uPC2745TB,uPC2746TB DS

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1 Bipolar Analog Integrated Circuits 3 V IC µpc275tb, µpc27tb IC3 V V NESAT ft = 2 GHz IC VCC = V VCC = 3.3 V µpc275tbfu = 2.7 GHz db µpc27tbfu = 1.5 GHz db µpc275tbisl = 38 db = 5 MHz µpc27tbisl = 5 db = 5 MHz µpc275tbgp = 12 db = 5 MHz µpc27tbgp = 19 db = 5 MHz µpc275tbpo(sat) = 1 dbm = 5 MHz µpc27tbpo(sat) = dbm = 5 MHz mm 1.5 GHz 2.5 GHz µpc275tb 8 MHz 9 MHz µpc27tb µpc275tb-e3 C1Q µpc27tb-e3 C1R 8 mm k µpg275tb, µpc27tb PU3JJ1VDS 1 P11511JJ3VDS November 23 CP(K) Printed in Japan NEC Compound Semiconductor Devices 199, 23

2 (Top View) (Bottom View) C1Q µ PC275TB INPUT 2 GND 3 GND OUTPUT 5 GND VCC TA = 25 C,, ZS = ZL = 5 Ω fu PO(sat) GP NF ICC GHz dbm db db ma µpc275t C1Q µpc275tb µpc27t C1R µpc27tb µpc277t C1S µpc277tb µpc278t C1T µpc278tb µpc279t C1U µpc279tb TYP. RX DEMOD. I Q SW PSCPLL PLL I TX PA Q µ PC275TB, 27TB 2 PU3JJ1VDS

3 V V 1 INPUT.87 5 Ω 5 Ω.82 DC 2 3 GND 5 OUTPUT Ω Ω DC VCC µpc275tb, µpc27tb PU3JJ1VDS 3

4 VCC TA = 25 C. V Total ICC TA = 25 C 1 ma PD TA = 85 C 27 mw TA 85 C Tstg 5515 C Pin TA = 25 C dbm mm MIN. TYP. MAX. VCC V TA = 25 C,, ZS = ZL = 5 Ω µpc275tb µpc27tb MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. ICC ma GP f = 5 MHz db NF f = 5 MHz db fu.1 GHz3 db GHz ISL f = 5 MHz db RLin f = 5 MHz db RLout f = 5 MHz db PO(sat) f = 5 MHz, Pin = dbm 1 3 dbm PU3JJ1VDS

5 TA = 25 C,, ZS = ZL = 5 Ω µpc275tb µpc27tb ICC.5.5 ma GP, f = 1. GHz db, f = 2. GHz, f =.5 GHz NF, f = 1. GHz db, f = 2. GHz, f =.5 GHz fu,.1 GHz3 db 1.1 GHz ISL, f = 1. GHz db, f = 2. GHz, f =.5 GHz RLin, f = 1. GHz 13.. db, f = 2. GHz, f =.5 GHz RLout, f = 1. GHz db, f = 2. GHz, f =.5 GHz PO(sat), f = 1. GHz, Pin = dbm dbm, f = 2. GHz, Pin = dbm, f =.5 GHz, Pin = dbm IM3, Pout = dbm, f1 = 5 MHz, f2 = 52 MHz, Pout = 2 dbm, f1 = 5 MHz, f2 = 52 MHz, Pout = dbm, f1 = 1 MHz, f2 = 1 2 MHz dbc PU3JJ1VDS 5

6 VCC 1 pf C3 5Ω IN C1 1 pf 1 C2 1 pf 5Ω OUT 2, 3, 5 VCC 1 pf 1 pf C3 C 5Ω IN C1 1 C C5 1 pf 1 pf 1 pf 1 C2 1 pf 5Ω OUT 2, 3, 5 R1 52Ω R1C5 2, 3, 5 VCC VCC1 pf VCCVCCGND Ω DC 5 Ω DC MHz1 pf 1 pf MHz MHz fc = 1/2 π RC PU3JJ1VDS

7 AMP-2 Top View C1Q IN C C OUT 5 µ PC275TB C VCC C 1 pf 133. mm35 µm 2 3 IC MMICP1197J PU3JJ1VDS 7

8 TA = 25 C µpc275tb vs. vs. 8 8 ICCmA ICCmA VCCV TA C 15 vs. 15 vs. TA = C NFdB GPdB 5 GP 5 NF GPdB 5.1 TA = 85 C TA = 25 C fghz fghz ISLdB vs. RLindB RLoutdB 2 3 vs. RLout RLin fghz fghz 8 PU3JJ1VDS

9 µpc275tb PoutdBm 2 3 vs. f = 5 MHz PoutdBm 2 3 f = 5 MHz TA = C vs. TA = 25 C TA = 85 C TA = C TA = 25 C TA = 85 C PindBm PindBm PoutdBm 2 3 vs. f = 1. GHz PoutdBm 2 3 vs. f = 2. GHz PindBm PindBm PO(sat)dBm 5 5 vs. Pin = dbm IM3dBc vs. f1 = 5 MHz f2 = 52 MHz fghz PO(each)dBm PU3JJ1VDS 9

10 TA = 25 C, µpc275tb S11-.1 ANGLE OF REFLECTION COEFFICIENT IN DEGREES WAVELENGTHS TOWARD GENERATOR WAVELENGTHS TOWARD LOAD RESISTANCE COMPONENT R Zo JX Zo POSITIVE REACTANCE COMPONENT NEGATIVE REACTANCE COMPONENT 2. G.1 G.5 G 1. G JX Zo S22-.1 ANGLE OF REFLECTION COEFFICIENT IN DEGREES WAVELENGTHS TOWARD GENERATOR WAVELENGTHS TOWARD LOAD JX Zo.5 POSITIVE REACTANCE COMPONENT NEGATIVE REACTANCE COMPONENT RESISTANCE COMPONENT R Zo G G..1 G.5 G JX Zo PU3JJ1VDS

11 S SWebS2P RF& URL PU3JJ1VDS 11

12 TA = 25 C µpc27tb vs. vs. 8 8 ICCmA ICCmA VCCV TA C vs. vs. NFdB GPdB GP NF V GPdB TA = C 2 19 TA = 25 C TA = 85 C fghz fghz vs. vs. ISLdB 2 RLin db RLoutdB 2 RLout RLin PU3JJ1VDS

13 µpc27tb vs. vs. PoutdBm 2 3 f = 5 MHz PoutdBm 2 3 f = 1. GHz PindBm PindBm vs. vs. PoutdBm 2 3 f = 5 MHz TA = C TA = 25 C TA = C TA = 85 C TA = 85 C TA = 25 C PoutdBm 2 3 f = 1. GHz TA = 25 C TA = C TA = 85 C TA = 85 C TA = C TA = 25 C PindBm PindBm PO(sat)dBm 5 5 vs. VCC = V Pin = dbm Pin = dbm fghz IM3dBc vs. f1 = 5 MHz f2 = 52 MHz PO(each)dBm PU3JJ1VDS 13

14 TA = 25 C, µpc27tb S11-.1 ANGLE OF REFLECTION COEFFICIENT IN DEGREES WAVELENGTHS TOWARD GENERATOR WAVELENGTHS TOWARD LOAD RESISTANCE COMPONENT R Zo JX Zo POSITIVE REACTANCE COMPONENT NEGATIVE REACTANCE COMPONENT.1 G.5 G 1. G 1.5 G JX Zo S22-.1 ANGLE OF REFLECTION COEFFICIENT IN DEGREES WAVELENGTHS TOWARD GENERATOR WAVELENGTHS TOWARD LOAD JX Zo.5 POSITIVE REACTANCE COMPONENT NEGATIVE REACTANCE COMPONENT RESISTANCE COMPONENT R Zo G G 1. G G JX Zo PU3JJ1VDS

15 S SWebS2P RF& URL PU3JJ1VDS 15

16 mm 2.1±.1 5±.1 2.± ± MIN. 1 PU3JJ1VDS

17 1 2 3VCC DC 2 C 22 C 1218 C 12±3 3.2%Wt. VPS 215 C 2 C C 3 3.2%Wt. 2 C 12 C 1.2%Wt. 35 C 3.2%Wt. IR2 VP215 WS2 HS35 PU3JJ1VDS 17

18 NESAT NEC NEChttp:// T E L salesinfo@ml.ncsd.necel.com F A X techinfo@ml.ncsd.necel.com F A X

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