Microsystem Integration & Packaging Laboratory

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いとはなぐも
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1 2015/01/26 MemsONE 技術交流会解析事例紹介東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1

2 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 2

Heat Distributed Bragg Reflector Mirror (GaAs and AlAs) Beam J.V.

3 高出力半導体レーザの高放熱構造レーザディスプレイセンシング ( 蛍光計測光スペクトルスコピー ) 光通信データストレージ材料加工などの分野で高出力半導体レーザが求められている Vertical-External Cavity Surface-Emitting Laser (VECSEL) Bonding Layer Gain (GaAs) External Mirror Heat Sink Heat Distributed Bragg Reflector Mirror (GaAs and AlAs) Beam J.V.Sandusky (1996) Coherent 社活性層の温度上昇はレーザ光の特性に強く影響する量子効率の低下閾値電流発振波長シフト発生した熱をいかに効率よく半導体素子から放熱させ, 素子の温度上昇を防止するかが極めて重要である Microsystem Integration and Packaging Laboratory 3

4 従来接合技術 AuSn はんだによる接合高温熱処理 (200 以上 ) [A. Sirbu, 2011], [Hastie, J.E, 2003] AuSn はんだが熱障壁に加熱による内部応力発生光素子の性能を低下させる表面活性化接合技術を用いた GaAs/SiC 構造の実現 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 4

5 表面活性化接合の原理表面活性化接合は表面の酸化物や有機吸着層をイオンビームやプラズマなどにより除去し表面エネルギーの高い活性な表面の凝着現象を利用することで強固な接合を実現する接合技術熱膨張係数が大きく異なる材料同士を接合することが可能はんだ接合 (200~300 の加熱 ) による素子の性能劣化を回避チップボンディングだけでなくウェハレベル接合が可能 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 5

6 GaAs/SiC 構造をウェハレベルで実現 VECSEL 素子 GaAs 側 SiC 側ウェハスケール GaAs/Au/SiC 構造常温低荷重大気中片面に Au:30nm を成膜したウェハ同士を大気中で常温で貼り合わせる実験任意の金属薄膜をウェハ表面に成膜することで金属中間層を介した異種材料同士の常温接合が可能となる Au は耐酸化材高熱伝導率という点で接合材料として最適 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 6

7 Au 薄膜を介した常温ウェハ接合技術を応用 Quartz Glass Ti Au Au Au Ti Quartz Glass Au 透過型電子顕微鏡像 50 nm 5 nm 原子レベルでの接合が確認できるダイシェア試験によるせん断強度は 70MPa 以上 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 7

8 有限要素法解析接合材料素子の形状ヒートシンク材料により半導体素子全体の熱抵抗がどの程度影響を受けるのかを見積るための足掛かりとなる Microsystem Integration and Packaging Laboratory 8

9 有限要素法による VECSEL 素子の熱伝導解析利得領域 (GaAs) DBR (GaAs/AlAs) 接合層ヒートシンク (SiC) 素子の横幅 Heat Source (Φ200 μm ) 各材料の熱伝導率 2.5 μm 4.5 μm Material 300 μm VECSEL 素子の解析モデル (Not to scale) Rth= T / P Thermal Conductivity (W/cm K) GaAs 0.55 GaAs/AlAs 0.61 SiC 4.90 AuSn 0.57 AgSn 0.33 Au 3.17 発熱量が P[W] のとき, 活性層の温度が ΔT[K] だけ上昇したとするとこのときレーザ素子の熱抵抗 Rth[K/W] は上式のように表される Microsystem Integration and Packaging Laboratory 9

10 拘束条件の設定 5W の熱源外気に流出する熱流束はゼロ 20 に温度拘束 Φ200μm 2.5μm の領域に 5W の熱源を設置する内部熱伝導が支配的なため外部との熱交換は無視ヒートシンク底部は外ペルチェ素子に取り付けられると想定し 20 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 10

11 熱伝導解析に用いる物性値 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 11

12 実際の解析モデル熱源 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 12

13 メッシュサイズの影響メッシュを細かく切る精度は増すが処理に時間が掛かるメッシュを大きく切る精度が落ちるが処理は早い PC の性能と求める精度に応じて自分で最適化する必要がある Microsystem Integration and Packaging Laboratory 13

14 温度分布の様子 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 14

15 温度分布の様子 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 15

16 熱抵抗値 (K/W) THE UNIVERSITY OF TOKYO チップサイズの熱抵抗への影響素子の横幅 ( μm ) 4000 Φ200μm の熱源 (5W) がある場合素子の横幅はグラフのように熱抵抗値に影響を与える横幅が 1000μm 程度あれば十分に放熱特性上効率のよい構造となる Microsystem Integration and Packaging Laboratory 16

17 Thermal Resistance (K/W) THE UNIVERSITY OF TOKYO ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 100 GaAs, Si, 39.0 SiC, 12.7 Diamond, Thermal Conductivity (W/mK) SiC 程度の熱伝導率 (490W/mK) で十分な放熱効果を確保できる Microsystem Integration and Packaging Laboratory 17

熱抵抗値 K/W] THE UNIVERSITY OF TOKYO ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 28 26 24 22 20 18 16 14 12 10 AgSn AuSn Au 1 5 10 15 接合材料の厚み

18 熱抵抗値 K/W] THE UNIVERSITY OF TOKYO ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 AgSn AuSn Au 接合材料の厚み [ μm ] 接合材料が厚くなるほど素子全体の熱抵抗値は上昇する厚み 1μm 以下では材料による熱抵抗値の差は小さい Microsystem Integration and Packaging Laboratory 18

19 まとめ高出力半導体レーザ (VECSEL) 素子の高放熱構造を実現する研究素子のサイズ接合材料ヒートシンク材料の放熱構造への影響を有限要素法解析で検証入力する物性値の検討は慎重に MemsONE を用いることで具体的な実験計測をする前段階の検証が可能 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 19

三端子レギュレータについて 1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路はチップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温で

三端子レギュレータについて 1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路はチップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温で 1. 保護回路 (1) 正電圧三端子レギュレータ ( 図 1) (1-1) サーマルシャットダウン回路サーマルシャットダウン回路はチップの接合温度が異常に上昇 (T j =150~200 ) した時出力電圧を遮断し温度を安全なレベルまで下げる回路です Q 4 は常温では ON しない程度にバイアスされており温度上昇による V BE の減少により高温時に Q 4 が ON し Q 6 のベース電流を抜き去り