HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ データシート
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- つねたけ はにうだ
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1 HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C Z Rev HN58C256A HN58C257A EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max) 20mW/MHz (typ) 110µW (max) OE 10 ms (max) ms (max) Ready/Busy (HN58C257A ) Data ON/OFF JEDEC Byte-wide Standard CMOS MNOS (HN58C257A ) C C Rev.6.00, , page 1 of 23
2 HN58C256AP-85 HN58C256AP-10 HN58C256AFP-85 HN58C256AFP-10 HN58C256AT-85 HN58C256AT-10 HN58C257AT-85 HN58C257AT-10 HN58C256AP-85E HN58C256AP-10E HN58C256AFP-85E HN58C256AFP-10E HN58C256AT-85E HN58C256AT-10E HN58C257AT-85E HN58C257AT-10E 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 85ns 100ns 600mil 28- DIP PRDP0028AB-A (DP-28) 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28D) 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DB) 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DA) 600mil 28- DIP PRDP0028AB-A (DP-28V) 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28DV) 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DBV) 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DAV) Rev.6.00, , page 2 of 24
3 HN58C256AP/AFP Series HN58C256AT Series A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS (Top view) V CC A13 A8 A9 A11 OE A10 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 A10 A2 A1 A0 NC I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 NC A (Top view) HN58C257AT Series A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 V CC A13 A8 A9 A11 OE A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 RDY/Busy V CC RES A13 A8 A9 A11 OE (Top view) Rev.6.00, , page 3 of 24
4 A0 A14 I/O0 I/O7 OE V CC V SS RDY/Busy* 1 RES* 1 NC 1. HN58C257A 1. HN58C257A VCC VSS High voltage generator I/O0 to I/O7 RDY/Busy * 1 RES * 1 OE RES * 1 Control logic and timing I/O buffer and input latch A0 to A5 Y decoder Y gating Address buffer and A6 to A14 latch X decoder Memory array Data latch Rev.6.00, , page 4 of 24
5 OE RES* 3 RDY/Busy* 3 I/O Read V IL V IL V IH V H * 1 High-Z Dout Standby V IH * 2 High-Z High-Z Write V IL V IH V IL V H High-Z to V OL Din Deselect V IL V IH V IH V H High-Z High-Z Write inhibit V IH Write inhibit V IL Data polling V IL V IL V IH V H V OL Dout (I/O7) Program reset V IL High-Z High-Z 1. DC HN58C257A (V SS ) V CC V (V SS ) Vin 0.5* * 3 V * 2 Topr C Tstg C 1. 50ns 3.0V V CC + 1V DC Min Typ Max V CC V V SS V V IL 0.3* V V IH 2.2 V CC + 0.3* 2 V V H * 3 V CC 0.5 V CC V Topr C 1. 50ns 1.0V 2. 50ns V CC + 1.0V 3. HN58C257A Rev.6.00, , page 5 of 24
6 DC (Ta = C, V CC = 5V±10%) Min Typ Max I LI 2* 1 µa V CC = 5.5V, Vin = 5.5V I LO 2 µa V CC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V I CC1 20 µa = V CC I CC2 1 ma = V IH I CC3 12 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 1µs, V CC = 5.5V 30 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 85ns, V CC = 5.5V V OL 0.4 V I OL = 2.1mA V OH 2.4 V I OH = 400µA 1. RES 100µA max (HN58C257A ) (Ta = +25 C, f = 1MHz) Min Typ Max * 1 Cin 6 pf Vin = 0V * 1 Cout 12 pf Vout = 0V 1. Rev.6.00, , page 6 of 24
7 AC (Ta = C, V CC = 5V±10%) V, 0V V C (RES* 2 ) C 5ns 0.8V, 2.0V 1TTL Gate + 100pF 1.5V, 1.5V HN58C256A/HN58C257A Min Max Min Max t ACC ns = OE = V IL, = V IH t ns OE = V IL, = V IH OE t OE ns = V IL, = V IH t OH 0 0 ns = OE = V IL, = V IH t DF * ns = V IL, = V IH t DFR * 1, ns = OE = V IL, = V IH RES t RR * ns = OE = V IL, = V IH Rev.6.00, , page 7 of 24
8 Min* 3 Typ Max t AS 0 ns t AH 50 ns t CS 0 ns t CH 0 ns t WS 0 ns t WH 0 ns OE t OES 0 ns OE t OEH 0 ns t DS 50 ns t DH 0 ns t WP 100 ns t CW 100 ns t DL 50 ns t BLC µs t BL 100 µs t WC 10* 4 ms RDY/Busy t DB 120 ns t DW 0* 5 ns * 2 t RP 100 µs * 2, 6 t RES 1.0 µs 1. t DF, t DFR 2. HN58C257A 3. Min 4. RDY/Busy (HN58C257A ) 10ms 10ms 5. RDY/Busy (HN58C257A ) t DW A6 A14 8. A6 A14 9. Rev.6.00, , page 8 of 24
9 Address t ACC t OH t OE t OE t DF High Data Out t RR Data out valid t DFR RES * 2 Rev.6.00, , page 9 of 24
10 -1 t WC Address t CS t AH t CH t AS t WP t BL t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Rev.6.00, , page 10 of 24
11 -2 Address t WS tah t BL t WC t CW t AS t WH t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Rev.6.00, , page 11 of 24
12 -1 *7 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t WP tdl tblc t CS t CH t WC t OES t OEH OE t DS t DH Din RDY/Busy * 2 High-Z t DB t DW High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Rev.6.00, , page 12 of 24
13 -2 *8 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t CW tdl tblc t WS t WH t WC t OEH t OES OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Rev.6.00, , page 13 of 24
14 (Data polling) Address An An An t OEH t *9 t OES OE t *9 OE t DW I/O7 Din X Dout X t WC Dout X Rev.6.00, , page 14 of 24
15 EEPROM I/O6 "1" "0" I/O6 2 t DW 1. I/O6 High 2. I/O *4 Next mode Address *3 t OE t OEH *3 t OE t OES *1 *2 *2 I/O6 Din Dout Dout Dout Dout t WC t DW Rev.6.00, , page 15 of 24
16 -1 VCC t BLC twc Address Data 5555 AA 2AAA A0 Write address Write data -2 VCC t WC Normal active mode Address Data 5555 AA 2AAA AA 2AAA Rev.6.00, , page 16 of 24
17 (A0-A5) µs 30µs 1 30µs 100µs High Data polling EEPROM I/O7 EEPROM EEPROM RDY/Busy (HN58C257A ) RDY/Busy EEPROM Low High-Z RDY/Busy EEPROM RES (HN58C257A ) RES = Low V CC RES = Low RES High VCC Read inhibit Read inhibit RES Program inhibit Program inhibit, I/O % Rev.6.00, , page 17 of 24
18 1. (, OE, ) 20ns 20ns VIH 0 V OE VIH 0 V 20 ns max Rev.6.00, , page 18 of 24
19 2. V CC V CC CPU EEPROM V CC EEPROM CPU EEPROM V CC CPU RESET * Unprogrammable * Unprogrammable 2.1, OE,, OE, V CC OE V SS V CC : V CC : V CC V SS : V SS 2.2 RES (HN58C257A ) CPU RES EEPROM RES Low RES Low 10ms RES Low V CC RES Program inhibit Program inhibit or 1 µs min 100 µs min 10 ms min Rev.6.00, , page 19 of 24
20 Address Data AAA 5555 Write address AA 55 A0 Write data } Normal data input 6 Address AAA AAA 5555 Data AA AA / Rev.6.00, , page 20 of 24
21 1 HN58C256A, HN58C257A HN58C256AP (PRDP0028AB-A / Previous Code: DP-28, DP-28V) JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-DIP x PRDP0028AB-A DP-28/DP-28V 4.6g D E 1 b 3 14 Z e b p A L A θ e 1 c Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max e D E A 5.70 A b p b c θ 0 15 e Z L 2.54 Rev.6.00, , page 21 of 24
22 HN58C256AFP (PRSP0028DC-A / Previous Code: FP-28D, FP-28DV) F *1 E D E H 1 c 1 c JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-SOP28-8.4x PRSP0028DC-A FP-28D 0.7g NOTE) 1. DIMENSION"*1" DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. bp b1 Index mark Terminal cross section Z 1 e *2 b p x 14 M A y A Detail F L 1 L θ Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H E e x y Z L L Rev.6.00, , page 22 of 24
23 HN58C256AT (PTSA0028ZB-A / Previous Code: TFP-28DB, TFP-28DBV) NOTE) 1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. HD A *1 x 1 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)28-8x PTSA0028ZB-A TFP-28DB/TFP-28DBV 0.23g y Index mark D M 28 p1 E * *3 Z b F e A bp b1 Terminal cross section Detail F L1 L c θ c Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max D E A 2 A A 1.20 b p b c c θ 0 5 H D e x 0.10 y 0.10 Z 0.45 L L Rev.6.00, , page 23 of 24
24 p HN58C256A, HN58C257A HN58C257AT (PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DA, TFP-32DAV) HD A y Index mark *1 D x M 1 32 b *2 bp E b1 c 1 c e 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)32-8x PTSA0032KD-A TFP-32DA/TFP-32DAV 0.26g NOTE) 1. DIMENSION"*1"DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET Z F A Terminal cross section Detail F L1 L θ Reference Symbol D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H D e x y Z L L 1 Dimension in Millimeters Min Nom Max Rev.6.00, , page 24 of 24
25 HN58C256A/HN58C257A Rev. 0.0 H H H DC V IH (min) 3.0V 2.2V DC V CC 0.8V 2.4V AC 0V 3.0V 0.4V 3.0V (Data polling) 1 4 DC V IL (max) 0.6V 0.8V H H HN58C256AFP-85E HN58C256AFP-10E HN58C256AT-85E HN58C256AT-10E HN58C257AT-85E HN58C257AT-10E FP-28D FP-28D FP-28DV TFP-28DB TFP-28DB TFP-28DBV TFP-32DA TFP-32DA TFP-32DAV HN58C256AP-85E HN58C256AP-10E
26 ( ) ( ) ( 2F) ( 13F) 4-9 ( ) ( 1F) ( 3F) ( 7F) ( ) ( ) ( 8F) 5-25 ( 8F) ( ) ( 5F) (03) (044) (042) (022) (0246) (029) (025) (0263) (052) (06) (076) (082) (0857) (092) csc@renesas.com Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 7.0
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28 OA AV RoHS
HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ データシート
HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max)
More informationR1EV5801MBシリーズ データシート
1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)
More informationM54640P データシート
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