I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result
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- しげのぶ えんの
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1 IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda A B
2 I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result 静電気放電イミュニティ試験 R-2 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 3. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 R-3 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC ) 4. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験 R-4 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC ) 5. サージイミュニティ試験 R-5 Surge Immunity Test (IEC ) 6. 伝導性無線周波数電磁界イミュニティ試験 R-6 Conducted Disturbances Induced by Radio-Frequency Field Immunity Test (IEC ) 7. 電力周波数磁界イミュニティ試験 R-7 Power Frequency Magnetic Field Immunity Test (IEC ) 8. 電圧ディップ 瞬停イミュニティ試験 R-8 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test (IEC ) /ME 静電気放電イミュニティ試験 R-9 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Ed.4) 10. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 R-10 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC Ed.4) 11. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験 R-11 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC Ed.4) 12. 電圧ディップ 瞬停イミュニティ試験 R-12 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test (IEC Ed.4) 使用記号 Terminology used FG フレームグラウンド Frame GND L ライブライン Live line N ニュートラルライン Neutral line 接地 Earth +V + 出力 + Output -V - 出力 - Output 当社標準測定条件における結果であり 参考値としてお考え願います Test results are reference data based on our standard measurement condition. TDK-Lambda
3 1. イミュニティ試験結果サマリ Summary of Immunity Test Result MODEL : ( カタログオプション含む *1) (Include option models *1) 項目 Item 静電気放電イミュニテイ試験 Electrostatic Discharge Immunity Test 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test 電気的ファーストトランシ ェントハ ーストイミュニティ試験 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test サーシ イミュニティ試験 Surge Immunity Test 伝導性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Conducted Disturbances Induced by Radio-Frequency Field Immunity Test 電力周波数磁界イミュニティ試験 Power Frequency Magnetic Field Immunity Test 電圧テ ィッフ 瞬停イミュニティ試験 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test 規格 Standard 試験レベル Test level IEC ,2,3 B IEC ,2,3 A Dip:30% 500ms A Dip:60% 200ms A IEC R-8 Dip:100% 20ms A Dip:100% 5000ms B 試験条件の詳細は 各テストページを参照してください Detail of test condition refer to each test page. MODEL : /ME (/MEA 含む ) (Include /MEA) 判定基準 Criteria 結果 Result IEC ,2,3 B IEC Page R-2 R-3 R-4 1,2,3,(4) B R-5 IEC ,2,3 A R-6 IEC ,2,3,4 A R-7 備考 条件 Notes & Conditions レヘ ル 4 : コモンモート のみ Level4 : Common mode only 項目 Item 静電気放電イミュニテイ試験 Electrostatic Discharge Immunity Test 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test 電気的ファーストトランシ ェントハ ーストイミュニティ試験 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test 電圧テ ィッフ 瞬停イミュニティ試験 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test 規格 Standard IEC Ed.4 IEC Ed.4 IEC Ed.4 IEC Ed.4 試験レベル Test level 判定基準 Criteria Dip:30% 500ms A Dip:100% 10ms A Dip:100% 20ms A Dip:100% 5000ms B 試験条件の詳細は 各テストページを参照してください Detail of test condition refer to each test page. 結果 Result Page 1,2,3,4 A R-9 1,2,3 A R-10 1,2,3 A R-11 R-12 備考 条件 Notes & Conditions 判定基準 A Criteria A 判定基準 B Criteria B 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. *1 カタログオプション Option models /A, /R, /RA, /ADIN, /B, /ME, /MEA, /HD, /HDA TDK-Lambda R-1
4 2. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) 静電気試験機 :ESS-2000 (Noiseken) Electro Static Discharge Simulator 放電抵抗 :330Ω 静電容量 :150pF Discharge Resistance Capacity 出力電流 :0, 100% 極性 :+,- Output Current Polarity 試験回数 :10 回 放電間隔 :>1 秒 Number of Tests 10 times Discharge Interval >1 second 周囲温度 :25 Ambient Temperature (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point 接触放電 :FG 供試体ネジ部 Contact Discharge FG, Screw 気中放電 : 入出力端子 (L, N, +V, -V) Air Discharge Input and Output terminal (L, N, +V, -V) 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. Contact Discharge (kv) Air Discharge(kV) TDK-Lambda R-2
5 3. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) シグナルジェネレータ Signal Generator :N5181A (Agilent) パワーアンプシステム Power Amplifier System :CBA 1G-250 (Teseq) :AS /55 (Milmega) 電界センサ Electric Field Sensor :HI-6005 (Holaday) バイログアンテナ Bilog Antenna :VULP9118E (Schwarzbeck) :3117 (ETS Lindgren) 出力電流 :0, 100% 振幅変調 :80%, 1kHz Output Current Amplitude Modulated 偏波 : 水平 垂直 周囲温度 :25 Wave Angle Horizontal and Vertical Ambient Temperature スイープコンディション :1.0% ステップ 0.5 秒保持 距離 :3.0m Sweep Condition 1.0% step up, 0.5 seconds hold Distance 試験方向 : 上下 左右 前後 Test Angle Top/Bottom, Both Sides, Front/Back 電磁界周波数 :80~1000MHz, 1.4~2.0GHz, 2.0~2.7GHz Electromagnetic Frequency (3) 試験方法 Test Method Radiation Field Strength (V/m) Electromagnetic Frequency 2.0~2.7GHz 1.4~2.0GHz 80~1000MHz TDK-Lambda R-3
6 4. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) EFT/B 発生器 :FNS-AXⅡ(Noiseken) EFT/B Generator 出力電流 :0, 100% 試験時間 :1 分間 Output Current Test Time 1 minute 極性 :+,- 周囲温度 :25 Polarity Ambient Temperature 試験回数 :3 回 パルス周波数 :5 khz Number of Tests 3 times Pulse Frequency バースト期間 :15 msec パルス個数 :75 pcs Burst Time Number of Pulse バースト周期 :300 msec Burst Cycle (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point (N, L, FG), (+V, -V) に印加 Apply to (N, L, FG), (+V, -V). 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. Test Voltage (kv) TDK-Lambda R-4
7 5. サージイミュニティ試験 Surge Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) サージ発生器 :LSS-15AX (Noiseken) Surge Generator 結合インピーダンス : コモン 12Ω 結合コンデンサ : コモン 9μF Coupling Impedance Common Coupling Capacitance Common ノーマル 2Ω ノーマル 18μF Normal Normal 出力電流 :0, 100% 試験回数 :5 回 Output Current Number of Tests 5 times 極性 :+,- モード : コモン ノーマル Polarity Mode Common, Normal 位相 :0, 90 deg 周囲温度 :25 Phase Ambient Temperature (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point コモンモード (N-FG, L-FG) 及びノーマルモード (N-L) に印加 Apply to Common mode (N-FG, L-FG) and Normal mode (N-L). 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. Common Normal Test Voltage (kv) Test Voltage (kv) TDK-Lambda R-5
8 6. 伝導性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Conducted Disturbances Induced by Radio-Frequency Field Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) RF パワーアンプ RF Power Amplifier シグナルジェネレータ Signal Generator 結合 / 減結合ネットワーク (CDN1) Coupling De-Coupling Network (CDN1) 結合 / 減結合ネットワーク (CDN2) Coupling De-Coupling Network (CDN2) : CBA230M-08D (Teseq) : N5181A (Agilent) : TCDN-801-M2-16 (TOYO Corporation) : TCDN-801-M3-16 (TOYO Corporation) 出力電流 :0, 100% 電磁界周波数 :150kHz~80MHz Output Current Electromagnetic Frequency 周囲温度 :25 Ambient Temperature スイープ コンディション :1.0% ステップ 0.5 秒保持 Sweep Condition 1.0% step up, 0.5 seconds hold (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point (N, L, FG), (+V, -V) に印加 Apply to (N, L, FG), (+V, -V). Voltage Level (V) TDK-Lambda R-6
9 7. 電力周波数磁界イミュニティ試験 Power Frequency Magnetic Field Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) ACパワーソース AC Power Source ヘルムホルツコイル Helmholts Coil :AA2000XG(Takasago) :HHS5215 (Spulen) 出力電流 :0, 100% 印加磁界周波数 :50Hz Output Current Magnetic Frequency 周囲温度 :25 印加方向 :X, Y, Z Ambient Temperature Direction 試験時間 :10 秒以上 ( 各方向 ) Test Time More than 10 seconds (each direction) (3) 試験方法 Test Method Magnetic Field Strength (A/m) TDK-Lambda R-7
10 8. 電圧ディップ 瞬停イミュニティ試験 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test (IEC ) MODEL : ( カタログオプション含む ) (Include option models) 試験発生器 :AA2000XG(Takasago) Test Generator 出力電流 :100% 周囲温度 :25 Output Current Ambient Temperature 試験回数 :3 回 試験間隔 :10 秒以上 Number of Tests 3 times Test Interval More than 10 seconds (3) 試験方法 Test Method 判定基準 A Criteria A 判定基準 B Criteria B 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. Test Level Dip Rate Continue Time Criteria % 30% 500ms A 40% 60% 200ms A 0% 100% 20ms A 0% 100% 5000ms B TDK-Lambda R-8
11 9. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Ed.4) MODEL : /ME (/MEA 含む ) (Include /MEA) 静電気試験機 :ESS-2000 (Noiseken) Electro Static Discharge Simulator 放電抵抗 :330Ω 静電容量 :150pF Discharge Resistance Capacity 出力電流 :0, 100% 極性 :+,- Output Current Polarity 試験回数 :10 回 放電間隔 :>1 秒 Number of Tests 10 times Discharge Interval >1 second 周囲温度 :25 Ambient Temperature (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point 接触放電 :FG 供試体ネジ部 Contact Discharge FG, Screw 気中放電 : 入出力端子 (L, N, +V, -V) Air Discharge Input and Output terminal (L, N, +V, -V) Contact Discharge (kv) /ME Air Discharge(kV) /ME TDK-Lambda R-9
12 10. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC Ed.4) MODEL : /ME (/MEA 含む ) (Include /MEA) シグナルジェネレータ Signal Generator パワーアンプシステム Power Amplifier System 電界センサ Electric Field Sensor バイログアンテナ Bilog Antenna :N5181A (Agilent) :CBA 1G-250 (Teseq) :AS /55 (Milmega) :HI-6005 (Holaday) :VULP9118E (Schwarzbeck) :3117 (ETS Lindgren) 出力電流 :0, 100% 距離 :3.0m Output Current Distance 偏波 : 水平 垂直 周囲温度 :25 Wave Angle Horizontal and Vertical Ambient Temperature 試験方向 : 上下 左右 前後 Test Angle Top/Bottom, Both Sides, Front/Back 振幅変調(AM) :80%, 1kHz, 1.0% ステップ 0.5 秒保持 パルス変調(PM) :18Hz, 217Hz, Amplitude Modulated 80%, 1kHz, 1.0% step up, 0.5 seconds hold 0.5 秒保持 周波数変調(FM) :5kHz 偏差 1kHz 正弦 0.5 秒保持 Pulse Modulated 18Hz, 217Hz, Frequency Modulated 5kHz deviation, 1kHz sine, 0.5 seconds hold 0.5 seconds hold (3) 試験方法 Test Method Radiation Field Strength (V/m) Electromagnetic Frequency 10 80~2700MHz Modulation AM PM (18Hz) FM MHz ,870,930MHz PM 9 710,745,780,5240,5500,5785MHz (217Hz) ,1845,1970,2450MHz MHz -24/ME TDK-Lambda R-10
13 11. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC Ed.4) MODEL : /ME (/MEA 含む ) (Include /MEA) EFT/B 発生器 :FNS-AXⅡ(Noiseken) EFT/B Generator 出力電流 :0, 100% 試験時間 :1 分間 Output Current Test Time 1 minute 極性 :+,- 周囲温度 :25 Polarity Ambient Temperature 試験回数 :3 回 パルス周波数 :100 khz Number of Tests 3 times Pulse Frequency バースト期間 :0.75 msec パルス個数 :75 pcs Burst Time Number of Pulse バースト周期 :300 msec Burst Cycle (3) 試験方法及び印加箇所 Test Method and Device Test Point (N, L, FG), (+V, -V),(+S,-S) に印加 Apply to (N, L, FG), (+V, -V),(+S,-S). Test Voltage (kv) -24/ME TDK-Lambda R-11
14 12. 電圧ディップ 瞬停イミュニティ試験 Voltage Dips, Short Interruptions Immunity Test (IEC Ed.4) MODEL : /ME (/MEA 含む ) (Include /MEA) 試験発生器 :AA2000XG(Takasago) Test Generator 出力電流 :100% 周囲温度 :25 Output Current Ambient Temperature 試験回数 :3 回 試験間隔 :10 秒以上 Number of Tests 3 times Test Interval More than 10 seconds (3) 試験方法 Test Method 判定基準 A Criteria A 判定基準 B Criteria B 1. 入力再投入を必要とする一時的な機能低下のない事 Must not have temporary function degradation that requires input restart. Test Level Dip Rate Continue Time Phase Angles Criteria -24/ME 70% 30% 500ms 0 deg A 0% 100% 10ms 0,45,90,135,180, 225,270,315 deg A 0% 100% 20ms 0 deg A 0% 100% 5000ms 0 deg B TDK-Lambda R-12
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A27 58 0A /7 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic F
A278 58 01 1/9 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A262 58 0A /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Fiel
RWS 009-58-0 /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000-4-3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
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IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda DA006-58-01A I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
WC037 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3)
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
82 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
67 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
68 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
○MTBF_HFS150A_ xls
-24 Calculated values of MTBF 1. 算出方法 Part count reliability projection MIL-HDBK-217F NOTICE 2 の部品点数信頼度予測法により算出されています Calculated based on part count reliability projection of MIL-HDBK-217F NOTICE 2.
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C263-58-01 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated,
INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC ) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated, radio-frequency,
PH50A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C273-58-01 INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3
INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagn
70 58 01A 1/23 INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IE1000 4 3)
Visio-CA A.vsd
RWS 50B-600B Series CA836-58-01A 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test
IEC シリーズ イミュニティ試験規格の概要
IEC 61000-4 e 2018 7 23 1 2 2 2 2.1.............. 2 2.2.................. 2 3 IEC 61000-4-2 ( ) 3 3.1...................... 3 3.2..................... 3 3.2.1 ESD........... 3 3.2.2 ESD.............. 3
LFS 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 150.1k k k V ata List
LFS150-5 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 192.9k 63.9 18.6 260.6k 61.4 15.5 2.59M 56.0 18.0 260.9k 61.4 15.4 E 521.1k 56.0 19.2 F 2.59M 56.0 18.8 V ata List
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C267 53 1A 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over c
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C271-53-1 TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection
1_30B_Top_INDEX_OK.xls
EALUATION DATA 型式データ CA797-53-1B INDEX ZWS3B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 過電流保護特性 Over current
j9c11_avr.fm
AVR Type: AVR-M AVRL Issue date: September 211 RoHS EU Directive 22/95/EC PBB PBDE (1/1) SMD RoHS AVR AVR-M AVRL Varistor 2Zener diode Current(A) Positive direction 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 Zener diode /Vz:6.8V
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C268 53 1 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
OPA134/2134/4134('98.03)
OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In
INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state da
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda CA806-53-01C INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性
ISO 11452シリーズの概要 前編: ECE R10.05 に関係する規格
ISO 11452 : ECE R10.05 e 2016 8 26 1 1 2 ECE Regulation No. 10 1 3 ISO 11452 2 4 3 4.1 (ISO 11452-1:2005)......... 3 4.1.1.................. 3 4.1.2........... 3 4.1.3.......... 4 4.1.4................
IEC :2014 (ed. 4) の概要 (ed. 2)
IEC 60601-1-2:2014 (ed. 4) (ed. 2) e 2018 4 2 1 1 2 / 1 2.1............... 2 2.2............... 3 2.3.................. 4 3 6 4 6 4.1.................. 6 4.1.1............... 7 4.1.2....... 7 4.1.3............
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Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
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Specification change in Manual Pulse Generator () A) Abstract This document explains about the specification change in Manual Pulse Generator (). The production of the former specifications written in
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EALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda 005-53-01B INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm
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規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,
INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
A265 53 01 1/18 INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C275-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, Protection,Output
はじめに 本資料は NTTグループで使用する高電圧直流で動作するICT 装置等に関わる給電インタフェースや機能について 必要な要求条件を述べたものです 本文中に記載する条件等は 情報通信システムに対する給電システム全体の信頼性 安全性を確保する上で必要とされるものです なお 本資料に記載する内容は
ICT 装置等の高電圧直流給電インタフェース に関するテクニカルリクワイヤメント 第 1.2 版 TR176002 号 平成 30 年 9 月 3 日制定 日本電信電話株式会社 はじめに 本資料は NTTグループで使用する高電圧直流で動作するICT 装置等に関わる給電インタフェースや機能について 必要な要求条件を述べたものです 本文中に記載する条件等は 情報通信システムに対する給電システム全体の信頼性
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
ISO & ISO の概要
ISO 7637-2 & ISO 7637-3 e 217 3 13 1 1 2 ISO 7637-2 2 2.1.................... 2 2.1.1 LISN (AN).............. 2 2.1.2 S............... 3 2.1.3.. 3 2.2 ECE Regulation No. 1.5.......... 3 3 ISO 7637-2 4
Visio-A A.vsd
A274-53-01A 1/28 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
Helvetica bold 30 pts two lines
ULオンラインセミナー車載機器向けEMC(Jaguar Land Rover 新規格 ) および電気試験 (LV124) サービス 2015 年 7 月 30 日 UL and the UL logo are trademarks of UL LLC 2014 本日の講師及び司会 : < 講師 > 大水豊 ( オオミズユタカ ) コンシューマーテクノロジー事業部鹿島 EMC 試験所 UL Japan,
CISPR 35の概要
CISPR 35 e 2018 3 28 1 1 2 2 2.1 IEC 61000-4-2 ( )......... 2 2.2 IEC 61000-4-3, -4-20, -4-21, -4-6 ( RF )....................... 2 2.3 IEC 61000-4-5 ()............ 2 2.4............. 4 3 4 3.1 EUT............
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
AnechoWeb_JA_01
EMCRF EMC Contents Update : AUGUST 24 / 5 2 / 5 emcrf_ ja /254 Deviation (db) Deviation (db) Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Tx =m Tx =m 2 2 - - 2-2 Tx
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm
A273 53 1C 1/4 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics 出力保持時間特性
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
EMC設備案内_2017版
2017年4 更新版 岩手県工業技術センターでは EMC 電磁両立性 試験の 各種規格に対応した試験設備をご利用いただけます 電気 電子製品の開発 品質保証にぜひお役立てください 申込方法 担当者にお電話またはE-Mailにてご相談ください 試験内容等を確認後に 申込書をお送りいただきます 予約状況の確認方法 電波暗室の予約状況は下記URLよりご確認頂けます http://www.pref.iwate.jp/~kiri/ranking/2005-h00004.html
LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)
Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz
5 11 3 1....1 2. 5...4 (1)...5...6...7...17...22 (2)...70...71...72...77...82 (3)...85...86...87...92...97 (4)...101...102...103...112...117 (5)...121...122...123...125...128 1. 10 Web Web WG 5 4 5 ²
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
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() 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit (2) 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit MOS トランジスタの高周波モデル High-frequency model for MOS FET ゲート酸化膜は薄いので G-S, G-D 間に静電容量が生じる
elm1117hh_jp.indd
概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )
MainOfManuscript.dvi
18 2 28 0244086 IC IC IC (MDA) 20% 60% i 1 1 2 4 2.1................. 4 2.2 UHF............. 9 2.2.1 315MH.......................... 10 2.2.2 433MH.......................... 13 2.2.3.......................
CISPR 32の概要 (ed. 2)
CISPR 32 (ed. 2) e 2017 7 25 1 1 2 2 2.1.................. 2 2.2............... 2 2.2.1.......... 3 3 3 3.1.............. 4 3.2 EUT............. 4 3.2.1 EUT.............. 4 3.2.2.............. 4 3.3...............
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C265-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, protection,output
(2/17) 5 4 C 2 7%RH 6
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s October 217 AVR AVRM, AVR-M AVRM168/AVR-M168 JIS 168 [EIA 63] AVRM212/AVR-M212 JIS 212 [EIA 85] AVRL AVRL JIS 5 [EIA 42] AVRL16 JIS 168 [EIA 63] AVRH AVRH
untitled
dynamics operator manual Klark Teknik Klark Teknik Building Walter Nash Road Kidderminster Worcestershire DY11 7HJ England Tel: +44 1562 741515 Fax: +44 1562 745371 Email: klarkteknik.info@uk.telex.com
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
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特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
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各世代静電気放電試験機の相違明確化 生産技術室名和礼成, 足達幹雄 技術支援室城之内一茂 Difference clarification of each generation electrostatic discharge simulator Yukinari NAWA,Mikio ADACHI and Kazushige JOUNOUCHI 電気 電子機器は, 他機器や自然ノイズなどからの外来ノイズにより,
Fan mm San Ace 36 9GX/9GV type (Model no.: 9GX3612P3K1 only) / General Specifications Material Frame: Plastic (Flammability: UL 94V-), Impell
Fan Wide lineup including low power consumption fans (9GA type), silent fans (9S type), and high airflow and high static pressure fans. Fan Model Numbering System Not every combination of the following
pc123xnnsz_j
PC2XNNSZF PC2XNNSZF = UL577 2 fi le No. E68 PC2 BSI BS-EN665 fi le No. 787 BS-EN695 fi le No. 79 PC2 SEMKO EN665 EN695 PC2 DEMKO EN665 EN695 PC2 NEMKO EN665 EN695 PC2 FIMKO EN665 EN695 PC2 CSAfile No.CA952
LM358
LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001
INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
FC005 53 01A 1/36 INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
untitled
1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
pc817xj0000f_j
PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5
電力線重畳型機器認証技術
1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理
スライド 1
プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器
i 1 40 ii Grid Dip Meter 3 10kc 1000Mc Grid Dip Meter (RF) Q Grid Dip Meter Grid Dip Meter GDM Grid Dip Meter i ii 1. Grid Dip Meter 1 1.1................... 1 1.2............... 2 1.3............... 5
Airflow - Static Pressure Characteristics DC % 6% % Airflow 風量 PWM PWMDuty デューティ Cycle %
33mm thick (9BM type) 33mm thick (9BMB type) General Specifications Material Frame: Plastics (Flammability: UL94V-), Impeller: Plastics (Flammability: UL94V-) Expected Life Refer to specifications (L:Survival
Keysight Technologies スイッチング電源の測定
Keysight Technologies Application Note Keysight InfiniiVision 3000T/4000 X Keysight 3000T 4000 X Switching Mode Power Supply SMPS (DUT) SMPS Keysight InfiniiVision 3000T 4000 X DSOX3PWR DSOX4PWR Power
Microsoft PowerPoint - machida0206
広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
dr-timing-furukawa4.pptx[読み取り専用]
![dr-timing-furukawa4.pptx[読み取り専用]](/thumbs/93/112106674.jpg "dr-timing-furukawa4.pptx[読み取り専用]")
< kazuro.furukawa @ kek.jp > 1 2 Remote controlled automatic pattern arbitrator" Manual pattern generator" Recent typical operation. ~37Hz for KEKB LER (3.5GeV e+) ~12.5Hz for KEKB HER (8GeV e ) ~0.5Hz
Description
Metal Hybrid Inductor Description Metal Hybrid Inductor Magnetically shielded Suitable for Large Current Size: 4.3 x 4.3 x H2.1 mm Max. Product weight:.18g (Ref.) Halogen Free available Operating temperature
Agilent 4339B High Resistance Meter Operation Manual
MANUAL SUPPLEMENT 3-2 3-2 Agilent 1 3-2 P/N 16000-99023 Print Date: October 2001 PRINTED IN JAPAN Copyright Agilent Technologies Japan, Ltd. 2001 1-3-2, Murotani, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo, 651-2241 JAPAN
絶縁抵抗試験機 ST550 Output transformer High voltage output Switching power supply DUT Discharge circuit Voltage monitor Contact check ADC EXT I/O Current de
佐藤雄亮 * 要旨 は最速試験時間 50 ms, コンタクトチェック機能, 試験電圧任意設定を実現した絶縁抵抗試験器である. 当社従来製品である絶縁抵抗試験器 354 の後継機種として あらゆる絶縁抵抗を素早く測定 を商品コンセプトに開発した. ここに特長と構成について解説する.. はじめに 絶縁抵抗試験は, 被試験物に直流電圧を印加し, 被試験物の絶縁性能を抵抗値で評価する. 被試験物は, コネクタ,
NJM41005-T 75Ω ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 75Ω ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT to5.5V -40to dBtyp. 0dBtyp.
ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT23-5 4.5to5.5V -4to+5-55dBtyp. dbtyp. dbtyp.atmhz 概要 NJM45 は 映像信号用途に開発された 回路入りアイソレーションアンプです アイソレーションアンプにより信号の同相ノイズを除去でき
s102t02_j
S0T0 S0T0 ITrmsA SIP 4pin IRED SSR iso rms3.0k I T rms.0a SIP DRM 600 DRM 400 iso rms3.0k UL508file No. E94758S0T0/ S0T0 CSA. No.4file No. LR63705 S0T0/S0T0 UL94-0 Sheet No.: D4-A050FJP-A Date Apr. 8.
5988_2410J.qxd
Agilent Product Note Agilent E8244A 2 khz 40 GHz PSG -L Series Signal Generator Frequency MENUS Sweep/ List FREQUENCY AMPLITUDE 40.000 000 000 000 GHZ 10.00 dbm MOD Amplitude Utility Save Recall Trigger
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
MAX DS.J
9-83; Rev ; / µ µ PART TEMP. RANGE PIN- PACKAGE TOP M ARK MAX442EXK-T -4 C to +85 C 5 SC7-5 ABH MAX442EUK-T -4 C to +85 C 5 SOT23-5 ADOL MAX443EKA-T -4 C to +85 C 8 SOT23-8 AADR 2..9 SUPPLY CURRENT vs.
EMC 指令 低電圧指令 対応マニュアル ご使用前に各製品のユーザーズマニュアル 安全上のご注意 を必ずお読みください EMC 指令 低電圧指令 欧州域内で発売される製品に対しては,1996 年から欧州指令の一つである EMC 指令への適合証明が法的に義務づけられています また,1997 年から欧州
EMC 指令 低電圧指令 対応マニュアル ご使用前に各製品のユーザーズマニュアル 安全上のご注意 を必ずお読みください EMC 指令 低電圧指令 欧州域内で発売される製品に対しては,1996 年から欧州指令の一つである EMC 指令への適合証明が法的に義務づけられています また,1997 年から欧州指令の一つである低電圧指令への適合も法的に義務づけられています EMC 指令および低電圧指令に適合していると製造者が認めるものは,
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
RFID RFID + ) (RFID IC transponder) RFID Tag Antenna wired-line Reader Ethernet/ RS232c Antenna RFID Tag Reader id command id interrogation id radio s
RFID 1 RFID 2 RFID 3. RFID 4. RFID E-mail: ichiro@nii.ac.jp RFID RFID RFID (Radio Frequency IDentification system) c.f. IC E-mail: ichiro@nii.ac.jp RFID 2006 6,000 RFID RFID + ) (RFID IC transponder) RFID
FreeSpace.book
IZA 190-HZ IZA 250-LZ ZA 190-HZ ZA 250-LZ FreeSpace Integrated Zone Amplifier/Zone Amplifier * 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 2 2 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 40 C This product conforms to all EU Directive
回路シミュレーションに必要な電子部品の SPICE モデル 回路シミュレータでシミュレーションを行うためには 使用する部品に対応した SPICE モデル が必要です SPICE モデルは 回路のシミュレーションを行うために必要な電子部品の振る舞い が記述されており いわば 回路シミュレーション用の部
当社 SPICE モデルを用いたいたシミュレーションシミュレーション例 この資料は 当社 日本ケミコン ( 株 ) がご提供する SPICE モデルのシミュレーション例をご紹介しています この資料は OrCAD Capture 6.( 日本語化 ) に基づいて作成しています 当社 SPICE モデルの取り扱いに関するご注意 当社 SPICE モデルは OrCAD Capture/PSpice 及び
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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約
Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C
www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872
EMC とは何か
EMC e 2013 10 (2004 2 ) 1 1 2 EMC 1 2.1 EMC......... 1 2.2...... 2 2.3 EMC.............. 2 3 EMC 3 3.1............ 3 3.2............ 6 3.3 EMC.......... 6 4 7 4.1 ( ) 7 4.2................. 9 4.3 ( )..
Options(Unit : mm) Finger guards Model :19-139E :19-139H 53 Surface treatment :Nickel-chrome plating (silver) :Cation electropainting (black) Inlet si
AC Fan 6mm sq. San Ace 6 28mm thick, 38mm thick General Specifications Material Frame: Aluminum, Impeller:Plastics (Flammability: UL94V-1) Life Expectancy Varies for each model (L1: Survival rate: 9% at
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
xEffect_SG_MV_Part2_E_xEffect_SG_MV_E
Miniature Circuit Breakers FAZ-NA, FAZ-RT, FAZ-DU SG56912 FAZ-NA/-RT/-DU According to UL 489, CSA C22.2 No. 5 and also IEC 60947-2 standard For Applications, wich are permitted for UL 1077 or CSA C22.2
MITSUMI Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notificat
VDD VOUT CE Bias CS Vref GND Thermal Shutdown Current Limit 5 4 2 SOT89-5A (TOP VIEW) 3 A µf µf VDD VOUT A V A CE GND CS.µF µf µf VDD VOUT CE GND CS.µF Schottky barrier diode VDD VOUT CE GND CS VDD
XFEL/SPring-8
DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),
高周波同軸コネクタ
RF circuit ANT Probe Signal in Signal out Probe Signal out Signal in RF circuit ANT Probe Probe Signal in Signal out Signal out Signal in RF ANT. RF ANT. Probe Probe Signal out Signal out Signal in Signal
untitled
ON/OFF 3mA.µF.V.V DSC/DVC U. V.V (.Vstep) 7dB typ. (f=khz Vo=3V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.V) Io(max.)=3mA Vo±.%.V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-3 U. CONTROL. GND 3. N.C.. V OUT. V IN V IN V OUT Control Bandgap
M52042FP データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
電波吸収体による UHF 帯 RFID 電磁環境制御方法の開発 これら図 2 および図 3 の結果を比較すると 直接波と 大地反射波の合成により 電界強度が落ち込む 3.8 m 付 RFID用アンテナ タグ 直接波 じていることがわかる また 約 6 m 以上の距離では 近では
104 2007 10 UHF RFID (Radio-Frequency Identification) systems operating in the 860 to 960 MHz band can read/write a large number of IC tags at the same time and have a wider interrogation area than other