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1 2008 年度 P6 発表会 新型半導体検出器 MPPCによる放射線測定 2009 年 3 月 11 日福間 今野班

2 目次 福間 今野 実験の目的 MPPCとシンチレータ 原理と解説 測定での困難 測定結果と考察 まとめと課題

3 実験の目的 MPPC(Multi Pixel Photon Counter) 最近になって開発された新しい光検出器優れたフォトンカウンティング能力低電圧で動作コンパクト LaBr3 最近になって小さくパッケージできるようになったエネルギー分解能の良いシンチレータ どれほどの分解能が出せるか

4 実験 1 MPPC (Multi Pixel Photon Counter) + GSO(Gd2SiO5) (Ce) MPPC の最大感度波長 400nm に近い光を出す 小型で潮解性がないので扱いやすい 様々な線源の放射線を測定し MPPC の基本的性質や扱いに慣れる

5 LaBr3(Ce) 実験 2 MPPC (Multi Pixel Photon Counter) + MPPC の最大感度波長 400nm に近い光を出す 非常に発光量が大きい エネルギー分解能が良い MPPC と LaBr3 を組み合わせてガンマ線を測定し エネルギー分解能を求め GSO(Ce) と MPPC の組み合わせと比較する

6 MPPC (Multi Pixel Photon Counter) 多数の APD ピクセル が並列に接続 APD はガイガーモードで動作 6.5mm 3mm 各ピクセルの出力の和で光子数を測定 6.5mm 3mm

7 アバランシェフォトダイオード 1ピクセル (APD) の動作原理 (APD) 動作原理 可視光入射 1 電子 正孔対の生成 2 電場により加速され 他の束縛電子と激しく衝突 3 なだれ増幅 4 強い電場 1 光電流 電子 3 4 シンチレーション光 正孔 2 N+ 層 アバランシェ領域 空乏層 P+ 層

8 APD の 2 つのモード 1. ノーマルモード V < Vbd V ゲイン<100 電荷量 光子数に比例 : 逆電圧 Vbd : ブレイクダウン電圧 C : 各 APD ピクセルの容量 (~90fF) 2. ガイガーモード V Vbd ゲイン~10 6 電荷量 Q C (V ー Vbd) 光子数に無関係

9 MPPC の構造 R~200kΩ 出力 : シグナルの総和励起ピクセル数 Nfired に Q をかけた値 Qtotal = Nfired Q Qtotal Nfired 入射光子数

10 使用した MPPC 型番の異なる2 種類のMPPC( 浜松ホトニクス社製 ) を使用 型番 S C S C ピクセル数 ピクセルサイズ 50μ m 50μ m 25μ m 25μ m 最大感度波長 (nm) 400 有効受光面サイズ 3mm 3mm ブレイクダウン電圧 (V) (at 25 ) (at 10 ) ゲイン (at 25 ) (at 10 )

11 検出効率 (PDE) 検出効率 = 量子効率 開口率 励起確率 量子効率 1フォトンに対して何 % の確率で電子正孔対が出来るか (70% at 400nm) 開口率 1ピクセル中で受光部の占める割合励起確率 1 電子に対してガイガー放電が起こる確率

12 MPPC の受光面の拡大写真 MPPC1 ピクセル 050C 50μm 開口率 (050C : 61.5% 025C : 30.8%) 025C 25μm 不感領域

13 MPPC の検出効率 360nm 440nm ( μm) 050C 025C LaBr3 最大発光波長 GSO 最大発光波長

14 シンチレータの原理 光子

15 NaI (Tl) 密度 (g / cm 3 ) シンチレータの特徴 蛍光減衰時間 (ns) 最大発光波長 (nm) エネルギー分解能 (%) Light output ( / MeV ) ,000 潮解性 強 GSO (Ce) ,000 なし LaBr3 (Ce) ,000 GSO の 7 倍 非常に強 *PMT 測定

16 使用したシンチレータ mm 単位 LaBr3 GSO 外側には反射材のテフロンがまいてある

17 MPPC とシンチレータの取り付け GSO GSO GSO MPPC とシンチレータをテープで巻いて固定 MPPC MPPC MPPC グリス MPPC とシンチレータの接触面にはオプティカルグリスを塗る

18 ( ノイズカット ) 読み出し回路 ( 自作 ) 145mm 信号 BIAS MPPC 箱を閉じて遮蔽 145mm

19 MPPC のセットアップ 暗箱 ステンレスの箱 ( 読み出し回路 ) MPPC HPK S C or S C 線源 シンチレータ プリアンプ 時定数 =2.63μs シェーパー 時定数 =0.5μs BIAS 70V Logic Fan In/Out out ピークホールド ADC ディスクリ ゲートジェネレータ GATE

20 MPPC からの生信号 60mV 200ns GSO+050C 線源は 137 Cs

21 GSO+MPPC(050C:3600 ピクセル ) での スペクトル 18.7% (FWHM)

22 ピーク位置のずれ GSO+050C 4 まずは GSO で測定 全く同じセットアップでも測定する度にピークチャンネルが変化 662keV でのピークのずれ 7836±1142(Ch) σ:14.6%

23 Peak Channel BIAS Voltage[V] バイアス電圧の時間変化 Time-Channel Time-Voltage Time[min] Time[min] 662keV のピーク位置の時間変化を測定 バイアス電源の電圧値が変動しているためにピーク位置がずれることがわかった

24 バイアス電源の変更 CLEAR-PULSE 社 E6625 E6665 へ変更 主な仕様(CLEAR-PULSE 社カタログより ) E6665 出力電圧 0~+500V 入力電圧変動 ±0.2% 以下 (AC100V±10% 変動に対して ) 長時間安定度 ±0.03% 以下 E6625 出力電圧 0~200V 出力安定度 ±1% 以下

25 バイアス電源の変更 (2) セットアップを変えずに4 全く同じセットアップでの測定ではピーク位置はほぼずれなくなった 662keV でのピークのずれ 5882±103(Ch) σ:1.8% 電源変更前 σ:14.6%

26 GSO を取り付けなおしての測定 測定するごとに GSO を MPPC からはずし 取り付けなおして 4 再びピーク位置のずれがみられた 取り付ける際の位置のずれにより入射光量が変わる 662keV でのピークのずれ 5136±749(Ch) σ:14.6%

27 装着キットの作成 できるだけ同じ状態でシンチレータと MPPC を取り付けられるようにアクリル板で装着キットを作成した 10mm GSO MPPC 装着キット

28 GSO を毎回取り付けなおして 4 回測定 ( 装着キットの効果 ) 137 Cs 662keV ピークの位置のずれ 5136±749(Ch) σ:14.6% 5501±201(Ch) σ:3.7%

29 温度によるピーク位置の変化 GSO+050C 1 で -1200Ch(~10%) ピーク位置のずれは温度によるずれ (~±0.2 ) 程度 低温では キャリアが移動しやすい ブレイクダウン電圧が小さい 同じ電圧ではゲインが大きい

30 同じ測定を 4 回行い 平均値をプロットして標準偏差で誤差棒をつけた GSO+MPPC(050C) でのエネルギー較正 Ch=(10.6±0.1) 22 Na1275keV では線形性が成り立たない ( 光量が多く 1 ピクセルに 2 フォトン以上入る ) 直線からのずれ :13.3±3.7%

31 直線からの残差

32 GSO+MPPC(050C) でのエネルギー分解能 Res.[%]=(17.6±1.0) (E/662[keV]) (-0.42±0.06) 662keV で 18.7±1.9%

33 ピクセル数による線形性の比較 シンチレータ 050C(3600 ピクセル ) 025C(14400 ピクセル ) 1275keV での直線からのずれ 13.3±3.7% 4.7±2.5%

34 直線からの残差 050C(3600 ピクセル ) 025C(14400 ピクセル )

35 シンチレータによる線形性の比較 MPPC:050C(3600 ピクセル GSO LaBr3 LaBr3 では線形性が大きく低下 光量が大きい

36 直線からの残差 GSO LaBr3

37 シンチレータによる線形性の比較 MPPC:025C(14400 ピクセル GSO LaBr3 1275keVでの直線からのずれ 4.7±2.5% 7.5±3.7% 025C(14400 ピクセル ) では LaBr3 でも線形性が大きく低下することはなかった

38 直線からの残差 GSO LaBr3

39 ピクセル数による分解能の比較 (GSO 使用 ) 662keV におけるエネルギー分解能 050C: 18.7±1.9% 025C: 20.4±1.4%

40 シンチレータによる分解能の比較 (025C を使用 ) 662keV におけるエネルギー分解能 (FWHM) LaBr3: 8.6±0.3% GSO: LaBr3 の方が圧倒的に分解能が良かった

41 シンチレータによる分解能の比較 (2) 303keV 356keV LaBr3 では 356keV と前のピークが分離

42 MPPC の型番とシンチの組み合わせによる シンチ MPPC S C (3600 ピクセル ) S C (14400 ピクセル ) GSO(Ce) 18.7±1.9% 20.4±1.4% LaBr3(Ce) 9.9±1.5% 8.6±0.3%

43 まとめと今後の課題 ピクセル数の大きな MPPC(025C) の方がダイナミックレンジが広く LaBr3 においても線形性がみられた シンチレータに LaBr3 を用いると GSO より格段に分解能が良くなった LaBr3+MPPC(025C) で 他の検出器との比較 (APD,PMT 等 ) MPPC の特徴であるフォトンカウンティングによる光量測定 ( ノイズにまぎれて 1 フォトンの検出ができない )

44 以上です ありがとうございました

45 Back up

46 MPPC のダイナミックレンジ 入射フォトン数と励起ピクセル数 (E と Ch に対応 ) の線形性が成り立つ範囲 全ピクセル数に対し入射フォトン数が多くなると線形性が低下 1 ピクセルに 2 フォトン以上入ることによる ( 各ピクセルはフォトン数によらず一定の出力 )

47 P(%) 100 P(%) : 励起ピクセル割合

48 励起ピクセル割合 (%) 050C 025C 入射フォトン数 線形性が成り立つ範囲 050C < 025C

49 LaBr3+050C Ch=( ± ) [1-exp(-( ± ) E[keV])]

50 LaBr3+MPPC(025C) での測定ごとのピーク位置のずれ 662keV でのピークのずれ 7979±202(Ch) σ:2.5%

51 Counts (normalized) 13mm LaBr 3 (Ce) ~ 高いエネルギー分解能 ~ シングルアノード PMT 浜松ホトニクス社 R6231 で測定 Ba エネルギー分解能 LaBr ±0.03 % 356keV 303keV 黒 GSO 赤 LaBr 3 Saint-Gobain 社製 φ13 13mm 3 大 LaBr 3 Energy LaBr 3 3.1±0.1 % keV energy [kev] 384keV Decay time: ~25 nsec Light Output:1.6 ( 参考 GSO(Ce):0.2) (NaI(Tl) のそれを 1 とする ) 潮解性あり Energy [kev] LaBr 3 ( 写真 ) と GSO( mm 3 ) のエネルギースペクトル比較 ( 133 Ba)

52 GSO の室温近傍における蛍光出力の温度依存性

53 MPPC の利点 磁場中でも使える (PMTは磁場に弱い) 低バイアスで動作 (APD~50-500V,MPPC~70V) ゲインが高い ( 抵抗チェーンが使える ) Timing Resolutionが良い (APD>1000ps,MPPC~50ps)

54 抵抗分割の仕組み 2A 3A 1A 5 個 10 個 抵抗チェーンの左右に流れる電荷量の比から位置を算出

55 横比 ) 1 ( 3) 2 ( ) 1 ( 4) 3 ( ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch ch 横比 縦比縦比抵抗チェーン

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