PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

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1 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM 法 ) バルク : 200pcs(MIN.) 推奨用途 家電 OA FA PC 周辺機 その他一般用途 Page 1

2 絶対最大定格 (Ta=25 ) 項目 記号 絶対最大定格 単位 コレクタ損失 Pc 100 mw コレクタ エミッタ間電圧 V CEO 30 V エミッタ コレクタ間電圧 V ECO 5 V コレクタ電流 Ic 20 ma 動作温度 T opr -30~+85 保存温度 T stg -30~+100 電気的 光学的特性 (Ta=25 ) 項目 条件 記号 特性値 単位 光電流 V CE =5V, Ee=1mW/cm 2 1 Ic Min. 0.4 ma TYP. 1.4 ma V CE =10V, Ic=2mA, 立上がり / 立下り時間 tr/tf TYP. 5 μs R L =100Ω 1 暗電流 V CEO =10V I CEO Max. 0.2 μa ピーク感度波長 V CE =5V λp TYP. 880 nm 指向半値角 V CE =5V θ TYP. 76 deg. 1 光源色温度は2,856Kの標準タングステンランプを使用 Page 2

3 光電流ランク規格表 ( 単位 : ma) (Ta=25 ) Ic(mA) ランク MIN. MAX. 条件 A B C V CE = 5V Ee = 1mW/cm 2 D E ランク指定については 担当営業へお問い合わせください Page 3

4 特性グラフ スペクトル分布特性 Relative Sensitivity vs. Sensitivity Wavelength 条件 /Condition : Ta = 25, V CE = 5V 指向特性図 ( 代表特性 ) Spatial Distribution Example 条件 /Condition : Ta = 25 相対感度 /Relative Sensitivity 感度波長 /Sensitivity Wavelength [nm] 放射照度 - 相対光電流特性 Radiation Luminance vs. Relative Photo Current 条件 /Condition : Ta = 25, V CE = 5V コレクタ エミッタ間電圧 - 光電流特性 Collector-Emitter Voltage vs. Photo Current 条件 /Condition : Ta = 25 相対光電流 /Relative Photo Current Ic 光電流 /Photo Current Ic (ma) 放射照度 /Radiation Luminance Ee(mW/cm 2 ) Ee=1mW/cm 2 を基準とする /It is based on Ee=1mW/cm 2. 2,856K の標準タングステンランプを使用 / Employs a standard tungsten lamp of 2,856K. コレクタ エミッタ間電圧 /Collector-Emitter Voltage V CE (V) 2,856K の標準タングステンランプを使用 / Employs a standard tungsten lamp of 2,856K Page 4

5 特性グラフ 応答速度測定回路 Response Time Measuring Circuit 負荷抵抗 - 応答速度特性 Load Resistance vs. Response Time 条件 /Condition : V CE =10V, Ic=2mA, Ta=25 応答速度 /Response Time (μs) 負荷抵抗 /Load Resistance : R L (Ω) 許容コレクタ損失 /Collector Dissipation : Pc(mW) コレクタ損失低減曲線 Ambient Temperature vs. Collector Dissipation 暗電流 /Dark Current : I CEO (A) 周囲温度 - 暗電流 特性 Ambient Temperature vs. Dark Current 条件 /Condition : V CEO = 10V 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) Page 5

6 特性グラフ 周囲温度 - 相対光電流 特性 Ambient Temperature vs. Relative Photo Current 条件 /Condition : V CE = 5V 相対光電流 /Relative Photo Current Ic (ma) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) Page 6

7 外形寸法 ( 単位 :mm) Page 7

8 ディップはんだ付け条件 予備加熱 はんだ槽温度 100 ( 最高 ) 樹脂表面温度 265 ( 最高 ) 槽内浸漬時間 位置 マニュアルはんだ付け条件 5 s ( 最長 ) リ - ド根元より 3.0 mm 以上 製品のはんだ槽への浸漬回数は 2 回までとして下さい 2 回目のディップ実施の際には 1 回目のディップ後に常温への冷却時間を設けてください 詳細についてはホームページの LED デバイス取扱い注意事項 : スルーホールタイプデバイスの実装について と はんだ付けについて に記載しておりますので 確認の上使用願います はんだコテ先温度 はんだ付け時間, 回数 位置 400 ( 最高 ) はんだゴテ 30 W 以下 3 秒以内,1 回 リ - ド根元より 3.0 mm 以上 詳細についてはホームページの LED デバイス取扱い注意事項 : スルーホールタイプデバイスの実装について と はんだ付けについて に記載しておりますので 確認の上使用願います Page 8

9 信頼性試験結果 試験項目準拠規格試験条件時間故障数 常温動作耐久試験耐はんだ熱試験温度サイクル試験耐湿放置試験高温放置試験低温放置試験リード引張り試験振動試験 4701/100(101) 4701/300(302) 4701/100(105) 4701/100(103) 4701/200(201) 4701/200(202) 4701/400(401) 4701/400(403) Ta = 25, Pd = 最大定格許容損失 1,000 h 0/16 265±5, 本体より 3mm 5s 0/16 定格の最低保存温度 (30min)~ 常温 (15min) ~ 定格の最高保存温度 (30min)~ 常温 (15min) 5 cycles 0/16 Ta = 60±2, RH = 90±5% 1,000 h 0/16 Ta = 定格の最高保存温度 1,000 h 0/16 Ta = 定格の最低保存温度 1,000 h 0/16 10N, 1 回 ( 0.4 及びフラットパッケージは 5N) 10s 0/ m/s 2 (10G), 100 ~ 2KHz, 20min. 掃引, XYZ 各方向 2 h 0/16 故障判定基準 項目記号条件故障判定基準 光電流 暗電流 I C I CEO 各製品の光電流の放射照度のE E 値各製品の光電流のコレクタ エミッタ間電圧 V CE 値各製品の暗電流のコレクタ エミッタ間電圧 V CEO 値 Max. 値 初期値 1.3 Min. 値 初期値 0.7 Max. 値 規格最大値 2.5 外観 - - 著しい変色 変形 クラック発生時 Page 9

10 本データシート記載事項及び製品使用にあたってのお願いと注意事項 Page 10

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