TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 15 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の

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1 TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 5 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の中から選択可能です TITAN プローブのもつ優れたインピーダンス整合 電気特性 チップの視認性 長寿命をすべて兼ね備えています さらに TITAN マルチコンタクト プローブは同種のプローブの中で最も短い設計となっており シールド環境下において大型デバイスの特性評価を広い温度範囲にて測定可能にしました 特長 TITAN MEMS コンタクト チップ視認性 周波数 ~6 GHz ( 最大 5 コンタクト ) コンタクト抵抗 < 45 mω ( アルミパッド ) コンタクト幅 0 μm プローブピッチ 50 μm~ コンパクト設計 コンタクト寿命 00 万回以上 ( アルミパッド ) 利点 インピーダンス整合のとれた RF チャンネル TITAN RF プローブに匹敵する機械特性 プローブ寿命内 動作温度範囲内で機械的 電気的劣化を最小限にに抑えた設計 ミリ波帯においての他の RF プローブと合わせて小パッドプロービングが可能 小さなパッドでもプロービングが簡単に プローブ - パッド間のアライメントを最短時間で 再現性 信頼性の高いデータの獲得 RF ワイヤレスデバイスに最適 ハイスピード デジタル回路測定 最新マルチステージ携帯端末パワーアンプの電源供給および制御 パッド材質によらない高精度 再現性の高い安定した測定結果 ( 金 アルミ 銅パッド ) 最小プロービング パッドサイズ 30 μm x 5 μm 高集積デバイスにも対応 テストコストの削減 ShielDEnvironment 内での大型デバイス特性評価が可能 プローブ交換が素早く簡単に ポジショナの再調整が不要 シリコン RF デバイス測定を低コストで 4 方向配置 パッドレイアウトの自由度が高い ウェハー内を有効に使用可能 受注生産 短納期

2 仕様 コンタクト数 3-5 ピッチ 50 μm~50 μm (5 μm 間隔 ) 50 μm~300 μm (50 μm 間隔 ) 温度範囲 -40 ~ 50 C コンタクト幅 0 µm 4 方向プロービング ( コーナーパッドの配置 ) 可 ShielDEnvironment TM 対応 推奨オーバートラベル 5 µm コンタクト抵抗 コンタクト寿命 Al パッド /@0 / オーバートラベル 5 μm にて Al パッド /@0 / オーバートラベル 50 μm にて 可 < 45 mω >,000,000 コンタクト コンタクトタイプ G S L P X グラウンド RF 信号 (6 GHz) ロジック信号 (500 MHz) バイパス電源 (DC) コンタクトなし ポート port ((w/ ケーフ ルアセンフ リ含む cable assm) ) RF cable ケーフ ルアセンフ リ assm (SMA-to-MMCX) (SMA-MMCX) DC ケーフ ルアセンフ リ cable assm (5x@ mmヒ ッチ ) (5 x at pitch) adapter アダプタ (0. (0. pitch ヒ ッチ - mmヒ ッチ pitch) ) port ポート (w/o( ケーフ ルアセンフ リ含む cable assm) ) multi-contact マルチコンタクト フ ローフ probe ポート port DC コンタクトタイプ I MAX V MAX ケーフ ルアセンフ リ含まない 直列抵抗 ( コンタクト抵抗除く ) ケーフ ルアセンフ リ含む S. A 300 V 0. Ω 0.7 Ω L. A 300 V 0. Ω 0.4 Ω P. A 50 V 0. Ω 0.4 Ω 標準 RF (GSG/GS) 最大 6 GHz 構成 ケーフ ルアセンフ リ含まない ケーフ ルアセンフ リ含む 挿入損失 3 db 5 db 反射損失 0 db 0 db

3 ロジックおよび標準外 RF 周波数帯域 構成 ケーフ ルアセンフ リ含まない ケーフ ルアセンフ リ含む L ( すべて ) 500 MHz 70 MHz 隣接したGのないS 500 MHz 500 MHz アイソレーション (~6 GHz) 構成 50 µm to 50 µm ピッチ 00 µm to 300 µm ピッチ SGS 0 db 5 db SS 5 db 5 db チップが50Ωにコンタクトした状態でSMAの連結部を測定 バイパス電源 (DC) 構成 Z ピーク (0. ~ GHz) 直列インダクタンス ( ~ GHz) GPG, G * P * G 6 Ω 0.4 nh GP, G * P 7 Ω 0.7 nh * の記号は最大 3ピンまでのPを現す ( 例 P PP PPP) 代表的性能 (@0 00 μm ピッチ ) 標準 RF( ケーフ ルアセンフ リ含まない ) - GSG - GSL - GSP - GSS (on the S adjacent to G) 標準 RF( ケーフ ルアセンフ リ含む ) - GSG - GSL - GSP - GSS (on the S adjacent to G) その他特性 - SGS - SS - GPG - GP - GPPPP (on the last P) 3

4 プローブ寸法 単位 : mm 推奨パッドサイズ 下記表は仕様温度範囲内でご使用いただいた場合の最小プロービング パッドサイズを現しています L( 長さ ) はプロービング方向に平行 最小プロービング パッドサイズ (W L μm) ピッチ 50 μm 75 μm 00 μm 5 μm 50 μm 00 μm 50 μm 300 μm コンタクト数 3 5 x 0 30 x 0 30 x 0 30 x 0 30 x 0 30 x 0 30 x 0 30 x x 5 30 x 5 30 x 5 30 x 5 30 x 5 35 x 5 35 x 5 35 x x 5 30 x 5 30 x 5 35 x 5 35 x 5 35 x 5 35 x 5 40 x x 5 35 x 5 35 x 5 35 x 5 35 x 5 40 x 5 40 x 5 40 x x 5 35 x 5 35 x 5 40 x 5 40 x 5 40 x x x x 5 35 x 5 40 x 5 40 x x x x x x 5 40 x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x 30* 45 x x x x x x x x 30* 50 x x x x x x x x 30* 50 x x x x x x x 40 * 詳細については工場へお問合せください ShielDEnvironment での使用例 4

5 TITAN TM コンタクト技術 MPI の他の RF プローブと同様 TITAN マルチコンタクト プローブは独自のチップ設計により 視認性が非常に優れています 0 μm のコンタクト幅とスケート量が小さいため TITAN マルチコンタクト プローブはパッドの損傷を最小限に抑え 広い温度範囲にて小パッドのプロービングを可能にします * 詳しくは MPI 取引条件をご参照ください MPI Global Presence Asia region: EMEA region: America region: Direct contact: ast-asia@mpi-corporation.com ast-europe@mpi-corporation.com ast-americas@mpi-corporation.com MPI global presence: for your local support, please find the right contact here: 5

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