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KMPDC0178JB 228

X線検出器 第 9章 1 Siフォトダイオード 2 Siフォトダイオードアレイ 2-1 2-2 2-3 2-4 構造 特長 応用例 新たな取り組み 3 CCDエリアイメージセンサ 3-1 3-2 3-3 3-4 ダイレクト式CCDエリアイメージセンサ シンチレータ式CCDエリアイメージセンサ 使い方 応用例 章 9 線検出器 X 4 CMOSエリアイメージセンサ 4-1 4-2 4-3 特長 構造

CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 です マルチポート読み出し ( ポート当たり 5 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=000 nm) 高速ラインレート : 70 khz max. 低エタロニング OCT ( 光干渉断層計 ) 分光測光 構成

CCD エリアイメージセンサ S7033/S7034 シリーズ 裏面入射型 FFT-CCD S7033/S7034シリーズは 微弱光検出用に開発された計測用 FFT-CCDエリアイメージセンサです S7033/S7034シリーズの水平 CCDレジスタは大飽和電荷量を特長としています ビニング動作を行

裏面入射型 FFT-CCD S733/S734シリーズは 微弱光検出用に開発された計測用 FFT-CCDエリアイメージセンサです S733/S734シリーズの水平 CCDレジスタは大飽和電荷量を特長としています ビニング動作を行うことにより 受光面の高さ方向に長いリニアイメージセンサとして使用できるため 分光光度計の検出器に適しています ビニング動作は 外部回路で信号をデジタル的に加算する従来の方法と比べると

絶対最大定格 (Ta=5 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 動作温度 * 3 * 4 Topr C 保存温度 Tstg C 出力トランジスタドレイン電圧 OD リセットドレイン電圧 RD アンプ出力帰

S55-048-0 S56-048-0 電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCD S55-048-0 S56-048-0は 分光器用に電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCDリニアイメージセンサです レジスティブゲート構造の採用により 高速転送が可能です 分光器などで求められる縦長の画素サイズにおいても 読み残しの少ない読み出しを行うことができます 本製品は 従来品 (S55-048-0,

CCD リニアイメージセンサ S S 電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCD S S は 分光器用に電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCDリニアイメージセンサです レジスティブゲート構造

S13256-2048-02 電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCD S13256-2048-02は 分光器用に電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型 CCDリニアイメージセンサです レジスティブゲート構造の採用により 高速転送が可能です 分光器などで求められる縦長の画素サイズにおいても 読み残しの少ない読み出しを行うことができます また動作中に素子温度を一定 ( 約 5 C) に保つため パッケージ内に電子冷却素子を内蔵しています

CCD エリアイメージセンサ S7030/S7031 シリーズ 裏面入射型 FFT-CCD S7030/S7031シリーズは 微弱光検出用に開発された計測用 FFT-CCDエリアイメージセンサです ビニング動作を行うことにより 受光面の高さ方向に長いリニアイメージセンサとして使用できるため 分光光度

裏面入射型 FFT-CCD S73/S73シリーズは 微弱光検出用に開発された計測用 FFT-CCDエリアイメージセンサです ビニング動作を行うことにより 受光面の高さ方向に長いリニアイメージセンサとして使用できるため 分光光度計の検出器に適しています ビニング動作は 外部回路で信号をデジタル的に加算する従来の方法と比べると S/Nや信号処理速度において非常に優れています S73/S73シリーズは

構成 項目 仕様 画素サイズ ( V) µm TDI 段数 128 アンチブルーミング FW 100 (min.) 垂直クロック 3 相 水平クロック 2 相 出力回路 3 段 MOSFETソースフォロワ パッケージ セラミックDIP ( 外形寸法図を参照 ) 窓材 石英ガラス * 4

S10201-04-01 S10202-08-01 S10202-16-01 裏面入射型 CCD を TDI 動作させることで高感度を実現 高速撮像時などの低照度下においても十分な明るさの画像が得られる TDI-CCD イメージセンサです TDI (time delay integration) 動作により 移動する対象物を積分露光することで 飛躍的に高い感度を得ることができます 裏面入射型構 造を採用し

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています

24

Siフォトダイオード 第 2章 1 Siフォトダイオード 章 1-1 動作原理 1-2 等価回路 1-3 電流ー電圧特性 1-4 直線性 1-5 分光感度特性 1-6 ノイズ特性 1-7 感度均一性 1-8 応答速度 1-9 オペアンプとの接続 1-10 応用回路例 2 フォトダイオード S i 2 PSD 位置検出素子 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 特長 構造 動作原理

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CMOS : swk(at)ic.is.tohoku.ac.jp [ 2003] [Wong1999] 2 : CCD CMOS 3 : CCD Q Q V 4 : CMOS V C 5 6 CMOS light input photon shot noise α quantum efficiency dark current dark current shot noise dt time integration

GJG160842_O.QXD

AD8515: 1.8 V 低電力 CMOS レール to レール入力／出力オペアンプ

REV. REVISION 15-6891 1-16-1 3 542 82 532-3 3-5-36 MT 2 6 635 6868 AD8515 1.8V CMOS to 1.8 5V 6mV SOT23 2.7V/µs 5MH to 2pA 1.8V 45µA PCMCIA PDA AD8515 1.8Vto SOT23-5L AD8515 5MHz 1.8V1mV to 2.7V/µs ASIC

Microsoft Word - glossary_image_sensor_ doc

イメージセンサ用語説明 CDS (correlated double sampling: 相関 2 重サンプリング ) CCDの読み出しノイズの低減のために 最もよく使われている信号処理方法 FDAによって検出されたCCD の信号出力は 検出ノードの容量に起因したkTCノイズを含んでいます ktcノイズは 熱雑音とも呼ばれ CCDのような電荷 - 電圧変換器でリセット動作を行う場合に必ず生じるノイズです

卓球の試合への興味度に関する確率論的分析

17 i 1 1 1.1..................................... 1 1.2....................................... 1 1.3..................................... 2 2 5 2.1................................ 5 2.2 (1).........................

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -

CCD イメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用 は 当社製 CCDイメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて とPCを接続することにより PCからの制御でセンサのアナログビデオ信号をデジタル出力に変換し PCに取り込むことができます は センサを駆動するセンサ基板 センサ基板の駆動と

推奨端子電圧 (Ta=25 C) 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V ブロ

画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現 は 画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現した CMOS リニアイメージセンサです 画素サイズ 14 14 µm 2048 画素で長尺の受光面 ( 有効受光長 28.672 mm) となっています 特長 用途 画素サイズ : 14 14 μm 2048 画素 有効受光面長 : 28.672 mm 高感度 : 50 V/(lx s) 全画素同時蓄積

(a) 4 1. A v = / 2. A i = / 3. A p = A v A i = ( )/( ) 4. Z i = / 5. Z o = /( ) = 0 2 1

http://www.ieicehbkb.org/ 1 7 2 1 7 2 2009 2 21 1 1 3 22 23 24 25 2 26 21 22 23 24 25 26 c 2011 1/(22) http://www.ieicehbkb.org/ 1 7 2 1 7 2 21 2009 2 1 1 3 1 211 2 1(a) 4 1. A v = / 2. A i = / 3. A p

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路

抄録／抄録１　　　　（１）Ｖ

B1 Ver ( ), SPICE.,,,,. * : student : jikken. [ ] ( TarouOsaka). (, ) 1 SPICE ( SPICE. *1 OrCAD

B1 er. 3.05 (2019.03.27), SPICE.,,,,. * 1 1. 1. 1 1.. 2. : student : jikken. [ ] ( TarouOsaka). (, ) 1 SPICE ( SPICE. *1 OrCAD https://www.orcad.com/jp/resources/orcad-downloads.. 1 2. SPICE 1. SPICE Windows

DS

FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS4 272 1 ASSP (AC / DC ) BIPOLAR, IC,, 2 ma, 5 V SOP 16 1 AC/DC Copyright 1986-211 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 211.5 (TOP VIEW) IN1 1 16 IN2 IN1

IPSJ SIG Technical Report 1, Instrument Separation in Reverberant Environments Using Crystal Microphone Arrays Nobutaka ITO, 1, 2 Yu KITANO, 1

1, 2 1 1 1 Instrument Separation in Reverberant Environments Using Crystal Microphone Arrays Nobutaka ITO, 1, 2 Yu KITANO, 1 Nobutaka ONO 1 and Shigeki SAGAYAMA 1 This paper deals with instrument separation

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swk(at)ic.is.tohoku.ac.jp 2 Outline 3 ? 4 S/N CCD 5 Q Q V 6 CMOS 1 7 1 2 N 1 2 N 8 CCD: CMOS: 9 : / 10 A-D A D C A D C A D C A D C A D C A D C ADC 11 A-D ADC ADC ADC ADC ADC ADC ADC ADC ADC A-D 12 ADC

untitled

BELLE TOP 12 1 3 2 BELLE 4 2.1 BELLE........................... 4 2.1.1......................... 4 2.1.2 B B........................ 7 2.1.3 B CP............... 8 2.2 BELLE...................... 9 2.3

24 I ( ) 1. R 3 (i) C : x 2 + y 2 1 = 0 (ii) C : y = ± 1 x 2 ( 1 x 1) (iii) C : x = cos t, y = sin t (0 t 2π) 1.1. γ : [a, b] R n ; t γ(t) = (x

24 I 1.1.. ( ) 1. R 3 (i) C : x 2 + y 2 1 = 0 (ii) C : y = ± 1 x 2 ( 1 x 1) (iii) C : x = cos t, y = sin t (0 t 2π) 1.1. γ : [a, b] R n ; t γ(t) = (x 1 (t), x 2 (t),, x n (t)) ( ) ( ), γ : (i) x 1 (t),

AD8591/AD8592/AD8594: CMOS 単電源シャットダウン機能付きレール to レール入／出力オペアンプ

AD9/AD9/AD9 OUT A V IN A OUT A AD9 6 V SD SDA 6 V IN A IN A 9 OUT B AD9 IN A IN B V IN B OUT A IN A IN A V IN B IN B 6 OUT B NC SDB 6 OUT D IN D IN D AD9 V IN C IN C OUT C 9 SD NC = OUT A IN A IN A V IN

ミニ分光器 MS シリーズ C10988MA-01 C11708MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した超小型のミニ分光器 ミニ分光器 MSシリーズは MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合し 親指大の超小型サイズ ( mm) を実現したモバイル測定機器組み込み用

MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した超小型の MSシリーズは MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合し 親指大の超小型サイズ (27.6 16.8 13 mm) を実現したモバイル測定機器組み込み用の分光器ヘッドです 入射スリットと一体のCMOSイメージセンサを使用し 光学系として凸面レンズにナノインプリントでグレーティングを形成することで従来のRCシリーズに比べて1/3 以下の体積を実現しています

"Moir6 Patterns on Video Pictures Taken by Solid State Image Sensors" by Okio Yoshida and Akito Iwamoto (Toshiba Research and Development Center, Tosh

"Moir6 Patterns on Video Pictures Taken by Solid State Image Sensors" by Okio Yoshida and Akito Iwamoto (Toshiba Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki) Reproduced resolution chart

devicemondai

c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)

news

ETL NEWS 1999.9 ETL NEWS 1999.11 Establishment of an Evaluation Technique for Laser Pulse Timing Fluctuations Optoelectronics Division Hidemi Tsuchida e-mail:tsuchida@etl.go.jp A new technique has been

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37

第90回日本感染症学会学術講演会抄録（I）

Ł\”ƒ-2005

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated

1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)

パナソニック技報

Panasonic Technical Journal Vol. 63 No. 1 May 2017 Development of Simultaneous-Capture Wide-dynamic-range Technology and Global Shutter Technology for Organic Photoconductive Film Image Sensor Masashi

Summary 3D cinemas are becoming real thanks to digital image processing technology. The most feasible and stable technology based on the binocular dis

Summary 3D cinemas are becoming real thanks to digital image processing technology. The most feasible and stable technology based on the binocular disparity requires stereoglasses. However, there is still

DC-DC Control Circuit for Single Inductor Dual Output DC-DC Converter with Charge Pump (AKM AKM Kenji TAKAHASHI Hajime YOKOO Shunsuke MIWA Hiroyuki IW

DC-DC Control Circuit for Single Inductor Dual Output DC-DC Converter with Charge Pump (AKM AKM Kenji TAKAHASHI Hajime YOKOO Shunsuke MIWA Hiroyuki IWASE Nobukazu TAKAI Haruo KOBAYASHI Takahiro ODAGUCHI

untitled

Horioka Nakagawa and Oshima u ( c ) t+ 1 E β (1 + r ) 1 = t i+ 1 u ( c ) t 0 β c t y t uc ( t ) E () t r t c E β t ct γ ( + r ) 1 0 t+ 1 1 = t+ 1 ξ ct + β ct γ c t + 1 1+ r ) E β t + 1 t ct (1

untitled

5522A 30 2 ( 5522A 5 10 ) tcal ±5 (tcal 5522A ) 7 5 12 Ω ±1 /... 2, 30... 5... IEEE-488(GPIB), RS-232... 0 50 (tcal)... 15 35... -20 70 ; 0 1.09999 A 1.1 A 2.99999 A 50 50 30 90 1 2... tcal +5 1 90 ( 1

AN6591FJM

IC AN6591FJM PHS, PLL IC AN6591FJMPHSIF PLL IC QFN (Quad flat non-leaded PKG) (0.63) 34 44 R0.30 6.20±0.10 (6.00) 33 23 1 11 (0.63) 22 12 3-C 0.50 (6.00) 6.20±0.10 0.20±0.10 0.80 max Unit : mm, PLL,, APC

1 2 2 (Dielecrics) Maxwell ( ) D H

2003.02.13 1 2 2 (Dielecrics) 4 2.1... 4 2.2... 5 2.3... 6 2.4... 6 3 Maxwell ( ) 9 3.1... 9 3.2 D H... 11 3.3... 13 4 14 4.1... 14 4.2... 14 4.3... 17 4.4... 19 5 22 6 THz 24 6.1... 24 6.2... 25 7 26

N cos s s cos ψ e e e e 3 3 e e 3 e 3 e

3 3 5 5 5 3 3 7 5 33 5 33 9 5 8 > e > f U f U u u > u ue u e u ue u ue u e u e u u e u u e u N cos s s cos ψ e e e e 3 3 e e 3 e 3 e 3 > A A > A E A f A A f A [ ] f A A e > > A e[ ] > f A E A < < f ; >

= hυ = h c λ υ λ (ev) = 1240 λ W=NE = Nhc λ W= N 2 10-16 λ / / Φe = dqe dt J/s Φ = km Φe(λ)v(λ)dλ THBV3_0101JA Qe = Φedt (W s) Q = Φdt lm s Ee = dφe ds E = dφ ds Φ Φ THBV3_0102JA Me = dφe ds M = dφ ds

Advanced Visual Inspection Technology with 2-Dimensional Motion Images for Film-shaped Products Sumitomo Chemical Co., Ltd. Industrial Technology & Re

Advanced Visual Inspection Technology with 2-Dimensional Motion Images for Film-shaped Products Sumitomo Chemical Co., Ltd. Industrial Technology & Research Laboratory Osamu HIROSE Maya OZAKI This paper

7 π L int = gψ(x)ψ(x)φ(x) + (7.4) [ ] p ψ N = n (7.5) π (π +,π 0,π ) ψ (σ, σ, σ )ψ ( A) σ τ ( L int = gψψφ g N τ ) N π * ) (7.6) π π = (π, π, π ) π ±

7 7. ( ) SU() SU() 9 ( MeV) p 98.8 π + π 0 n 99.57 9.57 97.4 497.70 δm m 0.4%.% 0.% 0.8% π 9.57 4.96 Σ + Σ 0 Σ 89.6 9.46 K + K 0 49.67 (7.) p p = αp + βn, n n = γp + δn (7.a) [ ] p ψ ψ = Uψ, U = n [ α

Z: Q: R: C: sin 6 5 ζ a, b

Z: Q: R: C: 3 3 7 4 sin 6 5 ζ 9 6 6............................... 6............................... 6.3......................... 4 7 6 8 8 9 3 33 a, b a bc c b a a b 5 3 5 3 5 5 3 a a a a p > p p p, 3,

128 3 II S 1, S 2 Φ 1, Φ 2 Φ 1 = { B( r) n( r)}ds S 1 Φ 2 = { B( r) n( r)}ds (3.3) S 2 S S 1 +S 2 { B( r) n( r)}ds = 0 (3.4) S 1, S 2 { B( r) n( r)}ds

127 3 II 3.1 3.1.1 Φ(t) ϕ em = dφ dt (3.1) B( r) Φ = { B( r) n( r)}ds (3.2) S S n( r) Φ 128 3 II S 1, S 2 Φ 1, Φ 2 Φ 1 = { B( r) n( r)}ds S 1 Φ 2 = { B( r) n( r)}ds (3.3) S 2 S S 1 +S 2 { B( r) n( r)}ds

c 2009 i

I 2009 c 2009 i 0 1 0.0................................... 1 0.1.............................. 3 0.2.............................. 5 1 7 1.1................................. 7 1.2..............................

chap9.dvi

9 AR (i) (ii) MA (iii) (iv) (v) 9.1 2 1 AR 1 9.1.1 S S y j = (α i + β i j) D ij + η j, η j = ρ S η j S + ε j (j =1,,T) (1) i=1 {ε j } i.i.d(,σ 2 ) η j (j ) D ij j i S 1 S =1 D ij =1 S>1 S =4 (1) y j =

MOSFET HiSIM HiSIM2 1

MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution

CMOS RF 回路（アーキテクチャ）とサンプリング回路の研究

CMOS RF 回路 ( アーキテクチャ ) と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 974516 滝上征弥 指導教官小林春夫教授 発表内容 1.CMOS RF 回路 (a) 復調部アーキテクチャ (b) VCO 回路 ( 発振器 ) 2. サンプリング回路 (a) オシロスコープ トリガ回路 (b) CMOS コンパレータ回路 目的 無線通信システムの

AC Modeling and Control of AC Motors Seiji Kondo, Member 1. q q (1) PM (a) N d q Dept. of E&E, Nagaoka Unive

AC Moeling an Control of AC Motors Seiji Kono, Member 1. (1) PM 33 54 64. 1 11 1(a) N 94 188 163 1 Dept. of E&E, Nagaoka University of Technology 163 1, Kamitomioka-cho, Nagaoka, Niigata 94 188 (a) 巻数

‚åŁÎ“·„´Šš‡ðŠp‡¢‡½‹âfi`fiI…A…‰…S…−…Y…•‡ÌMarkovŸA“½fiI›ð’Í

Markov 2009 10 2 Markov 2009 10 2 1 / 25 1 (GA) 2 GA 3 4 Markov 2009 10 2 2 / 25 (GA) (GA) L ( 1) I := {0, 1} L f : I (0, ) M( 2) S := I M GA (GA) f (i) i I Markov 2009 10 2 3 / 25 (GA) ρ(i, j), i, j I

スライド 1

Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

現代物理化学 2-1(9)16.ppt

--- S A, G U S S ds = d 'Q r / ΔS = S S = ds =,r,r d 'Q r r S -- ds = d 'Q r / ΔS = S S = ds =,r,r d 'Q r r d Q r e = P e = P ΔS d 'Q / e (d'q / e ) --3,e Q W Q (> 0),e e ΔU = Q + W = (Q + Q ) + W = 0

ミニ分光器 TF シリーズ C13555MA 小型 薄型 高感度 CMOS イメージセンサ搭載 ミニ分光器 TFシリーズは 光学素子とイメージセンサと駆動回路を小型 薄型の筐体にまとめた分光器 ( ポリクロメータ ) です 測定光を光ファイバ経由で入光し 分光結果をUSB 接続でPCに取り込むことに

ミニ分光器 TF シリーズ C13555MA 小型 薄型 高感度 CMOS イメージセンサ搭載 ミニ分光器 TFシリーズは 光学素子とイメージセンサと駆動回路を小型 薄型の筐体にまとめた分光器 ( ポリクロメータ ) です 測定光を光ファイバ経由で入光し 分光結果をUSB 接続でPCに取り込むことにより 分光スペクトルの収集が可能です 高感度 CMOSイメージセンサの搭載により CCD 並みの高感度を維持しつつ

AD9833: 低消費電力 20 mW 2.3 〜 5.5 V プログラマブル波形発生器

2mW 2.3 5.5V AD9833 3V 2mW 12.5MHz 28 25MHz.1Hz 2.3 5.5V 3SPI 415 1MSOP TDR AD9833 28 25MHz.1Hz1MHz AD9833.4Hz AD9833 3 4MHz DSP 2.3 5.5V AD9833 SLEEP DAC AD98331 MSOP AGND DGND VDD CAP/2.5V MCLK AVDD/

sikepuri.dvi

2009 2 2 2. 2.. F(s) G(s) H(s) G(s) F(s) H(s) F(s),G(s) H(s) : V (s) Z(s)I(s) I(s) Y (s)v (s) Z(s): Y (s): 2: ( ( V V 2 I I 2 ) ( ) ( Z Z 2 Z 2 Z 22 ) ( ) ( Y Y 2 Y 2 Y 22 ( ) ( ) Z Z 2 Y Y 2 : : Z 2 Z

修士論文

SAW 14 2 M3622 i 1 1 1-1 1 1-2 2 1-3 2 2 3 2-1 3 2-2 5 2-3 7 2-3-1 7 2-3-2 2-3-3 SAW 12 3 13 3-1 13 3-2 14 4 SAW 19 4-1 19 4-2 21 4-2-1 21 4-2-2 22 4-3 24 4-4 35 5 SAW 36 5-1 Wedge 36 5-1-1 SAW 36 5-1-2

ミニ分光器 マイクロシリーズ C12666MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド C12666MAは MEMS 技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型 ( 指先大 ) の分光器ヘッドです 新設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ

ミニ分光器 マイクロシリーズ C12666MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド C12666MAは MEMS 技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型 ( 指先大 ) の分光器ヘッドです 新設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ (C988MA-01) に比べ1/2 以下の体積を実現しています また ハーメチックパッケージを採用することにより

1 (1997) (1997) 1974:Q3 1994:Q3 (i) (ii) ( ) ( ) 1 (iii) ( ( 1999 ) ( ) ( ) 1 ( ) ( 1995,pp ) 1

1 (1997) (1997) 1974:Q3 1994:Q3 (i) (ii) ( ) ( ) 1 (iii) ( ( 1999 ) ( ) ( ) 1 ( ) ( 1995,pp.218 223 ) 1 2 ) (i) (ii) / (iii) ( ) (i ii) 1 2 1 ( ) 3 ( ) 2, 3 Dunning(1979) ( ) 1 2 ( ) ( ) ( ) (,p.218) (

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

03-01-”O‰´‘rŁ¶-4.02

VISION Vol. 21, No. 2, 115 128, 2009 174 8580 75 1 1 LMS 2 115 1 n 0 n 1 v 0 v 1 s 0 s 1 2 2.1 1 n 0 sin(q 0 ) n 1 sin(q 1 ) 1.5 2/3 2 2.2 116 2 3 ) ) 8 bit 16 bit 1 n 0 q 0 n 1 q 1 2 2.3 117 3 Sanz &

Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.0) van Cittert - Zernike mutual coherence

Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.) 25 4 4 1 2 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 4 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 5 3.1............................................

O1-1 O1-2 O1-3 O1-4 O1-5 O1-6

O1-1 O1-2 O1-3 O1-4 O1-5 O1-6 O1-7 O1-8 O1-9 O1-10 O1-11 O1-12 O1-13 O1-14 O1-15 O1-16 O1-17 O1-18 O1-19 O1-20 O1-21 O1-22 O1-23 O1-24 O1-25 O1-26 O1-27 O1-28 O1-29 O1-30 O1-31 O1-32 O1-33 O1-34 O1-35

K E N Z U 2012 7 16 HP M. 1 1 4 1.1 3.......................... 4 1.2................................... 4 1.2.1..................................... 4 1.2.2.................................... 5................................

LAN Micro AVS LAN i

00D8104013K 2004 3 LAN Micro AVS LAN i 1 1 2 LAN 2 2.1 LAN ( Local Area Network ) 2 2.1.1 2 2.1.2 LAN 3 2.1.3 3 2.2 LAN 4 2.3 LAN 5 2.4 LAN 6 3 7 3.1 7 3.1.1 7 3.1.2 7 3.1.3 LAN 7 3.2 9 3.2.1 9 3.2.2 10

¼§À�ÍýÏÀ – Ê×ÎòÅŻҼ§À�¤È¥¹¥Ô¥ó¤æ¤é¤® - No.7, No.8, No.9

No.7, No.8, No.9 email: takahash@sci.u-hyogo.ac.jp Spring semester, 2012 Introduction (Critical Behavior) SCR ( b > 0) Arrott 2 Total Amplitude Conservation (TAC) Global Consistency (GC) TAC 2 / 25 Experimental

AD5280/5282: 15 V、I2C 互換 256 ポジション・デジタル・ポテンショメータ

15V I 2 C 256 D528/D5282* 256 D528 1 D5282 2 2kΩ 5kΩ 2kΩ 3ppm/ 5 15V 5.5V I2C SHDN V L SD O 1 O 2 RDC D D1 1 1 1 2 2 2 8 D528 O 1 D528/D5282 256 VR 1 VR 2kΩ 5kΩ2kΩ /1% 3ppm/ 115V5V SHDN V L SD RDC1 RDC2

P361

ΣAD -RFDAC - High-Speed Continuous-Time Bandpass ΣAD Modulator Architecture Employing Sub-Sampling Technnique with 376-8515 1-5-1 Masafumi Uemori Tomonari Ichikawa Haruo Kobayashi Department of Electronic

06-渡辺広明.indd

1 12 2 5 2 DVD 1995 QV1 3 268 4 17 42212 5 6 2 8 CIPA 12 7 1 2 2 1 23 4 25 6 1 27 18 1 2 9 121 1 2 2 2 43 23 2.8 1 2 1 4 1 5 5 CIPA 211 9 12 18 1 6 13 1 7 7 29 25 1 6 1 1 2 21 1 117 2 16 3 SDIC1 4 5 67

1 (Berry,1975) 2-6 p (S πr 2 )p πr 2 p 2πRγ p p = 2γ R (2.5).1-1 : : : : ( ).2 α, β α, β () X S = X X α X β (.1) 1 2

2005 9/8-11 2 2.2 ( 2-5) γ ( ) γ cos θ 2πr πρhr 2 g h = 2γ cos θ ρgr (2.1) γ = ρgrh (2.2) 2 cos θ θ cos θ = 1 (2.2) γ = 1 ρgrh (2.) 2 2. p p ρgh p ( ) p p = p ρgh (2.) h p p = 2γ r 1 1 (Berry,1975) 2-6

日歯雑誌（Ｈ１９・５月号）済／Ｐ６‐１６　クリニカル　　柿木　５

推奨端子電圧 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(CLK) Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(ST)

CMOS リニアイメージセンサ S10227-10 小型 樹脂封止型 CMOS イメージセンサ S10227-10 は 従来品 (S9227 シリーズ ) と比べて小型で高いコストパフォーマンスを実現した樹脂封止型の CMOS リニ アイメージセンサです 特長 用途 小型で高いコストパフォーマンスを実現表面実装型パッケージ : 4.4 9.1 1.6 t mm 画素ピッチ : 12.5 µm 画素高さ

untitled

0. =. =. (999). 3(983). (980). (985). (966). 3. := :=. A A. A A. := := 4 5 A B A B A B. A = B A B A B B A. A B A B, A B, B. AP { A, P } = { : A, P } = { A P }. A = {0, }, A, {0, }, {0}, {}, A {0}, {}.

NewsLetter-No2

日歯雑誌（Ｈ２２・７月号）ＨＰ用／ｐ０６‐１６　クリニカル①　田崎

IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm

Neutron Visual Sensing Techniques Making Good Use of Computer Science J-PARC CT CT-PET TB IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm cm cm barn cm thn/ cm s n/ cm

sumi.indd

S/N S/N CCDCMOS CCD CMOS & E-mail hirofumi.sumi@jp.sony.com & E-mail Tadakuni.Narabu@jp.sony.com & E-mail Shinichiro.Saito@jp.sony.com Hirofumi SUMI, Non - Member and Tadakuni NARABU, Member and Shinichiro

推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単

3 1 5 1.1........................... 5 1.1.1...................... 5 1.1.2........................ 6 1.1.3........................ 6 1.1.4....................... 6 1.1.5.......................... 7 1.1.6..........................

Outline I. Introduction: II. Pr 2 Ir 2 O 7 Like-charge attraction III.

Masafumi Udagawa Dept. of Physics, Gakushuin University Mar. 8, 16 @ in Gakushuin University Reference M. U., L. D. C. Jaubert, C. Castelnovo and R. Moessner, arxiv:1603.02872 Outline I. Introduction:

2016 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 1 16 2 1 () X O 3 (O1) X O, O (O2) O O (O3) O O O X (X, O) O X X (O1), (O2), (O3) (O2) (O3) n (O2) U 1,..., U n O U k O k=1 (O3) U λ O( λ Λ) λ Λ U λ O 0 X 0 (O2) n =

. ev=,604k m 3 Debye ɛ 0 kt e λ D = n e n e Ze 4 ln Λ ν ei = 5.6π / ɛ 0 m/ e kt e /3 ν ei v e H + +e H ev Saha x x = 3/ πme kt g i g e n

003...............................3 Debye................. 3.4................ 3 3 3 3. Larmor Cyclotron... 3 3................ 4 3.3.......... 4 3.3............ 4 3.3...... 4 3.3.3............ 5 3.4.........

f(x) = f(x ) + α(x)(x x ) α(x) x = x. x = f (y), x = f (y ) y = f f (y) = f f (y ) + α(f (y))(f (y) f (y )) f (y) = f (y ) + α(f (y)) (y y ) ( (2) ) f

22 A 3,4 No.3 () (2) (3) (4), (5) (6) (7) (8) () n x = (x,, x n ), = (,, n ), x = ( (x i i ) 2 ) /2 f(x) R n f(x) = f() + i α i (x ) i + o( x ) α,, α n g(x) = o( x )) lim x g(x) x = y = f() + i α i(x )

SFGÇÃÉXÉyÉNÉgÉãå`.pdf

SFG 1 SFG SFG I SFG (ω) χ SFG (ω). SFG χ χ SFG (ω) = χ NR e iϕ +. ω ω + iγ SFG φ = ±π/, χ φ = ±π 3 χ SFG χ SFG = χ NR + χ (ω ω ) + Γ + χ NR χ (ω ω ) (ω ω ) + Γ cosϕ χ NR χ Γ (ω ω ) + Γ sinϕ. 3 (θ) 180

01.Œk’ì/“²fi¡*

AIC AIC y n r n = logy n = logy n logy n ARCHEngle r n = σ n w n logσ n 2 = α + β w n 2 () r n = σ n w n logσ n 2 = α + β logσ n 2 + v n (2) w n r n logr n 2 = logσ n 2 + logw n 2 logσ n 2 = α +β logσ

untitled

+ From Tradeoffs of Receive and Transmit Equalization Architectures, ICC006,Bryan Casper, Intel Labs Transmitter Receiver 0 magnitude (db) 0 0 30 40 50 60 0 4 frequency (GHz). Receiver Transmitter FFE

撮　影

DC cathode ray tube, 2.2 log log log + log log / / / A method determining tone conversion characteristics of digital still camera from two pictorial images Tone conversion characteristic Luminance

untitled

Application of image correlation technique to determination of in-plane deformation distribution of paper Toshiharu Enomae Graduate School of Agricultural and Life Sciences The University of Tokyo 1 Peters

Microsoft Word - 信号処理3.doc

Junji OHTSUBO 2012 FFT FFT SN sin cos x v ψ(x,t) = f (x vt) (1.1) t=0 (1.1) ψ(x,t) = A 0 cos{k(x vt) + φ} = A 0 cos(kx ωt + φ) (1.2) A 0 v=ω/k φ ω k 1.3 (1.2) (1.2) (1.2) (1.1) 1.1 c c = a + ib, a = Re[c],

(interferometer) 1 N *3 2 ω λ k = ω/c = 2π/λ ( ) r E = A 1 e iφ1(r) e iωt + A 2 e iφ2(r) e iωt (1) φ 1 (r), φ 2 (r) r λ 2π 2 I = E 2 = A A 2 2 +

7 1 (Young) *1 *2 (interference) *1 (1802 1804) *2 2 (2005) (1993) 1 (interferometer) 1 N *3 2 ω λ k = ω/c = 2π/λ ( ) r E = A 1 e iφ1(r) e iωt + A 2 e iφ2(r) e iωt (1) φ 1 (r), φ 2 (r) r λ 2π 2 I = E 2

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC BS1 m1 PMT m2 BS2 PMT1 PMT ADC PMT2 α PMT α α = n ω n n Pn TMath::Poisson(x,[0]) 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 λ 1.5 ω n 2 = ( α 2 ) n n! e α 2 α 2 = λ = λn n! e λ Poisson Pn 0.1

kawa (Spin-Orbit Tomography: Kawahara and Fujii 21,Kawahara and Fujii 211,Fujii & Kawahara submitted) 2 van Cittert-Zernike Appendix A V 2

Hanbury-Brown Twiss (ver. 1.) 24 2 1 1 1 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 3 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 4 3.1............................................

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

ii 4 5 RLC 2 LC LC OTA, FDNR 6

There is nothing more practical than a good theory. James Clerk Maxwell ( 1831 1879) 1.1 1.1 2 3 MOSFET 3 MOSFET MOS CMOS CMOS CMOS ii 4 5 RLC 2 LC LC OTA, FDNR 6 iii 1 (90 30 ) 6 5 1 1 2013 3 1. 1.1...

22 / ( ) OD (Origin-Destination)

23 2 15 22 / ( ) OD (Origin-Destination) 1 1 2 3 2.1....................................... 3 2.2......................................... 3 2.3.......................................... 5 2.4............................

2007/8 Vol. J90 D No. 8 Stauffer [7] 2 2 I 1 I 2 2 (I 1(x),I 2(x)) 2 [13] I 2 = CI 1 (C >0) (I 1,I 2) (I 1,I 2) Field Monitoring Server

a) Change Detection Using Joint Intensity Histogram Yasuyo KITA a) 2 (0 255) (I 1 (x),i 2 (x)) I 2 = CI 1 (C>0) (I 1,I 2 ) (I 1,I 2 ) 2 1. [1] 2 [2] [3] [5] [6] [8] Intelligent Systems Research Institute,

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a