Z(X,X)Z+ Z(X,Y)Z (a) FTA(2/4) X(Z,Y)X (b) X(Z,Z)X 20 FLO(4/4) 20 図 2 4H-SiCの偏光ラマンスペクトルは 顕微ラマン測定の場合 大きなN.A.( ) を有する対物レンズを用いて測定するために 入射光の偏光の乱れによるものである 偏

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態

2015.02 王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態のとき 表示画面を偏光メガネを通して見たときに干渉色いわゆる虹ムラが発生する場合があることはよく知られています

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

Microsoft Word - note02.doc

年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >

7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

EDS分析ってなんですか？どのようにすればうまく分析できますか？（EDS分析の基礎）

EDS 分析ってなんですか? どのようにすればうまく分析できますか?(EDS 分析の基礎 ) ブルカー エイエックスエス ( 株 ) 山崎巌 Innovation with Integrity 目次 1 SEM EDS とは 1-1 走査電子顕微鏡と X 線分析 1-2 微少領域の観察 分析 1-3 SEM で何がわかる 1-4 試料から出てくる情報 2 EDS でどうして元素がわかるの 2-1 X

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

ＬＥＤの光度調整について

光測定と単位について 目次 1. 概要 2. 色とは 3. 放射量と測光量 4. 放射束 5. 視感度 6. 放射束と光束の関係 7. 光度と立体角 8. 照度 9. 照度と光束の関係 10. 各単位の関係 11. まとめ 1/6 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

図 8.1 カーボンナノチューブの立体構造 (a) アームチェア型 (b) ジグザグ型 (c) カイラル型 ナノチューブの端にはキャップがついている 円筒部は (n,m) の 2 つの整数で表示 ラマン分光 (Ⅰ) ラマン分光の概要ラマン分光は 光の非弾性散乱である 散乱光のエネルギーは

8 CNT( カーボンナノチューブ ) のラマン分光 8.1 カーボンナノチューブの概要と共鳴ラマン分光 8.1.1 はじめに カーボンナノチューブ (CNT) は 新しい炭素材料として広く研究が行われている 1) CNT はグラファイトの層を丸めて円筒状にした物質であり 丸め方によってさまざまな立体構造が可能 ( 図 8.1) で 構造に依存して金属にも半導体にもなるという著しい性質を持っている

IB-B

FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する

1/8 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.40 p2 (2005) 1. はじめに 電子顕微鏡のはなし 今村直樹 ( 技術部試験一課 ) 物質表面の物性を知る方法として その表面構造を拡大観察するのが一つの手段となる 一般的には光学顕微鏡 (Optical Microscope) が使用されているがより高倍率な像が必要な場合には電子顕微鏡が用いられる 光学顕微鏡と電子顕微鏡の違いは 前者が光 (

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

<4D F736F F D2089FC92E82D D4B CF591AA92E882C CA82C982C282A282C42E727466>

11 Application Note 光測定と単位について 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです しかし 測定の方法は多種存在し 何をどのような測定器で測定するかにより 測定結果が異なってきます 本書では光測定とその単位について説明していきます 2. 色とは

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

Nov 11

http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます

スライド 1

パワーデバイスの故障解析 あらゆるサイズ 形状のダイオード MOS FET IGBT 等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面 IR-OBIRCH 解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします 解析の前処理 - 裏面研磨 - 平面研磨 各種サンプル形態に対応します Si チップサイズ :200um~15mm 角 ヒートシンク チップ封止樹脂パッケージ状態の裏面研磨 開封済みチップの裏面研磨

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人 研究背景 目的 液相レーザーアブレーション 液相に設置したターゲットに高強度レーザーパルスを照射するとターゲット表面がプラズマ化する ターゲットを構成する原子 分子が爆発的に放出され, ターゲット由来のナノ粒子ナノ粒子が生成される レーザー照射

Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx

. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は

平成 25 年 3 月 4 日国立大学法人大阪大学独立行政法人理化学研究所 高空間分解能 かつ 高感度 な革新的 X 線顕微法を開発 ~ 生体軟組織の高分解能イメージングへの応用展開に期待 ~ 本研究成果のポイント X 線波長の 320 分の 1 程度のごく僅かな位相変化を 10nm 程度の空間分解

平成 25 年 3 月 4 日国立大学法人大阪大学独立行政法人理化学研究所 高空間分解能 かつ 高感度 な革新的 X 線顕微法を開発 ~ 生体軟組織の高分解能イメージングへの応用展開に期待 ~ 本研究成果のポイント X 線波長の 320 分の 1 程度のごく僅かな位相変化を 10nm 程度の空間分解能で可視化 SPring-8 および SACLA を用いた生体試料の高空間分解能観察への応用展開に期待

高耐圧SiC MOSFET

エレクトロニクス 高耐圧 S i C M O S F E T 木村錬 * 内田光亮 日吉透酒井光彦 和田圭司 御神村泰樹 SiC High Blocking Voltage Transistor by Ren Kimura, Kousuke Uchida, Toru Hiyoshi, Mitsuhiko Sakai, Keiji Wada and Yasuki Mikamura Recently,

PowerPoint プレゼンテーション

加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

リアルタイムPCRの基礎知識

1. リアルタイム PCR の用途リアルタイム PCR 法は 遺伝子発現解析の他に SNPs タイピング 遺伝子組み換え食品の検査 ウイルスや病原菌の検出 導入遺伝子のコピー数の解析などさまざまな用途に応用されている 遺伝子発現解析のような定量解析は まさにリアルタイム PCR の得意とするところであるが プラス / マイナス判定だけの定性的な解析にもその威力を発揮する これは リアルタイム PCR

2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.

2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd. 目次 1. 次世代パワーデバイス評価 解析の背景 はじめに 良品解析とは 良品解析から劣化を考慮した良品解析へ 2. SiC デバイスの劣化を考慮した良品解析 ( 加速試験による劣化を考慮した

粒子画像流速測定法を用いた室内流速測定法に関する研究

可視化手法を用いた室内気流分布の測定法に関する研究 -PIV を用いた通風時及び空調吹出気流の測定 - T08K729D 大久保肇 指導教員 赤林伸一教授 流れの可視化は古来より流れの特性を直感的に把握する手法として様々な測定法が試みられている 近年の画像処理技術の発展及び PC の性能向上により粒子画像流速測定法 (PIV ) が実用化されている Particle Image Velocimetry

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>

量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

PEA_24回実装学会a.ppt

85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由

最新保全技術 ジェイ パワーシステムズ 先月号の総論では 光ファイバを用いたセンシング技術全般について説明しているが ここでは Raman 散乱光の原理を応用した分布型温度センサ (ROTDR) について詳しく説明する こ の ROTDR は DTS(Distributed Temperature

ジェイ パワーシステムズ 先月号の総論では 光ファイバを用いたセンシング技術全般について説明しているが ここでは Raman 散乱光の原理を応用した分布型温度センサ (ROTDR) について詳しく説明する こ の ROTDR は DTS(Distributed Temperature Sensing system) とも呼ばれている なお オーピサーモは ジェイ パワーシステムズの分布型温度センサの商品名である

< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>

2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製

SPring-8ワークショップ_リガク伊藤

GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

転機構と 3 方向平行移動機構を持つゴニオメーターを用いた. 像観察作業は高分解能高感度 CMOS センサーアレーにより構成された大面積フラットパネルセンサーを用い, 最終的な像の記録は原子核乾板を用いている. 試料表面からの X 線の侵入深さは, 吸収を考慮した運動学回折理論により求めることができ

低角入射放射光回折顕微鏡法による 4H-SiC パワーデバイス中の格子欠陥の観察 Observation of Lattice Defects in 4H-SiC Power Devices by Grazing Incident Synchrotron Radiation Topography 松畑洋文 a, 山口博隆 a b, 大野俊之 Hirofumi Matsuhata, Hirotaka

2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å

MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

s ss s ss = ε = = s ss s (3) と表される s の要素における s s = κ = κ, =,, (4) jωε jω s は複素比誘電率に相当する物理量であり ここで PML 媒質定数を次のように定義する すなわち κξ をPML 媒質の等価比誘電率 ξ をPML 媒質の

FDTD 解析法 (Matlab 版 2 次元 PML) プログラム解説 v2.11 1. 概要 FDTD 解析における吸収境界である完全整合層 (Perfectl Matched Laer, PML) の定式化とプログラミングを2 次元 TE 波について解説する PMLは異方性の損失をもつ仮想的な物質であり 侵入して来る電磁波を逃さず吸収する 通常の物質と接する界面でインピーダンスが整合しており

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて

Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて発生する軸上色収差 倍率色収差を抑えた光学設計を行い 焦点距離が異なったレンズを使用しても RGB 個々の焦点位置がレンズ間で同じ位置になるよう設計されている

Readout No.40_12_アプリケーション

パワーデバイス向け SiC ウェハの非破壊評価光分析技術を用いたマイクロ ~ ナノスケールの欠陥検出 Non-Destructive Evaluation of SiC wafer for Power Device Defect detection in μm~nm scale using optical analytical technique 中庸行 Nobuyuki NAKA 清水智也 Tomoya

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版

クリソタイル標準試料 UICC A 1 走査型電子顕微鏡形態 測定条件等 :S-3400N( 日立ハイテクノロジーズ )/BRUKER-AXS Xflash 4010) 倍率 2000 倍 加速電圧 5kv 162 クリソタイル標準試料 UICC A 2 走査型電子顕微鏡元素組成 cps/ev 25 20 15 C O Fe Mg Si Fe 10 5 0 2 4 6 8 10 12 14 kev

( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を

( 全体 htt://home.hiroshima-u.ac.j/atoda/thermodnamics/ 9 年 月 8 日,7//8 戸田昭彦 ( 参考 G 温度計の種類 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k T を単位として決められている 9 年 月 日 ( 世界計量記念日 から, 熱力学温度 T/K の定義も熱エネルギー k T/J に基づく. 定積気体温度計

Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用]

ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

02.参考資料標準試料データ

参考資料 標準試料データ目次 クリソタイル標準試料 JAWE111 108 アモサイト標準試料 JAWE211 113 クロシドライト標準試料 JAWE311 118 クリソタイル標準試料 JAWE121 123 アモサイト標準試料 JAWE221 131 クロシドライト標準試料 JAWE321 139 アンソフィライト標準試料 JAWE411 147 トレモライト標準試料 JAWE511 155

EOS: 材料データシート(アルミニウム)

EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job

Microsoft Word - 第1回講義資料.docx

1. 転位と塑性変形 1.1 転位身の周りに存在する金属 (metals) 及び合金 (alloys) は結晶である. 結晶の塑性変形 (Plastic deformation) を微視的観点から理解すると, ある特定の結晶学的な面に沿って特定の方向に原子が移動することである この面をすべり面 (slip plane), 方向をすべり方向 (slip direction) という. 通常, 金属の結晶内部には原子の並びが線上に乱れた領域が存在し,

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

Chap. 1 NMR

β α β α ν γ π ν γ ν 23,500 47,000 ν = 100 Mz ν = 200 Mz ν δ δ 10 8 6 4 2 0 δ ppm) Br C C Br C C Cl Br C C Cl Br C C Br C 2 2 C C3 3 C 2 C C3 C C C C C δ δ 10 8 6 4 δ ppm) 2 0 ν 10 8 6 4 δ ppm) 2 0 (4)

予定　（川口担当分）

予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体

ウィークビーム法を用いた人工ダイアモンドの3次元トポグラフ

演題その 1 ウィークビーム法を用いた人工ダイアモンドの 3 次元トポグラフ 岡本博之 1, 水野薫 2, 森川公彦 2, 中野智志 3, 1 金沢大医薬保健, 2 島根大総合理工, 3 物質 材料機構 本来の実験目的 3 次元 X 線トポグラフィによる高圧実験用ダイアモンドの事前評価 ( どのような結晶が高圧実験に耐えるか ) 加圧済み結晶を使いダイアモンドの塑性変形メカニズムを明らかにする Diamond

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 シリーズ 波長板 シリーズ 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター

偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 波長板 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター 光について ルケオの光学フィルター でんじは 光とは 電磁波の一種です 波のような性質があります 電磁波とは 電界と磁界が互いに影響し合いながら空間を伝わっていく波のことを言います 電磁波は 波長により次のように分類されます 人の目で認識できる光を可視光線と言います 創業時から 50 年以上かけて培ってきた光学フィルム製造技術や接着技術があります

RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value

Microsoft PowerPoint - hiei_MasterThesis

LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

<4D F736F F F696E74202D20824F DA AE89E682CC89E696CA8DED8F9C816A2E >

平成 24 年度製品安全センターセンター製品安全業務報告会 Product Safety Technology Center 基板母材 絶縁材絶縁材のトラッキングのトラッキング痕跡解析技術データのデータの取得取得 蓄積 < 第二報 > 製品安全センター燃焼技術センター今田 修二 説明内容 1. 調査の背景と目的 2.22 年度調査結果 3.23 年度調査調査結果レジストなし基板 (4 種類 ) によるトラッキング発火痕跡作製実験

14 2 1 1 2 2 1 2 2 2 2 3 2 3 6 2 4 7 2 5 8 3 3 1 10 3 2 12 4 4 1 14 4 17 4 19 4 3 1 22 4 3 2 28 4 3 3 31 5 34 6 36 37 38 1. Ti:Sapphire 2. (1) (2) 2. 2. (3)(4) (5) 2 2 1 (6) 2. 3. 4 3.. 5 4 3. 6 2 5. 1

Microsoft PowerPoint - 多核NMRへの応用_提出版.pptx

多核 NMR の応用 ~ 19 F NMRを用いた定量分析 ~ 第 1 回定量 NMRクラブ (2012/12/4) 産業技術総合研究所計測標準研究部門有機分析科バイオディカル標準研究室山﨑太一 1 定量 19 FNMR 法の開発目的 フッ素化合物は生化学におけるスクリーニングや材料科学におけるポリマー分析等幅広く用いられている 分子構造解析や酵素活性等の速度論解析に使用 19 FNMR を用いた高精度な定量法開発は重要!

B. モル濃度 速度定数と化学反応の速さ 1.1 段階反応 ( 単純反応 ): + I HI を例に H ヨウ化水素 HI が生成する速さ は,H と I のモル濃度をそれぞれ [ ], [ I ] [ H ] [ I ] に比例することが, 実験により, わかっている したがって, 比例定数を k

反応速度 触媒 速度定数 反応次数について. 化学反応の速さの表し方 速さとは単位時間あたりの変化の大きさである 大きさの値は 0 以上ですから, 速さは 0 以上の値をとる 化学反応の速さは単位時間あたりの物質のモル濃度変化の大きさで表すのが一般的 たとえば, a + bb c (, B, は物質, a, b, c は係数 ) という反応において,, B, それぞれの反応の速さを, B, とし,

直観的な使い易いユーザーインターフェースで多次元の視覚化と定量解析 日本語 英語画面表示対応 背景輝度の均一化 豊富な画質調整 画像処理 画像解析機能を搭載 マクロ自動記録 特定用途向けアプリでの利用で 複数データでのバッチ処理が可能 コントラスト強調 平坦化フィルタ ハイパスフィルタ ノイズ除去 境界線の強調 ローパスフィルタ 局部イコライズフィルタ エッジや模様の強調 ディスタンスマップ バリアンスフィルタ

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を

開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー

ダイヤモンドパワーデバイスの高速 高温動作を実証 - 次世代半導体材料としての優位性を確認 - 平成 22 年 9 月 8 日独立行政法人産業技術総合研究所国立大学法人大阪大学 ポイント ダイヤモンドダイオードを用いたパワーデバイス用整流素子の動作を世界で初めて確認 高速かつ低損失の動作を確認でき 将来の実用化に期待 将来のパワーデバイスとして省エネルギー効果に期待 概要 独立行政法人産業技術総合研究所

結晶粒と強度の関係

SPring-8 金属材料評価研究会 218 年 1 月 22 日 @AP 品川 転載不可 アルミニウムにおける 置換型固溶元素が引張変形中の 転位密度変化に及ぼす影響 兵庫県立大学材料 放射光工学専攻〇足立大樹 背景 放射光を用いた In-situ XRD 測定により 変形中の転位密度変化を高時間分解能で測定可能となっており 結晶粒径による転位増殖挙動の変化について明らかにしてきた * * H.

スライド 0

Copyright 2014 Oki Engineering Co., Ltd. 2014 OEG セミナー SiC デバイスの良品構造解析 2014 年 7 月 8 日 信頼性解析事業部 解析センタ 久保田英久 はじめに ~ 市場の動向 ~ カ-エレクトロニクス分野を中心に パワーデバイスのニーズに増加が見られる 弊社の解析実施件数においても パワーデバイスが増加傾向にある 2011 年度解析の比率

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

Figure 1. Center and Edge comparison of a HEMT epi measured by PCOR-SIMS SM 図 1 は直径 150mm の Si ウェハ上に成長させた GaN HEMT 構造全体の PCOR-SIMS による深さプ ロファイルを示しています

PCOR-SIMS による Si 基板上 GaN HEMT エピ構造の解析 Temel H. Buyuklimanli (temel@eag.com), Charles W. Magee, Ozgur Celik, Wei Ou, Andrew Klump, Wei Zhao, Yun Qi and Jeffrey Serfass 810 Kifer Road, Sunnyvale, CA 94086

京都大学博士 ( 工学 ) 氏名宮口克一 論文題目 塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用した断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( 論文内容の要旨 ) 本論文は, 塩害を受けたコンクリート構造物の対策として一般的な対策のひとつである, 断面修復工法を検討の対象とし, その耐久性をより

塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用し Titleた断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 宮口, 克一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-01-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18 Right Type Thesis

Microsoft Word - planck定数.doc

. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h

0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生

0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生まれ, コンピューテーショナルフォトグラフィ ( 計算フォトグラフィ ) と呼ばれている.3 次元画像認識技術の計算フォトグラフィへの応用として,

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　半導体デバイスの信頼性

Ⅲ. 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー (LD) の光学損傷 2.2 受光素子の故障メカニズム 2. 高周波デバイスの劣化メカニズム 2.1 実装後のクラック発生 2.2 H/P FET の熱暴走 2.3 L/N FET の静電気破壊 2.4 AI 配線のエレクトロマイグレーション 12/36 MSRH06-1 光出力 P 光出力 P 1. 光素子の劣化メカニズム 1.1 半導体レーザー

線形システム応答 Linear System response

画質が異なる画像例 コントラスト劣 コントラスト優 コントラスト普 鮮鋭性 普 鮮鋭性 優 鮮鋭性 劣 粒状性 普 粒状性 劣 粒状性 優 医用画像の画質 コントラスト, 鮮鋭性, 粒状性の要因が互いに密接に関わり合って形成されている. 比 鮮鋭性 コントラスト 反 反 粒状性 増感紙 - フィルム系での 3 要因の関係 ディジタル画像処理系でもおよそ成り立つ WS u MTFu 画質に影響する因子

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

Microsoft PowerPoint - 三次元座標測定 ppt

冗長座標測定機 ()( 三次元座標計測 ( 第 9 回 ) 5 年度大学院講義 6 年 月 7 日 冗長性を持つ 次元座標測定機 次元 辺測量 : 冗長性を出すために つのレーザトラッカを配置し, キャッツアイまでの距離から座標を測定する つのカメラ ( 次元的なカメラ ) とレーザスキャナ : つの角度測定システムによる座標測定 つの回転関節による 次元 自由度多関節機構 高増潔東京大学工学系研究科精密機械工学専攻

<4D F736F F D2091AA92E895FB964082C982C282A282C45F >

相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜

第 2 章 構造解析 8

第 2 章 構造解析 8 2.1. 目的 FITSAT-1 の外郭構造が, 打ち上げ時の加速度等によって発生する局所的な応力, 及び温度変化によってビスに発生する引っ張り応力に対して, 十分な強度を有することを明らかにする. 解析には SolidWorks2011 を用いた. 2.2. 適用文書 (1)JMX-2011303B: JEM 搭載用小型衛星放出機構を利用する小型衛星への構造 フラクチャコントロール計画書

詳細な説明 < 背景 > 日本において急速に進む少子高齢化に関わる諸問題の解決のために 超スマート社会の実現が希求されています そのため 超スマート社会の技術インフ ラとして 超高感度センサーや超高速デバイスなどの開発に加えて それらのデバイス同士やそれらのデバイスと人をつなぐ超高速情報通信技術の研

平成 30 年 9 月 5 日 報道機関各位 東北大学電気通信研究所住友電気工業株式会社東京大学放射光分野融合国際卓越拠点物質 材料研究機構高エネルギー加速器研究機構東京理科大学 GaN 無線通信用高速トランジスタの表面電子捕獲のナノスケールその場分析 ~ 超スマート社会を支える次世代無線通信デバイスの出力を向上 ~ 発表のポイント 社会的弱者を含めたあらゆる人々が快適に暮らすことができる超スマート社会にとって

昆虫と自然 2010年12月号 (立ち読み)

食糞性コガネムシの輝く色 構造色のメカニズム 赤嶺 し Seago et al. ５ 真由美 近 雅博 は上記の単純 な多層膜による干渉とは異なる 干渉メカニズム circularly polarizing reflectors もこの範疇 に含めている このことについ ては後述する 2 Three-dimensional photonic crystals は 密に集まったオパー ルに類似した六角形の配列ある

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

ｎｓｇ０１－０４／ｋｙ１９１０６３１６９９０００１０７８１

β α β β α α β β β β β Ω Ω β β β β β α β δ β β β β A A β β β β 図 1 膵島内 β 細胞の電気的活動と膵島細胞内 Ca 2+ 濃度の変動. A は膵島内の β 細胞に微小電極 (300MΩ) を刺入して得た細胞内記録である. 実験中の細胞外灌流液は 36 に保たれた Krebs-Ringer-bicarbonate 溶液 (135mM Na

untitled

インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

Microsoft PowerPoint - Engmat210Y14V1pdf.ppt

第十四回目 12 非破壊検査と機器分析 生命医科学部医工学科バイオメカニクス研究室 ( 片山 田中研 ) IN116N 田中和人 E-mail: 内線 : 6408 テキスト 改訂機械材料学 P.190 12.1. 非破壊検査の意義と目的欠陥の存在を考慮して設計応力を決定 K =σ(πa) 1/2 製品の信頼性破壊力学 12.2. 放射線による非破壊検査放射線透過検査の原理 X 線,g 線, 濃淡像,

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

Application Note 光束の評価方法に関して Light Emitting Diode 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ This document contains tentative information; the contents may chang

光束の評価方法に関して 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ 1/6 1. 概要 本書では 日亜化学工業株式会社製 LED について積分球にて光束を評価する上での評価方法と注意事項を示します 2. 評価方法 通常 LED の光束を評価する際は積分球を用いて評価を行います 積分球のサイズも数 inch クラスのものから 1inch クラスまでの様々なサイズのものがありますが

先進材料研究とリアルタイム3DアナリティカルFIB-SEM複合装置“NX9000”

SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS Technical magazine of Electron Microscope and Analytical Instruments. 2016 技術解説 Vol. No.2 SEPTEMBER 59 先進材料研究とリアルタイム 3D アナリティカル FIB-SEM 複合装置 NX9000 Advanced material research

PowerPoint プレゼンテーション

電磁波工学 第 5 回平面波の媒質への垂直および射入射と透過 柴田幸司 Bounda Plan Rgon ε μ Rgon Mdum ( ガラスなど ε μ z 平面波の反射と透過 垂直入射の場合 左図に示す様に 平面波が境界面に対して垂直に入射する場合を考える この時の入射波を とすると 入射波は境界において 透過波 と とに分解される この時の透過量を 反射量を Γ とおくと 領域 における媒質の誘電率に対して透過量

構造力学Ⅰ第１２回

第 回材の座屈 (0 章 ) p.5~ ( 復習 ) モールの定理 ( 手順 ) 座屈とは 荷重により梁に生じた曲げモーメントをで除して仮想荷重と考える 座屈荷重 偏心荷重 ( 曲げと軸力 ) 断面の核 この仮想荷重に対するある点でのせん断力 たわみ角に相当する曲げモーメント たわみに相当する ( 例 ) 単純梁の支点のたわみ角 : は 図 を仮想荷重と考えたときの 点の支点反力 B は 図 を仮想荷重と考えたときのB