新技術説明会　様式例

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InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

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研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

新技術説明会　様式例

高い p 形電気伝導性を有する 透明電極材料 龍谷大学理工学部物質化学科助教山添誠司教授和田隆博 1 P 形透明導電性酸化物 (TCO) 薄膜開発の背景 高効率薄膜フルスペクトル太陽電池 地球温暖化対策として温室効果ガスの大幅削減に寄与するために 太陽光発電の性能を飛躍的に向上させることを目的とする 2050 年までに 変換効率が40% 超 かつ 発電コストが汎用電力料金並み の太陽電池を実用化することを目指した研究開発の中で

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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

スライド 1

1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

04.プレゼン資料（豊橋技科大_伊﨑先生）

平成 28 年度新技術説明会 2016/1/12 超高効率太陽電池 水素生成用 インタースタック酸化物構造体 豊橋技術科学大学大学院工学研究科機械工学専攻教授伊﨑昌伸 m-izaki@me.tut.ac.jp 太陽エネルギーの活用 太陽光スペクトルと擬似太陽光 pn 接合型太陽電池の動作原理と理論変換効率ー単接合太陽電池の限界ー 空乏層 伝導帯 e 伝導帯 e 変換効率 < 28% h 荷電子帯 h

IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A

IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

物理化学I-第12回(13).ppt

I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

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太陽光発電研究センター 平成 22 年 8 月 9 日第 6 回太陽光発電研究センター成果報告会 化合物薄膜チームの概要 ー CIGS 太陽電池の研究開発ー Research Activities of Thin Film Compound Semiconductor Team - R&D of CIGS Solar Cells and Modules - 発表者 : 仁木栄 Shigeru Niki

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B

I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic

untitled

NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10

JAJP

Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12

スライド 1

第 1 回 SPring-8 カ ラス セラミックス研究会 (2010/8/27) ソーダライムガラス中の鉄イオンの 構造解析 XAFS 解析からの試み 日本板硝子株式会社技術研究所 a 兼 BP 研究開発部 b 長嶋廉仁 a, b 白木康一 a 2 目次 1. 実用ガラスにとっての鉄イオンの構造の重要性 2. ガラス中での鉄イオンの構造光吸収およびその他の方法による解析 3. XAFS 測定からの解析の試み

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

untitled

SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

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スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

untitled

1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

untitled

27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

2_R_新技術説明会（佐々木）

% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)

2 6 8 10 12 14 18 20 22 24 26 29 32 34 36 1 40 42 44 39 47 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 70 72 74 76 78 80 67 83 84 86 88 90 92 94 96 97 98 100 102 103 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F913791BE977A E646F63>

1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果

スライド 1

亜酸化銅 (Cu2O) を用いる超低コスト太陽電池技術 金沢工業大学 工学部電気電子工学科 教授 宮田俊弘 Kanazawa Institute of Technology Optoelectronic Device System Research & Development Center 1 発表内容 1. 研究の背景 ( 従来技術の問題点 ) 2. 超低コスト亜酸化 (Cu2O) ヘテロ接合太陽電池

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

スライド 1

High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

図 1 太陽電池の種類と特徴 当社は1959 年に太陽電池の開発に着手し 1963 年に結晶シリコン太陽電池の生産を開始した 当初は無人灯台や人工衛星など電力線の届かない しかも過酷な条件下での特殊用途へ設置を行い 現在までにそれぞれ約 1900 箇所以上 約 160 機以上に搭載しており 当社製パ

環境技術が創る未来 太陽電池の技術開発と今後の可能性について シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部副本部長兼次世代要素センター所長兼第一開発室長 シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部次世代要素技術センター第一開発室 佐賀達男浅野直城 はじめに 現在 我々は主なエネルギー源として石油 天然ガス 石炭等の化石燃料を利用している ところが これら化石燃料を大量に消費し続けることで 近い将来に地球温暖化や資源枯渇問題等が顕在化し

X線分析の進歩36 別刷

X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group

hv (%) (nm) 2

HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)

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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

コロイド化学と界面化学

x 25 1 kg 1 kg = 1 l mmol dm -3 ----- 1000 mg CO 2 -------------------------------------250 mg Li + --------------------------------1 mg Sr 2+ -------------------- 10

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)

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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO

スライド 1

Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

研究部 研究課題名 Cu(In,Ga)Se 2 多結晶薄膜の局所構造と太陽電池性能の相関 研究代表者名立命館大学 理工学部 峯元高志 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに太陽電池が 21 世紀を担うクリーンエネルギーとして期待されている 現状では 結晶シリコンが太陽電池材料の主流である 一方 ガラス等の基板上に金属や半導体などの薄膜を堆積させた薄膜型太陽電池が 低コスト

新技術説明会　様式例

静岡大学との連携による新技術説明会 2014 年 11 月 7 日 1 表面プラズモンアンテナ付き フォトダイオードによる屈折率測定 研究者 : 静岡大学電子工学研究所教授猪川洋 助教佐藤弘明 説明者 : 猪川洋 開発の経緯 SOI LSI の普及 部分空乏型 ( ハイエンド MPU ゲーム機 ) 完全空乏型 (22 nm 世代以降にも対応 ) 光検出器は LSI に新たな機能を付与課題 : 薄い

新技術説明会　様式例

1 新型 D-π-A 型蛍光性色素を用いた 色素増感太陽電池 広島大学大学院工学研究院物質化学工学部門応用化学専攻准教授大山陽介 2 研究背景 光増感有機色素を吸着させた酸化チタン (Ti 2 ) ナノ粒子電極を用いる色素増感太陽電池 (DSSC) は 太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する安価でクリーンな次世代太陽光発電システムとして注目されており 実用化を目指した熾烈な研究開発が国際的に行われている

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

H1-H4

42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg

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熱電変換材料の実験値データベース構築と実験値マテリアルズ インフォマティクス 拓史 1,3, 桂ゆかり 1,3, 熊 将也 2, 今井庸 3, 郡司咲 3, 村薫 1 本 属学会 2017 秋 1 東京 学 学院新領域創成科学研究科物質系専攻 2 理化学研究所 新知能統合研究センター 3 物質 材料研究機構物質 材料統合研究拠点 [1] P. Gorai et al., Comp. Mat. Sci.

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

事務連絡

新機能創成に向けた光 光量子科学技術 平成 9 年度採択研究代表者 H 年度 実績報告 平山秀樹 独立行政法人理化学研究所基幹研究所先端科学研究領域テラヘルツ光研究グループ テラヘルツ量子素子研究チームチームリーダー 研究課題 3-3nm 帯 InAlGaN 系深紫外高効率発光デバイスの研究. 研究実施の概要波長が 3-3nm 帯の深紫外高効率 LED 深紫外半導体レーザは 医療 殺菌 浄水 生化学産業

I A-7 CNT 27 A A A A A B A,C,D A B C D ( ) I A-8 Ce:YIG 31 A A,B A B JST I A-9 Cr 2 O 3 35 I A-10 CuO 39 A B A A A B I A-11 Co BiCoO 3 43 A A,B A A A

24 12 13 ( ) I-A 9:50 9:55 9:55 10:50 12:20 13:50 TL-1 1 14:00 15:00 OL-2 7 JST CREST I-B I A 15:10 16:05 16:05 17:50 10F S10A I A-3 X 11 A B B B A B I A-4 X 15 A A I A-5 X 19 A A I A-6 X 23 A A i I A-7

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

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半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

PowerPoint Presentation

材料科学基礎 Ⅰ 材料科学の枠組み 元素の結晶構造 いろいろな金属間化合物, 合金の結晶 いろいろなセラミックスの結晶とイオン結晶 格子, 晶系, 点群 X 線と結晶 物質の性質と対称性 結晶の欠陥と組織 1 hcp (hexagonal close packed structure) 2 fcc (face centered cubic structure) 3 hcp の軸比 (c/a) について

サンディア国立研究所 カリフォルニア州リバモア 提供資金:1,354,245 ドル プロジェクト概要: 本プロジェクトは 単接合型の色素増感太陽電池 (DSSC) のパフォーマンスを最大限に向上させる革新的な光吸収材と太陽電池構造の開発するもの サンディアは DSSC の主な制約に対応するための新た

(1112-5-1) 新エネルギー分野 ( 太陽光発電 ) 仮訳 次世代太陽光発電 3 SunShot Initiative の次世代太陽光発電 (PV) プロジェクトは SunShot Initiative のコ スト目標を達成する可能性のあるトランスフォーマティブな PV 技術に取り組む プロジ ェクト目標は以下のとおり : 効率向上 コスト低減 信頼性向上 より安全で持続可能なサプライチェーンの構築

fma20.PDF

PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC

物性物理学I_2.pptx

The University of Tokyo, Komaba Graduate School of Arts and Sciences I 凝縮系 固体 をデザインする 銅()面上の鉄原子の 量子珊瑚礁 IBM Almaden 許可を得て掲載 www.almaden.ibm.com/vis/stm/imagesstm5.jpg&imgrefurl=http://www.almaden.ibm.com/vis/

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1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

Agilent AA ICP ICP-MS ICP-MS AA 55B AA LCD AA PC PC 240 AA / / AA 240FS/280FS AA AA FS 240Z/280Z AA GFAA AA Duo 1 PC AA 2 280FS AA

Agilent Agilent AA 195750 ICP ICP-MS ICP-MS AA 55B AA LCD AA PC PC 240 AA / / AA 240FS/280FS AA AA FS 240Z/280Z AA GFAA AA Duo 1 PC AA 2 280FS AA 1938 HP 1965 HP 1976 GC/MS HP 5992A 1983 GC GC HP 5890A

Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿

第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び

Microsoft PowerPoint - 3.　柏葉.ppt

高感度 ZnO 紫外線センサ 岩手大学 : 柏葉安兵衛岩手県工業技術センター : 遠藤治之 ( 株 ) 岩手情報システム : 杉渕真世 ( 有 ) ライトム : 後藤俊介 1 研究背景 紫外線が人間にとって有害であることがわかってきた ( 皮膚がん 白内障 免疫力低下など ) 産業にも紫外線が広く使われるようになり 太陽光だけでなく 環境紫外線から身を守る対策が必要になった ( 殺菌 露光 UV 照射など

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TOF ENMA JAEA-RMS) TOF Pre-scission JAERI-RMS (m-state 16 O + 27 Al 150MeV d TOF Nucl. Phys. A444, 349-364 (1985). l = m d Pre-scission Scission 10-19 (Post_scission) (Pre-scission) Proton_fission Alpha_fission

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(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

21世紀COE講義2006_5.ppt

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表紙

Akira Fujishima 2005.Vo.3 1 Kiyoshi kanamura kanamura-kiyoshi@c.metro-u.ac.jp 2 2005.Vol.3 Rechargeable Lithium Ion-Battery Active Material Liquid Electrolyte σ = 10-2 10-3 S cm -1 3D Interface of Solid

元素分析

: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P

Program4.dvi

12 3 ( ) 10:00 10:05 III I 10:05 11:05 III I-3 I-22 1 3 11:20 12:30 III TL-1 1 / 13:30 14:30 III OL-2 5 A,B ( A, B CREST) II 14:45 16:05 III II-23 II-48 1 3 I 16:05 18:20 I, II I-3 MgAl 2 O 4 :Eu 2 O 3

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK

Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK Na P K Ca Co Cu Sr Cd Ce Cs Tl 11 [1]18 [2] (FAO) (WTO) (Codex) Pb Cd As Sn Pb 0.3 mg/kg Cd 0.4 mg/kg 0.2 mg/kg

PowerPoint プレゼンテーション

加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

PowerPoint プレゼンテーション

2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,

資料２　次世代太陽電池における計測機器

第 9 回 先 端 計 測 分 析 技 術 機 器 開 発 小 委 員 会 2010 年 11 月 24 日 次 世 代 太 陽 電 池 における 計 測 機 器 韓 礼 元 次 世 代 太 陽 電 池 センター 1 太 陽 電 池 の 分 類 太 陽 電 池 シリコン 化 合 物 単 結 晶 結 晶 系 多 結 晶 薄 膜 系 (アモルファス マイクロクリスタル 等 ) 単 結 晶 ( GaAs

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

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LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化