< Dual-In-Line Package Intelligent Power Module > PSS30S71F6 トランスファーモールド形絶縁形 [ 外形 ] [ 主回路構成及び定格 ] DC 入力, 三相 AC 出力 IGBT インバータ 600V, 30A (CSTBT 内蔵 ) 絶縁型

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1 [ 外形 ] [ 主回路構成及び定格 ] DC 入力, 三相 AC 出力 IGBT インバータ 600V, 30A (CSTBT 内蔵 ) 絶縁型トランスファーモールドパッケージ N 側 IGBT オープンエミッタ 制限抵抗付きブートストラップダイオード内蔵 [ 用途 ] AC100~240Vrms(DC 400V 以下 ) 系モータ制御用インバータ装置 [ 形名 ] 温度出力機能付き [ 内蔵機能 ] P 側 IGBT 用 : 駆動回路, 高圧レベルシフト回路, 制御電源電圧低下 (UV) 保護回路 ( エラー出力なし ) N 側 IGBT 用 : 駆動回路, 制御電源電圧低下 (UV) 保護回路, 短絡電流保護回路 ( 外付けシャント抵抗による ) エラー出力 : N 側 IGBT 用短絡電流 (SC) 保護回路動作及びN 側制御電源 UV 保護回路動作時エラー (Fo) 出力 温度出力 : N 側駆動用 IC 部の温度をアナログ信号で出力 入力インタフェース : 3V, 5V 系対応 ( ハイアクティブ ) UL 認証済み : UL1557 File E80276 [ 内部回路 ] VUFS(1) VUFB(3) VP1(4) UP(6) HVIC1 HO IGBT1 Di1 DIPIPM P(37) U(36) VVFS(7) VVFB(9) VP1(10) VP(12) HVIC2 HO IGBT2 Di2 V(35) VWFS(13) VWFB(15) VP1(16) WP(18) HVIC3 HO IGBT3 Di3 W(34) LVIC IGBT4 Di4 VOT(20) UN(21) VN(22) UOUT IGBT5 Di5 NU(33) WN(23) VOUT FO(24) CFO(25) IGBT6 Di6 NV(32) CIN(26) VNC(27) WOUT NW(31) VN1(28) 1

2 最大定格 ( 指定のない場合は T j =25 ) インバータ部 記号 項 目 条 件 定格値 単位 V CC 電源電圧 P-NU, NV, NW 端子間 450 V V CC(surge) 電源電圧 ( サージ ) P-NU, NV, NW 端子間 500 V V CES コレクタ エミッタ間電圧 600 V ±I C コレクタ電流 T C =25 ( 注 1) 30 A ±I CP コレクタ電流 ( ピーク ) T C =25, 1ms 以下 60 A P C コレクタ損失 T C =25, 1 素子当り 90.9 W T j 接合温度 -20~150 注 1. パルス幅及び周期は 接合温度で制限されます 制御 ( 保護 ) 部 記号 項 目 条 件 定格値 単位 V D 制御電源電圧 V P1-V NC, V N1-V NC 端子間 20 V V DB 制御電源電圧 V UFB-V UFS, V VFB-V VFS, V WFB-V WFS 端子間 20 V V IN 入力電圧 U P, V P, W P, U N, V N, W N-V NC 端子間 -0.5~V D0.5 V V FO エラー出力印加電圧 F O-V NC 端子間 -0.5~V D0.5 V I FO エラー出力電流 F O 端子のシンク電流値 1 ma V SC 電流検出入力電圧 CIN-V NC 端子間 -0.5~V D0.5 V 全システム 記号項目条件定格値単位 V CC(PROT) 電源電圧自己保護範囲 ( 短絡 ) V D=13.5~16.5V, インバータ部 Tj=125 スタート,2μs 以内, 非繰り返し 400 V T C 動作モジュール温度 Tc: 測定点は図 1 に規定 -20~100 T stg 保存温度 -40~125 V iso 絶縁耐圧 正弦波 60Hz, AC 1 分間, 全端子共通 -ヒートシンク間 2500 Vrms 図 1. ケース温度 T C 測定点 制御端子 17.7mm 18mm 溝 IGBT チップ FWDi チップ パワー端子 Tc 点 放熱面 熱抵抗規格値記号項目条件単位最小標準最大 R th(j-c)q インバータIGBT ( 1/6 モジュール ) /W 接合 ケース間熱抵抗 ( 注 2) R th(j-c)f インバータFWDi ( 1/6 モジュール ) /W 注 2. DIPIPMと放熱ヒートシンクとの接触面には 熱伝導のよいグリースを100~200μm 程度 均一になるように塗布の上 規定の締付けトルクにて締め付けることを規定します ( またグリースは使用動作温度範囲内で変質せず 経年変化のないものとします ) ただし 製品放熱面 -ヒートシンク間の熱抵抗は 締め付けた状態におけるグリースの厚さ グリースの熱伝導率等により異なります 目安として グリース厚 20μm グリースの熱伝導率が1.0W/m Kの場合の製品放熱面-ヒートシンク間熱抵抗値(1/6モジュール) は0.3 /Wとなります 2

3 電気的特性 ( 指定のない場合は T j = 25 ) インバータ部 規格値記号項目測定条件単位最小標準最大 I C = 30A, T j = V CE(sat) コレクタ エミッタ間飽和電圧 V D = V DB = 15V, V IN = 5V V I C = 30A, T j = V EC FWDi 順電圧降下 V IN = 0V, -I C = 30A V t on μs t c(on) V CC = 300V, V D = V DB = 15V μs t off スイッチング時間 I C = 30A, T j = 125, V IN = 0 5V μs t c(off) 誘導負荷 ( 上ー下アーム ) μs t rr μs I CES コレクタ エミッタ間遮断電流 V CE = V CES 制御 ( 保護 ) 部 記号項目測定条件 I D I DB 回路電流 V P1-V NC,V N1-V NC の総和 V UFB-V UFS, V VFB-V VFS, V WFB- V WFS T j = T j = 規格値 最小標準最大 V D=15V, V IN=0V V D=15V, V IN=5V V D=V DB=15V, V IN=0V V D=V DB=15V, V IN=5V V SC(ref) 短絡保護トリップレベル V D=15V ( 注 3) V UV DBt トリップレベル V P 側制御電源電圧低下保護 UV DBr リセットレベル V T j 125 UV Dt トリップレベル V N 側制御電源電圧低下保護 UV Dr リセットレベル V V OT アナログ温度出力プルダウン抵抗 R=5kΩ, LVIC 温度 =85 C ( 注 4) V V FOH V SC = 0V, F O = 10kΩ, 5V プルアップ V エラー出力電圧 V FOL V SC = 1V, I FO = 1mA V t FO エラー出力パルス幅 C FO=22nF ( 注 5) ms I IN 入力電流 V IN = 5V ma V th(on) 入力オンしきい電圧 V th(off) 入力オフしきい電圧 U P, V P, W P, U N, V N, W N-V NC 端子間 V ma 単位 ma V V th(hys) 入力オフしきい値ヒステリシス電圧 V V F ブートストラップ Di 順電圧降下 I F=10mA, 制限抵抗の電圧降下含む ( 注 6) V R 制限抵抗値ブートストラップ Di に内蔵 Ω 注 3. 短絡保護は下アームのみ動作します また 保護電流値は定格の 2.0 倍以下になるように外部抵抗を選定してください 4. 温度出力機能は 自身で温度保護動作はいたしません V OT 出力が 貴社設定の温度保護レベルに達した時は システム側でスイッチング動作をただちに停止してください LVIC 温度 -V OT 出力特性を図 3 に示します 5. エラー出力は 短絡保護 N 側 (V D) 制御電源電圧低下保護時に出力します Fo 出力時間は エラーモードにより異なります SC 保護の場合 Fo 出力時間は C FO(=9.1 x 10-6 x t FO [F]) で規定した値となります UV 保護時には UV 状態が解消されるまで Fo 出力し続けます ( 最小出力時間は C FO で規定の値となります ) 6. ブートストラップ Di の特性を図 2 に示します 図 2. ブートストラップ Di V F-I F 特性 ( 制限抵抗による電圧降下含む ) ( 右図は拡大図 ) I F [ma] V F [V] I F [ma] V F [V] 3

4 図 3. LVIC 温度 -V OT 出力特性 3.5 Max. 3.3 Typ. 3.1 Min. 2.9 VOT output (V)_ LVIC temperature ( C) 図 4. V OT 出力回路 DIPIPM 内部 温度検出素子 Ref V OT V NC 5kΩ MCU (1) 室温より低い温度時において 出力の線形性が必要な場合 V OT-V NC(= コントローラ GND) 間に 5kΩ(5.1kΩ 推奨 ) のプルダウン抵抗の設置を推奨いたします プルダウン抵抗を設置される場合は V OT 出力電圧 抵抗値程度の電流が LVIC の消費電流として常時余分に流れることになります 過熱保護のためだけに本出力を使用し 室温以下の出力が不要な場合 プルダウン抵抗は接続不要です (2) V OT 出力は温度が上昇した際にマイコンの電源電圧を超える可能性があります 3.3V など低電圧マイコンなどを使用される場合は マイコンの保護のため V OT 出力とマイコンの電源 ( 例 3.3V) の間にクランプダイオードの設置を推奨いたします (3)V OT 出力を未使用の場合は 本出力端子は NC( ノーコネクション ) としてください V OT 出力の使用方法につきましては 本製品のアプリケーションノートもご参照ください 4

5 機械的定格及び特性 記号項目測定条件準拠規格 規格値 最小標準最大 - 締付けトルク強度取付けネジ (M3) ( 注 7) 推奨値 0.78N m N m - 端子引張り強度荷重 9.8N EIAJ-ED s - 端子曲げ強度 荷重 4.9Nにて90 度曲げ EIAJ-ED 回 - 質量 g - 放熱面平面度 ( 注 8) μm 注 7. 取り付けネジには平座金 ( 推奨 ;JIS B1256) を使用してください 注 8. 放熱面平面度測定位置 単位 - 測定位置 12.78mm 4.65mm 13.5mm 放熱ヒートシンク側 - 23mm 放熱ヒートシンク側 推奨使用条件記号 項 目 測定条件 規格値最小標準最大 単位 V CC 電源電圧 P-NU, NV, NW 端子間 V V D 制御電源電圧 V P1-V NC, V N1-V NC 端子間 V V DB 制御電源電圧 V UFB-V UFS, V VFB-V VFS, V WFB-V WFS 端子間 V ΔV D,ΔV DB 制御電源電圧変動率 -1-1 V/μs t dead 上下アーム休止時間 各アーム段入力に対応 μs f PWM PWM 制御入力信号 T C 100, T j khz V CC = 300V, V D =V DB = 15V, f PWM= 5kHz I O 許容実効電流 P.F = 0.8, 正弦波出力 Arms T C 100, T j 125 ( 注 9) f PWM= 15kHz PWIN(on) ( 注 10) PWIN(off) 許容最小入力パルス幅 200 V CC 350V, 13.5 V D 16.5V, 13.0 V DB 18.5V, -20 Tc 100, N ライン配線インダクタンス 10nH 以下 ( 注 11) 定格電流以下 定格電流 ~ 定格電流 1.7 倍定格電流 1.7 倍 ~ 定格電流 2.0 倍 V NC V NC 端子変動 V NC-NU, NV, NW 端子間の電位差, サージ電圧含む V Tj 接合温度 注 9. 許容実効電流に関しては 使用条件によって変わります 10. PWIN(on) 以下のパルス幅の入力信号には出力が応答しないことがあります 11. PWIN(off) 以下のパルス幅の入力オフ信号には出力が応答しない またはP 側のみターンオン時間が大きくなる場合があります ただし この場合においても入力オンの状態にて出力オフの状態を維持し続けることはありません 詳細は下図のタイミング図を参照ください また Nライン配線インダクタンスについては 図 8の外付けシャント抵抗周辺配線応用例を参照ください 許容最小入力パルス幅 PWIN(off) 以下の信号を印加した場合の出力動作 (P 側のみ ) P 側制御入力 μs 内部 IGBT ゲート 出力電流 Ic t2 t1 実線 オフパルス幅 PWIN(off) の場合ターンオン時間 :t1( 通常 ) 破線 オフパルス幅 <PWIN(off) の場合ターンオン時間 :t2( 長くなる場合有り ) 5

6 図 5. 保護動作シーケンス A. SC 動作シーケンス (N 側のみ ) 外付けシャント抵抗 RC 時定数による保護 a1. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り a2. 過電流検出 (SC トリガ ) RC 時定数は 2μs 以内に遮断するように最適遮断時間を設定 (1.5~2.0μs 以下推奨 ) a3. N 側全相の IGBT ゲートをハード遮断 a4. N 側全相の IGBT がオフ a5. Fo 出力 Fo 出力時間は 外付けコンデンサ C FO で設定 a6. 入力 L = オフ a7. Fo 出力終了 入力 H 途中でも次のオン信号 (L H) が入力されるまで IGBT はオフ状態 ( 各相への入力で相ごとに通常状態に復帰します ) a8. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り N 側制御入力 a6 保護回路状態 SET RESET 内部 IGBT ゲート a3 SC トリップ電流 a4 a8 出力電流 I C シャント抵抗部センス電圧 a1 a2 a7 SCトリップレベル RC 時定数回路によるDELAY a5 エラー出力 F O B. 制御電源電圧低下保護動作シーケンス (N 側 UV D) b1. 制御電源電圧立上り UV Dr にて次のオン信号 (L H) 入力より動作開始 ( 各相への入力で相ごとに通常状態に復帰します ) b2. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り b3. 制御電源電圧低下 (UV Dt) b4. N 側全相の IGBT オフ 制御入力の状態に関らずオフ b5. Fo 動作開始 (C FO で設定された Fo パルス幅以上 制御電源電圧が復帰するまでの間 Fo 出力 ) b6. 制御電源電圧復帰 (UV Dr) b7. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り 制御入力 保護回路状態 RESET SET RESET 制御電源電圧 V D UV Dr b1 UV Dt b3 b6 b2 b4 b7 出力電流 I C エラー出力 F O b5 6

7 C. 制御電源電圧低下保護動作シーケンス (P 側 UV DB) c1. 制御電源電圧立上り UV DBr にて次のオン信号 (L H) 入力より動作開始 c2. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り c3. 制御電源電圧低下 (UV DBt) c4. 該当相の IGBT のみオフ 制御入力に関らずオフ Fo 出力はなし c5. 制御電源電圧復帰 (UV DBr) c6. 正常動作 =IGBT オン = 出力電流有り 制御入力 保護回路状態 RESET SET RESET 制御電源電圧 V DB UV DBr c1 UV DBt c3 c5 c2 c4 c6 出力電流 I C エラー出力 F O ハイレベル出力 (Fo 出力なし ) 7

8 図 6. 外部応用回路例 C1 D1 C2 C2 VUFB(3) VUFS(1) VP1(4) UP(6) HVIC IGBT1 Di1 P U C1 D1 C2 C2 VVFB(9) VVFS(7) VP1(10) VP(12) HVIC IGBT2 Di2 V M MCU 5kΩ C1 D1 C2 C2 VWFB(15) VWFS(13) VP1(16) WP(18) VOT(20) HVIC IGBT3 IGBT4 Di3 Di4 W C3 UN(21) NU VN(22) IGBT5 Di5 5V R2 WN(23) Fo(24) CFo(25) LVIC IGBT6 Di6 NV 15V VD C1 D1 GND 配線の引き回しは入力信号にノイズを発生させ IGBT の誤動作の原因になります C2 VN1(28) VNC(27) CIN(26) C4 B R1 この配線が長いと SC レベルの変動が大きくなり SC 誤動作の可能性があります A NW Shunt resistor C D N1 制御 GND 配線 この配線が長いとアーム短絡を起こす可能性があります パワー GND 配線 (1) 制御側電源 GND とパワー側 GND の配線を共通のベタ配線で配線すると大電流が流れるパワー GND の変動の影響を受け誤動作の可能性がありますので 制御側電源 GND とパワー側 GND の配線は分けて配線し N1 点 ( シャント抵抗の端子部 ) にて一点接続としてください (2) 制御電源へのサージ電圧吸収用にツェナダイオード D1( ツェナ電圧 24V 許容損失 1W 程度 ) を制御電源端子間近傍への接続を推奨します (3) サージ電圧による過電圧破壊を防止するために 平滑コンデンサと P N1 端子間の配線はできるだけ短くしてください また P-N1 端子間に 0.1μ 0.22μF 程度のスナバコンデンサ C3 を挿入してください (4) 短絡保護の誤動作防止用 RC フィルタ (R1C4) の時定数は 短絡時に 2μs 以下で遮断するように設定してください (1.5~2μs 以下推奨 ) また R1 C4 は温度補償用などバラツキの小さいものを推奨します 遮断時間は 配線パターンによって変わりますので十分評価してください (5) A B C の配線は IGBT の動作に大きな影響をあたえるため 配線はできるだけ短く配線してください (6) 短絡保護の誤動作防止のため CIN 端子への配線はシャント抵抗端子部直近の D 点で分岐しできるだけ短くしてください NU,NV,NW 端子相互の接続は端子近傍で実施してください シャント抵抗には温度特性含めばらつき ±1% 以内で表面実装型など低インダクタンス品を推奨します (7) 各コンデンサは DIPIPM の端子近傍に設置してください C1 は 温度特性 周波数特性が優れた電解コンデンサ C2 は 0.22μ-2μF でノイズ除去用の温度 周波数 DC バイアス特性に優れたセラミックコンデンサ (B R 特性など ) を推奨します (8) 入力信号はハイアクティブです IC 内部で 3.3kΩ(min) の抵抗でプルダウンしています 誤動作防止のため 入力信号配線はできるだけ短く配線してください 誤動作防止のため RC フィルタを挿入する場合は 入力のしきい値電圧を満足するように設定してください 専用 HVIC を採用しているため MCU に直接接続することができます ( 電気的絶縁とはなりません ) (9) Fo 端子はオープンドレインです I Fo=1mA 以下となるような抵抗値で MCU の制御電源 (5V 3.3V など ) にプルアップしてご使用ください (I Fo= プルアップ電源電圧 / プルアップ抵抗値で概算できます 5V にプルアップする場合 5kΩ 以上 10kΩ を推奨します ) カプラー使用時などは 15V にもプルアップ可能です (10) Fo 出力のパルス幅は CFo 端子に接続するコンデンサで設定可能です C FO= t FO [F] (11) 制御 IC の電源ラインに高周波の急峻なノイズが重畳されると IC の誤動作が起きて Fo を出力し 停止することがあります 制御電源ラインのノイズは dv/dt 1V/μs, Vripple 2Vp-p となるように電源回路を設計してください (12) DIPIPM では 各相あるいは 個体間で並列接続して同一負荷を駆動するような使用方法は 推奨いたしません 8

9 図 7. 制御端子接続例 5V 系 MCU 10kΩ R C DIPIPM UP,VP,WP,UN,VN,WN Fo 注. 入力のRCカップリングは 応用システムに使われるPWM 制御入力方式 入力配線パターンにより変わります DIPIPM 入力信号部は IC 内部で3.3kΩ(min) の抵抗プルダウンを行っています 入力信号ラインに抵抗を挿入される場合は DIPIPMの入力しきい値を満足する設定としてください Fo 端子はオープンドレインです 制御電源 (5V,15V) にI Fo=1mA 以下となるような抵抗でプルアップしてご使用ください (5Vにプルアップする場合 5kΩ 以上 10kΩを推奨します ) VNC(Logic) 図 8. 外付けシャント抵抗周辺配線 NU,NV,NW 端子は, 端子直近で接続してください DIPIPM 配線インダクタンスは 10nH 以下としてください DIPIPM 各相の配線インダクタンスは 10nH 以下としてください 幅 3mm の銅パターンで長さ 17mm を目安としてください 幅 3mm の銅パターンで長さ 17mm を目安としてください VNC NU NV NW シャント抵抗 N1 VNC からの GND 配線はシャント抵抗直近に接続ください VNC NU NV NW シャント抵抗 N1 VNC からの GND 配線はシャント抵抗直近に接続ください シャント抵抗には表面実装タイプなど低インダクタンスタイプを推奨します 図 9. N 側オープンエミッタ (3 シャント ) 時外部 SC 保護回路例 3 シャント使用時には 短絡保護のために 3 相のシャント抵抗の電圧をそのまま CIN 端子に入力できないため 下図のような外部回路が必要です DIPIPM Drive circuit P P-side IGBT N-side IGBT Drive circuit Protection circuit VNC CIN A NW NV NU U V W 外部保護回路 C D N1 Shunt resistors R f C f コンパレータ ( オープンコレクタ出力タイプ ) B - 5V Vref Vref Vref - - OR 出力 (1) 短絡保護の誤動作防止用 RC フィルタ (R fc f) の時定数は 短絡時に 2μs 以下で遮断できるように設定してください (1.5~2μs 推奨 ) 遮断時間は 配線パターン コンパレータの反応速度などにも依存します (2) しきい値電圧 Vref は DIPIPM の短絡トリップ電圧 Vsc(ref) の規格値と同じにすることを推奨します (typ.0.48v) (3) シャント抵抗値は 短絡保護トリップ電流値が規定の値 ( 定格の 2.0 倍 ) 以下となるように設定してください (4) 誤動作防止のため A B C の配線は 可能な限り短くしてください (5) コンパレータへの入力の配線は シャント抵抗の端子部直近 (D 点 ) で分岐してください (6) OR 出力の High レベル ( 保護時出力 ) は CIN 端子の短絡トリップ電圧の最大値である 0.51V 以上となるように設定してください (7) コンパレータ Vref 生成回路の GND および Cf は パワー GND 配線ではなく制御 GND 配線に接続してください 9

10 図 10. 外形図 単位 :mm ( ) の端子はダミー端子内部使用のため NC( ノーコネクション ) 状態で使用ください QR コードは株式会社デンソーウェーブの登録商標です 10

11 改訂履歴 Rev. 発行日ページ改訂内容 /10/15 - 新規作成 /12/25 3 誤記訂正 (UV Dr 規格値 TFo 測定条件 ) [ 内蔵機能 ] エラー出力内容にUVを追記 /2/12 [ 内部回路 ] 端子名 (VUFS,VUFB, VVFS,VVFB,VWFS,VWFB) 誤記訂正 10 図 10. 外形図注記を追記 /2/24 7 保護動作シーケンス誤記訂正 /3/15 2 注 1 追加 11

12 安全設計に関するお願い 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 本資料は お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり 本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の実施 使用を許諾するものではありません 本資料に記載の製品データ 図 表 プログラム アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害 第三者所有の権利に対する侵害に関し 三菱電機は責任を負いません 本資料に記載の製品データ 図 表 プログラム アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり 三菱電機は 予告なしに 本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります 三菱半導体製品のご購入に当たりましては 事前に三菱電機または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに 三菱電機半導体情報ホームページ ( などを通じて公開される情報に常にご注意ください 本資料に記載した情報は 正確を期すため 慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には 三菱電機はその責任を負いません 本資料に記載の製品データ 図 表に示す技術的な内容 プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は 技術内容 プログラム アルゴリズム単位で評価するだけでなく システム全体で十分に評価し お客様の責任において適用可否を判断してください 三菱電機は 適用可否に対する責任は負いません 本資料に記載された製品は 人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計 製造されたものではありません 本資料に記載の製品を運輸 移動体用 医療用 航空宇宙用 原子力制御用 海底中継用機器あるいはシステムなど 特殊用途へのご利用をご検討の際には 三菱電機または特約店へご照会ください 本資料の転載 複製については 文書による三菱電機の事前の承諾が必要です 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ その他お気付きの点がございましたら三菱電機または特約店までご照会ください 2014 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. DIPIPM,CSTBT は三菱電機株式会社の登録商標です 12