頭値,j=5 PeakSurgeForwardCurent Current IFSM 50Hzsinewave,Non-repetitivecyclepeakvalue,j=5 C peak value, C 0 電流二乗時間積 CurentSquaredime Current I t ms t<0ms,j=5 0ms,j=5 7 V A A A s 電気的 熱的特性 Electrical Characteristics( 指定のない場合 l=5 ) 順電圧 ForwardVoltage パルス測定 VF IF=.A, I F パルス測定 逆電流 ReverseCurent IR Current =600V, V R パルス測定 MAX. MAX 0 逆回復時間 ReverseRecoveryime IF=A,IR=A,0.5IR Recovery trr I F R =A,0.5IR MAX 接合容量 JunctionCapacitance f=mhz,=0v Cj R =0V YP 37 熱抵抗 hermalresistance θjl θja 接合部 リード間 Junctiontolead to MAX 3 接合部 周囲間, アルミナ基板実装 Junctiontoambient,aluminasubstrate to alumina MAX 80 接合部 周囲間, プリント基板実装 Junctiontoambient,glass-epoxysubstrate to substrate MAX 5 V μa ns pf /W (J 53-P )

2 D3FK60 特性図 CHARACERISIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability IO Sinewave 0 D= tp D=tp/ 0ms0ms 0 j=50 cycle Non-repetiti ve 5 0. j=5 0. l=50 (MAX).5 l=50 (YP) l= 5 (MAX) 50 l= 5 (YP) ForwardVoltage VF V AverageRect ifi edforwardcurrentio A NumberofCycles cycle ディレーティングカーブ a-io ディレーティングカーブ a-io ディレーティングカーブ l-io Derating Curve a-io Derating Curve a-io Derating Curve l-io IO IO IO D= D= D=0.8 =M =M =M tp tp tp. D=tp/ D=tp/ D=tp/ 5. Onglass-epoxysubstrate.6 Onalu mina substrate Sol deringlandmm Sol deringlandmm Conductor layer35μm. 0. Conductor layer0μm Substratethickness0.64 t Ambientemperature a Ambientemperature a Leademperature l 接合容量 Junction Capacitance f=mhz c=5 YP ReverseVoltage V * Sinewave は 50Hz で測定しています * 50Hz s ine wave is us ed for meas urements. (J 53-P )

3 ご注意. ご採用に際しては 別途仕様書をご請求の上 ご確認をお願いいたします. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は 一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質 信頼度を要求される特 別 特定用途の機器 装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上 確認を得て下さい 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております 標準用途 コンピュータ OA 等の事務機器 通信用端末機器 計測器 AV 機器 アミューズメント機器 家電 工作機器 パーソナル機器 産業用機器等 特別用途 輸送機器 ( 車載 船舶等 ) 基幹用通信機器 交通信号機器 防災 / 防犯機器 各種安全機器 医療 機器等 特定用途 原子力制御システム 航空機器 航空宇宙機器 海底中継機器 生命維持のための装置 システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが 必要に応じ 安全性を考慮した冗長設計 延焼防止 設計 誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故 火災事故 社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい 4. 本資料に記載されている内容は 製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い 製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては 当社は一切その責任を負 いません 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません 7. 本資料に記載されている製品が 外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合 輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします

4 .Ifyouwish touseanysuch product, please besure torefer tothespecifications issued by.all described herein aredesigned aquality level intended foruseinstanda requiring anordinary level ofreliability. Ifthese aretobeused in ordevice for special orspecific requiring anextremely high grade ofquality o reliability inwhich failure or malfunctions of maydirectly affect human life orhea lth, alocal must becontact inadvance toconfirm that theintended useoftheproduct isappropriate. aregroupe into thefollowing three according thequality grade. Standard Computers, automation commu nication terminals, test and measurement audio/visual amusement consumer electron machine tools, personal electronic industrial Special ransportation (vehicles, ships, ), trunk-line communication traffic signa control anti-disaster/crime safety medical Specific Nuclear reactor control aircraft, aerospace,submarine repeaters, life suppor and 3.Although Shind engen continuou slyendeavors toenhance thequalityandreli abil ityofits, custome areadvised toconsider andtake safety measures intheir desi gn,such asredundancy, fire containmen and anti-failure, sothat personal injury, fires, orsocietal dama gescanbeprevented. 4.Ple asenot ethatalinform atio ndescribed herei nissubject tochange out notice dueto product upgrades reasons. Whenbuying pro ducts, please contact thecompany ʼs s ordistributors t obtain thelatest information. 5. shall notbear anyresponsibility regards todamages orinfringement ofanythird-part paten intellectual property incurred duetotheuseofinformation website. 6.heinformation andmaterials website neither warrant theuseof's oranythird party ʼs patent intellectual property, norgrant license tosuch. 7.Inthevent that anyproduct described herein falsunder thecategory ofstrategic produc controlled under theforeign Exchange andforeign rade Contro llawofjapan, exporting ofsuch product shall require anexport license from thejapanese government inaccordance theabove law. 8.Noreprinting o reproduction ofthematerials website, either inwhole orinpart, ispermitted ou proper authorization from. Note

5 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: : D3FK D3FK D3FK60-503

uPC258,4558 DS

uPC258,4558 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

uPC1093 DS

uPC1093 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

XP233P1501TR-j.pdf

XP233P1501TR-j.pdf P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)

More information

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

More information

Visio-P85W28HP2F■仕様書(1SK )

Visio-P85W28HP2F■仕様書(1SK ) 定格表 RATINGS 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings ( 指定のない場合はTc=25 / unless otherwise specified ) 項目 記号 条件 規格値 単位 Item Symbol Conditions Ratings Unit 保存温度 Storage Temperature Tstg -55~150 チャネル温度 Channel Temperature

More information

RD2.0S~RD150S DS

RD2.0S~RD150S DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

XP231P0201TR-j.pdf

XP231P0201TR-j.pdf Pchannel MOSFET 3V,.2A JTR11381 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=5Ω@VGS =4.5V : 2.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT23(TO236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT23(TO236)

More information

uPA2000 Series DS

uPA2000 Series DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

2SC1213, 2SC1213A データシート

2SC1213, 2SC1213A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

More information

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

More information

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

More information

HD74LV2G74A

HD74LV2G74A お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NE エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

2SD667. 2SD667A データシート

2SD667. 2SD667A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

TRS3E65F_J_

TRS3E65F_J_ SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図

More information

2SC458, 2SC2308 データシート

2SC458, 2SC2308 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

2SC460, 2SC461 データシート

2SC460, 2SC461 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

HD74LV2GT34A

HD74LV2GT34A お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

More information

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181

More information

AC08DSMA, AC08FSMA DS

AC08DSMA, AC08FSMA DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項 THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature

More information

FCHS30A08.pdf

FCHS30A08.pdf Schottky Barrier Diode FCHS30A08 TO-220 Full-Mold 特長 / Features アプリケーション / Applications 低 IR 二次側整流 Low leakage current Secondary side rectification 高周波動作 High frequency operation RoHS 指令対応 RoHS compliant

More information

2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート

2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

CR02AM-8 データシート <TO-92>

CR02AM-8 データシート <TO-92> お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

More information

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです

More information

2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート

2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項 THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature

More information

DF10G5M4N_J_

DF10G5M4N_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :

More information

RFN5TF6S : ダイオード

RFN5TF6S : ダイオード スーパーファストリカバリダイオード シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 回路図 Standard Fast Recovery 用途 カソード アノード 一般整流用 RFN5 TF6S 特長 ) 低逆回復損失 ) 高電流耐量 構造 シリコンエピタキシャル プレーナ型 ROHM : TO0NFM : 製造年 : 製造週 梱包仕様 (Unit : mm) 7 540 34.5 絶対最大定格 (T

More information

HD74HCT564, HD74HCT574

HD74HCT564, HD74HCT574 ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり

More information

2SJ351,2SJ352 データシート

2SJ351,2SJ352 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

DF2B29FU_J_

DF2B29FU_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:

More information

スライド タイトルなし

スライド タイトルなし 特長 パッケージ 製品の特長 2125(t=0.8 mm) タイプ 乳白色樹脂 外形 2.0 x 1.25 x 0.8mm ( L x W x H ) 温度範囲仕様保存温度 :-40 ~100 動作温度 :-40 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 指向半値角 Green Yellow Green Yellow Orange Red BG PG PY AY AA BR :

More information

TC74HC00AP/AF

TC74HC00AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

More information

DF2B6.8FS_J_

DF2B6.8FS_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格

More information

HD74LS54 データシート

HD74LS54 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

2SC5200N_J_

2SC5200N_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (

More information

FJ4B0111

FJ4B0111 Single P-channel For Load switching circuits 0.60 4 3 Unit: mm Features Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 141 m ( VGS = -2.5 V ) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)

More information

2SK2313

2SK2313 東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な

More information

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt 8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=

More information

pc910l0nsz_j

pc910l0nsz_j PC90L0NSZ0F PC90L0NSZ0F µ µ µ PC90L PC90L Date Sep.. 00 SHARP Corporation 7 NC Anode Cathode NC 7 GND V O (Open collector) V E (Enable) V CC H H L L H H H L H L L H L: (0) H: () PC90L0NSZ0F PC90L0YSZ0F

More information

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

FK9B0439ZL

FK9B0439ZL Single N-channel Mark Identifier.94 Unit: mm Features Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ. = 9.5 mω ( VGS = V ) CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS / UL-94 V- /

More information

TTD1415B_J_

TTD1415B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 大電力スイッチング用 ハンマードライブ用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = 3 V, I C = 3 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い : V CE(sat) = 1.5 V ( 最大 ) (I C = 3 A, I B = 6 ma) (3) TTB1020Bとコンプリメンタリ

More information

MTM13227

MTM13227 シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

More information

FC741E2_091201

FC741E2_091201 T101-1587-04 1 2 2 0 0 9 2 0 0 8 0 9 0 1 0 5 0 9 1 4 0 5 1 0 5 5 1 2 3 4 4 5 6 7 8 9 1 2 3 0 3 3 0 2 1 1 5 0 1 3 3 3 0 2 0 3 0 3 4 0 9 1 1 0 9 0 9 1 1 5

More information

TTD1409B_J_

TTD1409B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため

More information

TC74HC14AP/AF

TC74HC14AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

More information

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

More information

HD74AC00 データシート

HD74AC00 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 200 年 4 月 日を以って NC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.rnsas.om)

More information

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

More information

TTC004B_J_

TTC004B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.

More information

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

More information

TC4093BP/BF

TC4093BP/BF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND

More information

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10 端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

More information

TC7WT126FU

TC7WT126FU 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

More information

2SK1669 データシート

2SK1669 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc IR0 赤外線センサ 特長 旭化成赤外線センサ IR0 は 常温で動作することを特徴とした超小型 表面実装対応の量子型赤外線センサです 自社のホール素子製造技術をベースにした InSb 薄膜からフォトダイオードを作成 これを太陽電池モードで動作させることにより 高感度 高速応答性 直流出力 フィルター不要等の量子型赤外線センサの特徴はそのままに 無バイアスで赤外線を検知できます 人体検知 非接触温度測定

More information

FK4B0112

FK4B0112 Single N-channel For Load switching circuits.0 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 7m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

FK4B0111

FK4B0111 Established : 204-03-24 Doc No. TT4-EA-4955 Revision. Single N-channel For Load switching circuits 0.60 Unit: mm 4 3 Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size

More information

RFN1LAM6S : ダイオード

RFN1LAM6S : ダイオード スーパーファストリカバリダイオード シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) Standard Fast Recovery 2.50±0.20 0.7± 0. 0.05 2.0 ().4 用途 一般整流用 3.70±0.20 4.70±0.4 PMDTM 4.4 特長 (2) 回路図 カソード ) 低 V F.50±0.20 0.95±0. 2) 低逆回復損失

More information

TC7SET08FU_J_

TC7SET08FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )

More information

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します

More information

PS8501,PS8501L1,PS8501L2,PS8501L3 DS

PS8501,PS8501L1,PS8501L2,PS8501L3  DS Photocoupler PS8501,PS8501L1,PS8501L2,PS8501L3 1 Mbps 8 mm 8 DIP NEPOC PS8501, PS8501L1, PS8501L2, PS8501L3 GaAlAs PN 8 DIP PS8501L1 PS8501 PS8501L2 PS8501 PS8501L3 PS8501 8 mm MIN. PS8501L1, PS8501L2

More information

FA6K3342ZL

FA6K3342ZL Zener Diode installed separate type dual P-channel For passive cell balancing circuits 2.0 0.2 Unit : mm 0.13 Features Build in Gate Resistor Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 280 mω (VGS

More information

スライド タイトルなし

スライド タイトルなし 特長 パッケージ製品の特長ドミナント波長 2 色発光サイドビュー (3.0 x 2.0mm) タイプ 乳白色樹脂 外形 3.0 x 2.0 x 1.0mm ( L x W x H ) 温度範囲仕様保存温度 :-40 ~100 動作温度 :-40 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 Green Yellow Green Yellow Red : 567nm(PG) : 572nm(PY)

More information

FK4B0110

FK4B0110 Single N-channel For oad switching circuits 0.80 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

2SJ181(L),2SJ181(S) データシート

2SJ181(L),2SJ181(S) データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

FMKS-2052

FMKS-2052 V RM = 200 V, IF=5A, 10A, 15A 温度検出機能付き高速整流ダイオード データシート 概要 は 温度検出機能付きの高速整流ダイオードです 高速整流ダイオードと温度検知用ショットキーバリアダイオードを同じチップに搭載しています これにより サーミスタを使用した温度検出よりも高い精度の温度が検出でき 部品削減 省スペース化 取り付け工数の低減に貢献します パッケージ TO220F-3L

More information

TTB1067B_J_

TTB1067B_J_ バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )

More information

FC6K3339ZL

FC6K3339ZL Features Build in Gate Resistor, Gate-source Resistor and Zener Diode Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 200 mω (VGS = 4.5 V) AEC-Q101 qualified Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS /

More information

V850ES/KE2, V850ES/KF2, V850ES/KG2, V850ES/KJ2 デバイス・ファイル DF (V1.00) ユーザーズ・マニュアル

V850ES/KE2, V850ES/KF2, V850ES/KG2, V850ES/KJ2 デバイス・ファイル DF (V1.00) ユーザーズ・マニュアル お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

PS2802-1,PS DS

PS2802-1,PS DS Photocoupler SSOP NEPOC PS2802-1, PS2802-4 GaAs LED IC BV = 2 500 Vr.m.s. 4, 16 SSOP 1.27 mm CTR = 2 000% TYP. @ IF = 1 ma, VCE = 2 V PS2802-1-F3, F4, PS2802-4-F3, F4 PS2802-1, -4 UL File No. E72422 BSI

More information

RRE02VTM4SFH : Diodes

RRE02VTM4SFH : Diodes 整流ダイオード AEC-Q0 準拠 シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) Standard Rectifier.40±0.0 0.7 0.0 0.05. 用途一般整流用 特長 2.00±0.0 2.50±0.20 0~0.0 回路図 0.8 TUMD2SM 2.3 カソード ) 低 V F 2) 小型モールドタイプ (TUMD2SM) 0.80±0.05

More information

TC7SHU04FU_J_

TC7SHU04FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25

More information

RR1LAM4S : ダイオード

RR1LAM4S : ダイオード 整流ダイオード RRLAM4S シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) Standard Rectifier 2.50±0.20 0.7± 0.0 0.05 2.0 ().4 用途 一般整流用 3.70±0.20 4.70±0.4 PMDTM 4.4 特長 (2) 回路図 カソード ) 低 V F.50±0.20 0.95±0.0 2) 高電流耐量

More information

HD74AC86, HD74ACT86

HD74AC86, HD74ACT86 お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc 3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.

More information

TC7SET125FU_J_

TC7SET125FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力

More information

GT40QR21_J_

GT40QR21_J_ ディスクリート IGBT シリコン N チャネル IGBT 1. 用途 電圧共振インバータスイッチング専用 注意 : 本資料に掲載されている製品を上記以外の用途に使用しないでください 2. 特長 (1) 第 6.5 世代品 (2) RC 構造によるダイオード内蔵 (3) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ (4) スイッチング時間が速い IGBT : t f = 0.20 µs ( 標準 ) (I

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC7W139F,TC7W139FU 2-to-4 Line Decoder TC7W139 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 4 出力デコーダです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます A B 2 本のバイナリアドレス入力により選択された出力のみ L レベルとなります 非選択の出力はすべて

More information

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電 3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵

More information

TC7SZU04AFS_J_

TC7SZU04AFS_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,

More information

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

More information

FC8V2215

FC8V2215 ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3

More information

RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q Q

RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q Q RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q41454351000200 Q41454361000200 本マニュアルのご使用につきましては 次の点にご留意願います 1) 本カタログの内容については 予告なく変更することがあります 量産設計の際は最新情報をご確認ください 2) 本カタログの一部 または全部を弊社に無断で転載

More information

TC74HC4017AP/AF

TC74HC4017AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により

More information

RBR3MM30ATF : ダイオード

RBR3MM30ATF : ダイオード ショットキーバリアダイオード RBR3MM3ATF Datasheet AEC-Q 準拠 用途 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) 一般整流用.6±..±..5.2 特長 ) 小型パワーモールドタイプ (PMDU) 2.6±..85 3.5±.2 3.5±.2 3.5 2) 高信頼度 3) 低 V F.9±. ROHM : PMDU JEDEC : SOD-23FL

More information

FCAB2135

FCAB2135 Established : 205-05-9 Doc No. TT4-EA-503 Revision. FCAB2350L FCAB2350L Gate resistor installed Dual N-channel For lithium-ion secondary battery protection circuits 3.05 6 5 4 Unit: mm Features Low source-source

More information

DF2B26M4SL_J_

DF2B26M4SL_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32

More information

PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 DS

PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1  DS Photocoupler PS2561D-1,PS2561DL-1 PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 110 C DIP NEPOC PS2561D-1 GaAs LED PS2561DL-1 PS2561D-1 PS2561DL1-1 PS2561D-1 PS2561DL2-1 PS2561D-1 110 C BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V CTR =

More information

V850ES/HE3, V850ES/HF3, V850ES/HG3, V850ES/HJ3 デバイス・ファイル DF703757(V1.01) ユーザーズ・マニュアル

V850ES/HE3, V850ES/HF3, V850ES/HG3, V850ES/HJ3 デバイス・ファイル DF703757(V1.01) ユーザーズ・マニュアル お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source

FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source All in one N-channel Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source resistor and zener diode CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS

More information

Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt

Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm

More information

V850ES/FE3-L,V850ES/FF3-L,V850ES/FG3-L デバイス・ファイル DF703622(V1.00)ユーザーズ・マニュアル

V850ES/FE3-L,V850ES/FF3-L,V850ES/FG3-L デバイス・ファイル DF703622(V1.00)ユーザーズ・マニュアル お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

2SK2796(L),2SK2796(S) データシート

2SK2796(L),2SK2796(S) データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,

More information