INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリ

1_30B_Top_INDEX_OK.xls

EALUATION DATA 型式データ CA797-53-1B INDEX ZWS3B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 過電流保護特性 Over current

INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト

A265 53 01 1/18 INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics

Visio-A A.vsd

A274-53-01A 1/28 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics

INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state da

EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda CA806-53-01C INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性

INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and

C267 53 1A 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (

INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and

C268 53 1 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (

TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over c

EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C271-53-1 TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection

INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm

A273 53 1C 1/4 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics 出力保持時間特性

INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト

FC005 53 01A 1/36 INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics

0_表紙_A.xls

EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C275-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, Protection,Output

0_表紙_A.xls

EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C265-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, protection,output

INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state characteristics 待機

RWS V009-53-01A 1/38 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state characteristics 待機電力特性 Standby power characteristics

MITSUMI Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notificat

VDD VOUT CE Bias CS Vref GND Thermal Shutdown Current Limit 5 4 2 SOT89-5A (TOP VIEW) 3 A µf µf VDD VOUT A V A CE GND CS.µF µf µf VDD VOUT CE GND CS.µF Schottky barrier diode VDD VOUT CE GND CS VDD

OPA134/2134/4134('98.03)

OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In

INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic

WC037 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3)

INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic

68 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel

A262 58 0A /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験

INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel

A27 58 0A /7 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験

Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C

www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872

PA M01 LITEON SPEC Rev A

規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,

INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic F

A278 58 01 1/9 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.

NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい

低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲

INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic

67 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.

j9c11_avr.fm

AVR Type: AVR-M AVRL Issue date: September 211 RoHS EU Directive 22/95/EC PBB PBDE (1/1) SMD RoHS AVR AVR-M AVRL Varistor 2Zener diode Current(A) Positive direction 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 Zener diode /Vz:6.8V

INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic

82 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.

OPA277/2277/4277 (2000.1)

R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B

LM150/LM350A/LM350 3A 可変型レギュレータ

LM150,LM350,LM350A LM150/LM350A/LM350 3-Amp Adjustable Regulators Literature Number: JAJSBC0 LM350A/LM350 3A LM350 1.2V 33V 3A 3 IC 2 & IC ADJ 6 ADJ LM350 100V ADJ LM350 ADJ 1.2V 3A LM350A 3A LM350 3A

電力線重畳型機器認証技術

1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理

NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238

出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V

CISPR 32の概要 (ed. 2)

CISPR 32 (ed. 2) e 2017 7 25 1 1 2 2 2.1.................. 2 2.2............... 2 2.2.1.......... 3 3 3 3.1.............. 4 3.2 EUT............. 4 3.2.1 EUT.............. 4 3.2.2.............. 4 3.3...............

elm1117hh_jp.indd

概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )

pc725v0nszxf_j

PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"

LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed

NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております

ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール

INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC ) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated, radio-frequency,

PH50A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C273-58-01 INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3

untitled

ON/OFF 3mA.µF.V.V DSC/DVC U. V.V (.Vstep) 7dB typ. (f=khz Vo=3V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.V) Io(max.)=3mA Vo±.%.V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-3 U. CONTROL. GND 3. N.C.. V OUT. V IN V IN V OUT Control Bandgap

AN15880A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

untitled

NJM88/A ma.µf SOT-89- TO--(NJM88ADL) ESON6-H(NJM88AKH) NJM88U NJM88ADL NJM88AKH (...97mm) 7dB typ. (f=khz, Vo=V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.7V) Io(max.)=mA Vo±.%.8V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-(NJM88U) / TO--(NJM88ADL)

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ

µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz

PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C

PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C263-58-01 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated,

Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S

Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900

○MTBF_HFS150A_ xls

-24 Calculated values of MTBF 1. 算出方法 Part count reliability projection MIL-HDBK-217F NOTICE 2 の部品点数信頼度予測法により算出されています Calculated based on part count reliability projection of MIL-HDBK-217F NOTICE 2.

AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ

7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40

?????????????????NMOS?250mA????????????????

TPS732xx µ µ µ µ µ DBV PACKAGE SOT23 (TOP VIEW) DCQ PACKAGE SOT223 (TOP VIEW) TAB IS GND 1 5 GND 2 1 2 3 4 5 EN 3 4 NR/FB Optional Optional GND EN NR/FB V TPS732xx DRB PACKAGE 3mm x 3mm SON (TOP VIEW)

図面名 : EMI データ 得意先名 : 製品名 : RTW100WC-Series TDK 株式会社テクニカルセンター 272-8558 千葉県市川市東大和田 2-15-7 承認確認立案 2006 年 11 月 10 日清水 2006 年 11 月 10 日下蔵 2006 年 11 月 10 日外岡 DWG.No. ADSC-0030-1 2003/11/07 14:45:06

LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC

Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516

MLA8取扱説明書

(5)-2 2 (5)-2 3 (5)-2 4 5 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 8 POWER ON / OFF 1 1 n 2 3 4 5 6 7 n 6 AC IN 8 MODEL MAL8 MADE IN INDONESIA 7 6 5 4 OUTPUT +4dBu ANALOG OUTPUT +4dBu G G 3 2 1 8 7 6 5 INPUT 4 3 2 1

Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B

www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11

HA17458シリーズ　データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

untitled

1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.

ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)

ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV

LM2940

1A 3 1A 3 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) 2 (60V) * C Converted to nat2000 DTD updated with tape and reel with the new package name. SN Mil-Aero: Order Info table - moved J-15 part from WG row

LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)

Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz

出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F

低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F

INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Fiel

RWS 009-58-0 /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000-4-3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験

HA178L00 シリーズ

HA178L00 100mA 3 RJJ03D0004-0100Z (Previous: ADJ-204-051A) Rev.1.00 2003.04.11 HA178L00 3 IC IC 150mA () 800mW ±8% A ±5% HA178L00P HA178L00PA HA178L00 HA178L00A HA178L00UA Rev.1.00, 2003.04.11, page 1

DS90LV011A 3V LVDS 1 回路入り高速差動出力ドライバ

3V LVDS Single High Speed Differential Driver Literature Number: JAJS962 Single High Speed Differential Driver 19961015 23685 ds200149 Input Voltage changed to 3.6V from 5V Updated DC and AC typs basic

LM3886

Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe TM (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223

INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagn

70 58 01A 1/23 INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IE1000 4 3)

IEC シリーズ イミュニティ試験規格の概要

IEC 61000-4 e 2018 7 23 1 2 2 2 2.1.............. 2 2.2.................. 2 3 IEC 61000-4-2 ( ) 3 3.1...................... 3 3.2..................... 3 3.2.1 ESD........... 3 3.2.2 ESD.............. 3

Microsoft Word - CDEIR10D50ME_Ver1.0_E.docx

CDEIR1D5ME Description Metal alloy core construction Magnetically shielded L W H: 11.5 1.7 5.mm Max. Product weight :.7 g (Ref.) Moisture Sensitivity Level: 1 Applications Ideally used in Notebook, PDA

DS90LV047A

3V LVDS 4 CMOS 4 CMOS Low Voltage Differential Signaling (LVDS) 400Mbps (200MHz) TLL/CMOS 350mV TRI-STATE 13mW ( ) PCB ENABLE ENABLE* AND TRI- STATE 4 DS90LV04 A (DS90LV048A ) ECL 1 1 Dual-In-Line 3V LVDS

< BB F E696E6464>

EMC TEST SYSTEMS CATALOGUE EMC TEST SYSTEMS CATALOGUE BCI TEM CELL EMC TEST SYSTEMS CATALOGUE (NETS) EMC T EST SYST EMS C ATA LOGUE 不要輻射測定システム 供試品より放射される不要輻射のノイズ強度を測定 評価するシステムです 1m 4m 可変 供試品 各国で自主規制を含む多くの妨害波規制が施行され

R1RW0408D シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 概要 MM3631X は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 2.8 1.15mm) の小型パッケージを採用しています CE 端子を内蔵しており スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています

Keysight Technologies スイッチング電源の測定

Keysight Technologies Application Note Keysight InfiniiVision 3000T/4000 X Keysight 3000T 4000 X Switching Mode Power Supply SMPS (DUT) SMPS Keysight InfiniiVision 3000T 4000 X DSOX3PWR DSOX4PWR Power

USER'S GUIDE

AC/DC Converter 非絶縁降圧型 PWM 方式 2W -12V 出 BM2P129TF 評価ボード 評価ボードは 90Vac 264Vacの から-12Vの負電圧を出 します 出 電流は最 0.167Aを供給します 650V MOSFET 内蔵 PWM 方式 DC/DCコンバータICのBM2P129TFを使用しています BM2P129TFは 650V 耐圧起動回路内蔵により 低消費電 に貢献します

LM3876

Overture 56W ( ) 8 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 56W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA(Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V( ) 95dB(Min) SN 0.06 THD N IMD (SMTPE) 0.004 8 56W 100W SN 95dB(min)

高速度スイッチングダイオード

は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します

R2A20135EVB-ND1　アプリケーションノート　調光対応、PFC機能付100V系R2A20135評価ボード

R19AN0012JJ0200 Rev.2.00 1. LED LED LED R2A20135 / ( ) / / THD/ R2A20135SP 2. No. 1 AC90 132V ( 47 63Hz) 2 9.1W (typ.) 3 (VF) DC35V 4 220mA (typ.) 5 85% (@Vin = AC100V) 6 0.9 (@Vin = AC90V 132V) 7 62kHz

LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)

LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc

3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.

Visio-CA A.vsd

RWS 50B-600B Series CA836-58-01A 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test

Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc

AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の

Part No. Copyright A

Part No. Z1-AB0-150, IA004562 Feb. 2014 18-1A 18-2A 18-3A 18-5A 35-3A 70-1A 110-0.6A 35-0.5A 35-1A 35-2A 160-0.4A 250-0.25A 350-0.2A 500-0.1A Part No. Copyright 2009 2 -A ! DANGER WARNING CAUTION 1 000

I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result

IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda A258-58-01B I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------

EFE SERIES 基ユ板a_EFE_1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください EFE 3 UL EN 電圧 CSA C22.2 EN (300M ) N 特長 型名呼称方法 デジタル制御回

SERIES 基ユ板a 1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください 3 UL60950-1 EN60950-1 電圧 CS C22.2 EN60601-1(300M ) N.60950-1 特長 型名呼称方法 デジタル制御回路内蔵 高効率化 :90%(300J) 300 J 24 - 小型化 : 従来モデル体積比較 35% 減 :1Uラック実装可能な薄型形状

LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)

,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006

MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ

回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフィルター ラインアンプ等に最適です 外形 特徴 動作電源電圧 Vopr= ~ ±V 低雑音 9.nV/ Hz typ. @f=khz 入力オフセット電圧

untitled

NJU7704/05 C-MOS ( ) ±1.00.9µA DSP SOT-23-5 SC88A 2 DSP NJU7704/05F NJU7704/05F3 ±1.0 0.9µA typ ( ) 1.5 6.0(0.1 step) ( C ) ( ) Active "L" : NJU770****A Active "H" : NJU770****B Nch : NJU7704 C-MOS : C-MOS

1 7 ω ω ω 7.1 0, ( ) Q, 7.2 ( Q ) 7.1 ω Z = R +jx Z 1/ Z 7.2 ω 7.2 Abs. admittance (x10-3 S) RLC Series Circuit Y R = 20 Ω L = 100

7 7., ) Q, 7. Q ) 7. Z = R +jx Z / Z 7. 7. Abs. admittance x -3 S) 5 4 3 R Series ircuit Y R = Ω = mh = uf Q = 5 5 5 V) Z = R + jx 7. Z 7. ) R = Ω = mh = µf ) 7 V) R Z s = R + j ) 7.3 R =. 7.4) ) f = π.

R1RP0416D シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

NF-6

NF-5 NF-6 NF-7 LINE LOAD IN OUT LINE LOAD LINE LOAD NF-8 NF-9 NF-10 NF-11 NF-12 NF-13 NF-14 NF-15 LINE LOAD LINE LOAD NF-16 LINE LOAD LINE LOAD LINE LOAD LINE LOAD LOAD LINE LINE LOAD LINE LOAD LOAD LINE

LT 高信号レベル・アップコンバーティング・ミキサ

LT 高信号レベルアップコンバーティング ミキサ 特長 MHz RF RF IF IP 7dBm 9MHz dbm IF db RF LO dbm LO 二重平衡ミキサ イネーブル機能.V~.Vの単一電源電圧範囲 露出パッド付き ピン TSSOPパッケージ アプリケーション CATV ダウンリンク インフラストラクチャ ワイヤレス インフラストラクチャ 高直線性ミキサ アプリケーション 概要 LT

????????????MUX ????????????????????

PGA116 PGA112 PGA113 PGA117 PGA112, PGA113 PGA116, PGA117 www.tij.co.jp µµ µµ ± µ +5V +3V AV DD 1 C BYPASS.1µF DV DD C BYPASS.1µF C BYPASS.1µF V CAL/CH CH1 3 2 1kΩ MUX CAL1 PGA112 PGA113 R F 1 Output Stage

LTC 自己給電絶縁型コンパレータ

AC 120V TECCOR 4008L4 OR EUIVALENT NEUTRAL 2N2222 HEATER 25Ω 150Ω 1k 1N4004 2.5k 5W 5.6V R1 680k 390Ω 100µF LE 47k C1 0.01µF ZC ZC COMPARISON > R = R O e B (1/T 1/T O ) B = 3807 1µF THERM 30k YSI 44008

mbed祭りMar2016_プルアップ.key

1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

PowerPoint プレゼンテーション

一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

製　品　仕　様　書

NH シリーズは 高精度と低ノイズに優れた中高圧 DC-DC コンバータです 入力変動 負荷変動 温度ドリフト 経時ドリフトを極力抑える設計となっており 高精度 高安定度な電圧を提供することが可能です また 6 面金属シールドケースを採用し ノイズ抑制に適した回路を選定することで 低ノイズを実現しています 出力電圧の制御は 外部電圧又は外部可変抵抗にて制御可能です 短絡 過電流保護が内蔵され 高信頼性

R1RW0416DI シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

pc817xj0000f_j

PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5

MAX4886 DS.J

19-0807; Rev 0; 4/07 EVALUATION KIT AVAILABLE μ PART TEMP RANGE PIN- PACKAGE PKG CODE ETO+ -40 C to +85 C 42 TQFN-EP* T42359OM-1 * EYE DIAGRAM ( = 3.3V, f = 2.6GHz 600mV P-P PRBS SIGNAL+) * PRBS = PSUEDORANDOM

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項

THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature

R1LV0416Dシリーズ　データシート

Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C