シート / Datasheet FP06R12W1T4_B3

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1 EasyPIM モジュール トレンチ / フィールドストップ IGBTand エミッターコントロール diode 内蔵 and NTC サーミスタ EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / J VCES = V IC nom = / ICRM = 一般応用 Typicalpplications スタティックインバーター uxiliaryinverters 空冷 irconditioning モーター駆動 MotorDrives 電気的特性 ElectricalFeatures 低スイッチング損失 LowSwitchingLosses トレンチIGBT TrenchIGBT 正温度特性を持ったVCEsat 飽和電圧 VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient 低 VCEsat 飽和電圧 LowVCEsat 機械的特性 MechanicalFeatures 低熱インピーダンスのlO DCB losubstratewithlowthermalresistance コンパクトデザイン Compactdesign 半田接合技術 SolderContactTechnology 固定用クランプによる強固なマウンティング Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E)

2 IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent トータル損失 Totalpowerdissipation ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = C, Tvj max = C TC = C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM TC = C, Tvj max = Ptot, W VGES +/- V 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IC =, VGE = V IC =, VGE = V IC =, VGE = V Tvj = C IC VCE sat,,,, V V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth,,, V VGE = - V... + V QG, µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cies, nf f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cres, nf VCE = V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V VGE = ± V RGon = Ω IC =, VCE = V VGE = ± V RGon = Ω IC =, VCE = V VGE = ± V RGoff = Ω IC =, VCE = V VGE = ± V RGoff = Ω IC =, VCE = V, LS = nh VGE = ± V, di/dt = / (Tvj = C) RGon = Ω Tvj = C Tvj = C Tvj = C Tvj = C Tvj = C IC =, VCE = V, LS = nh VGE = ± V, du/dt = V/ (Tvj = C) RGoff = Ω Tvj = C VGE V, VCC = V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, Tvj = C td on tr td off tf Eon Eoff,,,,,,,,,,,,,,,,,, IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC,, K/W IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) ISC RthCH, K/W Tvj op - C

3 Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value VRRM V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, Tvj = C 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V Tvj = C Tvj = C Tvj = C Tvj = C I²t VF IRM Qr Erec,,,,,,,,,,,,,, ²s ²s, V V V /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC,, K/W /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH, K/W Tvj op - C Diode 整流器 /Diode,Rectifier 最大定格 /MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 最大実効順電流 /chip MaximumRMSforwardcurrentperchip 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput サージ順電流 Surgeforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value VRRM V TC = C IFRMSM TC = C IRMSM tp = ms, tp = ms, Tvj = C tp = ms, tp = ms, Tvj = C 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage 逆電流 Reversecurrent ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IFSM I²t Tvj = C, IF = VF, V ²s ²s Tvj = C, VR = V IR, m /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC,, K/W /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH, K/W Tvj op - C

4 NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance R の偏差 DeviationofR 損失 Powerdissipation B- 定数 B-value B- 定数 B-value B- 定数 B-value 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = C R, kω TC = C, R = Ω R/R - % TC = C P, mw R = R exp [B/(/T - /(, K))] B/ K R = R exp [B/(/T - /(, K))] B/ K R = R exp [B/(/T - /(, K))] B/ K モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 最大ジャンクション温度 Maximumjunctiontemperature 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 保存温度 Storagetemperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp 質量 Weight RMS, f = Hz, t = min VISOL, kv 基礎絶縁 ( クラス,IEC) basicinsulation(class,iec) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal lo CTI >,,,, min. typ. max. mm mm LsCE nh TC= C,/ スイッチ /perswitch インバータ ブレーキチョッパー /inverter, brake-chopper 整流器 /rectifier インバータ ブレーキチョッパー /inverter, brake-chopper 整流器 /rectifier RCC'+EE' R'+CC',, Tvj max Tvj op - - Tstg - C F - N G g mω C C C C Der Strom im Dauerbetrieb ist auf effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to rms per connector pin.

5 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=V 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj= C Tvj = C VGE = V VGE = V VGE = V VGE = V VGE = V VGE = V IC [] IC [],,,,,,,,,,,,, VCE [V],,,,,,,,,,, VCE [V] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±V,RGon=Ω,RGoff=Ω,VCE=V Tvj = C,,, Eon, Eon, Tvj = C Eoff, Eoff, Tvj = C,,, IC [] E [],,,,,, VGE [V], IC []

6 スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±V,IC=,VCE=V 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t),, Eon, Eon, Tvj = C Eoff, Eoff, Tvj = C ZthJH : IGBT,, E [],, ZthJH [K/W],,,, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,,,,,,,,,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSO)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±V,RGoff=Ω,Tvj= C 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip Tvj = C IC [] IF [] VCE [V],,,,,,,,,,,,, VF [V]

7 スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=V スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V, Erec, Erec, Tvj = C,, Erec, Erec, Tvj = C,,,, E [] E [],,,,,,, IF [], RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJH=f(t) 順方向特性 Diode 整流器 ( 典型 ) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) IF=f(VF) ZthJH : Diode Tvj = C ZthJH [K/W] IF [] i: ri[k/w]: τi[s]:,,,,,,,,,,,, t [s],,,,,,, VF [V]

8 NTC- サーミスタ サーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TC [ C]

9 回路図 /circuit_diagram_headline J パッケージ概要 /packageoutlines Infineon

10 この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります この日本訳は あくまで参考訳となりますので 正式はデータシートに記載されている英文の物となります 利用規約このデータシートに記載されているデータ類は 技術者向けの物です このデバイスを使用される際は 製品が使用されるアプリケーションにて ご評価頂いた上で アプリケーションに適切かご判断願います このデータシートには 保証されている特性が記述されております その他 保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます 保証は アプリケーションやその特性に対しては行いません 実際のアプリケーションでの利用に関しては 必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください 追加の技術的情報 アプリケーションでの使用方法について ご質問がある際には 最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います ( 参照 ) 製品にご興味頂き必要があれば アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります 技術的な要求によっては 当該製品が危険な物になり得る可能性があります この様なことが起こる可能性がある場合は 製品を使用される方の責任にて 弊社セールスオフィスに連絡願います 航空関連 もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は インフィニオンと下記の項目を合意しているか ご確認願います ーリスク及び品質の評価ー品質契約ーアプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて 製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます 必要に応じて この規約を関係される方々に送付してください インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.