Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt
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- ひでより のたけ
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1 TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1
2 TLP180/181 vs. TLP184/185 構造比較 比較項目 TLP180/181 TLP184/185 Unit:[mm] Unit:[mm] パッケージ寸法 UL 認定 File No.E67349 File No.E67349 VDE 認定 Certificate No Certificate No BSI 認定 Certificate No.8225,8226 Certificate No.9020,9021 推奨パッド寸法に変更はありません 2
3 TLP180/181 vs. TLP184/185 構造比較 比較項目 TLP180/181 TLP184/185 発光素子 リードフレーム 内部構造図 リードフレーム 受光素子 受光素子 発光素子 製品全高製品全幅 2.8 mm (max) 2.3 mm (max) 7.0 ± 0.4 mm 7.0 ± 0.4 mm 沿面 空間距離 4.0 mm (min) 5.0 mm (min) 絶縁物厚 0.4 mm (min) 0.4 mm (min) フレーム素材 Fe-Ni Alloy Cu Alloy フレームメッキ処理 Sn-Ag-Cu Ni/Pd/Au 3
4 絶対最大定格 絶対最大定格は同等です (Ta=25 ) 項目 記号 単位 TLP180 TLP184 TLP181 TLP185 直流順電流 IF ma ±50 ± パルス順電流 ( 注 1) IFP A ±1 ±1 1 1 直流逆電圧 VR V 5 5 コレクタ エミッタ間電圧 VCEO V エミッタ コレクタ間電圧 VECO V コレクタ電流 IC ma コレクタ損失 PC mw 動作温度 Topr -55~110-55~110-55~110-55~110 保存温度 Tstr -55~125-55~125-55~125-55~125 はんだ付け温度 Tsol 260(10s) 260(10s) 260(10s) 260(10s) 許容損失 PT mw 絶縁耐圧 ( 注 2) BVs Vrms 注 1: パルス幅 100 μs, 周波数 = 100Hz 注 2: AC, 1 min, R.H. 60%, ピン1,3とピン4,6を一括し 電圧を印加する 4
5 主要特性 電気的特性 (Ta=25 ) TLP180 / 184 項目 記号 単位 テスト条件 TLP180 TLP184 最小標準最大最小標準最大 順電圧 VF V IF=±10mA 暗電流 ICEO ua VCE=48V コレクタ エミッタ間降伏電圧 V(BR)CEO V Ic=0.5mA エミッタ コレクタ間降伏電圧 V(BR)ECO V IE=0.1mA 変換効率 IC/IF % IF=±5mA,VCE=5V 変換効率 ( 飽和 ) IC/IF(sat) % IF=±1mA,VCE=0.4V 変換効率 ( 飽和 ) GBランク品 コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=2.4mA,IF=±8mA コレクタ エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V GBランク IC=0.2mA,IF=±1mA コレクタオフ電流 IC(off) ua VF=0.7V,VCE=48V コレクタ電流比 IC(ratio) ua Ic(IF=-5mA)/Ic(IF=5mA) TLP181 / 185 TLP181 TLP185 項目記号単位テスト条件最小標準最大最小標準最大順電圧 VF V IF=10mA 逆電流 IR ua VR=5V 暗電流 ICEO ua VCE=48V コレクタ エミッタ間降伏電圧 V(BR)CEO V Ic=0.5mA エミッタ コレクタ間降伏電圧 V(BR)ECO V IE=0.1mA 変換効率 IC/IF % IF=5mA,VCE=5V 変換効率 ( 飽和 ) IC/IF(sat) % IF=1mA,VCE=0.4V 変換効率 ( 飽和 ) GBランク品 コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=2.4mA,IF=8mA コレクタ エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V GBランク IC=0.2mA,IF=1mA コレクタオフ電流 IC(off) ua VF=0.7V,VCE=48V
6 変換効率 (CTR) ランクの変更点 TLP184/185 では CTR の上限値が TLP180/181 の 600% から 400% に変更されます (1)TLP180/181 の BL ランクを使用されている場合は TLP184/185 では BLL ランクをご指定ください (2)TLP184/185 の無 GB ランクの CTR 上限は 400% となります TLP180 TLP184 Unit :[%] 最小 最大 最小 最大 無 無 Yランク品 Yランク品 GRランク品 GRランク品 BLランク品 BLLランク品 GBランク品 GBランク品 TLP181 TLP185 最小 最大 最小 最大 無 無 Yランク品 Yランク品 GRランク品 GRランク品 GRLランク品 GRLランク品 GRHランク品 GRHランク品 BLランク品 BLLランク品 BLLランク品 GBランク品 GBランク品
7 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 構造比較 比較項目 TLP280/281/284/285 TLP290/291 Unit:[mm] Unit:[mm] パッケージ寸法 2.3 MAX ±0.4 UL 認定 File No.E67349 申請予定 VDE 認定 Certificate No 申請予定 BSI 認定 TLP280/281 TLP284/285 No.8971,8972 No.8143,8144 申請予定 推奨パッド寸法に変更はありません 7
8 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 構造比較 比較項目 TLP280/281/284/285 TLP290/291 発光素子 リードフレーム 内部構造図 リードフレーム 受光素子 受光素子 発光素子 製品全高製品全幅 2.1 mm (max) 2.3 mm (max) 7.0 ± 0.4 mm 7.0 ± 0.4 mm 沿面 空間距離 TLP280/281 TLP284/ mm (min) 5.0mm (min) 5.0 mm (min) 絶縁物厚 0.4 mm (min) 0.4 mm (min) フレーム素材 Fe-Ni Alloy Cu Alloy フレームメッキ処理 Sn-Ag-Cu Ni/Pd/Au 8
9 絶対最大定格 絶対最大定格は同等以上です (Ta=25 ) 発光側 受光側 AC 入力タイプ DC 入力タイプ 項目 記号 単位 TLP280 TLP284 TLP290* TLP281 TLP285 TLP291* 順電流 I F ma ±50 ± パルス順電流 ( 注 1) I FP A ±1 ±1 1 1 逆電圧 V R V 5 5 コレクタ エミッタ間電圧 V CEO V エミッタ コレクタ間電圧 V ECO V コレクタ電流 I C ma コレクタ損失 P C mw 動作温度 Topr -55~100-55~110-55~110-55~100-55~110-55~110 保存温度 Tstg -55~125-55~125-55~125-55~125 はんだ付け温度 Tsol 260(10s) 260(10s) 260(10s) 260(10s) 許容損失 P T mw 絶縁耐圧 ( 注 2) BVs Vrms * 開発中 注 1: パルス幅 100 μs, 周波数 = 100Hz 注 2: AC, 1 min, R.H. 60%, ピン1,2とピン3,4を一括し 電圧を印加する 9
10 主要特性 TLP280 / 284 vs. TLP290 TLP281 / 285 vs. TLP291 電気的特性 (Ta=25 ) 項目 記号 単位 テスト条件 TLP280, TLP284 TLP290 * 最小標準最大最小標準最大 順電圧 VF V IF=±10mA 暗電流 ICEO ua VCE=48V コレクタ エミッタ間降伏電圧 V(BR)CEO V Ic=0.5mA エミッタ コレクタ間降伏電圧 V(BR)ECO V IE=0.1mA 変換効率 IC/IF % IF=±5mA,VCE=5V 変換効率 ( 飽和 ) IC/IF(sat) % IF=±1mA,VCE=0.4V 変換効率 ( 飽和 ) GBランク品 コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=2.4mA,IF=±8mA コレクタ エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V GBランク IC=0.2mA,IF=±1mA コレクタオフ電流 IC(off) ua VF=0.7V,VCE=48V コレクタ電流比 IC(ratio) ua Ic(IF=-5mA)/Ic(IF=5mA) 項目 記号 単位 テスト条件 TLP281, TLP285 TLP291 * Min. typ. Max. Min. typ. Max. 順電圧 VF V IF=10mA 逆電流 IR ua VR=5V 暗電流 ICEO ua VCE=48V コレクタ エミッタ間降伏電圧 V(BR)CEO V Ic=0.5mA エミッタ コレクタ間降伏電圧 V(BR)ECO V IE=0.1mA 変換効率 IC/IF % IF=5mA,VCE=5V 変換効率 ( 飽和 ) IC/IF(sat) % IF=1mA,VCE=0.4V 変換効率 ( 飽和 ) GBランク品 コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=2.4mA,IF=8mA コレクタ エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V GBランク IC=0.2mA,IF=1mA コレクタオフ電流 IC(off) ua VF=0.7V,VCE=48V * 開発中 * 開発中 10
11 変換効率 (CTR) ランクの変更点 TLP290/291 では CTR の上限値が TLP280/281/284/285 の 600% から 400% に変更されます (1)TLP280/281/284/285のBLランクを使用されている場合は TLP290/291ではBLLランクをご指定ください (2)TLP290/291の無 GBランクのCTR 上限は400% となります TLP280 / 284 TLP290 Unit :[%] 最小 最大 最小 最大 無 無 Yランク品 Yランク品 GRランク品 GRランク品 BLランク品 BLLランク品 GBランク品 GBランク品 TLP281 / 285 TLP291 最小 最大 最小 最大 無 無 Yランク品 Yランク品 GRランク品 GRランク品 GRLランク品 GRLランク品 GRHランク品 GRHランク品 BLランク品 BLLランク品 BLLランク品 GBランク品 GBランク品
12 ご注意 当社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります 当社半導体製品をご使用いただく場合は 半導体製品の誤作動や故障により 生命 身体 財産が侵害されることのないように 購入者側の責任において 機器の安全設計を行うことをお願いします なお 設計に際しては 最新の製品仕様をご確認の上 製品保証範囲内でご使用いただくと共に 考慮されるべき注意事項や条件について 東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い 半導体信頼性ハンドブック などでご確認ください 本資料に掲載されている製品は 一般的電子機器 ( コンピュータ パーソナル機器 事務機器 計測機器 産業用ロボット 家電機器など ) に使用されることを意図しています 特別に高い品質 信頼性が要求され その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 ( 原子力制御機器 航空宇宙機器 輸送機器 交通信号機器 燃焼制御 医療機器 各種安全装置など ) にこれらの製品を使用すること ( 以下 特定用途 という ) は意図もされていませんし また保証もされていません 本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用することは お客様の責任でなされることとなります 本資料に掲載されている製品のうち外国為替および外国貿易法により 輸出または海外への提供が規制されているものがあります 本資料に掲載されている製品には 米国輸出管理規制の規制を受けた製品が含まれており 輸出する場合 輸出先によっては米国政府の許可が必要です 本資料に掲載してある技術情報は 製品の代表的動作 応用を説明するためのもので その使用に際して当社および第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません 本資料の掲載内容は 技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります 12
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
TLP421
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 各種コントローラ 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm は GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組み合わせた 4pinDIP のフォトカプラで高絶縁耐圧 ( 交流 5 kv RMS min) を備えています コレクタ エミッタ間電圧 : 80 V ( 最小
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流
TTC004B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
TTD1415B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 大電力スイッチング用 ハンマードライブ用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = 3 V, I C = 3 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い : V CE(sat) = 1.5 V ( 最大 ) (I C = 3 A, I B = 6 ma) (3) TTB1020Bとコンプリメンタリ
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
TLP291(SE
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電源 プログラマブルコントローラ ハイブリッド IC 単位 :mm は フォトトランジスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた SO4 パッケージの高耐ノイズ 高絶縁型のフォトカプラです は高い絶縁耐圧 (3750 Vrms) と広い動作温度範囲 (Ta = -55 ~110 C) に対応していますので 小型スイッチング電源や ハイブリッド
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
2SK2313
東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な
Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
TTD1409B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,
TC7WT126FU
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力
TLP185(SE_J_
フォトカプラ 赤外 LED+ フォトトランジスタ 1. 用途 事務機器用 プログラマブルコントローラ (PLC) 用 ACアダプタ用 I/Oインタフェースボード用 2. 概要 は, フォトトランジスタとGaAs 赤外発光ダイオードを光結合させたSO6パッケージの高耐ノイズ, 高絶縁型のフォトカプラです は, 標準 DIPパッケージのフォトカプラに比べ小型 薄型ですのでプログラマブルコントローラなど高密度の基板実装が要求される応用に適しています
2SC5200N_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (
Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです
TC74HC109AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
TC74HC112AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
TLP187_J_
フォトカプラ 赤外 LED+ フォトトランジスタ 1. 用途 プログラマブルコントローラ (PLC) 用 I/Oインタフェースボード用 家電機器用 2. 概要 は, フォトダーリントントランジスタとInGaAs 赤外発光ダイオードを光結合させたSO6パッケージの高耐ノイズ 高絶縁型のフォトカプラです コレクタ-エミッタ間を高耐圧型にしていますので プログラマブルコントローラの100 DCアウトプットモジュールなどの応用に適しています
TLP250
東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :
DF2B6.8FS_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格
TLP240D,TLP240DF_J_
フォトカプラ フォトリレー 1. 用途 メカリレーの置き換え用 セキュリティシステム用 計測器用 ファクトリーオートメーション (FA) 制御機器用 アミューズメント機器用 スマートメータ用 電力量計用 2. 概要 TLP240D, TLP240DFは, フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合させた, 4ピンDIPのフォトリレーです このフォトリレーは絶縁耐圧が5000 Vrmsと高く, 強化絶縁要求のアプリケーションに適しています
TC74HCT245AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Traceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
DF2B29FU_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:
The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
DF10G5M4N_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :
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暫定資料 東芝フォトカプラ Gals 赤外 LED + フォト IC 汎用インバーター エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ は Gals 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた PIN SDIP のフォトカプラです このフォトカプラは 8PIN DIP のフォトカプラに比べ小型であり また海外安全規格強化絶縁クラスにも適合しています このため安全規格認定が必要な機器の実装面積を縮小することができます
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東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック DC モータ用シーケンシャルデュアルブリッジドライバ ( 正 逆 切り替えドライバ ) は 正 逆転切り替え用として最適なブリッジドライバで正転 逆転 ストップ ブレーキの 4 モードがコントロールできます 出力電流は 1.0A (AVE.) および 2.0A (PEAK) 取り出せます 特に VTR のフロントローディング テープローディング用として最適な回路構成であり出力側と制御側の二系統電源端子を有しており
TLN110(F)
東芝赤外 LED GaAs 赤外発光 各種リモコン機器 光電スイッチ 単位 : mm 放射強度が大きい : I E =mw / sr( 標準 ) 放射強度の直線性が良く パルス動作 高周波による変調ができます リモコン用受光素子は可視光しゃ断の樹脂を使用した PIN フォトダイオード TPS70(F) などがあります 絶対最大定格 (Ta = 2 C) 項目記号定格単位直流順電流 I F 00 ma
TC74HC245,640AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
TLP560J 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトライアック TLP560J トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm TLP560J は フォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 6PIN
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトライアック トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm は フォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 6PIN DIP のフォトカプラです せん頭順阻止電圧 : 600 V ( 最小 ) トリガ LED 電流 : 10 ma ( 最大 ) 実効オン電流 : 100
TRS3E65F_J_
SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図
TC7SET08FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )
TPC8107
TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
TC74HC4511AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4511AP,TC74HC4511AF BCD-to-7 Segment Latch/Decoder/Driver TC74HC4511A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS ラッチ付き 7 セグメント デコーダ ドライバです 標準 CMOS の 4511B と同一ピン接続 同一ファンクションですが 高速ラッチ
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M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動
GT60PR21_J_
ディスクリート IGBT シリコン N チャネル IGBT 1. 用途 電圧共振インバータスイッチング専用 注意 : 本資料に掲載されている製品を上記以外の用途に使用しないでください 2. 特長 (1) 第 6.5 世代品 (2) RC 構造によるダイオード内蔵 (3) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ (4) スイッチング時間が速い : IGBT t f = 0.16 µs ( 標準 ) (I
PS2701-1, PS2701-2, PS DS
Photocoupler SOP NEPOC PS2701-1, PS2701-2, PS2701-4 GaAs LED IC BV = 3 7 Vr.m.s. SOP tr = 3 µs TYP., tf = 5 µs TYP. 1 PS2701-1-E3, E4, F3, F4 UL No. E72422 (S) VDE0884 IC PS2701-1 4 SOP PS2701-2 8 SOP
TC7SZU04AFS_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,
TLP293_J_
フォトカプラ 赤外 LED+ フォトトランジスタ 1. 用途 スイッチング電源用 プログラマブルコントローラ (PLC) 用 I/Oインタフェースボード用 2. 概要 は, フォトトランジスタと赤外発光ダイオードを光結合させたSO4パッケージの高耐ノイズ, 高絶縁型の低入力フォトカプラです は, 高い絶縁耐圧 (3750 Vrms) と広い動作温度 (T a = -55125 ) に対応していますので,
GT40QR21_J_
ディスクリート IGBT シリコン N チャネル IGBT 1. 用途 電圧共振インバータスイッチング専用 注意 : 本資料に掲載されている製品を上記以外の用途に使用しないでください 2. 特長 (1) 第 6.5 世代品 (2) RC 構造によるダイオード内蔵 (3) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ (4) スイッチング時間が速い IGBT : t f = 0.20 µs ( 標準 ) (I
TLP549J 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトサイリスタ TLP549J 事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 単位 : mm TLP549J は フォトサイリスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 8PIN DIP(PIN 数 7 本 ) のフォトカ
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトサイリスタ 事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 単位 : mm は フォトサイリスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 8PIN DIP(PIN 数 7 本 ) のフォトカプラです 交流ラインの最小導体間距離 3mm が確保できるよう サイリスタのアノード カソード端子間中心距離は 5.08mm あります せん頭順阻止電圧
TC7SHU04FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25
TLP291-4_J_
フォトカプラ 赤外 LED+ フォトトランジスタ 1. 用途 プログラマブルコントローラ (PLC) 用 スイッチング電源用 電位が異なる回路間の信号伝達用 2. 概要 は, フォトトランジスタとGaAs 赤外発光ダイオードを光結合させたSO16パッケージの高耐ノイズ, 高絶縁型のフォトカプラです は, 広い動作温度範囲 (T a = -55110 ) に対応していますので, プログラマブルコントローラやハイブリッドIC
TLP785_TLP785F
事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 各種コントローラ 電位が異なる回路間の信号伝達 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP785, TLP785F TLP785 単位 : mm TLP785 は GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組み合わせた 4pinDIP のフォトカプラで高絶縁耐圧 ( 交流 5 k Vrms min) を備えています
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC7W139F,TC7W139FU 2-to-4 Line Decoder TC7W139 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 4 出力デコーダです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます A B 2 本のバイナリアドレス入力により選択された出力のみ L レベルとなります 非選択の出力はすべて
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
TC7SET125FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力
TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 出力には 波形整形用バッファが付加されており
PS2802-1,PS DS
Photocoupler SSOP NEPOC PS2802-1, PS2802-4 GaAs LED IC BV = 2 500 Vr.m.s. 4, 16 SSOP 1.27 mm CTR = 2 000% TYP. @ IF = 1 ma, VCE = 2 V PS2802-1-F3, F4, PS2802-4-F3, F4 PS2802-1, -4 UL File No. E72422 BSI
TC4017BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
TLP363J 東芝フォトカプラ GaAs 赤外 LED + フォトトライアック TLP363J トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm TLP363J は ゼロクロスフォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを
東芝フォトカプラ GaAs 赤外 LED + フォトトライアック トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm は ゼロクロスフォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 4PIN DIP のフォトカプラです TLP361J に比べて 外部からのノイズ耐量を上げた製品となっています せん頭順阻止電圧 : 600
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC T L P TLP351 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm TLP351 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた 8PI
暫定資料 東芝フォトカプラ Gals 赤外 LED + フォト IC T L P 3 5 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm は Gals 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた PIN DIP のフォトカプラです 出力部はトーテムポール回路なので 吸い込み ( シンク ) はき出し ( ソース ) の両方向ドライブが出来ます
PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 DS
Photocoupler PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 NEPOC PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 GaAs LED PS2501L-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V tr =
TK50P04M1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い
TPCP8406_J_
MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
SSM3K7002KFU_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5
TPCA8056-H_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 ノートブックPC 用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 17 nc ( 標準 ) (4) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 2.2 mω ( 標準 ) (V
DF2B26M4SL_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32
RD2.0S～RD150S DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TLP351
東芝フォトカプラ Gals 赤外 LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm は Gals 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた PIN DIP のフォトカプラです 出力部はトーテムポール回路なので 吸い込み ( シンク ) はき出し ( ソース ) の両方向ドライブが出来ます この素子は IGBT およびパワー
TLP241A,TLP241AF_J_
フォトカプラ フォトリレー 1. 用途 メカリレーの置き換え用 セキュリティシステム用 計測器用 ファクトリーオートメーション (FA) 制御機器用 アミューズメント機器用 スマートメータ用 電力量計用 2. 概要 TLP241A, TLP241AF は, フォト MOSFET と赤外発光ダイオードを光結合させた, 4 ピン DIP のフォトリレーです このフォトリレーは絶縁耐圧が 5000 Vrms
uPA2000 Series DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
uPC258,4558 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
ブロック図 真理値表 入力出力 OUTn (t = n) CLOCK LATCH ENABLE SERIAL-IN OUT 0 OUT 7 OUT 15 SERIAL OUT H L D n D n D n 7 D n 15 D n 15 L L D n No Change D n 15 ( 注 )
東芝 Bi CMOS 集積回路シリコンモノリシック TB62706BN,TB62706BF TB62706BN/BF 16 ビット定電流 LED ドライバ TB62706BN TB62706BF は 16 ビットの電流値を可変可能な定電流回路と これをオン オフ制御する 16 ビットシフトレジスタ ラッチおよびゲート回路から構成された定電流 LED ドライバです ( アノードコモン ) Bi CMOS
SSM6J505NU_J_
MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS
Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt
8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=
PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 DS
Photocoupler PS2561D-1,PS2561DL-1 PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 110 C DIP NEPOC PS2561D-1 GaAs LED PS2561DL-1 PS2561D-1 PS2561DL1-1 PS2561D-1 PS2561DL2-1 PS2561D-1 110 C BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V CTR =
TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長
uPC1093 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
2SC1213, 2SC1213A データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC74LCX245F/FT/FK
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74LCX245F/FT/FK TC74LCX245F,TC74LCX245FT,TC74LCX245FK Low Voltage Octal Bus Transceiver with 5 V Tolerant Inputs and Outputs TC74LCX245 は 低電圧 (3.3 V) 駆動の CMOS 8 ビット双方向バランストランシーバです
TC7SZ125FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer with 3-State Output 2. 特長 (1) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 1) (2) 高出力電流 : ±24 ma ( ) ( CC = 3 ) (3) 超高速動作 : t pd = 2.6 ( 標準 ) ( CC = 5, C L = pf) (4) 動作電圧範囲 :
Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt
Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm
TK30J25D_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (π-mos) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.046 Ω ( 標準 ) (2) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( ) (V DS = 250 V) (3) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです : V th = 1.53.5 V (V DS = 10
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
特長 パッケージ 製品の特長 2125(t=0.8 mm) タイプ 乳白色樹脂 外形 2.0 x 1.25 x 0.8mm ( L x W x H ) 温度範囲仕様保存温度 :-40 ~100 動作温度 :-40 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 指向半値角 Green Yellow Green Yellow Orange Red BG PG PY AY AA BR :
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP, TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
2SC458, 2SC2308 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年
ブロック図 真理値表 STEP CLOCK LATCH ENABLE SERIAL IN OUT 0 OUT5 OUT 7 SERIAL OUT 1 UP H L D n D n D n 5 D n 7 D n 7 2 UP L L D n+1 No change D n 6 3 UP H L D
東芝 Bi CMOS 集積回路シリコンモノリシック TB62705CP/CF/CFN TB62705CP,TB62705CF,TB62705CFN 8 ビット定電流 LED ドライバ TB62705CP / CF / CFN は 8 ビットの電流値を可変可能な定電流回路と これをオン オフ制御する 8 ビットシフトレジスタ ラッチおよびゲート回路から構成された定電流 LED ドライバです ( アノードコモン
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc
IR0 赤外線センサ 特長 旭化成赤外線センサ IR0 は 常温で動作することを特徴とした超小型 表面実装対応の量子型赤外線センサです 自社のホール素子製造技術をベースにした InSb 薄膜からフォトダイオードを作成 これを太陽電池モードで動作させることにより 高感度 高速応答性 直流出力 フィルター不要等の量子型赤外線センサの特徴はそのままに 無バイアスで赤外線を検知できます 人体検知 非接触温度測定
TLP2362_J_
フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED+ フォト IC 1. 用途 ファクトリーオートメーション (FA) 制御機器 プラズマパネルディスプレイ (PDP) 計測器 2. 概要 は, 高光出力のGaAlAs 赤外発光ダイオードと高利得 高速の集積回路受光チップを組み合わせたSO6パッケージのフォトカプラです 本製品は, 周囲温度 -40125の環境下で電源電圧 2.7 5.5 の動作を保証しており,
TC74VHC595F/FT/FK
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74VHC595F/FT/FK TC74VHC595F,TC74VHC595FT,TC74VHC595FK 8-Bit Shift Register/Latch (3-state) TC74VHC595 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた超高速 CMOS 8 ビットシフトレジスタ / ラッチです CMOS の特長である低い消費電力で
2SD667. 2SD667A データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
HD74HCT564, HD74HCT574
ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり
TPHR7904PB_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 車載用 モータドライブ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 (2) 小型, 薄型で実装面積が小さい (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.65 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( 最大 ) (V
TLP3906_J_
フォトカプラ 赤外 LED+ フォトダイオード 1. 用途 計測器用 MOSFETゲートドライブ用 2. 概要 は, フォトダイオードアレイと赤外発光ダイオードを光結合させたSO6パッケージのフォトカプラです 各フォトダイオードは直列接続されており, MOS 素子のゲート駆動に適しています このカプラは受光側に制御回路を内蔵していますので 外付けの放電抵抗の接続は必要なくなり またスイッチングスピードを改善します