R1EV5801MBシリーズ データシート
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- うたろう かつま
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1 1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev EEPROM ROM MONOS CMOS V 5.5V 150ns Vcc=4.5V 5.5V Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max) 10 ms (max) ms (max) Data RDY/Busy ON/OFF JEDEC Byte-wide Standard CMOS MONOS R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 1 of 20
2 Orderable Part Name Access time Package Shipping Container Quality R1EV5801MBSDRDI#B0 150ns/250ns 525mil 32-pin plastic SOP PRSP0032DC-A (FP-32DV) Tube Max. 22 pcs/tube Max. 880 pcs/inner box R1EV5801MBTDRDI#B0 150ns/250ns 32-pin plastic TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DAV) Tray Max. 60 pcs/reel Max. 600 pcs/inner box R1EV5801MBSDR Series RDY/Busy A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS V CC A15 A13 A8 A9 A11 A10 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 A R1EV5801MBTDR Series (Top view) A4 A5 A6 A7 A12 A14 A16 RDY/Busy V CC A15 A13 A8 A9 A11 (Top view) A0 A16 I/O0 I/O7 V CC V SS RDY/Busy R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 2 of 20
3 V V CC SS High voltage generator Voltage detector I/O0 to I/O7 RDY/Busy A0 to A6 Control logic and timing Y decoder I/O buffer and input latch Y gating buffer and A7 to A16 latch X decoder Memory array Data latch RDY/Busy I/O Read V IL V IL V IH V H * 1 High-Z Dout Standby V IH * 2 High-Z High-Z Write V IL V IH V IL V H High-Z to V OL Din Deselect V IL V IH V IH V H High-Z High-Z Write inhibit V IH Write inhibit V IL Data polling V IL V IL V IH V H V OL Dout (I/O7) Program reset V IL High-Z High-Z 1. DC 2. R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 3 of 20
4 V SS V CC V V SS Vin 0.5* V * 2 Topr C Tstg C 1. 50ns 3.0V 2. DC Min Typ Max V CC V V SS V V IL 0.3* V V IH 1.9* 2 V CC V V H V CC 0.5 V CC V Topr C 1. 50ns 1.0V 2. V CC = V 2.2V DC (Ta = C, V CC = 2.7V 5.5V) Min Typ Max I LI 2* 1 µa V CC = 5.5V, Vin = 5.5V I LO 2 µa V CC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V I CC1 20 µa = V CC I CC2 1 ma = V IH I CC3 15 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, V CC = 5.5V 6 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, V CC = 3.3V 50 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 150ns, V CC = 5.5V 15 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 250ns, V CC = 3.3V V OL 0.4 V I OL = 2.1mA V OH V CC 0.8 V I OH = 400µA µA (max) (Ta = +25 C, f = 1MHz) Min Typ Max * 1 Cin 6 pf Vin = 0V * 1 Cout 12 pf Vout = 0V 1. R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 4 of 20
5 AC (Ta = C, V CC = 4.5V 5.5V) V, 0V V CC () 20ns 1TTL Gate + 100pF 0.8V, 2.0V Min Max t ACC 150 ns = = V IL, = V IH t 150 ns = V IL, = V IH t ns = V IL, = V IH t OH 0 ns = = V IL, = V IH t DF * ns = V IL, = V IH t DFR * ns = = V IL, = V IH t RR ns = = V IL, = V IH Min* 2 Typ Max t AS 0 ns t AH 150 ns t CS 0 ns t CH 0 ns t WS 0 ns t WH 0 ns t S 0 ns t H 0 ns t DS 100 ns t DH 10 ns t WP 250 ns t CW 250 ns t DL 300 ns t BLC µs t BL 100 µs t WC 10* 3 ms RDY/Busy t DB 120 ns t DW 150* 4 ns t RP 100 µs * 5 t 1.0 µs 1. t DF, t DFR 2. Min 3. RDY/Busy t WC 10ms 10ms 4. RDY/Busy t DW A7 A16 7. A7 A16 8. R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 5 of 20
6 AC (Ta = C, V CC = 2.7V 5.5V) V, 0V V CC () 20ns 1TTL Gate + 100pF 0.8V, 2.0V Min Max t ACC 250 ns = = V IL, = V IH t 250 ns = V IL, = V IH t ns = V IL, = V IH t OH 0 ns = = V IL, = V IH t DF * ns = V IL, = V IH t DFR * ns = = V IL, = V IH t RR ns = = V IL, = V IH Min* 2 Typ Max t AS 0 ns t AH 150 ns t CS 0 ns t CH 0 ns t WS 0 ns t WH 0 ns t S 0 ns t H 0 ns t DS 100 ns t DH 10 ns t WP 250 ns t CW 250 ns t DL 750 ns t BLC µs t BL 100 µs t WC 10* 3 ms RDY/Busy t DB 120 ns t DW 250* 4 ns t RP 100 µs * 5 t 1.0 µs 1. t DF, t DFR 2. Min 3. RDY/Busy t WC 10ms 10ms 4. RDY/Busy t DW A7 A16 7. A7 A16 8. R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 6 of 20
7 t ACC t OH t t t DF High Data Out t RR Data out valid t DFR R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 7 of 20
8 -1 t WC t CS t AH t CH t AS t WP t BL t S t H t DS t DH Din t DW RDY/Busy High-Z t DB High-Z t RP t V CC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 8 of 20
9 -2 t WS tah t BL t WC t CW t AS t WH t S t H t DS t DH Din t DW RDY/Busy High-Z t DB High-Z t RP t V CC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 9 of 20
10 -1 *6 A0 to A16 t t AS AH t BL t WP tdl tblc t CS t CH t WC t S t H t DS t DH Din RDY/Busy High-Z t DB t DW High-Z t RP t V CC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 10 of 20
11 -2 *7 A0 to A16 t t AS AH t BL t CW tdl tblc t WS t WH t WC t H t S t DS t DH Din t DW RDY/Busy High-Z t DB High-Z t RP t V CC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 11 of 20
12 (Data polling) An An t H t *8 t S t *8 t DW I/O7 Din X Dout X t WC Dout X R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 12 of 20
13 EEPROM I/O6 "1" "0" I/O6 2 t DW 1. I/O6 High 2. I/O *4 Next mode *3 t t H *3 t t S *1 *2 *2 I/O6 Din Dout Dout Dout Dout t WC t DW R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 13 of 20
14 -1 VCC t BLC twc Data AA AAAA or 2AAA 55 A0 Write address Write data -2 VCC t WC Normal active mode Data AA AAAA or 2AAA AA AAAA or 2AAA R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 14 of 20
15 (A0-A6) µs 30µs 1 30µs 100µs High Data polling EEPROM I/O7 EEPROM EEPROM RDY/Busy RDY/Busy EEPROM Low High-Z RDY/Busy EEPROM =Low V CC =Low High V CC Read inhibit Read inhibit Program inhibit Program inhibit, I/O % 10 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 15 of 20
16 1. (,, ) 20ns 20ns VIH 0 V VIH 0 V 20 ns max R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 16 of 20
17 2. V CC V CC CPU EEPROM V CC EEPROM CPU EEPROM V CC CPU ET * Unprogrammable * Unprogrammable 2.1 CPU EEPROM Low Low 10ms Low V CC Program inhibit Program inhibit or 1 µs min 100 µs min 10 ms min R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 17 of 20
18 Data AAAA or 2AAA Write address AA 55 A0 Write data } Normal data input 6 AAAA or 2AAA AAAA or 2AAA Data AA AA / R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 18 of 20
19 Orderable part Number Guide of Parallel EEPROM R1EV58 01MB SD R D I #B0 Parallel EEPROM Memory density 064B : 64Kbit 256B : 256Kbit 01MB : 1Mbit Packaging, Environmental #S0 : Embossed tape (Pb free) #B0 : Tray or Tube (Pb free) Quality grade I : 40 to +85 deg C (Industry) Package type DA : DiLP-28pin SC : SOP-28pin SD : SOP-32pin TC : TSOP-28pin TD : TSOP-32pin Access time B : 85/100/120ns D : 150ns/250ns Function R : N : Reset function suported Reset function not suported R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 19 of 20
20 R1EV5801MBSD (PRSP0032DC-A / Previous Code: FP-32DV) JEITA Package Code P-SOP x RENESAS Code PRSP0032DC-A Previous Code FP-32D/FP-32DV MASS[Typ.] 1.3g 32 *1 D 17 F NOTE) 1. DIMENSIONS"*1 (Nom)"AND"*2" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DS NOT INCLUDE TRIM OFFSET. b p b 1 *2 c 1 c E H E S Z 1 Index mark e y S *3 b p 16 x M A Terminal cross section A 1 Detail F L 1 L θ Dimension in Millimeters Min Nom Max D E A 2 A A 3.00 b p b c c θ 0 8 H E e 1.27 x 0.15 y 0.10 Z 1.00 L L Reference Symbol R1EV5801MBTD (PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DAV) NOTE) 1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DS NOT INCLUDE TRIM OFFSET. b p b 1 c 1 c H D *1 D b p M A *2 E e y x JEITA Package Code P-TSOP(1)32-8x RENESAS Code PTSA0032KD-A Previous Code TFP-32DA/TFP-32DAV MASS[Typ.] 0.26g Index mark 1 S 32 * Z F S Terminal cross section Dimension in Millimeters Reference Min Nom Max Symbol D E A 1 Detail F L 1 L θ A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H D e x y Z L L R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 Page 20 of 20
21 Rev Access time A C 1.00 C - 1
22 OA AV RoHS Renesas Electronics Corporation. All rights reserved. Colophon 3.0
HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ データシート
HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)
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RNxx CMOS system RESET IC R0DS0090JJ000 Rev..00 0.0.0 RNxx. V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0 V, ±% CMOS, (0.7 μ),, ( MΩ) (RNxx) CMOS (RNBxx). V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0
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ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり
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