INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
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- せせら いしなみ
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2 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC ) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験 7 Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC ) 4. サージイミュニティ試験 11 Surge Immunity Test (IEC ) 5. 伝導性無線周波数電磁界イミュニティ試験 13 Conducted Disturbances, Induced by Radio Frequency Field Immunity Test (IEC ) 6. 電力周波数磁界イミュニティ試験 15 Power Frequency Magnetic Field Immunity Test (IEC ) 使用記号 Terminology Used +Vin + 入力端子 + Input terminal 入力端子 Input terminal リモートON/OFFコントロール端子 Remote ON/OFF control terminal +Vout + 出力端子 + Output terminal 出力端子 Output terminal 共通グラウンド端子 Common ground terminal フレームグラウンド Frame GND 接地 Earth 当社標準測定条件における結果であり 参考値としてお考え願います Test results are reference data based on our standard measurement condition. 2/16
3 1. Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used 静電気試験機 : ESS S3011/GT 30R (Noise Laboratory) Electrostatic Discharge Simulator 放電抵抗 : 330Ω Discharge Resistance 静電容量 : 150pF Capacitance (2) The number of D.U.T. (Device Under Test) CCG D : 1 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 極性 : + - Output Current Polarity 試験回数 : 10 回 放電間隔 : >1 秒 Number of tests 10 times Discharge Interval >1 second 周囲温度 : 25 o C Ambient Temperature (4) Test Method and Device Test Point 接触放電 : ケース Contact Discharge Case 気中放電 : 入出力端子 Air Discharge Input and Output terminals Analog voltage meter Electrostatic discharge output Discharge gun Return cable DC input D.U.T. Insulation plate Electrostatic discharge simulator Aluminum plate Wooden table Resistor 470k 0.8m Resistor 470k GND plane 3/16
4 (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. (6) Test Circuit +Vin +Vout 電解コンデンサ () : 50V 120µF Electrolytic Cap セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22µF Ceramic Cap. (7) Test Result Contact Discharge (kv) 8 CCG D PASS Air Discharge (kv) 8 CCG D PASS 4/16
5 2. Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used シグナルジェネレータ : N5181A (Agilent technologies) Signal Generator パワーアンプシステム : CBA 1G 250 (Teseq) AS /55 (Milmega) Power Amplifier System バイログアンテナ : VUL9118E (Schwarzbeck) 3117 (ETS Lindgren) Bilog Antenna (2) The Number of D.U.T (Device Under Test) CCG D : 1 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 振幅変調 : 80% 1kHz Output Current Amplitude Modulated 偏波 : 水平 垂直 周囲温度 : 25 o C Wave Angle Horizontal and Vertical Ambient Temperature スイープコンディション : 1.0% ステップ 0.5 秒保持 距離 : 3.0m Sweep Condition 1.0% step up, 0.5 seconds hold Distance 試験方向 : 上下 左右 前後 Test Angle Top/Bottom, Both Sides, Front/Back 電磁界周波数 : 80~1000MHz 1.4~2.0GHz 2.0~2.7GHz Electromagnetic Frequency (4) Test Method Analog voltage meter DC input D.U.T. Antenna Anechoic material to reduce floor reflections Wooden table 0.8m Aluminum plate GND plane (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. 5/16
6 (6) Test Circuit +Vin +Vout 電解コンデンサ () : 50V 120µF Electrolytic Cap セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22µF Ceramic Cap. (7) Test Result Electromagnetic Frequency Radiation Field Strength (V/m) CCG D MHz 10 PASS GHz 3 PASS GHz 1 PASS 6/16
7 3. Electrical Fast Transient / Burst Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used EFT/B 発生器 : FNS AX3 B50B (Noise Laboratory) EFT/B Generator カップリングクランプ : A (Noise Laboratory) Coupling Clamp (2) The Number of D.U.T. (Device Under Test) CCG D : 1 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 試験時間 : 1 分間 Output Current Test Time 1 minute 極性 : + - 周囲温度 : 25 o C Polarity Ambient Temperature 試験回数 : 1 回 パルス周波数 : 5kHz Number of Test 1 time Pulse Frequency バースト期間 : 15msec パルス個数 : 75pcs Burst Time Number of Pulse バースト周期 : 300msec Burst Cycle (4) Test Method and Device Test Point A. 入力ポート (+Vin ) に同時に印加 Apply to input port (+VIn, ) at the same time. 0.5 ± 0.05m Analog voltage meter DC input EFT/B EFT/B generator D.U.T. 0.1m Wooden table Insulating support Aluminum plate 0.8m GND plane 7/16
8 B. 出力ポート (+Vout ) に同時に印加 Apply to output port (+Vout,, ) at the same time. Analog voltage meter 0.5 ± 0.05m DC input D.U.T. EFT/B EFT/B generator 0.1m 0.8m Aluminum plate Insulating support Wooden table GND plane C. 信号ポート ( ) に印加 Apply to signal port (, ). Signal port Analog voltage meter Coupling clamp Burst noise input AE DC input D.U.T. EFT/B EFT/B generator 0.1m 0.8m Aluminum plate Insulating support Wooden table GND plane 8/16
9 (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. (6) Test Circuit A. 入力ポート (+Vin ) に同時に印加 Apply to input port (+Vin, ) at the same time. EFT/B 発生器 +Vin +Vout EFT/B generator B. 出力ポート (+Vout ) に同時に印加 Apply to output port (+Vout,, ) at the same time. +Vin +Vout EFT/B 発生器 EFT/B generator 9/16
10 C. 信号ポート ( ) に印加 Apply to signal port (, ). +Vin +Vout EFT/B 発生器 EFT/B generator カップリングクランプ Coupling clamp 電解コンデンサ () : 50V 120µF Electrolytic Cap セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22µF Ceramic Cap. (7) Test Result Test Port Test Voltage (kv) CCG D Input (+Vin, ) 4 PASS Output (+Vout,, ) 4 PASS Signal (, ) 2 PASS 10/16
11 4. Surge Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used サージ試験機 : LSS F03A1A (Noise Laboratory) Surge Simulator 結合インピーダンス : ノーマル 2Ω Coupling Impedance Normal 結合コンデンサ : ノーマル 18μF Coupling Capacitance Normal (2) The Number of D.U.T. (Device Under Test) CCG D : 3 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 試験回数 : 5 回 Output Current Number of Tests 5 times 極性 : + - モード : ノーマル Polarity Mode Normal 周囲温度 : 25 o C Ambient Temperature (4) Test Method and Device Test Point ノーマルモード (+Vin ) に印加 Apply to Normal mode (+Vin, ). Analog voltage meter Aluminum plate DC input D.U.T. Surge simulator Wooden table 0.8m GND plane (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. 11/16
12 (6) Test Circuit サージ試験機 SA1 D1 +Vin +Vout Surge simulator サージアブソーバ (SA1) : ERZV10D470 (Panasonic) Surge Absorber ダイオード (D1) : 1SR (ROHM Semiconductor) Diode 電解コンデンサ () : 50V 120μF Electrolytic Cap. セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22μF Ceramic Cap. (7) Test Result Test Mode Test Voltage (kv) CCG D Normal 2 PASS 12/16
13 5. Conducted Disturbances, Induced by Radio Frequency Field Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used RF パワーアンプ : BBA150 (R&S) RF Power Amplifier シグナルジェネレータ : N5181A (Agilent technologies) Signal Generator 結合 / 減結合ネットワーク : CDN M216 (schaffner) Coupling De Coupling Network (CDN) RF 注入クランプ : EM101 (Lüthi) RF Injection Clamp (2) The Number of D.U.T. (Device Under Test) CCG D : 1 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 電磁界周波数 : 150kHz~80MHz Output Current Electromagnetic Frequency 周囲温度 : 25 o C Ambient Temperature スイープコンディション : 1.0% ステップ 0.5 秒保持 Sweep Condition 1.0% step up, 0.5 seconds hold (4) Test Method and Device Test Point A. 入力ポート (+Vin ) 及び出力ポート (+Vout ) に印加 Apply to input port (+Vin, ) and output port (+Vout, ). B. 信号ポート ( ) に印加 Apply to signal port (, ). Analog voltage meter Signal port 0.1~0.3m RF input RF input Aluminum plate RF input D.U.T. CDN2 RF injection clamp DC input CDN1 0.1m Wooden table GND plane (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. 13/16
14 (6) Test Circuit A. 入力ポート (+Vin ) 及び出力ポート (+Vout ) に印加 Apply to input port (+Vin, ) and output port (+Vout, ). CDN1 +Vin +Vout CDN2 B. 信号ポート ( ) に印加 Apply to signal port (, ). +Vin +Vout 妨害波信号入力 RF input 注入クランプ RF injection clamp 電解コンデンサ () : 50V 120µF Electrolytic Cap セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22µF Ceramic Cap. (7) Test Result Test Port Test Voltage (V) CCG D Input (+Vin, ) 10 PASS Output (+Vout, ) 10 PASS Signal (, ) 10 PASS 14/16
15 6. Power Frequency Magnetic Field Immunity Test (IEC ) MODEL : CCG D (1) Equipment Used ACパワーソース : 4420 (NF) AC Power Source ヘルムホルツコイル : HHS5215/10A (Schwarzbeck) Helmholtz Coil (2) The Number of D.U.T. (Device Under Test) CCG D : 1 台 (unit) (3) Test Conditions 入力電圧 : 24VDC 出力電圧 : 定格 Input Voltage Output Voltage Rated 出力電流 : 0% 100% 印加磁界周波数 : 50Hz 60Hz Output Current Magnetic Frequency 周囲温度 : 25 o C 印加方向 : X Y Z Ambient Temperature Direction 試験時間 : 10 秒以上 ( 各方向 ) Test Time More than 10 seconds (each direction) (4) Test Method 1.5m 1 Helmholtz coil 1 2 Helmholtz coil 2 DC input D.U.T. Analog voltage meter 1.5m 0.8m Wooden table AC AC power source GND plane (5) Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. 15/16
16 (6) Test Circuit +Vin +Vout 電解コンデンサ () : 50V 120µF Electrolytic Cap セラミックコンデンサ ( ) : 25V 22µF Ceramic Cap. (7) Test Result Magnetic Field Strength (A/m) CCG D 30 PASS 16/16
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68 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
WC037 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3)
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
67 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A27 58 0A /7 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic F
A278 58 01 1/9 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A262 58 0A /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Fiel
RWS 009-58-0 /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000-4-3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result
IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda A258-58-01B I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------
Visio-CA A.vsd
RWS 50B-600B Series CA836-58-01A 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C263-58-01 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated,
INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC ) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated, radio-frequency,
PH50A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C273-58-01 INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3
INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagn
70 58 01A 1/23 INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IE1000 4 3)
○MTBF_HFS150A_ xls
-24 Calculated values of MTBF 1. 算出方法 Part count reliability projection MIL-HDBK-217F NOTICE 2 の部品点数信頼度予測法により算出されています Calculated based on part count reliability projection of MIL-HDBK-217F NOTICE 2.
I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result
IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda DA006-58-01A I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------
LFS 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 150.1k k k V ata List
LFS150-5 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 192.9k 63.9 18.6 260.6k 61.4 15.5 2.59M 56.0 18.0 260.9k 61.4 15.4 E 521.1k 56.0 19.2 F 2.59M 56.0 18.8 V ata List
IEC シリーズ イミュニティ試験規格の概要
IEC 61000-4 e 2018 7 23 1 2 2 2 2.1.............. 2 2.2.................. 2 3 IEC 61000-4-2 ( ) 3 3.1...................... 3 3.2..................... 3 3.2.1 ESD........... 3 3.2.2 ESD.............. 3
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C267 53 1A 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C268 53 1 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over c
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C271-53-1 TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection
INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state da
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda CA806-53-01C INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性
PA M01 LITEON SPEC Rev A
規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,
j9c11_avr.fm
AVR Type: AVR-M AVRL Issue date: September 211 RoHS EU Directive 22/95/EC PBB PBDE (1/1) SMD RoHS AVR AVR-M AVRL Varistor 2Zener diode Current(A) Positive direction 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 Zener diode /Vz:6.8V
ISO 11452シリーズの概要 前編: ECE R10.05 に関係する規格
ISO 11452 : ECE R10.05 e 2016 8 26 1 1 2 ECE Regulation No. 10 1 3 ISO 11452 2 4 3 4.1 (ISO 11452-1:2005)......... 3 4.1.1.................. 3 4.1.2........... 3 4.1.3.......... 4 4.1.4................
INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリ
EALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda 005-53-01B INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm
1_30B_Top_INDEX_OK.xls
EALUATION DATA 型式データ CA797-53-1B INDEX ZWS3B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 過電流保護特性 Over current
(2/17) 5 4 C 2 7%RH 6
V o l t a g e P r o t e c t i o n D e v i c e s October 217 AVR AVRM, AVR-M AVRM168/AVR-M168 JIS 168 [EIA 63] AVRM212/AVR-M212 JIS 212 [EIA 85] AVRL AVRL JIS 5 [EIA 42] AVRL16 JIS 168 [EIA 63] AVRH AVRH
INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
FC005 53 01A 1/36 INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
A265 53 01 1/18 INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
OPA134/2134/4134('98.03)
OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm
A273 53 1C 1/4 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics 出力保持時間特性
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
5 11 3 1....1 2. 5...4 (1)...5...6...7...17...22 (2)...70...71...72...77...82 (3)...85...86...87...92...97 (4)...101...102...103...112...117 (5)...121...122...123...125...128 1. 10 Web Web WG 5 4 5 ²
Visio-A A.vsd
A274-53-01A 1/28 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
Agilent 4339B High Resistance Meter Operation Manual
MANUAL SUPPLEMENT 3-2 3-2 Agilent 1 3-2 P/N 16000-99023 Print Date: October 2001 PRINTED IN JAPAN Copyright Agilent Technologies Japan, Ltd. 2001 1-3-2, Murotani, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo, 651-2241 JAPAN
Specification for Manual Pulse Generator, GFK-2262
Specification change in Manual Pulse Generator () A) Abstract This document explains about the specification change in Manual Pulse Generator (). The production of the former specifications written in
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディ
C266 57 1A 1/23 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディレーティング Output Derating 9 5. アブノーマル試験
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
elm1117hh_jp.indd
概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
IEC :2014 (ed. 4) の概要 (ed. 2)
IEC 60601-1-2:2014 (ed. 4) (ed. 2) e 2018 4 2 1 1 2 / 1 2.1............... 2 2.2............... 3 2.3.................. 4 3 6 4 6 4.1.................. 6 4.1.1............... 7 4.1.2....... 7 4.1.3............
AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ
7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40
untitled
ON/OFF 3mA.µF.V.V DSC/DVC U. V.V (.Vstep) 7dB typ. (f=khz Vo=3V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.V) Io(max.)=3mA Vo±.%.V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-3 U. CONTROL. GND 3. N.C.. V OUT. V IN V IN V OUT Control Bandgap
PowerPoint プレゼンテーション
() 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit (2) 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit MOS トランジスタの高周波モデル High-frequency model for MOS FET ゲート酸化膜は薄いので G-S, G-D 間に静電容量が生じる
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディ
C268 57 1 1/23 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディレーティング Output Derating 9 5. アブノーマル試験
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C275-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, Protection,Output
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C265-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, protection,output
Options(Unit : mm) Finger guards Model :19-139E :19-139H 53 Surface treatment :Nickel-chrome plating (silver) :Cation electropainting (black) Inlet si
AC Fan 6mm sq. San Ace 6 28mm thick, 38mm thick General Specifications Material Frame: Aluminum, Impeller:Plastics (Flammability: UL94V-1) Life Expectancy Varies for each model (L1: Survival rate: 9% at
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC002 57 01A 1/13 INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
電力線重畳型機器認証技術
1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理
INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 2. 部品ディレーティング Component Derating R-2 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-8 4. 電
RELIABILITY DATA 信頼性データ DWG NO.V008-57-01 TDK-Lambda INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 2. 部品ディレーティング Component Derating R-2 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-8 4.
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい
低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲
CISPR 32の概要 (ed. 2)
CISPR 32 (ed. 2) e 2017 7 25 1 1 2 2 2.1.................. 2 2.2............... 2 2.2.1.......... 3 3 3 3.1.............. 4 3.2 EUT............. 4 3.2.1 EUT.............. 4 3.2.2.............. 4 3.3...............
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC004 57 01B 1/13 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
高速度スイッチングダイオード
は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します
CA xls
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda CA73-57-1 INDEX 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 PAGE. 部品ディレーティング Component Derating R-~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-~11. 電解コンデンサ推定寿命計算値
MITSUMI Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notificat
VDD VOUT CE Bias CS Vref GND Thermal Shutdown Current Limit 5 4 2 SOT89-5A (TOP VIEW) 3 A µf µf VDD VOUT A V A CE GND CS.µF µf µf VDD VOUT CE GND CS.µF Schottky barrier diode VDD VOUT CE GND CS VDD
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
CISPR 35の概要
CISPR 35 e 2018 3 28 1 1 2 2 2.1 IEC 61000-4-2 ( )......... 2 2.2 IEC 61000-4-3, -4-20, -4-21, -4-6 ( RF )....................... 2 2.3 IEC 61000-4-5 ()............ 2 2.4............. 4 3 4 3.1 EUT............
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
ISO & ISO の概要
ISO 7637-2 & ISO 7637-3 e 217 3 13 1 1 2 ISO 7637-2 2 2.1.................... 2 2.1.1 LISN (AN).............. 2 2.1.2 S............... 3 2.1.3.. 3 2.2 ECE Regulation No. 1.5.......... 3 3 ISO 7637-2 4
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
INDEX RWS15B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T Li
RWS15B RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A26-57-1B INDEX RWS15B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List
NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ
SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です
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ULオンラインセミナー車載機器向けEMC(Jaguar Land Rover 新規格 ) および電気試験 (LV124) サービス 2015 年 7 月 30 日 UL and the UL logo are trademarks of UL LLC 2014 本日の講師及び司会 : < 講師 > 大水豊 ( オオミズユタカ ) コンシューマーテクノロジー事業部鹿島 EMC 試験所 UL Japan,
LM358
LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001
I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A255-57-1B I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6~7.
USER'S GUIDE
AC/DC Converter 非絶縁降圧型 PWM 方式 2W -12V 出 BM2P129TF 評価ボード 評価ボードは 90Vac 264Vacの から-12Vの負電圧を出 します 出 電流は最 0.167Aを供給します 650V MOSFET 内蔵 PWM 方式 DC/DCコンバータICのBM2P129TFを使用しています BM2P129TFは 650V 耐圧起動回路内蔵により 低消費電 に貢献します
1.0 (040 ) CONNECTOR ハウジング本体に組込まれたスペーサをセットする により二重係止化を図り 端子抜けを防止します ターミナルが半挿入の場合 スペーサはセットされず半挿入を防止します ロック 部により ロック れを防止します 1. DOUBLE TERMINAL LOCKING
1.0 (040 ) CONNECTOR ハウジング本体に組込まれたスペーサをセットする により二重係止化を図り 端子抜けを防止します ターミナルが半挿入の場合 スペーサはセットされず半挿入を防止します ロック 部により ロック れを防止します 1. DOUBLE TERMINAL LOCKING SYSTEM ELIMINATES TERMINAL PUSH-OUT. (HOUSING LANCE,
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
はじめに 本資料は NTTグループで使用する高電圧直流で動作するICT 装置等に関わる給電インタフェースや機能について 必要な要求条件を述べたものです 本文中に記載する条件等は 情報通信システムに対する給電システム全体の信頼性 安全性を確保する上で必要とされるものです なお 本資料に記載する内容は
ICT 装置等の高電圧直流給電インタフェース に関するテクニカルリクワイヤメント 第 1.2 版 TR176002 号 平成 30 年 9 月 3 日制定 日本電信電話株式会社 はじめに 本資料は NTTグループで使用する高電圧直流で動作するICT 装置等に関わる給電インタフェースや機能について 必要な要求条件を述べたものです 本文中に記載する条件等は 情報通信システムに対する給電システム全体の信頼性
FreeSpace.book
IZA 190-HZ IZA 250-LZ ZA 190-HZ ZA 250-LZ FreeSpace Integrated Zone Amplifier/Zone Amplifier * 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 2 2 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 40 C This product conforms to all EU Directive
スライド 1
プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
NJM41005-T 75Ω ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 75Ω ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT to5.5V -40to dBtyp. 0dBtyp.
ドライバ内蔵ビデオアイソレーションアンプ 特長 動作電源電圧 動作温度範囲 同相信号除去比 ドライバ内蔵 出力 AC DC 結合 電圧利得 周波数特性 バイポーラ構造 外形 SOT23-5 4.5to5.5V -4to+5-55dBtyp. dbtyp. dbtyp.atmhz 概要 NJM45 は 映像信号用途に開発された 回路入りアイソレーションアンプです アイソレーションアンプにより信号の同相ノイズを除去でき
NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V
untitled
1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.
絶縁抵抗試験機 ST550 Output transformer High voltage output Switching power supply DUT Discharge circuit Voltage monitor Contact check ADC EXT I/O Current de
佐藤雄亮 * 要旨 は最速試験時間 50 ms, コンタクトチェック機能, 試験電圧任意設定を実現した絶縁抵抗試験器である. 当社従来製品である絶縁抵抗試験器 354 の後継機種として あらゆる絶縁抵抗を素早く測定 を商品コンセプトに開発した. ここに特長と構成について解説する.. はじめに 絶縁抵抗試験は, 被試験物に直流電圧を印加し, 被試験物の絶縁性能を抵抗値で評価する. 被試験物は, コネクタ,
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201358.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
i 1 40 ii Grid Dip Meter 3 10kc 1000Mc Grid Dip Meter (RF) Q Grid Dip Meter Grid Dip Meter GDM Grid Dip Meter i ii 1. Grid Dip Meter 1 1.1................... 1 1.2............... 2 1.3............... 5
NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール
mbed祭りMar2016_プルアップ.key
1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET
LM3876
Overture 56W ( ) 8 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 56W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA(Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V( ) 95dB(Min) SN 0.06 THD N IMD (SMTPE) 0.004 8 56W 100W SN 95dB(min)
untitled
NJM88/A ma.µf SOT-89- TO--(NJM88ADL) ESON6-H(NJM88AKH) NJM88U NJM88ADL NJM88AKH (...97mm) 7dB typ. (f=khz, Vo=V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.7V) Io(max.)=mA Vo±.%.8V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-(NJM88U) / TO--(NJM88ADL)
INDEX RWS1B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T Lis
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda CA7-57-1D INDEX RWS1B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6~7.
R1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
AnechoWeb_JA_01
EMCRF EMC Contents Update : AUGUST 24 / 5 2 / 5 emcrf_ ja /254 Deviation (db) Deviation (db) Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Center Front 2m Back 2m Right 2m Left 2m Tx =m Tx =m 2 2 - - 2-2 Tx
高周波同軸コネクタ
RF circuit ANT Probe Signal in Signal out Probe Signal out Signal in RF circuit ANT Probe Probe Signal in Signal out Signal out Signal in RF ANT. RF ANT. Probe Probe Signal out Signal out Signal in Signal
音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16)
Guide for Electret Condenser Microphones A microphone as an audio-electric converting device, whose audio pickup section has a structure of a condenser consisting of a diaphragm and a back plate opposite
EMC設備案内_2017版
2017年4 更新版 岩手県工業技術センターでは EMC 電磁両立性 試験の 各種規格に対応した試験設備をご利用いただけます 電気 電子製品の開発 品質保証にぜひお役立てください 申込方法 担当者にお電話またはE-Mailにてご相談ください 試験内容等を確認後に 申込書をお送りいただきます 予約状況の確認方法 電波暗室の予約状況は下記URLよりご確認頂けます http://www.pref.iwate.jp/~kiri/ranking/2005-h00004.html
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
L C -6D Z3 L C -0D Z3 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 13 14 15 16 17 OIL CLINIC BAR 18 19 POWER TIMER SENSOR 0 3 1 3 1 POWER TIMER SENSOR 3 4 1 POWER TIMER SENSOR 5 11 00 6 7 1 3 4 5 8 9 30 1 3 31 1 3 1 011 1
Microsoft Word - NJM2718_DataJ_v1.doc
2 回路入り高耐圧単電源オペアンプ 概要 NJM2718 は 2 回路入り単電源高速オペアンプです 動作電圧は 3V~36V と広範囲でスルーレート 9V/µs の高速性と入力オフセット電圧 4mV の特徴をもっており ローサイド電流検出に適しております また 容量性負荷に対して安定しておりますので FET 駆動等のプリドライバ用途やバッファ用途等に適しております 外形 NJM2718E NJM2718V
xEffect_SG_MV_Part2_E_xEffect_SG_MV_E
Miniature Circuit Breakers FAZ-NA, FAZ-RT, FAZ-DU SG56912 FAZ-NA/-RT/-DU According to UL 489, CSA C22.2 No. 5 and also IEC 60947-2 standard For Applications, wich are permitted for UL 1077 or CSA C22.2