Sensorless Field Oriented Control (FOC) of an AC Induction (ACIM) Using Field Weakening

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1 注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います AN1206 磁界弱め制御を採用した AC 誘導モータ (ACIM) のセンサレス磁界方向制御 (FOC) Author: Mihai Cheles Microchip Technology Inc. Co-author:Dr.-Ing.Hafedh Sammoud APPCON Technologies SUARL はじめにコンシューマ向けから車載まで 幅広いアプリケーションでさまざまな出力とサイズの AC 誘導モータ (ACIM) が使われています アプリケーションによっては 高い最大速度を達成しながら低速においてのみ高トルクを生成する事が求められます そのようなアプリケーションの例として 家電アプリケーションの洗濯機とパワートレインアプリケーションの牽引用モータが挙げられます これらの要件を満たすには 磁界弱め として知られるアプローチを誘導モータの制御に適用する必要があります 本書では dspic デジタルシグナルコントローラ (DSC) を使った AC 誘導モータの磁界方向制御に磁界弱めを適用する事で 速度レンジを拡大した高性能制御を実装する方法について説明します 本書は 既刊アプリケーションノート AN AC 誘導モータ (ACIM) のセンサレス磁界方向制御 (FOC) に対する拡張として 磁界弱めブロックの詳細について解説します 本書は 読者が既に AN1162 の内容を理解済みである事を前提として構成されています 制御ストラテジ センサレス磁界方向制御 ACIM 向け磁界方向制御の原理は 磁束を生成する電流成分とトルクを生成する電流成分間のデカップリングに基づきます デカップリングする事で 誘導モータを単純な DC モータのように制御できます 磁界方向制御では 固定された参照ステータフレームから回転する参照ロータフレームへ座標変換を行います この変換は 磁束とトルクを生成するステータ電流成分のデカップリングを可能にします デカップリング法は ロータの回転座標系における誘導モータの式に基づきます ステータ固定フレームからロータ回転フレームへの変換では ロータ磁束の角度を特定する必要があります ロータの角度は直接計測するか 他のパラメータ ( 相電流および電圧等 ) を使って推定できます センサレス は 速度の計測にセンサを用いない事を意味します 磁界方向制御のブロック図を図 1 に示します 図には各構成ブロックの説明も記載しています 磁界弱めブロックはモータの回転速度を入力とし 磁化電流の生成に対応する参照 d 軸電流を出力します AC 誘導モータの磁界方向制御の詳細については 参考資料 内の AN1162 を参照してください 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 1

2 DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc. 図 1: AC 誘導モータ向けセンサレス FOC のブロック図 7 ref + - IDREF + Estimator ハードウェアブロック 1. AC 誘導モータ 2. 三相ブリッジ ( 整流器 インバータ アクイジションおよび保護回路 ) ソフトウェアブロック (dspic DSC で実行 ) 3. Clarke 正変換ブロック 4. Park 正変換および逆変換ブロック 5. 角度 / 速度推定器ブロック 6. PI コントローラブロック 7. 磁界弱めブロック 8. 空間ベクトル変調ブロック PI Field Weakening mech 6 Angle Estimation Speed Estimation Iqref PI PI V V 4 Vq Vd Iq Id d,q d,q, estim, 5 V V 3 8 SVM, A,B Software 3-Phase Bridge Hardware 2 A B C ACIM 1 AN1206

3 磁界弱め磁界弱めは 定トルク動作領域の上限速度よりも高い速度でモータを運転する事を可能にするための方法です AC 誘導モータの運転領域は 磁界方向制御による定トルク領域と磁界弱めによる定出力領域に分割されます 定出力領域では 供給可能な最大電圧がモータに印加されます 定出力領域における最大電圧は ほとんどの場合 インバータの出力特性によって決まります 磁界弱め領域より低速側ではブレークダウントルクは全域で一定であり それより高速側ではブレークダウントルクは減少します ( 図 2 参照 ) 図 2: 誘導モータの理論的な特性 Torque, Voltage, Current Constant Torque Constant Power -Field Weakening Voltage (V) Breakdown Torque (T) Phase Current (I) 0 Speed (Frequency) 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 3

4 誘導モータのトルクは式 1 のように表せます 式 1: T = 3 -- P mr R T = トルク P = 極数 mr = 磁束 i Sq = トルク生成電流成分 L R = R 1 L M L R = ロータインダクタンス L M = 相互インダクタンス i Sq モータの定格トルクは トルク / 電流比が最大になる磁化電流を選択する事で得られます 理論的には ( 磁気飽和を考慮に入れなければ ) ステータ電流の全許容レンジ内の定常状態において 磁化電流 (i mr ) がステータ電流のトルク生成成分 (i Sq ) に等しい時にトルク / 電流比が最大になります 磁化電流によって磁束が生成されます 磁化電流と電流の d 成分の関係は式 2 で表せます 式 2: T R = ロータ時定数 i mr = 磁化電流 i Sd = 磁束生成電流成分 di T mr R i dt mr = i Sd 図 3: 理論的な最大トルク Torque (T) NON SATURATING IRON (ideal) 2,5 is* 2,5 IS SATURATING I (real) 2 is 2 is* 1,5 IS* 1,5 is IS* IS 0 0,707 1 Isq / is DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

5 磁気飽和が生じる実際のモータでは 所定のステータ電流レンジにおいてトルク / 電流比が最大になる磁化電流 / トルク成分電流比は 上記の理論値とは異なります 磁束は磁化電流に対して非線形に増加します ( 磁束を少し増加させるために電流を大きく増加させる必要があります ) 従って 最大トルク / 電流比を達成するには 電流の増分の大部分をトルク生成電流成分に割り振る事が望まれます インバータの出力制限を守りながら定トルク領域を超えて速度を上げるには トルクを下げる必要があります 磁界弱めは 低速でのみ高トルクを必要とするトラクションモータや家庭用電化製品に適しています 磁界弱め領域でトルクを低減する場合でも トルク / 電流比を高く保つよう配慮します 同時に 式 3 に示すように逆起電力 (BEMF) がロータ速度に比例する事にも配慮します なぜならば これによって最大達成可能速度が制限されるからです ( 式 3の右辺がインバータの最大電圧に等しくなった時点で速度は最大速度に達する ) 磁化電流を下げて BEMF の振幅を小さくする事で さらに速度を上げる事はできますが トルクは式 1 に従って低下します 式 3: 図 4に 式 3を図示します 図中のU max は最大電圧です ステータ電圧の 2 つの成分 (d q) とステータ電圧ベクトルの ( 絶対値 ) の関係を式 4 に示します 式 4: u S 2 u Sd u S = ステータ電圧 u Sd = 磁束生成電圧成分 u Sq = トルク生成電圧成分 = 2 u Sq 式 4 で示すように 事実上 2 つの電圧成分 (d q) が最大ステータ電圧を決定します 前述の制御の説明を参照すると分かるように d-q 電流コントローラは飽和する時にこの制限値に達します 磁化電流を低減してコントローラの飽和を防ぐ事で システムが図 4 に示した限界に達する事を回避できます + u = R S S + j L S i + j 1 L S S i mr BEMF u S = ステータ電圧ベクトル i S = ステータ電流ベクトル R S = ステータ抵抗 = 角速度 2 L = 1 M L S L R L S = ステータインダクタンス L R = ロータインダクタンス L M = 相互インダクタンス 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 5

6 図 4: ステータの式の図解 q R S I S j L S I S Inverter output limit U max j 1 L I S mr U S I S I mr d DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

7 本書のソリューションでは 磁界弱めブロックの入力としてロータ速度を使います 磁化電流を速度に応じて調整する事で 前記のように制御システムが限界に達する事を回避します 式 4 の右辺が動作レンジ内で最大インバータ電圧振幅に達さないよう BEMF の定常振幅値 ( 磁化電流に依存 ) を抑える必要があります これを図 5 に示します 磁界弱め動作向けにインバータから供給する定常電圧の振幅は 下記の 2 つの要件を考慮して決定する必要があります 負荷変化または加速要求に応答していつでも出力電圧を上げる事ができる事 - これは電圧余裕を大きく取る事を要求します モータ電流を最小限に抑えて効率を向上するためにインバータ出力電圧をできるだけ高くする事 - これは電圧余裕を小さく取る事を要求します 経験によると 10 ~ 25% の電圧余裕で両方の要件を満たす事ができます 本書のアプリケーションでは 高い動特性や負荷変化は要求されないと想定し 15% の電圧余裕を選択しています また 速度の変化は緩やかである ( 動的要求は低い ) ため 追加の磁束コントローラを使わず 磁界弱めブロックの出力を電流コントローラに直結しています ロータ速度に応じて変化させる磁化電流の値は 一連の開ループ V/f 無負荷実験を実施して決定しました 各実験シリーズで V/f 比を変化させました これらの実験では 最大インバータ電圧の85% で周波数を変化させ 電流の d 成分を計測しました これは定常状態における磁化電流を表します 無負荷運転では モータは微小な軸受けフリクション分のトルクしか生成しないため 定常状態における電流 d 成分は磁化電流に等しいと仮定しました 一連の実験で計測された周波数に対する磁化電流の変化を図 6 に示します 図 5: ステータ式の電圧余裕 q Inverter output limit U max R S I S j L S I S Voltage reserve j 1 L S I mr U S I = I mr S d 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 7

8 図 6: 速度に対する磁化電流の変化 ( 実験結果 ) No Load Test Imr = f(speed) Magnitizing Current - Normalized Frequency in Hertz 既に述べたように 鉄の磁気飽和が影響するため 磁化電流に対するロータ磁束の関係は非線形です 式 5 にロータ磁束 磁化電流 相互インダクタンスの関係を示します 式 5: 式 6: L 1 S = S 2 u S R 2 S i S mr L0 i mr mr = 磁束 L 0 = L M ( 相互インダクタンス ) i mr = 磁化電流 u S = ステータ電圧 i S = ステータ電流 L S = ステータインダクタンス R S = ステータ抵抗 S = ステータ角速度 L 0 インダクタンスを求めるために L S = L R と仮定できます 無負荷条件では L S は式 6 のように求まります DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

9 L S L R L 0 の変化は同様であると考えられるため L S の変化を特定すれば その結果を基に他のインダクタンスも推定できます 図 7 に示した実験結果では 定格速度と最大速度の間でインダクタンスは約 25% 変化しています 磁化曲線とステータインダクタンス (L S ) の変化に関する実験結果は サンプルとしてソフトウェアアーカイブ内の Excel ファイル (MagnetizingCurve_FW.xls) に収められています ( 補遺 A: ソースコード 参照 ) 図 7: 速度に対するインダクタンスの変化 ( 実験結果 ) No Load Test Ls = f(imr) Ls in Henry Frequency in Hertz 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 9

10 ソフトウェアの実装本書は 参考資料 内の AN AC 誘導モータ (ACIM) のセンサレス磁界方向制御 (FOC) に対する拡張です AN1162 からの変更内容には 新たな磁界弱めブロックの設計と 磁界弱めの影響を受ける既存変数の適合が含まれます C 言語の関数と変数磁界弱めブロックは 参照回転速度を入力とし 磁化電流の参照信号を出力します この関数は 10 ms 周期で呼び出されます ( 呼び出し周期はインクルードファイル UserParms.h 内の定数 dfwupdatetime で定義 ) 磁化曲線は UserParms.h 内でルックアップテーブルとして定義されます 参照速度 ( ランプジェネレータの出力 ) が定トルク動作領域の上限速度を超えると 磁界弱めが適用されます 18x 整数配列がルックアップテーブルを使って定義および初期化されます 滑らかに磁場を変化させるため 磁化電流 i mr の参照値は補間計算されます 速度を参照するたびに ルックアップテーブルにアクセスするためのインデックスが計算されます ( 例 1 参照 ) 例 1 において qmotorspeed は参照速度を表し qfwonspeed は磁界弱め制御の開始速度を表します これら 2 つの速度の差を 2 10 で除算する事で ルック アップテーブルのインデックスが求まります この除数は 前記の実験的に求めた磁化曲線から得られるサンプルの分解能で決められています 磁化電流の参照値は FdWeakParm.qFwCurve[ FdWeakParm.qIndex ] と FdWeakParm.qFwCurve[ FdWeakParm.qIndex + 1 ] の間の値です MotorEstimParm.qL0FW は テータインダクタンス (L S ) を定格速度におけるステータインダクタンス (L S0 ) の 2 倍の値で除算した値を表します ステータインダクタンス (L S ) は 磁化電流同定実験の結果に基づいて求まります より正確な結果を得るため L S は ステータインダクタンス変化の同定実験の2つの隣接する結果から補間計算によって求められます 補間部は例 2 に示すように計算されます 磁界弱め機能実装する関数 FieldWeakening は C コードファイル FieldWeakening.c で定義され 下記の性能を有します 実行時間 : 51 サイクル クロック速度 : 7.2 ~ MHz コードサイズ : 212 ワード RAM: 46 ワード既に述べたように 磁界弱め領域で運転する場合 相互インダクタンスを適合する必要があります 相互インダクタンスの適合方法は 全てのインダクタンスは同様に変化するという前提の下に 式 7 に従います 図 8 に モータの速度変化に伴う相互インダクタンス (L 0 ) の変化を示します 例 1: // Index in FW-Table FdWeakParm.qIndex = (qmotorspeed - FdWeakParm.qFwOnSpeed ) >> 10; 例 2: // Interpolation between two results from the Table FdWeakParm.qIdRef= FdWeakParm.qFwCurve[FdWeakParm.qIndex]- (((long)(fdweakparm.qfwcurve[fdweakparm.qindex]- FdWeakParm.qFwCurve[FdWeakParm.qIndex+1])* (long)(qmotorspeed- ((FdWeakParm.qIndex<<10)+FdWeakParm.qFwOnSpeed)))>>10); 式 7: MotorEstimParm.qL0Fw 2 14 L S L R L = M インデックスが 0 の計測値は定格速度での値に対応します L S0 L R0 L M0 DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

11 図 8: 磁界弱め領域における相互インダクタンスの適合 20 x 103 Speed Ref in RPM Time in Seconds ql0fw Normalized Value Time in Seconds 磁界方向制御で使われる他の全てのモータ定数に関連する変数も 磁界弱め領域での誤差を最小限に抑えるために適合されます そのような変数は以下の通りです MotorEstimParm.qInvTr MotorEstimParm.qLsDt MotorEstimParm.qInvPsi MotorEstimParm.qRrInvTr 全てのソフトウェア機能は 最初に定トルク領域のモータパラメータ定数を考慮して設計されたため 磁界弱め領域における速度の増加に伴うパラメータ値の変化を考慮するために適合関数が設計されました 適合機能を実装する関数 AdaptEstimParm は C コードファイル FieldWeakening.c で定義され 下記の性能を有します 実行時間 : 1800 サイクル クロック速度 : 7.2 ~ MHz コードサイズ : 218 ワード RAM: 62 ワード図 9 の実験結果は 磁界弱めによる速度制御によって高い安定性と適正な挙動が得られる事を示しています 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 11

12 図 9: AC 誘導モータの磁界弱めを使ったセンサレス FOC の実験結果 20 x 103 Speed in RPM Speed Reference Estimated Rotor Speed Time in Seconds ld,lq Normalized Value ld lq Time in Seconds 表 1 に 各速度で計測したトルクと効率 ( インバータとモータを含めた効率 ) を示します 表 1: 実験結果 : 各速度におけるトルクと効率 速度 (rpm) トルク (N*m) 機械的出力 (W) 入力電力 (W) 効率 (%) まとめ本書では Microchip 社の dspic30f および dspic33f デジタルシグナルコントローラを使った AC 誘導モータのセンサレス磁界方向制御に磁界弱めを実装するためのソリューションについて説明しました このソリューションは 既刊アプリケーションノート AN1162 の拡張として 誘導モータの高性能 / 高速駆動ソリューションを提供するために開発されました 参考資料 AN SAC 誘導モータ (ACIM) のセンサレス磁界方向制御 (FOC) (DS01162) Microchip Technology Inc DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

13 補遺 A: ソースコード ソフトウェアライセンス使用許諾 Microchip Technology Incorporated ( 以下 弊社 ) が提供するソフトウェアは 弊社製品との組み合わせでのみ使われる事を目的として弊社のお客様に供給されます ソフトウェアの所有権は弊社および / またはソフトウェアのサプライヤに帰属し 適用著作権法のもとに保護されています 無断複写 複製 転載は禁じられています 前述の制約事項に反する使用については適用法令による刑事制裁 あるいは本契約条件の違反に対する民事上の責任が課せられる可能性があります 本ソフトウェアは 無条件受け取り を条件として提供されます 本ソフトウェアの商品性および特定目的に対する適合性の黙示保証を含む ( ただし必ずしもこれらに限定されない ) 明示 暗示 法的な保証は一切致しません 弊社は いかなる場合も 特殊 偶発的 必然的にかかわらず いかなる理由があろうとも 一切の賠償責任を負いません 本アプリケーションノートに関連する全てのソフトウェアは 1 つの WinZip ファイルに収められています このファイルは下記の Microchip 社ウェブサイトからダウンロードできます : Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 13

14 NOTE: DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.

15 Microchip 社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください Microchip 社製品は 該当する Microchip 社データシートに記載の仕様を満たしています Microchip 社では 通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合 Microchip 社製品のセキュリティレベルは 現在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています しかし コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です 弊社の理解ではこうした手法は Microchip 社データシートにある動作仕様書以外の方法で Microchip 社製品を使用する事になります このような行為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます Microchip 社は コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し 対応策に取り組んでいきます Microchip 社を含む全ての半導体メーカーで 自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません コード保護機能とは Microchip 社が製品を 解読不能 として保証するものではありません コード保護機能は常に進歩しています Microchip 社では 常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます Microchip 社のコード保護機能の侵害は デジタルミレニアム著作権法に違反します そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著 本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する情報は ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであり 更新によって無効とされる事があります お客様のアプリケーションが仕様を満たす事を保証する責任は お客様にあります Microchip 社は 明示的 暗黙的 書面 口頭 法定のいずれであるかを問わず 本書に記載されている情報に関して 状態 品質 性能 商品性 特定目的への適合性をはじめとする いかなる類の表明も保証も行いません Microchip 社は 本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します Microchip 社の明示的な書面による承認なしに 生命維持装置あるいは生命安全用途に Microchip 社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし また購入者はこれによって発生したあらゆる損害 クレーム 訴訟 費用に関して Microchip 社は擁護され 免責され 損害をうけない事に同意するものとします 暗黙的あるいは明示的を問わず Microchip 社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません 商標 Microchip 社の名称と Microchip ロゴ dspic FlashFlex KEELOQ KEELOQ ロゴ MPLAB PIC PICmicro PICSTART PIC 32 ロゴ rfpic SST SST ロゴ SuperFlash UNI/O は 米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MTP SEEVAL Embedded Control Solutions Company は 米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です Silicon Storage Technology は その他の国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です Analog-for-the-Digital Age Application Maestro BodyCom chipkit chipkit ロゴ CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPF MPLAB 認証ロゴ MPLIB MPLINK mtouch Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail REAL ICE rflab Select Mode SQI Serial Quad I/O Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock ZENA Z-Scale は 米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です SQTP は 米国における Microchip Technology Incorporated のサービスマークです GestICとULPPは その他の国におけるMicrochip Technology Germany II GmbH & Co. & KG (Microchip Technology Incorporated の子会社 ) の登録商標です その他 本書に記載されている商標は各社に帰属します 2013, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved. ISBN: QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFIED BY DNV == ISO/TS == Microchip 社では Chandler および Tempe ( アリゾナ州 ) Gresham ( オレゴン州 ) の本部 設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を取得しています Microchip 社の品質システムプロセスおよび手順は PIC MCU および dspic DSC KEELOQ コードホッピングデバイス シリアル EEPROM マイクロペリフェラル 不揮発性メモリ アナログ製品に採用されています さらに 開発システムの設計と製造に関する Microchip 社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています 2014 Microchip Technology Inc. DS01206A_JP - p. 15

16 各国の営業所とサービス 北米本社 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技術サポート : support URL: アトランタ Duluth, GA Tel: Fax: オースティン (TX) Tel: ボストン Westborough, MA Tel: Fax: シカゴ Itasca, IL Tel: Fax: クリーブランド Independence, OH Tel: Fax: ダラス Addison, TX Tel: Fax: デトロイト Novi, MI Tel: ヒューストン (TX) Tel: インディアナポリス Noblesville, IN Tel: Fax: ロサンゼルス Mission Viejo, CA Tel: Fax: ニューヨーク (NY) Tel: サンノゼ (CA) Tel: カナダ - トロント Tel: Fax: アジア / 太平洋アジア太平洋支社 Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: オーストラリア - シドニー Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重慶 Tel: Fax: 中国 - 杭州 Tel: Fax: 中国 - 香港 SAR Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青島 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 瀋陽 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武漢 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦門 Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: アジア / 太平洋 インド - バンガロール Tel: Fax: インド - ニューデリー Tel: Fax: インド - プネ Tel: 日本 - 大阪 Tel: Fax: 日本 - 東京 Tel: Fax: 韓国 - 大邱 Tel: Fax: 韓国 - ソウル Tel: Fax: または マレーシア - クアラルンプール Tel: Fax: マレーシア - ペナン Tel: Fax: フィリピン - マニラ Tel: Fax: シンガポール Tel: Fax: 台湾 - 新竹 Tel: Fax: 台湾 - 高雄 Tel: 台湾 - 台北 Tel: Fax: タイ - バンコク Tel: Fax: ヨーロッパオーストリア - ヴェルス Tel: Fax: デンマーク - コペンハーゲン Tel: Fax: フランス - パリ Tel: Fax: ドイツ - デュッセルドルフ Tel: ドイツ - ミュンヘン Tel: Fax: ドイツ - プフォルツハイム Tel: イタリア - ミラノ Tel: Fax: イタリア - ベニス Tel: オランダ - ドリューネン Tel: Fax: ポーランド - ワルシャワ Tel: スペイン - マドリッド Tel: Fax: スウェーデン - ストックホルム Tel: イギリス - ウォーキンガム Tel: Fax: /25/14 DS01206A_JP - p Microchip Technology Inc.