C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

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1 M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3 7 Cu = 0% Cu = 2.2% 6 MIT Cu = 2.2% 5 Fe 3 O 4 MIT X 4 Cu = 5.6% T (K) 図 1. ノンドープ及び Cu ドープ Fe3O4 ナノ結晶の磁化の温度依存性 [1] Y. Ishiwata et al., Adv. Mater. Interfaces 2, (2015). 21

2 C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni 3 S 4 Fe 1.8% Fe X (10-5 emu/oe/g) T (K) NiS Ni Fe S 図 1: ノンドープ及び Fe ドープ NiS ナノ結晶の磁化率の温度依存性 [1] Y. Ishiwata et al., Adv. Mater. Interfaces 2, (2015). C-3 Ca 2 RuO 4 A, B, C A, A, A, A, A, B, A,C Ca 2 RuO GPa Ca 2 RuO 4 DSC DSC-60plus DSC ϕ 6 5 mm 0.5 GPa DSC tensile stress β- 24 J/(K mol) tensile stress 1760 MPa MP35N 0.7 GPa mm ϕ 3 4 mm 500 mg 2 4 % 0.2 GPa CRO 22

3 S(μV/K) C-4 Ca 2 RuO 4 A, B A, A, A, A, A, B, A Ca 2 RuO 4 DSC DSC-60plus 0.2 GPa Ca 2 RuO K 350 K 0.2 GPa Sr C P (a.u.) Ca 2 RuO GPa 0 GPa Temperature (K) C-5 KTaO 3 A, B A, A, B, B KTaO 3 KTaO 3 KTaO 3 KTaO / T(K) 23

4 C-6 A, B, C A, A, A, A, B, KavehEdalati C, C T c Nb 10 GPa 9.9 K [1] (HPT) [2] 10.0 K T c 1 T c N = 10 HPT Nb( N HPT ) 2 GPa T c 9.9 K 2 GPa T c [1]Viktor Struzhkin et al., Phys. Rev. Lett, 79, 4262 (1997).[2],, 60, 134 (2010). T c [K] 図 as received N = 10 (Run1) N = 10 (Run2) Pressure [GPa] Nb の HPT 加工材の圧力における超伝導転移温度の変化 C-7 Hg-1223 A, JASRI/SPring8 B, C A, A, B, A, A, A, A, C, C, C HgBa 2 Ca 2 Cu 3 O 8+δ (Hg 1223) T c = 135 K 15 GPa 153 K [1] T c [2] T c CuO 2 in plane out of plane 1 (HP) T c 2 GPa in plane T c out of plane T c T c [1] N. Takeshita et al., J. Phys. Soc. Jpn. 82, (2013). [2] A. Yamamoto et al. Nat. Commun. 6, 8990 (2015). 図 1. Hg-1223 の Tc 変化量の応力依存性 24

5 C-8 W(110) A A, A, MohammadTowheedKibria A, A W(110) Fe (LEED) Pa W(110) Fe LEED (STM) 1 L( Pa s) (3 2) LEED ( 1) STM ( 2) [1] LEED STM 3 LEED (2 2) (3 2) (2 2) (3 2) [1]K.Freindl, et al., Surf. Sci 617 (2013) W Fe O [110] 1 nm [001] 図 1 O/Fe/W(110) 図 2 O/Fe/W(110) 図 3 O/Fe/W(110) の予想のLEEDパターンのSTM 像される構造モデル C-9 Shockley state A, B B, B A, B, Shockley state Dirac cone Shockley state z E = ( h 2 /2m)(G 2 K 2 ) ±(1/2) V 0 (1 ( h 4 k 2 G 2 /m 2 V 2 0 )). (1) H = (1/2m 2 c 2 ) [ ( E p) σ]. (2) E z p E = ±β p (β > 0) Dirac cone cone (1) z (2) xy 表面表面外バルク内部 Z 方向ポテンシャル図 1 Shockley stateの数値計算 ( バンドギャップ内 ) 25

6 抵抗 (Ω) C-10 Bi 1 x Sb x A, B, C A, B, C Bi 1 x Sb x Sb 7 22% Sb 7 22% RF Si Bi 1 x Sb x (Sb 0 80%) 7 22% EPMA X Fig.1 Sb Sb 16 30% Bi 1 x Sb x 8% Bi X Bi 1 x Sb x Bi 600 B A A 100 トポロジカル絶縁体とされる範囲 0 B 薄膜の抵抗値が高い範囲 Sb 含有量 (at%) Fig.1 薄膜抵抗値のSb 含有量依存性 C-11 A A, A ( ) DV-X ( scat) (A B ) ABO B B A B A A ( +3) B ( +1 +2) A O 26

7 Normalized di/dv d 2 I/dV 2 [G 0 /V] C-12 V A, B, C, D A, B, A, A, A, C, D, A Pd,V,Nb [1] V 1 V V V [1]K. Ienaga, H. Takata, Y. Onishi, et al, Appl. Phys. Lett. 106, (2015) Vanadium in Liq. H 2 T ~ 18K 図 1 T~18K での液体水素中に浸した V ナノコンタクトにおいて観測される微分伝導特性 電圧の増加に伴って微分伝導度も増加する 特異な振る舞いが現れている C-13 Fe A, B A, A, B, A, A (bcc-fe) 3.5GPa dhcp FeH hcp-fe dhcp-feh FeH Fe Fe [1] Fe Pd [2] Fe 2 [1] K. Takahashi et al., Sci. Rep. 4, 4598 (2014) [2] K. Ienaga et al., Appl. Phys. Lett. 106, (2015) 1 (a) 図 1: Fe ナノコンタクトの (a)di/dv (b)d 2 I/dV 2 スペクトル青 :in vacuum (T~14K), 赤 :in liquid H 2 (T~15K) The zero bias conductance is 80G 0 in (a)(b). (b) 27

8 C-14 Pd A, B, C A, B, B, B, C, B Pd [1] (T=14 20K) Pd di/dv d2i/dv2 d2i/dv2 Pd [1] K. Ienaga, et al., Applied Physics Letters 106, (2015) 28

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

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