240 イオントラップ GC/MS 内部イオン化ユーザーガイド

Transcription

1 Agilent 240 イオントラップ GC/MS 内部イオン化ユーザーガイド Agilent Technologies

2 注意 Agilent Technologies, Inc èêôòõîöêû ëý ýçíë ýêíéêþ èíêçíœagilent Technologies, Inc. ê êííøûê êçœèê ôòõîöêøûìéëÿûîæçê í ûòžñíòž ñê ø ìéë ëê êê æíæ ëæçêíúýêíéêì èí èêç èíêæìèœ マニュアル番号 G エディション 1 œ2011 年 5 ù Printed in USA Agilent Technologies, Inc Stevens Creek Boulevard Santa Clara, CA USA 保証 èêôòõîöêû ë ê ìì èííèêîû êè êçíœ ê ê êç 変更されることがあります ま éœagilent は適 される法律に íéê èíí êçæ êœèêôòõîöçíëéíê ìíí êüèœ ê í ûÿ êúèí ù ëê êþ î ìœìéœéíê ûèíêæèìêêþ îý 的か暗黙的かを問わず 切いた èìéîœagilent ëœèêôòõ îöìéëèêôòõîöê èíêæí ê œ ÿìé は実 に関連して じた過誤 付 û æíæëû û êú する責任を 切負いません Agilent êç êûê êí í ê ÿçæíœèêôòõî öêû êúèíþ çèè ê èíêæí ê èí ùùëœ êù èíé ÿêþ ç ÿèíìèœ テクノロジライセンス ê èíêæíóžòïïî / ñóòïïîëõïñöñê êæ ê èííìêêæíœççíõ ïñöñê ê éé ÿìéë èç èíìéîœ 制限付き権利について ñóòïïîçý ú ê ê ÿìéëý ÿêþ ê ÿèí íùùœñóòïïîëœdfar 年 6 ù êû è íé øÿðöóõžññóò ïïî êèêœìéë FAR a êû èíé øÿ þ ê èêœæíæë FAR 年 6 ù ìéëèíê èí üê í ÿ êû èíé èíéðöóõžñ ñóòïïî êèê èíœõïñöñ è íìèœñóòïïîê ÿœ œ ìéëú ëœagilent Technologies ê øõïñöñê æœý ú 府の非国防総省および関連機関が FAR (c) (1-2) 1987 年 6 ù ê 定義された制限付き権利以上のものを èíèêëæíìéîœý ú êõžðžëœèìêê òžñ ê ÿèííœfar 年 6 ù ìéë DFAR (b) (2) 1995 年 11 ù êû èíé Limited Rights 以上の権利を得ることはできま éîœ 安全にご使用いただくために 注意 ëœ í æøœ ç æíèêî èìèœ èç 実 しなかったり 指 を遵 èêæêœ ëê ì éë êæéíçéíêæ る操作 順や 為に対する î èôžðêèœ è れた条件を 分に理解し 条 ç éèííìêœ î èê ê îêëêíì éîœ 警告 ëœ í æøœ ç æíèêî èìèœ èç 実 しなかったり 指 を遵 èêæêœ ëê ì éë êæéíçéíêæ る操作 順や 為に対する注 î èôžðêèœ è れた条件を 分に理解し 条 ç éèííìêœ î èê ê îêëêíì éîœ

3 目次 1 サンプル分析 6 ðöôöê úêïïöþ8 óõðõöòþ8 ïïöê ÿê 8 Ion Preparation 8 ïïöêù ê ø9 ûïïöþ EI 10 ïïö 10 Ion Preparation ïôðõö11 ïïöêñïõöêííôññôðòö 11 ライブラリサーチとデータ処理 12 þÿïïöþ CI 13 ïñïïöú 13 ôñòîô CI 14 Ion Preparation ïôðõö15 ïïöêñïõöêííôññôðòö 15 õïôõöðžñ15 þ êéæê15 EI çíë PCI ê ÿêíí ê 16 CI ê û17 þ ê í è17 ïñ ê í è19 ïžòñõžö19 òžñ û22 Status and control 22 õñòòêîðòîôþ23 ðöðöðöôöê ú23 ðöôööñòçíê ú25 ù ñòžññêõòñ26 2 機器の始動 êý GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 3

4 ñòžññêñïòð28 òñò29 システム温度の設定 30 ññžòîòôêðõòòñïö31 ÿ êñõžòöð32 3 メソッドの作成 4 モード変更 ûèæõñòòïîðžòê ÿ36 õñòòê ûî èí GC/MS ðöóîðöžðõö39 ûòžññïô39 õñòòñðõöòê 40 ôòõîöðöòöžöêçèíõñòòê 48 ûçíûûë53 óïôöòòçíûûë53 ハードウェア変更の影響 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

5 Agilent 240 ïïöòõòô GC/MS ôññôðòöõžñ ûûïïöþõžðžïïò 1 サンプル分析 6 ðöôöê úêïïöþ8 ûïïöþ EI 10 þÿïïöþ CI 13 CI ê û17 òžñ û22 Agilent Technologies

6 1 ðöôöù 概要 ûûïïöþëœ240 GC/MS ðñòõê 3 éêðöóîðöž ðõöêæéê 1 éêèœ ûïïöþ EI ìéëôñòî ôþÿïïöþ PCI ê ÿèíèêçêçìèœ ûïïö 化コンフィグレーションとは異なり シングルサンプルランの èìèìêñïõñðõöòøê EI ìéë PCI òžñî ê çìèœûûïïöþî ÿèêœóïòîôþÿòžñ NCI î èíèêëêçìéîœ Ion Preparation 技術は イオン化の後 イオン分析の前に実 êçìèœèíêë ýç ìíìèœ þ ûïïöñòöžñ SIS ïôðõöêñóòïïîê ë ýêýíêèœ ñöòõôññôðòöõòöž Automatic Methods Development (AMD) MS/MS MS n Multiple Reaction Monitoring MRM ëœ 240 GC/MS ñóòïïîôöô î èêçéèæœ 240 GC/MS ëœïïöòõòôîòõïðêèœïïöòõò プは単 領域内にイオンを閉じ込め 時間的に電磁場をコントロールしてイオンの処理を っていきます 7 ôžñê 1 ëœ êø êæíïïöòõòôêèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

7 ðöôöù 1 àûâáãß ÜãßÜâÞà E.M. ÜãßÜâÞà EM àûâáãß Ž Ýäß ßâãÝàÛ âûãþþà âãýž H.E.D. 1 ïïöòõòô 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 7

8 1 ðöôöù サンプルの導入とイオン化 フラグメント化 イオンの移動と蓄積 Ion Preparation ïõóõöïõõêðöôöëœòõöñóîõïöîýèê ïïöòõòôîòõïðê úèíìèœðöôöëœ ý のいずれかのメソッドにより 質量分析計でイオン化されます ûïïöþ EI œðöôöùûêïóöðžî ëé û çëéçíœùûê çí ûî èêùûïïöî èìèœ ôñòîôþÿïïöþ PCI œ ïñëïïöòõòô ê úèíœ はそのガス上で実 されて 試薬イオンを ú èìèœ ïïöëèíêœðöôöùûêïïö-ù 反応を い サンプル分 のイオンとそのフラグメントを ú èìèœ ùûïïöê ê ûïïöþûê éé ûûïóö ðžê èêœ ùûçèíêù èíóõðõöòïïöê ø ùûçú èííùùçæíìèœ ùûêù ëœîè かな分 振動の時間尺度であるピコ秒単位で発 し 事実上イ ïöþêúûêúèìèœ ùûïïöêóõðõöòïïöëœïïöòõòô ûêþ èíœ ûþèìèœéííëœööð êïöòïõòô ê èíé êíí ûèíé ûî ÿèìèœ û ûê èíôöïõóòóîïñë îííðöóðòê し スキャンを ったときにマスピークの分離をよりよくします ヘリウムは軽量で MS ù î ýèéêæéìœóòóî ïñêèê ÿèíìèœôöïõïïöëòõòôûê è íìèçœú èííêèçê ûê èíìèœ ïïöçòõòôêþ èíéûœèííêúèí êêíì èœion Preparation の例には タンデムマススペクトロメトリー MS/MS çíëþ ûïïöñòöžñ SIS êêçæíì èœion Preparation メソッドの利点は 他のサンプル前処理と同 œóòððõïöòóïñ íþ ê êêêèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

9 ðöôöù 1 イオンの分析と検出 èíéïïöëœööð ê çí RF îúæú ê することにより不安定な状態になります 低質量から 質量まで イオンは連続的に不安定化され トラップから排出されま èœ ûê ê ê îïöòïõòô ê すると 質量分解能が改善されます 排出後 イオンはコン óžñõöñïóžòê èœéêû EM êððòöê 処理が われます 詳細は 240 ñóòïïî ôöô î èêçéèæœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 9

10 1 ðöôöù 電子イオン化 (EI) ûû ûïïöþëœ240 MS êìéêìø ûêõžòêèœ ðöôöêïïöþœóõðõöòþœþ œçíëñïõö êñòòôèìêçœïïöòõòôûêúúèìèœ ûï ïöþëœþù êóõðõöòîú èœ êíæê ñôðòöî èìèœþ ûêëêçœ èíèìêê þù êïïöî èìèœei は 感度で 感度は Ion Preparation î ÿèê ïïöî èíèêêííè íê êçìèœ イオン形成 EI êëœ ûëïïöþêêçêëëïïöòõòô ûûê èêðžòîýèê úèíìèœèííê ûëœòõž òõöêðöôö ìéëù ú ùû A ê èœ ûî í æêïóöðžûê èéùûïïö A +* î èì èœ èéùûïïöêøûëœôöïõêê îýèê þèìèçœéê ê ùûïïöë ùûù îÿê + èìèìêóõðõöòïïö f i î èìèœðöôö ùûê êæíóõðõöòïïöêñòòçœôññôð òöî èìèœ A + e - A +* + 2e - ïïöþ A +* ë èêæìè He A +* A + A +* f n 1 þ f n 2 f n 3 óõðõöòþ イオントラップには それを超えると質量分解能とスペクトル品質が低下する最 蓄積容量があります 成されるイオンの ëœïïöþûûê èìèœïïöþûûç èíì êœú èííïïöë çêíìèœùÿðïöðöòöž ö AGC ëœïïöþûûîðöòöžöèœòõòôê ê êïïöîú èìèœ AGC ñïõö ëœôöñïõöçíë 6 éêù ñ ïõöñðõöòê èíêæìèœôöñïõöê øè íéïïöê ëœù ñïõöêïïöþûûê ê ÿ èíìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

11 ðöôöù 1 Ion Preparation オプション 240 MS ëœú ûïïöòõòôûê èíéïïöçí 定のイオンを単離したり 排除したりすることが可能なウェー ôóïžõîïïöòõòô ê çíèêçêçìèœ 質量分析を う前に 選択的イオンストレージ (SIS íñöò õôññôðòöõòöž MS/MS êêêïôðõö î トラップ内に貯蔵されたイオンに対して うことができます SIS では 共鳴ウェーブフォームが与えられ 貯蔵された質量範囲内のイオンから不要なものを排出し 目的の質量範囲のイオン êìêòõòôî éèìèœms/ms êëœôöïžðïïö が単離され さらにヘリウムバッファガスを使 したコリジョンにより解離されて プロダクトイオンを形成します ûûðöóîðöžðõöê Ion Preparation ïôðõöêëœ SISœMS/MSœMS n œçíë Multiple Reaction Monitoring MRM çæíìèœsis ëœèìêê 240 MS ê ìíì èœms/msœms n œçíë MRM ëœms/ms ïôðõöîïö ñòžöèéùùê ÿêçìèœ イオンのスキャンによるマススペクトル取得 ïïöþœòõòóöðœçíë Ion Preparation ñòòôê ûœïïöëòõòôçíðöóžñõöñïóžòê EM ê ñïõöîïòèíìèœïïöëœòõòô ûî ìöö ð êú RF) 電圧を加えることにより質量分離されます リング電極の電圧が増加すると イオンはその質量電荷 ê èêœòõòôçí øèíìèœù øêëïöò ïõòô ê ûêïïžôóïžõ ç çííœ 量分解能と質量安定性を向上させています イオンは -10 kvê ûèíéðöóžñõöñïóžòêëéçíœèíê û çðöóžñõöñïóžòçí EM ú ê øèíìèœð ðòöë EM êíéêÿ 10 5 èíœïöòðöžñîýè ê èíêœ m/z の強度値を取得します MS òžñëœ り込まれた質量範囲で各 m/z êïïö- 強度ペアのセットとして þ èíìèœ ù ñïõöèêêôññôðòöëþ è íìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 11

12 1 ðöôöù ûû EI êë 2 つのタイプの質量スキャンがあります 1 éìëœ æ ûïïöþûûêú èííïïöê î ïïöòèíôöñïõöêèœ ôöñïõöêïïöïïöòê êç ûœagc ôöñ ïõöîöðöñõê èíïïöþûûêïïöçú され 分析スキャンが実 されます 分析スキャンは最 6 éêñðõöòêùèíèêçêçœñðõöòêüþèí ïïöþûûîÿ èêœõñòòêñõžòöð þ ù DFTPP çíë BFB ê ý EPA êê êùîéí èêçêçìèœ ライブラリサーチとデータ処理 MS òžñöóõžêœôññôðòöî èìèœìêîê êùùë èíéñôðòöîöóîööñõïôõöê 較することにより 化合物の定性を います 質量と強度のリ ñòîœ ê ê èé ê èìèœèêöñòê ëœnist õïôõöœwiley MS õïôõöœçíë PMW õï ôõöç ìíìèœ çí ù ìêœ õïôõöê 焦点は異なります 240 GC/MS ðñòõê èé çíœ ïññõõïôõöî èíèêìêçìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

13 ðöôöù 1 化学イオン化 (CI) 試薬ガスイオン生成 þÿïïöþ CI) を うと 電 イオン化 (EI òžñî 完する質量スペクトルデータが得られ 複雑な化合物を分析で çííæêêíìèœïïöëœ2 ñòòôêôöññêú è íìèœ 1 CI ïñçœïïöòõòôîòõïðê úèíìèœ ïñçœei êíéêïïöþèíìèœ 2 ðöôöùûçœ ïïöêêïïö-ùû êííï ïöþèíìèœ CI êë EI ííìðöôöùûê çíïóöðžç êæè êçíœci ë EI ííì íçêïïöþêèœïïöþèí éðöôöùûç èíóõðõöòþëíí êçœùûï オンはより測定されやすくなります 分 量確認に加え CI ô ññôðòöëý œei ôññôðòöçíë ííêæ êæí ûê î èìèœ êñòòôêœóîõõöòêíí èíé ûêêÿ ÿêíéê ïñçïïöþèííêçêœ ïïö çú èíìèœïïöòõòôëœóöñûêÿ èìèœ èíí ïïöëïïöþóöñøêú èíœù ú êïïöîú èí øê èíìèœ ûûõžòêëœci ë þçïñêæèíçç êèœ ìéêìø ûê ëõñöœõñóžöœîñòòòööœ ïñôñöêèœ ïïöú ëœ êùùçæíìèœéêçëœõñöî ïñêèê ÿèíùùœ ïïöë ýêíæêú èìèœ ìèœõñöçïïöþèíœ ýê 2 éêø ïïöîú èìèœ CH 4 + e - (CH 4 )+ + 2e - CH 4 + e - CH e- + H - èííêø ïïöëèíêœ ê ç èœ ê ïïö CH + 5 çíë C 2 CH+ 5 îú èìèœ (CH 4 )+ + CH 4 CH CH 3 CH CH 4 C 2 CH+ 5 + H GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 13

14 1 ðöôöù ポジティブ CI 反応 2 ñòòôêëœ ïïöëïïöòõòôêðöôöùû ê èêœðöôöïïöîú èìèœ ïïöêðöô öùûûêëœ ýê 4 éê çæíìèœ (A) Proton transfer (RH) + + M (MH) + + R (B) Hydride abstraction R + + M (M H) + + RH (C) Association R + +z M (MR) + (D) Charge transfer R + + M M + + R R + ëœ ïïöœm ëòõžòõöðöôöùûî è ìèœ õñö CI êëœôöòö A ç êœ ê ç èíí ëóïòõïò ç ç B êèœæèíêùù êìœ êèêúèí ûïïöëý û ûèê おり 強 な (M+1 ìéë M-1 ïïöëœúè ùê EI ñôðòöçùûïïöî èêæùùêìœ èíìèœ 反応の発熱量は 成されるエネルギー量を決定します したがって フラグメント化の度合は 適切な CI ïñîþ è íèêêííðöòöžöêçìèœôöòö ìéëô ööñòòò êèê íííœæçéçêø ûê ïñ のプロトン親和 は 130 kcal/mol 200 kcal/mol êè õñ öœ œïñôñöœîöõòîê œîöõòîî ÿèí êœ ì ñóòê ïïöþêêíìèœø ûê þ CI 薬のうち メタノールのプロトン親和 は kcal/molœî ñòòòööêë 1862 kcal/mol です 適切な試薬ガスを選択することにより 目的の化合物の分 量情報だけでなく その êúþ óòððõïöòíôòöðñêíí ç þû ùííìïïöþèíêçæùù ç ííìèœ C) は 般に 反応速度が非常に遅く 反応 成物 êë ê êíí ûþç êèœ ïïöçù ú ê èííèêçíœ êú ë ïïöê ëíêæìèœûûïïöþê240msêëœèííëý M 1)ïïöííèéêþèç èíìèçœõñöî ÿ èéùùê èíí M+29 í M+41)ê ïïöëþû 成分の分 量を確認するのに有効です ÿ D ëœõñïöùûïïö ûî éï オン ) を 成します このイオンはすばやく脱離し EI ê é ñôðòöî çìèœééèœùûïïöê çííïóö ðžêéê êííóõðõöòþóñžöëœïïöþ ûê ûïóöðžê èìéîœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

15 ðöôöù 1 Ion Preparation オプション Ion Preparation ôöññëœþÿïïöþêì ûïïöþê ìúèêèœ240 MS ëïïöêú œ ûê ûêïïöê 単離 排除にウェーブフォームと RF î ìùîéî ÿèì èœþ ûïïöñòöžñ SIS íñöòõôññôðòö õòöž MS/MS) は 質量分析を開始する前に イオントラップに貯蔵されたイオンに対して われます イオンのスキャンによるマススペクトル取得 ライブラリサーチ 選択性について þÿïïöþêñïõöôöññëœ ûïïöþêú êèœ ïïöþœòõòóöðœçíë Ion Preparation êûœïïö ëðöóžñõöñïóžòê EM êñïõöîïòèíìèœ ööð ê RF 電圧を増加することにより 質量スキャンが îíìèœôññôðòöëœõžðžê ûèéñïõö 囲で質量の低い から順に取得されます ポジティブモードで ëœ-10000vê ûèíéðöóžñõöñïóžòçí ûç øèíemêú êëèçíìèœ ððòöë EM êíéêÿ 10 5 èíœïöòðöžñîý èê èíêœ m/z の強度を取得します MS òžñëœ り込まれた質量範囲で各 m/z êïïö- 強度ペアのセットとして þ èíìèœ ù ñïõöèêêôññôðòöëþ è íìèœûû PCI êëôöñïõöçæíìéîœïïöþû 間は 前のスキャンのベースピーク強度をもとに計算されます このイオン化時間でイオンが 成され 分析スキャンが われ ìèœ 240 GC/MS êëœûûðöóîðöžðõöïïöòõòô GC/MS ðñòõî ÿèêéçííéþ ê CI õïôõö çæíìèœõïôõöëõñöœõñóžöœïñôñöî CI êèéñôðòöî îêæìèœ 化学イオン化の利点は 選択性です PCI êëœ þ ëõ ñö CI êêöñôöñç çêíìèœèéçéêœei î ÿ èíííìõñö PCI î ÿèíúçœ þ ê èíé ðöôöûêñžðòòþù ê ûë êèœèíí êþ î èíêœûûîçèêœèìèìêïïöþç íë Ion Preparation êïôðõöî ÿèíõñòòîýúè íèêëœ êèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 15

16 1 ðöôöù EI および PCI の使用による詳細情報の獲得 øéêðöôöêúèê EI ê CI êòžñî èíêœõï ôõöðžñç êïïö- 強度のフィンガープリント情報だけではなく 定性のための分 量情報も得られます 脂肪酸メ ñöïñòö FAME) 分析を例に取ってみましょう EI êìêêëœfame êóõðõöòë êù èœùûïïö 強度は弱くなります CI を使 すると 分 量が明確になり もっとも強度の きいイオンは M+1 êêíìèœ 240 MS ëúøù ûê EI ê CI を切り替えることができるた ìœ ûþù ê êù î ÿèíèêçêçìèœ EI ê CI の切り替えには数秒かかります CI ñðõöòî 60 êèíèêëêçèœci î ûþêçííæœci óž クはセグメント切り替えから 20 øééêçíø èííæ êèìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

17 ðöôöù 1 CI 試薬の設定 CI 分析を実 する前に CI ガス圧 を調整します 1 Manual Control ñôê Checks and Adjustments ñôîð öòðèìèœ 2 CI Gas Adjustment îþ èìèœ Parameters ñððõö êòöòôñïöôòðñçí CI îþ èìèœ 3 ÿ þ êýê Start îðöòðèìèœ 4 CI óöžêÿ ç èíìèœ 5 CI óöžêÿ ûœù êý ûêœôñïõöôöž ションとトラップファンクションキャリブレーションを う çæíìèœ 液体試薬の取り付け 1 þ èé þç ìíêæí þ öðžóžî þ úôöòðê èìèœ 2 CI òžòöóöôîýæêœû üíê 6œ7 ü èéìèœ 3 CI Gas Adjustment îðöòðèêœci ïñóöôêñöó 4 ïòîýçìèœ リザーバーから蒸気を流して 平衡化します 数分待っても 分な量の CI ガスがトラップに流 していない場合は òžòöóöôîû üíêüèêýçìèœ 5 ñôðòöî ûèíùùëœ CI Gas Adjustment î ÿè êœm ê M+1 êûêù ç ýè ìíìêœci òžòöó ルブを回すことでトラップに流 する試薬の量を調整します 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 17

18 1 ðöôöù ê 3 éê êüèí ëœ 240 ñóòïïî ôö ô êœ CH 4 î ÿèé PCI œ CH 3 CN î ÿèé PCI œ CH 3 OH î ÿèé PCI ñððõöî èêçéèæœ 2 適切に調整されたメタノール試薬スペクトル 3 適切に調整されたアセトニトリル試薬スペクトル îñòòòööî ÿèê ê î íêëœ20 µa øê フィラメントエミッション電流を使 し m/z 41 ê m/z 42 ûê 50% øê î èìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

19 ðöôöù 1 ガス試薬の取り付け オートチューン 1 ïñôöôêöðõöžñçíê îœ4 ml/min öñò öðñî ÿèê ê èìèœ 2 ëœ 240 Ion Trap GC/MS óžòïïî ôòõ îö î èêçéèæœ ðöóîðöžðõöê ûêíéêëœèìêêïžò チューン項目が必要でない場合があります 機器の ち上げ時およびメンテナンスを った場合にはオートチューンを実 します また 温度変更や RF 調整を った場合には ôñïõö ôöžðõöêòõòôóîöððõöïõöôöžðõöî 実 します ïžòñõžöëœei õžòìéëóïôöòò CI õžòêæ èíçêú êÿ èìèœóïôöòò CI êëœ êùÿ ûœñõžòöðœçíëïõöôöžðõöôöðõõîþ する必要はありません インテグレータゼロ ïöòðöžññöëœóîõõöòçïóêùùêœïöò グレータ回路からのシグナルレベルの平均値を取得します óîõõöòçïóêùùœ êððòöë ûóïñêèœ ïöòðöžññöëœ ûûêóïñç ûêïïöîú éèœçéòõòôçí øèíéïïöçôöñôõï õžê û êððòöîú èííæêÿ èíìèœ EM の設定 EM ê ûêëœÿ 10 5 êôöñôõïõðïöê êóžð 強度および分解能を得られるように EM îÿ èìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 19

20 1 ðöôöù 電子レンズチューニング ûööññõžòöðëœööñêñïòñîïöìéëï フにした直後のエミッション電流のモニターを っています レンズが不均衡な場合 エミッション電流は変化し 不均衡に íùæìèœ ç µa ê î çíêœîö ðöñõë 4 éê î 1 つずつ変更して最適な値を検索しま èœîöðöñõçööññõžòöðê ê ûî øêçêæùùœïžòñõžöëïõžõòñžñî èœ ê îöñòîèìèœ Electron Lens Tuning ôòðñîðöòðèíêœ ê Turn on CI gas flow during tune ïôðõöç èíìèœóïô öòòõžòê CI õñòòêëœ û/öôõööñë è íé CI ôõöñõ CI ôöõžõ êùîéêñõžöèœci ガスをオンにする必要があります このチューン機能を実 す íûêœ Manual Control ê CI ガス流量を調整します イオンレンズチューニング ïïöööñðñòõëœ3 éêööñê èíêæìè ööñ 1œ2œ3 œèííêööñëœm/z 131 çíë 414 ê ïõöôöžðõöïñïöî ÿèêñõžòöðèíìèœ ê ëœ2 つのイオンの加重強度をもとに決定されます 低両 の質量イオンの伝送は この反復プロセスで レンズ êü êèêõòñèíìèœ RF フルスケール調整 RF óöñðžöÿ ëœóöñðžöÿ ôòöðõõžñî 設定し キャリブレーションガススペクトルの 質量イオンに正しい質量を割り当てます この標準作業は 必ず ôñïõö ôöžðõöçíëòõòô ïõöôöžðõöêûê います マスキャリブレーション ôñïõöôöžðõöëœpftba ïõöôöžðõöïñïï ンの質量を特定し 正確に m/z 69œ131œ264œ414œ464œçíë 614 ê í êìèœ イオントラップ温度を変更すると マスキャリブレーション軸 ç ÿèìèœ この 順は イオントラップ温度が 2 ûû ø 安定するまで実 しないでください œ イオン源温度の変更後に 質量割り当てにわずかな影響がある場合もあります 補助ヘリウムバッファガス流量を変更した後に 再度マスキャリブレーションを実 する必要はありません GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

21 ðöôöù 1 トラップ周波数キャリブレーション マスキャリブレーションの完了後に òõòô ïõöô öžðõö を実 します このキャリブレーションは MS/MS í SIS êêê Ion Preparation õñòòê êóõõžñîü ûèìèœìéèííêóõõžñëœóöñïõö ûê 定されるイオン範囲の分離にも役 ちます 標準作業には数分 ççíìèœòõòô ïõöôöžðõöëœ èôñ ïõöôöžðõö を実 した û に います トラップ DC オフセット電圧 òõòô DC ïóñòòîÿ èœïõöôöžðõöïñê m/z 414 êïïöððòöî þèìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 21

22 1 ðöôöù データ測定 Start Acquisition îðöòðèêù îý èìèœ ç êõžòêêçêù îý èíêœms õñõžöëùÿûê û(acquisitio)õžòê îíìèœ Status and control GC が準備完了していない場合は 画 の 番上に Not Ready õòñžñç èíìèœgc êïžòðöôõçöòîñ òžññêêééûœ Not Ready êõòñžñë Ready ê îíìèœðöôžóöòê žêöòîñòžññî èíêëœø øê Windows ôöñïöõòõžêœgc õ ñõžöêñòžññî èìèœðöôžóöòçöòî êêééûœù îý êçìèœ 分析は シングルサンプルまたは 動シーケンスとして実 で çìèœ シングルサンプルを実 するには トピック 23 ôžñê ðöðöðöôöê ú î èêçéèæœ ùÿðžðöñî ÿèíêëœòóòð 25 ôžñê ðöôööñòçíê ú î èêçéèæœ ûý ûê Status and Control óîžöòëœ ê êí æêêíìèœ Run Time ë 0.00 ùêêíìèœ End Time は アクティブメソッドで指定した分析の さです Ready çíë No Fault õïòë êèœ ðñòõçöòîêêíûêœ Start Acquisition ôñöîð öòðèêùÿþî êèœù îý èìèœééèœè êúýêý èéù êóîïö ëœùÿù ê ûèé óîïö êëêç 4000.x.sms êêíìèœ Edit Method îðöòðèíêœmethod Builder çýçœõñò ドを変更できます 変更の保存後にメソッドの再開を求めるプ ööôòç èíœ System Control ê íìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

23 ðöôöù 1 MS モジュールの終了時間を変更しても GC 終了時間は変更さ íìéîœwindows õòõžçí GC õñõžöêîðññèœ GC 終了時間を個別に変更する必要があります メソッドのアクティブ化 1 File õòõžîðöòðèìèœ 2 Activate Method îðöòðèìèœ シングルサンプルの注入 3 以下のいずれかを実 して メソッドを選択します Recent Files îðöòðèêœ ééõñòò 8 î èìèœ óïöñçíõñòòîþ èéûœ Open îðöòð èìèœ 1 Inject õòõžçí Inject Single Sample îðöòðè ìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 23

24 1 ðöôöù 2 Inject Single Sample] ウィンドウを開いた後 以下を実 èìèœ a b c サンプル名を します ïžòðöôõçðöóîðöžðõöèíêæíùù は サンプルバイアルのバイアル番号を します 使 されている注 量とインジェクタが正しいことを ñïòðèìèœ d Defaults をクリックして パラメータの初期値を変更し ìèœ e Data Files îðöòðèêœ íûûêêê î ì ûî èíçœìéëòžñóîïöþ êòî レクトリを変更します f Inject îðöòðèêòžñî ûèìèœ MS ç ûõžòêêéêæêæùùëœùÿûêéêõž ドに変更されます オートサンプラが注 を実 している場合は 機器モジュー öçöòîêêééûêý èíìèœ マニュアル注 を実 している場合は [System Control ñ ïòöóžê Waiting for Injection of Sample ê èíœ System Control òžöóž ê Waiting ライトが く èíìê éêçíðöôöîôòõîö úèìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

25 ðöôöù 1 サンプルリストからの注入 Automation File Editor ìéë System Control êœðö ôööñò (SampleList) の作成および編集を います System Control êðöôööñòî èœ ðöôöî 注 するには 以下を実 します 1 File õòõžêœ New SampleList ìéë Open SampleList îðöòðèìèœ 2 ðöôööñòîýç SampleList ïîöòïçýçìèœ èèêëœðöóîðöžðõöèíéïžòðöôõê êóîžöòç ìíìèœ ýê î èêçéèæœ スプレッドシートの列のサイズを変更するには マウスの左 ôñöî ÿèê îòõòðèìèœ フォーマット設定オプションを表 するには 列のヘッ ñžî ðöòðèìèœòžôöî êñðöžöèê ìœðöôö 列はスクロールされません これにより 追加パラメータを しているサンプルが簡単にわかり ìèœ Add îðöòðèêœ ðöôöî èìèœèì êêðöôöêœ ûœðöôöñïôœçíëóïîö 番号を します 3 ýê Begin ôñöîðöòðèêœðöôööñòøê ðöôöêù îý èìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 25

26 1 ðöôöù 分析ステータスのモニタ ïîöòïêù êñòžññîõòñèìèœ Status and Control ïîöòïœçíëòžöóžêù ñòžññ ç èíìèœ System Control êðöôòðõõêñôðòöîõòñêçì èœìéœðöôòðõõòžöóžêø êôñöîð öòðèê MS Data Review î ÿèíê ûøêòžñê õïôõöðžñêêç êêíìèœ òžñ û ê êéæêëœ 240 ñóòïïî ôö ô ê GC/MS òžñê û ñððõöî èêçéèæœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

27 Agilent 240 ïïöòõòô GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 2 機器の始動 êý 28 ñòžññêñïòð28 òñò29 システム温度の設定 30 ññžòîòôêðõòòñïö31 ÿ êñõžòöð32 Agilent Technologies

28 2 ê ÿ 真空排気の開始 ýî èìèœ êöžðçêæœ òõöñóîõïöçîòõïðûê èíêæíœ ôöòóöôç èêæíœ ïõõê çêæœ ñïòñîïöêèìèœ çôöôêïõïõ ë ûê èíëèêèœ ポンプのガラガラ が続く場合は 以下を実 します 1 アナライザアセンブリがマニフォールドに適切に設置されて æíèêî èìè ûîçêæ çæíìè œ 2 òõöñóîõïöç í èííêæíèêî èìèœ 3 ôöòóöôç èêæíèêî èìèœ System Control îýçêœ Startup/Shutdown ôžñçýç ìèœ 真空ステータスのチェック û ëœ û çíë ø ê MS êéæê î èìèœ 1 は 内部モードでの動作範囲例です 1 内部モードの動作範囲例 速度 100% 電流電 イオンゲージ圧 ç mamps 9 13 öòò < 20 µtorr < 50 mtorr GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

29 ê ÿ 2 ポンプ回転速度 ç žê èêæùùëœðñòõêöžð çæí çæíìèœ êöžðëœ100% êñž ボ速度で されます 規模なリークは 100% ê èéûêôö プ電流の増加 またはイオンゲージ圧 の増加によって され ìè 240 Ion Trap GC/MS óžòïïî ôòõîö ê ñððõöî œïöðžñ û êíéêþ なリークが つかった場合には Service.mth õñòòêöžð ñððõöî ÿèêöžð î ê ûèìèœ öžðêòõôöðõžòîöðê êéæêëœ Agilent 240 Ion Trap GC/MS óžòïïîôòõîö ê òõôö ðõžòîöð ñððõöî èêçéèæœ 診断テスト Monitoring ñôî ÿèêœ ê êñòžññîõò ñèìèœ ðñòõœemœïïžôóïžõðñòõœ 度 およびイオン源をモニタします 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 29

30 2 ê ÿ Diagnostics Tests ñôî ÿèêœ240 GC/MS øêóžòïï アチェックを実 します 診断テストの詳細については 240 ñóòïïî ôöô ê ñððõöî èêç éèæœ システム温度の設定 分析温度分析温度はサンプルによって異なります 化合物の安定性と揮発性は 温度選択に影響を与えます より壊れやすいものでは トラップ温度を低下させます たとえば 分 イオンが不安定な飽和炭化 素の分 イオン情報を得るには トラップ温度を 80 ê ûèìèœééèœ ú êù êëœòõò プ温度を 220 ê ûèê æ PAH ôöñ ghi ôöööœ ñôöñ a,h îöòõñöœïöòó 1,2,3-cd óöö êòžööðç çêæíæêèìèœ 温度設定を変更した後 トラップが新しい設定に達するまで約 1 ûû éìèœ ûê èéûœòõòôîÿ 2 ûû û 化します トラップの温度はマスキャリブレーションに影響を çœéê òõòô ïõöôöžðõöêì î çìèœ GC ïõõïžôöê MS êêûêðžöòôïöòç èê いように トランスファライン温度を設定します これは通常 最 カラム温度 (± 20 êêíìèœ マニフォールド温度 ( 通常 50 ìè î èìèœ ëœ ê ÿçðñòõê システムの焼き出し 240 GC/MS êôöòøêôòóïžöòøê èé î í çêëœ System Control ê Temperatures ñôçí Bakeout を実 します サンプルの分析後にシステムの焼き出しを実 して MS çíþ 学バックグラウンドを除去します 焼き出しを実 して汚染を除去した後 温度を分析温度まで下げます GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

31 ê ÿ 2 焼き出し設定例 : トラップ温度 230 マニフォールド温度 110 トランスファライン温度 280 çøèûû 12 ûû çøèûûëèíê èíèêçêçìèœ トランスファライン温度が カラムのアイソサーマル時の最 温度を超えないようにします スタートアップとシャットダウン システムの始動 ðñòõê î úèíêœ System Control ç Startup/Shutdown õžòêÿ èìèœðñòõêññžò îòôûêëœ Operating Conditions óîžöòêœ Turbo Pump Speed の増加を観察できます 速度が 100% ê èíì êœñóòïïîë Startup/Shutdown õžòêöòðèíì èœ Operating Conditions フィールドでは 加熱部の温度測定 êø ì êçìèœ 適切な時間内に 100% のポンプ速度に到達できない場合はリーク ç èœ øç êêíìèœ êéæêëœ Agilent 240 Ion Trap GC/MS óžòïïî ôòõîö ê èí òõôöðõžòîöð ñððõöî èêç éèæœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 31

32 2 ê ÿ システムのシャットダウン 240 GC/MS îðõòòñïöèíêëœ Startup/Shutdown ñ ïîöð øê ðõòòñïö ôñöîðöòðèìèœ ヒーターがオフになり ターボポンプの速度が最 速度の 35% ìê žê èìèœ ûç 80 未満に冷却された後 システム前 下のスイッ ñî OFF ( 下 ) の位置に切り替えて 主電源をオフにしま èœóööòóóöêôöòóöôîýæêœôòõîöê 5 ùû øðñòõîôöòèìèœ ðõòòñïöý ûêðñòõî ÿèíêëœ ê Start Up ôñöîðöòðèìèœôöôç ÿèœóž ñžçïöêêíìèœ 調整とチューニング RF チューン 以下のいずれかを実 した後に Manual Control ê Checks and Adjustments ñôñïîöðê RF ñõžöîÿ èìèœ MS メンテナンスの実 アナライザアセンブリの変更 MS コンフィグレーションの変更 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

33 ê ÿ 2 RF ランプの調整 1 Manual Control ñôê Checks and Adjustments > RF Ramp Adjustment îðöòðèìèœ 2 Start îðöòðèìèœ 3 ôïòñòõïóî ÿèêœñõžòöð ç êê り強度が最 になるまで 240 GC/MS óööòòîû ê RF ÿ óñîû üíìéë û üíêüèìèœ Adjustment Results óîžöòêñòžññóžçœ OK ííýê í çæíìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 33

34 2 ê ÿ キャリブレーションガスの調整 1 オートチューン 順を実 する前に PFTBA ìéë FC-43) キャリブレーションガスの流量をチェックします 2 Manual Control ñôê Checks and Adjustments > Cal Gas Adjustment îðöòðèìèœ GC/MS óööòòîû êïõöôöžðõöïñóö ブを回します ( 時計回りに回すと流量が減少し 反時計回りに回すと流量が増加します ) Adjustment Results óîžö òêñòžññóžê OK と表 されるまで 流量を調整 èìèœ 空気 / 水のチェック パフォーマンスが低い場合に考えられる理由は エアリークと焼きだし不 です これらは 空気または の圧 が くなり çí êêíìèœ / êñïòðêííœ çííí êüèí ç èíìèœ / êñïòðêëœ10 5 ðïöê EM î ÿèœô ニュアル設定は いません EM î èéûœ / ê チェックを実 する ûê EM îïžòñõžöèìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

35 Agilent 240 ïïöòõòô GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 3 メソッドの作成 ûèæõñòòïîðžòê ÿ36 õñòòê ûî èí GC/MS ðöóîðöžðõö39 ûòžññïô39 õñòòñðõöòê 40 CI êóõõžñ û44 ôòõîöðöòöžöêçèíõñòòê 48 õñòòëœæêéçmsêÿ èêìèæèêî ÿê è íìêêèœõñòòïîðžò Method Builder êì ëí る ) は この情報の を 援する 連の画 です õñòòëœèíêþ ê MS î èí êûûîðöò öžöèíñïõö î èìèœ 4 ëœ240 GC/MS ê 4 セグメントのスキャン機能例です RF Ž Œ ã Ü Û ã Ü Û RF âãà ÛÜã Œ Œ ÞÝáãßÖ RF ÎáäÝÏ ŸAGC àäüÿ àäü 4 ñïõö Agilent Technologies

36 3 õñòòê 新しいメソッドウィザードの使用 1 Workstation òžöóžê Method Builder îïðöîð öòðèìèœ 2 Create a New Method File îðöòðèìèœïîðžò ê éêœèêûèæõñòòî èìèœèêõò ñžñîýû èéçêæùùëœ Do not display this dialog at startup ôòðñîïöêèìèœ 3 Instrument 1 îþ èêœ Next îðöòðèìèœïñ ñõðöóîðöžðõöî ÿèíêœ çí PC ö õžòøêõñòòî êçìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

37 õñòòê 3 4 ポストラン処理の検出器を選択し Next îðöòðèìèœ 5 各検出器のデータチャンネルとポストラン処理のタイプを選 èœ Next îðöòðèê ê ø î èìèœ 6 Finish îðöòðèêõñòòî èìèœïîðžò êœóžòïïîêðöòöžöœòžñ œçíë û されたポストラン処理の実 に必要なすべてのセクションを ìõñòòç èíìèœõñòòëœèìêêóõ メータの初期値を含みます データ処理とレポートに関する ëœ 240 ñóòïïî ôòõîö î èêçé èæœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 37

38 3 õñòòê GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

39 õñòòê 3 メソッドに名前を付ける 1 File õòõžêœ ûî èêþ îðöòðèìèœ 2 メソッドの名前を します 3 õñòòîþ èíóïöñîþ èìèœ 4 Save îðöòðèìèœ 240 GC/MS 機器コンフィグレーション MS öžðñòžðõöê èíé êðöóîðöž ðõöî ûèìèœ240 GC/MS ûûðöóîðöžðõöê ëœûû ûç 1 ééèêêííæêœei ê CI ê úîúø 分析中に実 することができます 測定データタイプ ñöòöïòòžñëœòóïöòê ûòžññïôêèœ データ処理 ライブラリサーチ およびスペクトル 較は セントロイドデータを使 する場合にのみ実 できます 検出器か íêîòöðððòöëœa/d ðöóžñê èíìèœñ フトウェアは デジタル化されたイオンシグナルの重量の中 ñöòöïò îüûèìèœñóòïïîëœòññöþè éïïöððòöçíñòîòðñôðòöî èìèœ ôöóîïöòžñë ê êþûê ÿèíìèœìéô öóîïöòžñëœñöòöïòóîïöêÿ 10 ê çè êèçœ ûûêñöòöïòê èíèêçêçìèœ ôöóîïöòžñë m/z êéç 10 ôïöòê èíœðö ôòðõõê é êóžðêèê èíìèœôöóîï ル表 により レスポンスの分散を観測することができ 適切 êöñöõžðõöç ííêæíçêæçî èíèêç êçìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 39

40 3 õñòòê クロマトグラフタイムセグメント ûûðöóîðöžðõöêëœ240 GC/MS ë EIœCIœ EI/MS/MSœçíë CI/MS/MS を単 分析で実 することができ ìèœðöôòðõóñïõñðõöòòžôöî ÿèêœ 分析条件をプログラムし 分析の各セグメントにおいて最良の î ííæêèíèêç êèœ 650 ùûêù ê éæêœ 250 êñïõñðõöòî êçìèœòóï öòêëœù ý ûêóîõõöò/ôöñôõïõê ñ ðõöòçæíéìœðñòõëðöôòðõó ê øø êëñõžñî èìéîœèêñðõöòê çœ øù ñðõöòî ÿèêóöñïõöêôññôðòöî ûè ることができます ただし 質量範囲などの変数の調整 個々 êù ú ê MS/MS ñðõöòê úœçíë ù ú で最適なデータを測定する機器の設定を うことができます メソッドセグメントの編集 セグメントの追加または挿 を うと 前のセグメントから新 èç èéñðõöòêóõõžñçèìêðóžèíìèœ êóîžöòîñôöðöòðèêœñðõöòê ýœ ñðõöòêý ûûœìéë 終了 ûûî èìèœ ûû CI 実 の詳細については 240 ñóòïïî ôòõ îö ê èíñððõöî èêçéèæœ スキャン機能の設定 õñòòñðõöòë MS スキャン機能を実 する場所をコン òöžöèìèœûûðöóîðöžðõöêèìèìêñ ïõö êëœei çíë CIœóöñïõöœMS/MSœ Multiple Reaction Monitoring MRM œìéëþ ïïö SIS çæíìèœ èæñïõöòžñëœ 2î èê çéèæœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

41 õñòòê GC/MS êë 3 éêñïõöõžòçæíìèœòóïöò êñïõöõžòëœnormal êèœ Normal: èêñïõöõžòëœ Automatic Gain Control õž òêôöñïõöî ÿèê êïïöþûûîüûèœ èíêïïöî 5000 µ/sec êñïõöèêôññôðòöî èìèœ Fast: èêñïõöõžòìœ Automatic Gain Control õžò êôöñïõöî ÿèê êïïöþûûîüûèìè çœïïöî µ/sec êñïõöèêôññôðòöî èìèœ Fastest: èêñïõöõžòêëœôöñïõöî ÿéèœ ïïöî µ/sec êñïõöèêôññôðòöî èìèœèêõžòëœ Full ñïõöñïôêêì ÿê çìèœ 2 ñïõöòžñ 質量範囲 ñõžö µñïõö Normal Fast Fastest ñðõöò sec 0.47 sec 0.41 sec ñðõöò sec 0.79 sec N/A DFTPP sec 0.59 sec N/A [General parameters] タブ Scan TimeœScans Averagedœçíë Data Rate ëœèìêöö ðèêæìèœ èíñïõöê ëœñïõöûûçÿ 整されるときに更新され 逆の場合も同様です スキャン時 ûê ûê êúýëœ Scan Parameters タブから質量範 î ûèœèíê èíñïõöî 3 に変更します 3 é êñïõöî èíèêêííœúæðöôòðõóòž タ速度と適切なスペクトル平均の間で折り合いを付けた最適 ê ç ííìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 41

42 3 õñòòê Mass Defect により 原 ( またはイオン ) の整数質量とその精密質量間の差を体系的に修正することができます その重要性 ëœnist ライブラリが分 量を最も近い整数質量単位にのみレ ôžòèíèêê èêæìèœms öžðñòžðõöñó トウェアは 測定された強度の割り当て先となる質量を決定する必要があります イオンの精密質量が 整数質量間の境界線近くに来る場合 ソフトウェアは不正な質量割り当てを う可 çæíìèœæçéçê ûê Mass Defect ëù èíê çê Mass Defect êêíùùçæíèêçíœèêðòöïëœ 分 量の い分 でより発 しやすくなります たとえば C 2 Br 6 の最も軽い同位体の形状の精密質量は êœèíë 497 ìéë 498 êæèíçêèê ê í êííìèœ Multiplier Offset ëœ Manual Control ê Module Attributes ñ ôñïîöðê ê EM û ý œïžòñõžöê 10 5 ðïö êè êéæèê ± 300V ê ê EM îÿ èì èœem ç èíêœms/ms êêê ê êœííú い感度が実現する場合があります この調整は セグメントごとに うことが可能です Count Threshold ëý 1 êèœ2 ìéë 3 êïïöòëœôññ ôðòöêöôžòèíí öôöïïöê î èìèœè êúýëõïôõöðžñî èœòžñóîïöðïñîþ èçèìèçœôññôðòöê çíí êçêíì èœïïöòñöòðõöòëœ Customize ôñöçîðòî ôêùùêêì èíìèœ mscan Time îþ èêœñïõö îÿ èìèœ þèíµñ キャンの最 値と取込速度は ùÿûê èíìèœ uscans Averaged îþ èêœ þèíµñïõöê îÿ èìèœ Maximum Scan Time ê Data Rate ëœùÿûê è íìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

43 õñòòê 3 Ionization control ターゲットトータルイオン電流 (TIC î ûèìèœùÿðïö ðöòöžö AGC îöðöñõëœ ûïïöñïõêê ôöñïõöêïïöïïöòî ÿèœèêñžðòò ê êìêœù ñïõöøêñžðòòïïö îïïöòõò ôê èíéìê êïïöñïõî èìèœþûëœ éíéíêù ñïõöøêœ ê êïïöîòõòôê èíèêêèœtarget TIC ëý œóöñïõö ûêë 10,000 êë ûèíìéîçœñôžññõžñêííñ ôðòö MS 分解能の損失 または強 なクロマトグラフピークの質量割り当ての変化 ) が起こる可能性のある すぎ í ûêèêìæèìéîœø êœ ìèçíé î èíêëœ20,000 40,000 ïïöòûê Target TIC êèœ EI イオン化パラメータ Emission Current は フィラメントの 成する電 の電流で ト õòôêúí ûê îðöòöžöèìèœôžñõïöêï ïöþûûç ïïöþûû êêííæêïôòðõö 電流を増加すると イオンの最 数が表 されます 部のケースでは いエミッション電流を使 して 分析の感度を úìíèêçêçìèœéêçë EI/MS/MS êëœms/ms îï ソレーションステップにより いエミッション電流から通常 úèíííúæóòððõïöòî èìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 43

44 3 õñòòê CI のパラメータ設定 ûê õñöœïñôñöœîñòòòööœìéë õñóžö îþ èíêœþ èíé ê CI óõõžñë 動的に設定され デフォルトの値から変更する必要はありま éîœééèœ íê CI óõõžñ Reaction Storage Levelœ Ejection Amplitude (V)œMax Reaction Time) î çíèêê より感度を最適化することが可能です これらのパラメータを ÿ èéûœ Save をクリックします 変更された値を保存す í ûî ìíôööôòç èíìèœ Reagent Low Mass 低質量です ëœïïöþøêòõòôê èíí Reagent High Mass ëœïïöþøêòõòôê èíí 質量です この質量を超えるすべての質量は イオン化ス òòôøê èíìèœèíêííœòõòôûê EI ú ï ïöê ë èìèœ Reagent Low Mass ê Reagent High Mass ê Reaction Storage Level î ìùîéíèêêííœ ûê CI ïïöîþ èíèêçêçìèœéêçëœõñöê29êïïöéèî ïïöêèê ÿèéæùùêëœïïöþêûê41êïïöî èœ êñòòôê19 øêïïöç èííæêè ìèœ + êôöññîÿêú èíí ïïö CH 4 êòõžò õöê CH 4 ê êííú èíí C 2 H+ 5 êê êëœ úê イオンが 質量と低質量の範囲に るように設定します Reaction Storage Level は 試薬イオンと試料の反応中にイオントラップに貯蔵されるイオンの最 質量の値です 最適な Reaction Storage Level ëœù ú êùûïïöê èìèœúæù ûïïöêúèêëœci 試薬イオンの排除が われない程度に Reaction Storage Level æèê ÿèìèœéêçëœù ú êùûïïöç 352 m/z éêèìèœîñòòòööî ÿ èêœrf þ öôöî 25 m/z êøèíêœòóïöòê 19 m/z よりも い感度が得られます CI Storage Level îøèíù ùœejection Amplitude î èí çæíìèœ Ejection Amplitude V) は 低質量側の排除と Reagent High Mass より少し 質量側を排除するための電圧です この電圧は イオン化中に 成される不要なイオン ( 試薬ガスでないものな ê î èìèœø êœci Storage Values çúæìêœú æ Ejection Voltages ç êêíìèœ ëœci ïïö ê î ç èèìêúç ûèêëæèìéîœ Max Reaction Time ëœ ïïöçðöôöùûê èêðö ôöêïïöîú èíéìê æ ûûêèœ û ûëœ ôö ê ê ê ûèíèêçêçìèœ ø ûê ûûë 100 ôö êèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

45 õñòòê 3 èííêóõõžñî þèíúýœìéë èíêæê æ ê ûúýê êéæêëœ 240 ñóòïïî ô öô î èêçéèæœ CI パラメータを変更し それが正しく設定されていない場合は CI êÿ ê çúèìèœ Scan parameters MS ñïõöñïôêëèìèìêóõõžñçæíìèœ ýê èêëœ ûðöóîðöžðõöê ÿèí ìø 般的なスキャンタイプ例 (óöñïõöê MS/MS êèœèì êêñïõöñïôê êéæêëœ 240 ñóòïïî ôöô ê GC/MS õñòòê ñððõöî èêç éèæœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 45

46 3 õñòòê フルスキャンパラメータの設定 ÿ GC/MS ù êëœ Full Scan òžñ ûî ÿèìèœ Mass Range ïöî ø ê Low Mass ê High Mass の値を し フルスキャン質量範囲を指定します これが 240 GC/MS のもっとも 般的なスキャンタイプです この質量 ëagc êñïõö êìêíìèœ Tune フィールドは 質量範囲のスキャン 法を指定します ûêñõžöñïôêëœautoœdftppœçíë BFB ê 3 éç æíìèœauto êñõžöñïôêëœ EI ñïõöëòóï öòê 4 つの質量セグメント (10 99 m/zœ m/zœ m/zœ m/z êùèííìèœèííê ýêœ RF Storage Level (m/z) ê Ionization Time Factor (%) が 質量セグメントベースで調整できます DFTPP çíë BFB êñõžöñïôîþ èíêœý EPA 揮発性および揮発性要件に適合するための適切な開始点となる質量セグメントとイオンタイムのファクタが 質量セグメント òžôöê èíìèœ 各質量セグメントには 独 の RF Storage Level (m/z) çæíì èœèíëœïïöþ ûøêòõòôêêïïöþ ê ÿ èí RF 電圧で 質量単位で指定します また イオン蓄積に対 èê 2 ê î çìèœöôöç èíêéíêú 量イオンの蓄積効率が まり 質量がカットオフ値を下 üíùùëïïöë èíìéîœagc îïöêèíêœò óïöòê Storage Level ë 35 m/z ê ûèíœ35 m/z î ç íèìêêïïöçþ èíìèœèê êëœ650 m/z ìêê イオンが効率的に保存されます 1000 m/z ìêêèíùùê ëœstorage Level 45 m/z ç êêíùùçæíìèœ Ion Time Factor (%) ëœ èíéïïöþûû AGC ôöñ キャン計算で決定 ) に乗じる数で 質量範囲の各セグメントの þ êïïöþûûî èìèœ ë 100% êèœèê ファクタを調整して 測定質量範囲のセグメントの相対強度の増減を います たとえば 4 ìéë 5 つのセグメントを適切 êÿ èíêœðñòõëý EPA õñòòê DFTPP ìé ë BFB ñõžö ê ùèíèêçêçìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

47 õñòòê 3 MS/MS パラメータの設定 ñöòõôññôðòöõòöž ìéë MS/MS ëœù ú 象物のイオン化の後 質量分析の前にイオン preparation を æìèœms/ms は 電 または化学イオン化の後に実 するこ êçêçìèœ ê æêœôöïžðïïöêèê ûè é m/z êþ èíéïïöëèìê èíìèœôö ïžðïïöëèíêœïïöòõòôê ÿèíé waveform êíí èíìèœèêúýê ùêïóöðžç èí íêœôöïõóòóîïñî ÿèéôöïžðïïöê 突により プリカーサイオンの解離が じ 低質量のプロダク òïïöçú èìèœ ééïïöçñïõöèíœms/ms ñôðòöî èìèœ 適切に設定されると MS/MS メソッドは以下を実 します ûùêúû øèí þù î èœþ èíéôö ïžðïïöêìêïïöòõòôî éèìèœ 設定された脱離 法を使 してプロダクトイオンを作成し þÿóïñî èìèœ MS/MS ëœù êñžðòòþù ç êùùêêì ê èœpcb やダイオキシンなど特定クラスの異性体セットを決定する程度までを除き 般定性分析には実 的ではありません Precursor Ion (m/z) は通常 フルスキャンマススペクトルで強度 êúæïïöî ÿèìèœø êœisolation Window (m/z) ë プリカーサイオン質量 ± 1.0 です ( 質量単位全体で 3.0 œ Waveform Type ëœresonant ç Non-resonant êæèíçêèœ Excitation Storage Level (m/z) は 衝突誘起解離中に保存される最低質量です ウィンドウ下部の q Calculator を使 して 適切な値を êçìèœq Calculator ëœexcitation Storage Level (m/z) î ûê èíéìœôöïžðïïö (m/z) ç çæùùêœ 300 ê î èíùùçæíèêê èêçéèæœôö カーサイオンの解離に必要な Excitation Amplitude ëœþ ûêüûèí çæíìèœèêîéœèìèìê ê Excitation Amplitude î ÿèé êù î ÿèìèœùÿ õñòòýú Automated Method Development: AMD õžòî ÿèíêœèê îìéêì êüûèíèêçêçìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 47

48 3 õñòòê õñòòýúøêproduct Ion Mass ëœexcitation Storage Level çíproduct Ion Mass ìêê î ììèœms/ms õ ñòòê êéæêëœ 240 ñóòïïî ôöô ê ñöòõôññôðòöõòöž ñððõöî èêçé èæœ マニュアルコントロールにおけるメソッドの表示 Method Builder êõñòòî èéûœ Manual Control êô öóõžî èìèœèìêê MS パラメータは 実 前に çíëôöóõž èíèêçêçìèœééèœñð メントの数 または既存セグメントの開始時間と終了時間は Method Builder でのみ変更できます メソッドのアクティブ化 1 File õòõžîðöòðèìèœ 2 Activate Method îðöòðèìèœ 3 以下のいずれかを実 して メソッドを選択します Recent Files îðöòðèêœ ééõñòò 8 î èìèœ óïöñçíõñòòîþ èéûœ Open îðöòð èìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

49 õñòòê 3 4 îðòîôõñòòçòžöóžê èíìèœ イオンの表示 1 ïïöþîïöêèíïïöþñðõöòîþ èìèœ FIL/MUL DELAY ñðõöò #1 êíæêœïïöþçïóê êéêæíñðõöòêïïöòõòôëïöêêçìéîœ イオン化セグメントの変更 2 Trap ñïòðôòðñîðöòðèêœïïöòõòôî ïöêèìèœ 3 èíõñòòñðõöòîþ èìèœñïòðôòð ñîþ èêœ Calibration Gas ìéë CI Gas îïöêè ìèœ 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 49

50 3 õñòòê メソッドパラメータの表示 ýê êëœ Active Segment ñôñïîöðç èíœý ûêôïöêõñòòüþêðöòöžöç èíêæìèœ Active Segment タブの 番上の の情報は トラップのオン / ïóœscan TypeœIonization ModeœScan Mode î èìèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

51 õñòòê 3 マニュアルコントロールにおけるメソッドの編集 îðòîô MS õñòòêèìêêóõõžñî çíë èœ ûèííôññôðòöøê þî èìèœñô ñïîöðê êñòòëœ êõñòòñðõöòêï ïöþçíë Ion Preparation õžòê èìèœ óõõžñê ûœ Activate Changes 変更を実 します ôñöîðöòðèê 変更がスペクトルに反映されます この例では 開始質量が 50 µ çí 100 µ に変更されています メソッドの保存 変更をメソッドに保存するには 以下のいずれかを います Ion Trap îïðöêøê Upload MS Method ôñöîð öòðèìèœ Edit Method ôñöîðöòðèê Method Builder îýçœ 変更を って変更を保存します 240 GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 51

52 3 õñòòê 変更をアップロードしない場合 変更をセグメント変更時に æêçœ Manual Control ìéë Method Segment 終了時に うのか メソッドは引き続きチェックされます 変更が われた場合は これらの変更を保存するか破棄するかの選択を求め ííìèœ ïžòõžðõöêý ìéë Inject Single Sample êþ ê ííœ System Control を終了すると メソッドの保存を求める ôööôòç èíìèœ Yes îðöòðèíêœ ú îïõöñöèœ Manual Control ê éêõñòòîþ èíèêçêçìèœ No îðöòðèíêœ ûêþ èíéõñòòêðóžî ÿèêœòžñóîïöî í ììèœ GC/MS ûûïïöþõžðžïïò

53 Agilent 240 ïïöòõòô GC/MS ûûïïöþõžðžïïò 4 モード変更 外部から内部へ ハイブリッドから内部へ ýêòóòðêüèí êéæêëœ 240 Ion Trap GC/MS óžòïïî ôòõîö î èêçéèæœ 240 MS î ûïïöþõžòçíûûïïöþõžòê è ると イオン源とカラム位置の両 が変更されます 1 MS ôòóïžöòçíîòõïðî èìèœ 2 イオン源を内部に変更します 3 ðžöòîûúê ÿèìèœ 4 óîõõöòîñôñî èœóöòðñðžôöî èìèœ 5 トランスファラインエントリをイオントラップに変更します 6 トランスファラインチップを内部に変更します 7 ïõõî 7 mm 出るように切ります 8 òõöñóîõïöñïòñî Internal/Hybrid] に変更し ìèœ 9 MS ôòóïžöòêîòõïðî èìèœ óïôöòòðöóîðöžðõöçíûûðöóîðöž ションへの変更では イオン源のみの変更が必要です カラム êòõöñóîõïöëèêêòõòô êêéêçíœ ÿ ê ëæíìéîœ 1 MS ôòóïžöòçíîòõïðî èìèœ 1 イオン源を内部に変更します 2 ðžöòîûúê ÿèìèœ 3 óîõõöòîñôñî èœóöòðñðžôöî èìèœ 4 MS ôòóïžöòêîòõïðî èìèœ Agilent Technologies

54 4 モード変更 ハードウェア変更の影響 コンフィグレーションの変更後 ( たとえば外部から内部コン óîðöžðõöë ëœ System Control ê ÿûê ý ê çúúèìèœ 1 System Control ëœ ê Module Attributes êþ èíêæí êðöóîðöžðõöîœóžòïïîê öôžòèíðöóîðöžðõöê èìèœ 2 èííçø èêæùùëœ Module Attributes] は適切なコンフィグレーションに更新 ( 事前設定 ) されます デフォ öòõñòò Default.mth êëœú êôöññçúúè ìèœ 3 ハードウェアコンフィグレーションの変更後 デフォルトでは新しいメソッドに適切な機器コンフィグレーションが提供 èíìèœ Module Attributes îøû ûèíêœûêïžòñõžö ç êêíéìœïžòñõžöêèìêê øî 実 する必要があります GC/MS ûûïïöþõžðžïïò