AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

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1 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM 法 ) バルク : 200pcs(MIN.) 推奨用途 家電 OA FA PC 周辺機 その他一般用途 Page 1

2 絶対最大定格 (Ta=25 ) 項目 記号 絶対最大定格 単位 許容損失 Pd 150 mw 順電流 I F 100 ma 1 パルス順電流 I FRM 1,000 ma 電流低減率 I F 1.33 ma/ (Ta=25 以上 ) I FRM 13.3 ma/ 逆電圧 V R 5 V 動作温度 T opr -30~+85 保存温度 T stg -30~ I FRM の測定条件 /Pulse Width 100μs, Duty 1/100 電気的 光学的特性 (Ta=25 ) 項目 記号 特性値 条件 順電圧 I F =50mA V F TYP. 1.3 MAX. 1.5 逆電流 V R =5V I R MAX. 10 μa 放射強度 I F =50mA I E MIN. 1.5 TYP. 3 mw/sr 光出力 I F =50mA Po TYP. 5 mw ピーク発光波長 I F =50mA λ p TYP. 950 nm スペクトル半値幅 I F =50mA λ TYP. 45 nm 指向半値角 I F =50mA 2θ1/2 TYP. 60 deg. 遮断周波数 I F =50mA DC ±5mA, MIN. - fc -3db from 0.1MHz TYP. 0.5 MHz 立上がり / 立下り時間 I F =50mA tr/tf TYP. 700 ns 単位 V Page 2

3 放射強度ランク規格表 ( 単位 : mw/sr) (Ta=25 ) ランク I E (mw/s r) MIN. MAX. 条件 A B C I F = 50mA D E ランク指定については 担当営業へお問い合わせください Page 3

4 特性グラフ スペクトル分布特性 Relative Intensity vs. Wavelength 条件 /Condition : Ta = 25, I F = 50mA 指向特性図 ( 代表特性 ) Spatial Distribution Example 条件 /Condition : Ta = 25 相対放射強度 /Relative Intensity 波長 /Wavelength [nm] 順電圧 - 順電流特性 Forward Voltage vs. Forward Current 条件 /Condition : Ta = 25 デュ - ティ比 - パルス順電流特性 Duty Ratio vs. Pulse Forward Current 条件 /Condition : Ta = 25, tw 100μs 順電流 /Forward Current I F (ma) パルス順電流 /Pulse Forward Current IFRM(A) 順電圧 /Forward Voltage V F (V) デュ - ティ比 /Duty Ratio Page 4

5 特性グラフ 最大許容電流 - 周囲温度特性 Ambient Temperature vs. Forward Current 最大パルス順電流 - 周囲温度 特性 Ambient Temperature vs. Pulse Forward Current 条件 /Condition : tw 100μs, Duty 1/100 順電流 /Forward Current : I F (ma) パルス順電流 /Pulse Forward Current I FRM (ma) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) 周囲温度 - 順電圧 特性 Ambient Temperature vs. Forward Voltage 条件 /Condition : I F = 50mA 周囲温度 - ピーク発光波長 特性 Ambient Temperature vs. Peak Wavelength 条件 /Condition : I F = 50mA 順電圧 /Forward Voltage V F (V) ピーク発光波長 /Peak Wavelength λp (nm) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) Page 5

6 特性グラフ 順電流 - 相対光出力特性 Forward Current vs. Relative Total Power 条件 /Condition : - - Pulse, tw 100μs, Duty 1/100, Ta = DC 周囲温度 - 相対光出力 特性 Ambient Temperature vs. Relative Total Power 条件 /Condition : I F = 50mA 相対光出力 /Relative Total Power 相対光出力 /Relative Total Power 順電流 /Forward Current : I F (ma) 周囲温度 /Ambient Temperature : Ta( ) パルス順電圧 - パルス順電流 特性 Pulse Forward Voltage vs. Pulse Forward Current 条件 /Condition : Ta=25, tw 100μs, Duty 1/100 パルス順電流 /Pulse Forward Current : I FRM (ma) パルス順電圧 /Pulse Forward Voltage : V FM (V) Page 6

7 外形寸法 ( 単位 :mm) Page 7

8 ディップはんだ付け条件 予備加熱 はんだ槽温度 100 ( 最高 ) 樹脂表面温度 265 ( 最高 ) 槽内浸漬時間 位置 マニュアルはんだ付け条件 5 s ( 最長 ) リ - ド根元より 3.0 mm 以上 製品のはんだ槽への浸漬回数は 2 回までとして下さい 2 回目のディップ実施の際には 1 回目のディップ後に常温への冷却時間を設けてください 詳細についてはホームページの LED デバイス取扱い注意事項 : スルーホールタイプデバイスの実装について と はんだ付けについて に記載しておりますので 確認の上使用願います はんだコテ先温度 はんだ付け時間, 回数 位置 400 ( 最高 ) はんだゴテ 30 W 以下 3 秒以内,1 回 リ - ド根元より 3.0 mm 以上 詳細についてはホームページの LED デバイス取扱い注意事項 : スルーホールタイプデバイスの実装について と はんだ付けについて に記載しておりますので 確認の上使用願います Page 8

9 信頼性試験結果 試験項目準拠規格試験条件時間故障数 常温動作耐久試験耐はんだ熱試験温度サイクル試験耐湿放置試験高温放置試験低温放置試験リード引張り試験振動試験 4701/100(101) 4701/300(302) 4701/100(105) 4701/100(103) 4701/200(201) 4701/200(202) 4701/400(401) 4701/400(403) Ta = 25, IF = 最大定格電流 1,000 h 0/25 265±5, 本体より 3mm 10s 0/25 定格の最低保存温度 (30min)~ 常温 (15min) ~ 定格の最高保存温度 (30min)~ 常温 (15min) 5 cycles 0/25 Ta = 60±2, RH = 90±5% 1,000 h 0/25 Ta = 定格の最高保存温度 1,000 h 0/25 Ta = 定格の最低保存温度 1,000 h 0/25 10N, 1 回 ( 0.4 及びフラットパッケージは 5N) 10s 0/ m/s 2 (10G), 100 ~ 2KHz, 20min. 掃引, XYZ 各方向 2 h 0/10 故障判定基準 項目記号条件故障判定基準 放射強度 I E 各製品の放射強度の I F 値 Min. 値 < 初期値 0.5 順電圧 VF 各製品の順電圧の I F 値 Max. 値 > 規格最大値 1.2 逆電流 IR V R = 最大定格逆電圧 V Max. 値 規格最大値 2.5 外観 - - 著しい変色 変形 クラック発生時 Page 9

10 本データシート記載事項及び製品使用にあたってのお願いと注意事項 Page 10