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こうきかせ
5 years ago
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1 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY DESCRIPTION M8FP is eightcircuit collectorcurrent sink type Darlington transistor arrays. The circuits are made of PNP and NPN transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform highcurrent driving with extremely low inputcurrent supply. PIN CONFIGURATION NC IN IN NC 9 O 8 O FEATURES High breakdown voltage (BCEO > ) Highcurrent driving (IC(max) = ma) Active Llevel input With input clamping diodes IN IN IN IN6 IN O O O O6 O APPLICATIONS Interfaces between microcomputers and highvoltage, high current drive systems, drives of relays and printers, and MOSbipolar logic IC interfaces IN8 9 GND Package type O8 cc PNA NC : No connection FUNCTION The M8FP is produced by adding PNP transistors to M8 inputs. Eight circuits having active Llevel inputs are provided. Resistance of kω and diode are provided in series between each input and PNP transistor base. The input diode is intended to prevent the flow of current from the input to the CC. Without this diode, the current flow from H input to the CC and the L input circuits is activated, in such case where one of the inputs of the 8 circuits is H and the others are L to save power consumption. The diode is inserted to prevent such misoperation. This device is most suitable for a driver using NMOS IC output especially for the driver of current sink. Collector current is ma maximum. Collectoremitter supply voltage is. CIRCUIT DIAGRAM K K.K.K K cc GND The eight circuits share the cc and GND. The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. :Ω ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta = ~ + ) Conditions CC Supply voltage CEO Collectoremitter voltage Output, H I Input voltage IC Collector current Current per circuit output, L Pd Power dissipation Ta =, when mounted on board Topr Operating temperature Tstg Storage temperature Ratings. ~ +. ~ CC. ~ + ~ + ma W.May

2 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY RECOMMENDED OPERATING (Unless otherwise noted, Ta = ~ + ) CC IC IH IL Supply voltage Collector current (Current per circuit when 8 circuits are coming on simultaneously) H input voltage L input voltage Duty Cycle no more than % Duty Cycle no more than % min CC. Limits typ max 8 CC CC.6 ma ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted, Ta = ~+ ) CE(sat) II (BR)CEO ICC hfe Collector emitter breakdown voltage Collectoremitter saturation voltage Input current Supply current (one circuit coming on) DC amplification factor S =, I =. I = CC.6 I = CC.6 Test conditions IC = ma IC = ma CC =,I = CC.6 CE =, CC =, IC = ma, Ta = min Limits typ * max μa ma *:The typical values are those measured under ambient temperature (Ta) of. There is no guarantee that these values are obtained under any conditions. SWITCHING CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted, Ta = ) ton toff Turnon time Turnoff time CL = pf(note ) Test conditions min Limits typ max ns ns NOTE TEST CIRCUIT TIMING DIAGRAM CC Measured device RL % % PG Ω CL % % ton toff () Pulse generator (PG) characteristics: PRR = khz, tw = μs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO = Ω,I =. to () Inputoutput conditions : RL = Ω, o =, CC = () Electrostatic capacity CL includes floating capacitance at connections and input capacitance at probes.may

3 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 標準特性 Thermal Derating Factor Characteristics. Output Saturation oltage Collector Current Characteristics I=. CC= Power dissipation Pd (W)... Ta= Ta= Ta=.... Ambient temperature Ta ( ) Output saturation voltage CE(sat) () DutyCycleCollector current Characteristics DutyCycleCollector current Characteristics The collector current values represent the current per circuit. Repeated frequency > Hz The value in the circle represents the value of the simultaneouslyoperated circuit. cc= Ta = The collector current values represent the current per circuit. Repeated frequency > Hz The value in the circle represents the value of the simultaneouslyoperated circuit. cc= Ta = Duty cycle (%) Duty cycle (%) Input current II (ma) Input Characteristics CC= Ta= Ta= Ta= DC amplification factor hfe DC Amplification Factor Collector Current Characteristics CC= CE= Ta= Ta= Ta= Supply voltageinput voltage CC I ().May

4 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY Grounded Emitter Transfer Characteristics CC= CE= Supply Current Characteristics I= Ta= Ta= Ta= Supply current ICC (ma) Ta= Ta= Ta= 6 8 Supply voltageinput voltage CC I () Supply oltage CC ().May

5 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 外形図.May

6 M8FP 8UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 安全設計に関するお願い弊社は品質信頼性の向上に努めておりますが半導体製品は故障が発生したり誤動作する場合があります弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として人身事故火災事故社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計延焼対策設計誤動作防 ~ 設計などの安全設計に十分ご留意ください本資料ご利用に際しての留意事項本資料はお客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の実施使用を許諾するものではありません本資料に記載の製品データ図表プログラムアルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害第三者所有の権利に対する侵害に関し三菱電機は責任を負いません本資料に記載の製品データ図表プログラムアルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり三菱電機は予告なしに本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります三菱半導体製品のご購入に当たりましては事前に三菱電機または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに三菱電機半導体情報ホームページ ( などを通じて公開される情報に常にご注意ください本資料に記載した情報は正確を期すため慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には三菱電機はその責任を負いません本資料に記載の製品データ図表に示す技術的な内容プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は技術内容プログラムアルゴリズム単位で評価するだけでなくシステム全体で十分に評価しお客様の責任において適用可否を判断してください三菱電機は適用可否に対する責任は負いません本資料に記載された製品は人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計製造されたものではありません本資料に記載の製品を運輸移動体用医療用航空宇宙用原子力制御用海底中継用機器あるいはシステムなど特殊用途へのご利用をご検討の際には三菱電機または特約店へご照会ください本資料の転載複製については文書による三菱電機の事前の承諾が必要です本資料に関し詳細についてのお問い合わせその他お気付きの点がございましたら三菱電機または特約店までご照会ください MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERED..May 6

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Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路ですピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動